技術(shù)編號(hào)：8166440
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體硅單晶材料制備領(lǐng)域，主要是涉及一種應(yīng)用于單晶爐中的復(fù)合型熱屏裝置。背景技術(shù)N型〈111〉晶向硅單晶廣泛應(yīng)用于各類半導(dǎo)體器件，由于其摻雜元素磷的分凝系數(shù)小，〈111>晶向的硅單晶在拉制過程中容易出現(xiàn)小平面效應(yīng)，摻雜元素磷在某一晶面上富集，使所拉制單晶的徑向電阻率均勻性變差，出現(xiàn)電阻率中心低，邊緣高的現(xiàn)象。這樣的硅片在進(jìn)行化學(xué)腐蝕和機(jī)械拋光時(shí)，硅片各部分的腐蝕速率會(huì)出現(xiàn)差異，從而影響所制作器件的性能和質(zhì)量，降低器件成品率。 <111>小平面出現(xiàn)在何處通常與單晶生長(zhǎng)界面的形狀...
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