技術(shù)編號(hào)：6828138
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及有機(jī)化合物、來源于這類化合物的雙極性半導(dǎo)體材料以及包含此雙極性半導(dǎo)體材料的器件。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體材料的有機(jī)化合物已經(jīng)大量發(fā)展。特別地，近年來已經(jīng)發(fā)展高性能的單極性P-型與η-型聚合物半導(dǎo)體，它們分別具有大約lcm2/V. S的空穴和電子遷移率。薄膜晶體管內(nèi)具有高傳遞遷移率的聚合物半導(dǎo)體可用于許多應(yīng)用，包括顯示器以及RFID。在ρ-溝道和η-溝道區(qū)域操作中能夠傳導(dǎo)空穴和電子二者的雙極性有機(jī)薄膜晶體管近來已經(jīng)引起注意。這類器件能提供用于構(gòu)建互補(bǔ)性數(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。