技術(shù)編號：8143831
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及使用用于制造半導(dǎo)體器件的氣體組合物產(chǎn)生等離子體；特別涉及使用遠(yuǎn)程工藝產(chǎn)生等離子體的方法和裝置、產(chǎn)生等離子體以腐蝕層的氣體組合物、以及使用氣體組合物制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 近來，半導(dǎo)體器件快速發(fā)展以滿足消費者的各種要求和信息處理器件的發(fā)展。半導(dǎo)體器件需要具有高工作速度和大存儲容量。因而，半導(dǎo)體器件應(yīng)該采用0.15μm以下的設(shè)計規(guī)則高度集成。由此，半導(dǎo)體制造工藝發(fā)展為在顯微機械加工技術(shù)工藝中使用等離子體。根據(jù)等離子體的類型，產(chǎn)生等離子體的工藝分為原位工藝和遠(yuǎn)程工藝。原位工藝在制造半導(dǎo)體器件的室...
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