技術(shù)編號(hào)：6888886
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用薄電介質(zhì)膜形成貫穿晶片電學(xué)互連及其它結(jié)構(gòu)的技術(shù)。背景技術(shù)轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人的美國專利No.6,818464披露了 一種用于提供具有一個(gè)或更多個(gè)通孔的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的雙面蝕刻技術(shù)，這些通孔通過饋通(feed-through )金屬化工藝來氣密密封。饋通金屬化工藝可包括使用電鍍技術(shù)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)例如可以用作封裝光電子或其它裝置或者集成電路的封裝的蓋。貫穿晶片電學(xué)互連可以提供例如從封裝的外部到封裝在該封裝內(nèi)的裝置或電路的電學(xué)接觸。根據(jù)前述專利中披露的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。