技術(shù)編號：6771246
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及寄存器堆，更具體但非排他來說，涉及降低寄存器堆的最小工作電壓的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)在例如寄存器堆陣列等存儲(chǔ)器陣列中，存儲(chǔ)器陣列的最小工作電壓(VCCmin)通常由存儲(chǔ)器陣列的寫和/或讀操作來限制。這歸因于存儲(chǔ)器陣列中的N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) (NMOS)器件與P溝道MOSFET (PMOS)器件之間的爭用。爭用對采用存儲(chǔ)器陣列的系統(tǒng)造成問題，特別是當(dāng)存儲(chǔ)器陣列的VCCmin限制整個(gè)系統(tǒng)的VCCmin時(shí)。圖1示出寄存器堆...
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