技術(shù)編號：11452579
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于具有氮化物半導(dǎo)體的HFET(heterostructurefield－effecttransistor：異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)于所述具有HFET結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體裝置中，在實(shí)用層級中，一般而言為進(jìn)行常導(dǎo)通(normally－on)(于柵極電壓0伏成為導(dǎo)通狀態(tài))運(yùn)作。然而，為了在柵極電壓的控制異常的情形時(shí)，也能以電流不流動(dòng)的方式安全運(yùn)作，強(qiáng)烈希望常關(guān)斷(normally－off)(于柵極電壓0伏成為關(guān)斷狀態(tài))運(yùn)作。然而，即使能夠?qū)崿F(xiàn)所述常關(guān)斷運(yùn)作，柵極耐壓(g...
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