發(fā)光器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光器件，其包括堆疊層，該堆疊層包括：具有發(fā)光表面（12）的電光層結(jié)構(gòu)（10）；與發(fā)光表面相鄰的光提取結(jié)構(gòu)（20），所述光提取結(jié)構(gòu)具有納米結(jié)構(gòu)層（22）；以及回填層（24），所述回填層包括具有不同于第一折射率的第二折射率的材料，其中回填層（24）在納米結(jié)構(gòu)層（22）之上形成平坦化層。發(fā)光器件包括阻擋膜，所述阻擋膜包括第一無機層（22）和第二無機層（26）以及布置在所述無機層之間的有機層（24）。阻擋膜的無機層中的最靠近電光層結(jié)構(gòu)的一個無機層（22）形成納米結(jié)構(gòu)層，并且在無機層之間的有機層（24）形成回填層。
【專利說明】發(fā)光器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光器件。
[0002]本發(fā)明還涉及制造發(fā)光器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]有機發(fā)光二極管(OLED)是新的顯示和照明技術(shù)的基礎(chǔ)。OLED器件包括夾在陰極 和陽極之間的電致發(fā)光有機材料的薄膜，其中這些電極中的至少一個是透明導(dǎo)體。當(dāng)在器 件兩端施加電壓時，電子和空穴從它們各自的電極被注入并且通過發(fā)射激子的中間形成而 在電致發(fā)光有機材料中復(fù)合。
[0004]底部發(fā)射OLED可以被認(rèn)為是由如下芯組成:該芯含有高折射率層(用于光產(chǎn)生， 載流子輸運、注入或阻擋的有機層，以及通常的透明導(dǎo)電氧化物層)和低折射率襯底材料 (例如玻璃板或聚合物膜)。因此，在芯內(nèi)產(chǎn)生的光可能遇到高折射率到低折射率的界面，在 該界面處它可能經(jīng)歷內(nèi)反射。由于在第一界面處的遭遇而不能逃離芯的光被約束為波導(dǎo)模 式，而穿過該界面但由于在襯底-空氣界面處的反射而不能從襯底逃離的光被約束為襯底 模式。由于在頂部發(fā)射OLED中的界面，所以發(fā)生類似的光損耗。
[0005]以此方式，在OLED器件中，由于在靠近電致發(fā)光有機層的瞬逝區(qū) (evanescentzone)和襯底空氣界面中的過程,通常所產(chǎn)生的光中超過70%的光被損耗掉。 大部分光經(jīng)歷內(nèi)反射，導(dǎo)致光從器件的邊緣發(fā)出或者被約束器件內(nèi)并最終在反復(fù)的通過之 后在器件內(nèi)吸收損耗掉。
[0006]改善在襯底到空氣界面處光的向外耦合的解決方案很常見，并且依賴于在襯底表 面處的散射或(微)透鏡。
[0007]改善光從OLED進(jìn)入襯底的耦合的解決方案不太常見。已經(jīng)提出了各種解決方案 以通過干擾所述界面來影響到達(dá)襯底的光。在瞬逝區(qū)中，在此區(qū)域中呈指數(shù)衰減的電磁場 還被稱為瞬逝場。只有一部分發(fā)射光通過透明電極射出作為“有用”光進(jìn)入襯底。
[0008]W02009011961公開了一種用于制造用于增強光提取的光學(xué)膜。該方法包括以下步 驟:
[0009]將具有第一折射率的有機材料的層涂覆到柔性襯底上；
[0010]向有機材料賦予納米結(jié)構(gòu)特征，以生成納米結(jié)構(gòu)表面；以及
[0011]向納米結(jié)構(gòu)表面施加回填層，以在納米結(jié)構(gòu)表面上形成平坦化層，其中所述回填 層包括具有不同于第一折射率的第二折射率的材料，并且其中當(dāng)光學(xué)膜相對于自發(fā)光光源 設(shè)置時，納米結(jié)構(gòu)特征的主要部分在與自發(fā)光光源的發(fā)光區(qū)域相鄰的瞬逝區(qū)內(nèi)。
[0012]如此得到的光學(xué)膜被用于增強OLED中的光提取。該OLED包括:具有至少一個將光 從器件輸出的表面的自發(fā)光光源；以及與自發(fā)光光源的至少一個表面相鄰的光提取膜。其 中光提取膜包括:柔性襯底；具有第一折射率的提取元件的結(jié)構(gòu)層，其中提取元件的主要 部分在自發(fā)光光源的光輸出表面的瞬逝區(qū)內(nèi)；以及包含具有不同于第一折射率的第二折射 率材料的回填層，，其中回填層在提取元件之上形成平坦化層，其中結(jié)構(gòu)層和回填層足夠接近自發(fā)光光源的光輸出表面以至少部分地增強光從該表面的提取。在從W02009011961已知的器件中，回填層布置在結(jié)構(gòu)層的面向OLED表面的一側(cè)。
[0013]對于以這種方式制造的光學(xué)膜必要的是，從OLED的表面到結(jié)構(gòu)層與回填層之間的界面的距離仍然比較大。為了提供足夠的平坦化，回填層應(yīng)具有相對大的厚度。
[0014]W02009011961提及“當(dāng)回填層具有比結(jié)構(gòu)層的折射率更低的折射率時，則回填層優(yōu)選地具有基本等于提取元件的厚度。當(dāng)回填層具有比結(jié)構(gòu)層的折射率更高的折射率時，則回填層可以比提取元件厚，只要其仍然可以與瞬逝波相互作用即可。在這兩種情況中，結(jié)構(gòu)層和回填層優(yōu)選地足夠接近光輸出表面，以至少部分地影響光從該表面的提取”。
[0015]W02009011961還提到，通過在任選的超阻擋膜上形成提取結(jié)構(gòu)，可以在光提取膜產(chǎn)品中引入提供優(yōu)異的濕氣和氧阻擋性能的另外功能。超阻擋膜包括通過以下方法制成的多層膜，例如通過以多層方式在玻璃或其他適當(dāng)?shù)囊r底上依次真空沉積兩種無機介電材料，或無機材料和有機聚合物的交替層，如美國專利第5，440，446號、第5，877，895號和第6,010, 751號中所描述的，其全部內(nèi)容通過引用合并到本文中。
[0016]存在進(jìn)一步改善OLED器件的提取效率的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光器件。
[0018]在根據(jù)第一方面的有機發(fā)光器件中，第一無機層和第一有機層執(zhí)行雙重功能。第一無機層是面向發(fā)光表面的納米結(jié)構(gòu)層。第一有機層在第一無機層之上形成平坦化層。于是這些層之間的界面具有提供改善的光提取效率的納米圖案化結(jié)構(gòu)。只要第一無機層的無機材料的折射率具有與有機層的折射率相差至少0.1的折射率，則具有納米圖案化界面的無機層和有機層形成光提取膜。當(dāng)?shù)谝粺o機層具有比有機層的折射率更高的折射率時，得到最好的結(jié)果。在實際中，與有機材料相比，無機材料具有相對高的折射率?？梢宰龀鲇袡C層和無機層的各種組合，其中第一無機層的無機材料具有比有機層的折射率高至少0.1的折射率。通過示例的方式，無機層(如例如通過PECVD沉積的SiN氣相沉積層)具有在1.6至1.8范圍內(nèi)的折射率。許多有機材料具有在1.5至1.6范圍內(nèi)的折射率。
[0019]此外，第一無機層和第一有機層與第二無機層配合形成阻擋膜。
[0020]第一無機層可以以如下方式納米結(jié)構(gòu)化:向第一無機層設(shè)置例如圓柱體、角錐或圓錐形式的提取元件。然而其他形狀也是適用的。提取元件應(yīng)該具有在納米范圍內(nèi)的尺寸。優(yōu)選地，提取元件的在由第一無機層所限定的平面中的外接圓具有在40nm至200nm范圍內(nèi)的直徑D。提取元件通常具有在約0.至2D范圍內(nèi)的高度H，優(yōu)選地約等于I。顯著較高值的直徑或間距(例如大于300nm)導(dǎo)致較低效的光提取。顯著較低值的直徑(例如小于30nm)要求第一無機層相對薄，作為其結(jié)果，第一無機層不再具有阻擋功能。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，如權(quán)利要求5中所要求保護(hù)的，提供了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一方面的發(fā)光器件的非常實用的方法。
[0022]在根據(jù)本發(fā)明的第二方面的方法中，使用了臨時襯底作為模具以在無機層中形成納米結(jié)構(gòu)。
[0023]在實施方案中，臨時襯底是金屬箔，例如是鋁或銅的金屬箔。金屬箔的主表面設(shè)置有納米圖案化凸紋(relief)。各種選擇可以用來提供納米圖案凸紋。根據(jù)第一選擇，例如通過壓紋或通過圖案化蝕刻工藝來對箔材料進(jìn)行處理以得到所期望的結(jié)構(gòu)。根據(jù)第二選 擇，設(shè)置具有所述納米圖案凸紋的第二材料。例如，可以根據(jù)納米圖案凸紋來沉積所述第二 材料?？商娲?，可將第二材料沉積為均勻?qū)硬㈦S后對其圖案化，例如壓印。壓印方法包括 熱壓印和紫外線(UV)固化樹脂印刷。在熱壓印的情況下，通過利用納米印模按壓來對被加 熱軟化的箔進(jìn)行壓印。在(UV)固化樹脂印刷的情況下，利用納米印模來壓印樹脂層并且例 如通過(UV)處理來直接固化樹脂層。
[0024]隨后，在臨時襯底被設(shè)置了納米圖案凸紋之后，利用共形沉積法施加第一無機層， 并且在共形沉積的第一無機層之上形成第一有機層作為平坦化層。由于其共形沉積，形成 納米結(jié)構(gòu)層的第一無機層在兩側(cè)具有相互共形的納米圖案凸紋。
[0025]隨后,在第一無機層之上沉積第二無機層。第一無機層、第一有機層和第二無機層 形成第一阻擋膜。由于第一無機層的共形沉積，所以在第一無機層與有機平坦化層之間形 成納米圖案化界面。
[0026]可以在該堆疊的具有第二無機層的一側(cè)施加透明襯底?？梢酝ㄟ^層壓步驟(例如 使用中間粘合層)來施加透明襯底。在施加透明襯底之后，例如通過蝕刻或溶解臨時襯底的 材料來移除臨時襯底。或者，布置在第一無機層與第二無機層之間的有機層可以具有足夠 的厚度，例如至少25 u m，以作為器件的襯底。
[0027]隨后，在所述堆疊的移除了臨時襯底的一側(cè)施加有機發(fā)光結(jié)構(gòu)?？梢砸砸阎姆?式施加有機發(fā)光結(jié)構(gòu)。于是，形成納米結(jié)構(gòu)層且在兩側(cè)具有相互共形的納米圖案化凸紋的 第一無機層是阻擋膜的無機層中的最靠近電光層結(jié)構(gòu)的無機層。
[0028]在實施方案中，納米結(jié)構(gòu)層被被不規(guī)則圖案化。這對電光層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生寬帶輻射是 有利的。不規(guī)則圖案防止了結(jié)構(gòu)層的顏色依賴行為(color dependentbehaviour)。
[0029]在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電光器件中，提取元件的結(jié)構(gòu)層與回填層之間的界面 可以靠近自發(fā)光光源的至少一個表面，從而改善光提取。
[0030]在根據(jù)本發(fā)明的器件中，在不賦予結(jié)構(gòu)層與回填層之間的界面以光向外耦合功能 的情況下，回填層可以具有相對大的厚度?；靥顚涌梢岳缇哂性?.1iim至IOOiim范圍 內(nèi)，優(yōu)選地5 ii m至50 ii m的厚度。如果厚度足夠大，例如大于25 y m時，回填層可以提供足 夠的支承性以省去襯底。
[0031]在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的器件的實施方案中，在結(jié)構(gòu)層與回填層之間布置有阻 擋層。
[0032]阻擋層在實際中具有相對小的厚度，S卩，大約在IOnm至IOOOnm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選 地在IOOnm至300nm的范圍內(nèi)，并且共形地覆蓋結(jié)構(gòu)層。
[0033]阻擋層在本文中被定義為形成水蒸汽的阻擋物的層。即，阻擋層應(yīng)該具有至多 l(T4g/m2/天,優(yōu)選10-6g/m2/天或更少的水蒸汽透過率(WVTR)。
[0034]阻擋層通常由通常具有相對高折射率的無機材料制成，而結(jié)構(gòu)層和回填層通常由 具有相對低折射率的有機材料制成。
[0035]在根據(jù)本發(fā)明的方法中，從納米結(jié)構(gòu)層釋放臨時襯底的步驟留下了適用于制造光 源的表面。光源于是與納米結(jié)構(gòu)層相鄰，并且回填層可以具有任意厚度，其甚至可以足夠厚 以用作器件的襯底?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0036]參照附圖較詳細(xì)地描述這些和其他方面。其中:
[0037]圖1不出根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電光器件的第一實施方案，
[0038]圖1A示出根據(jù)圖1的器件的細(xì)節(jié)IA，
[0039]圖1B示出圖1的器件的、根據(jù)圖1A中視角IB的橫截面圖，
[0040]圖1C更詳細(xì)地示出器件的一部分，
[0041]圖2A至圖21示出根據(jù)本發(fā)明的第二方面的方法的第一實施方案，
[0042]圖2J和圖2K示出根據(jù)本發(fā)明的第二方面的方法的第二實施方案的步驟，
[0043]圖2BA示出圖2B中所示步驟的替代步驟，
[0044]圖2GA示出圖2G中所示步驟的替代步驟，
[0045]圖2GB更詳細(xì)地示出該步驟，
[0046]圖2GC示出替代步驟，
[0047]圖3不出根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電光器件的第二實施方案，
[0048]圖3A至圖3D示出第二實施方案的變型的細(xì)節(jié)，
[0049]圖4A至圖4D示出根據(jù)本發(fā)明的第二方面的、適用于制造根據(jù)圖3的電光器件的方法的第三實施方案的步驟，
[0050]圖5不出根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電光器件的第三實施方案，
[0051]圖6不出根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電光器件的第四實施方案。
【具體實施方式】
[0052]在下面的詳細(xì)描述中，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的全面理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可以實施本發(fā)明。在其他情況下，未詳細(xì)描述眾所周知的方法、步驟和部件以免模糊本發(fā)明的方面。
[0053]本文使用的術(shù)語僅用于描述具體實施方案的目的而并不意在限制本發(fā)明。如在本文中所使用的，除非上下文清楚地指出，否則單數(shù)形式“一個”、“一種”以及“該/所述”也意在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”明確指明所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或增加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組合。
[0054]此外，除非明確地相反指明，否則“或”是指包容性的“或”，而不是排他性的“或”。例如，條件A或B被以下任何一種滿足:A為真(或存在)而B為假(或不存在)，A為假(或不存在)而B為真(或存在)，以及A和B兩者均為真(或存在)。
[0055]下面參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，在附圖中，示出了本發(fā)明的實施方案。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式來實施，而不應(yīng)該解釋為限于本文所闡述的實施方案。而是這些實施方案被提供來使得本公開更透徹和完整，從而將本發(fā)明的范圍更充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為清楚起見，可能會放大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
[0056]應(yīng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀保斑B接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r，其可以是直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接或耦接至另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀??！爸苯舆B接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。還應(yīng)理解，當(dāng)方法的特定步驟被稱為在另一步驟之后時，其可以直接跟隨所述另一步驟，或者可以在執(zhí)行所述特定步驟之 前執(zhí)行一個或多個中間步驟。貫穿全文，相似的附圖標(biāo)記指代相似的元件。如本文所用，術(shù) 語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的列舉項中的一個或更多個中的任何項和所有組合。
[0057]應(yīng)理解，盡管在本文中可能使用了術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、部件、 區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些 術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，下面討 論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不脫離 本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0058]為了便于描述，在文中，使用了空間相關(guān)術(shù)語例如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、 “上”等，以描述如圖所示的一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。
[0059]應(yīng)理解，除了在圖中描述的方位之外，空間相關(guān)術(shù)語還意在包括使用中或操作中 的器件的不同方位。例如，如果將圖中的器件翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其它元件或特征“之下” 或“下方”的元件則將被定位為在其它元件或特征“之上”。因此，示例性術(shù)語“之下”可以 包括之上和之下兩個方位?？梢粤硗舛ㄎ?旋轉(zhuǎn)90度或在其他方向)器件并且相應(yīng)地解釋 文中使用的空間相關(guān)描述符。
[0060]參照本發(fā)明的理想化實施方案(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的截面圖來描述文中的本 發(fā)明的實施方案。這樣，由例如制造技術(shù)和/或公差所導(dǎo)致的視圖的形狀變化是可以預(yù)料 的。因此，本發(fā)明的實施方案不應(yīng)被解釋為限于文中所示的區(qū)域的具體形狀，而是包括由例 如制造所導(dǎo)致的形狀偏差。
[0061]除非另有定義，否則本文中所用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本 發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員的一般理解相同的含義。還應(yīng)理解，術(shù)語，如在一般使用的詞典中 定義的那些術(shù)語，應(yīng)該被理解為具有與相關(guān)領(lǐng)域的背景下的含義一致的含義，并且除非在 本文中清楚地定義，否則不應(yīng)以理想化或過度形式化的意義來理解。本文所提及的所有出 版物、專利申請、專利和本文提及的其它參考文獻(xiàn)通過引用其全部內(nèi)容并入本文。在沖突的 情況下，將以本說明書(包括定義)為準(zhǔn)。另外，材料、方法和實例只是說明性的，而不是意在 限制。
[0062]圖1示出包括電光層結(jié)構(gòu)10的發(fā)光器件，該電光層結(jié)構(gòu)10被施加在襯底40上并 且具有發(fā)光表面12。與電光層結(jié)構(gòu)10的發(fā)光表面12相鄰布置有光提取膜20,在圖1A中 示出了光提取膜20的一部分。
[0063]從圖1A中可以明顯看出，光提取膜20具有提取元件23的納米結(jié)構(gòu)層22，所述提 取元件23具有第一折射率，其中提取元件的主要部分在電光層結(jié)構(gòu)10的發(fā)光表面的瞬逝 區(qū)內(nèi)。光提取膜具有回填層24，所述回填層24包括具有不同于第一折射率的第二折射率的 材料，其中回填層24在提取元件23的之上形成平坦化層。
[0064]圖1B示出根據(jù)圖1A中的方向IB所看到的光提取膜20的一部分。在圖1B所示 的實例中，提取元件23形成為在無機層中的圓柱凹坑。在所示的實例中，圓柱凹坑具有約 150nm的直徑D并且以約300nm的平均距離布置。形成提取元件23的凹坑具有約150nm的 高度H。在所示實施方案中，隨機地分布提取元件。這對于電光層結(jié)構(gòu)10生成相對寬波長 范圍的輻射的情況是有利的。以此方式，光提取膜20的效果基本上與波長無關(guān)?？商娲?或者另外地，可以任意地改變提取元件23的尺寸或形狀。[0065]可替代地，例如在電光層結(jié)構(gòu)10產(chǎn)生小波長范圍的光的情況下，提取元件23可以是規(guī)則的尺寸和形狀并且可以根據(jù)如帶狀物之類的規(guī)則圖案來施加。
[0066]圖1、圖1A和圖1B示出的發(fā)光器件包括阻擋膜，所述阻擋膜包括第一無機層22和第二無機層26以及布置在所述無機層之間的有機層24。阻擋膜的無機層中的最靠近電光層結(jié)構(gòu)10的無機層22形成提取元件的結(jié)構(gòu)層，而無機層22、26之間的有機層24形成回填層。
[0067]在所示實施方案中，第一無機層22和第二無機層26的每個均是通過CVD法例如PECVD法得到的氮化硅層。其他透明陶瓷材料如氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氧化鈦(TiO2)、碳化娃(SiC)、氮氧化娃(SiON)也是適用的。無機層的每個均具有在IOnm至IOOOnm范圍內(nèi)，優(yōu)選地在50nm至300nm范圍內(nèi)的厚度。在該情況下，無機層22、26具有50nm的厚度。在本情況下，有機層24是通過旋涂施加的丙烯酸酯聚合物層。在下表中，包括了具有相對低折射率的丙烯酸酯聚合物的實例。
【權(quán)利要求】
1.一種包括堆疊層的有機發(fā)光器件，所述堆疊層包括: -具有發(fā)光表面(12)的電光層結(jié)構(gòu)(10), -與所述發(fā)光表面相鄰的光提取結(jié)構(gòu)(20)，所述光提取結(jié)構(gòu)具有納米結(jié)構(gòu)層(22)，所述納米結(jié)構(gòu)層(22)具有第一折射率；以及 回填層(24)，所述回填層包括具有第二折射率的材料，所述第二折射率與所述第一折射率相差至少0.1，其中所述回填層(24)在所述納米結(jié)構(gòu)層(22)之上形成平坦化層， 所述發(fā)光器件包括阻擋膜，所述阻擋膜包括第一無機層(22)和第二無機層(26)以及布置在所述無機層之間的有機層(24)， 其特征在于，所述阻擋膜的所述無機層中最靠近所述電光層結(jié)構(gòu)的無機層(22 )形成所述納米結(jié)構(gòu)層，并且在所述無機層之間的所述有機層(24)形成所述回填層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光器件，其中形成所述納米結(jié)構(gòu)層的所述阻擋膜的所述無機層中最靠近所述電光層結(jié)構(gòu)的無機層(22)在兩側(cè)具有相互共形的納米圖案化凸紋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機發(fā)光器件，還包括在所述回填層(24)與所述電光層結(jié)構(gòu)(10)之間延伸的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(50)，并且所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(50)電連接至所述電光層結(jié)構(gòu)的電極(13)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有在由所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(50)所限定的平面中延伸的細(xì)長元件(51、52、53、54)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(50)布置在所述第一無機層(22)與所述電光層結(jié)構(gòu)(10)之間。
5.一種用于制造有機發(fā)光器件的方法，所述方法包括形成堆疊層的以下步驟: -設(shè)置具有主表面的臨時襯底(TS)， -在所述主表面設(shè)置納米圖案化結(jié)構(gòu)， -利用共形沉積法在所述臨時襯底的具有納米圖案化凸紋的所述主表面施加第一無機材料的層(22)， -在所述共形沉積的第一無機層(22)之上施加第一有機層(24)， -在所述第一有機層(24)之上施加第二無機層(26)， -移除所述臨時襯底(TS )， -在堆疊件的由所述臨時襯底(TS)釋放的一側(cè)施加電光層結(jié)構(gòu)(10)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過利用圖案化沉積工藝在所述臨時襯底的所述表面施加輔助有機材料來施加所述納米圖案化凸紋。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述圖案化沉積工藝是印刷工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述圖案化沉積工藝是氣相沉積工藝。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過壓印所述臨時襯底的所述主表面來形成在所述臨時襯底的所述主表面的所述納米圖案化凸紋。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過在所述臨時襯底的所述主表面沉積另外的有機層并且在所述另外的有機層中壓印所述納米圖案化凸紋來形成在所述臨時襯底的所述主表面的所述納米圖案化凸紋。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，所述方法還包括在沉積所述第一無機材料的層之前，在所述臨時襯底的所述主表面沉積具有細(xì)長元件的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟。
【文檔編號】H01L51/52GK103460435SQ201280016963
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月1日
【發(fā)明者】愛德華·威廉·艾伯特, C-C·范 申請人:荷蘭應(yīng)用自然科學(xué)研究組織Tno