技術編號:9263183
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。為了切換高負載電流,在一些應用中使用例如基于金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的開關器件。對于許多應用,期望處于接通狀態(tài)(即其中開關器件導通的狀態(tài))的開關器件的電阻盡可能低以降低開關器件中的功耗。在一些應用中,需要能夠測量流過開關器件的負載電流。對于一些應用,可能需要從低負載電流到高負載電流的高動態(tài)范圍。為了確定負載電流,在一些應用中,測量開關器件兩端的電壓降。例如,在MOS晶體管用作開關器件的情況下,可以直接或間接測量漏-源電壓以獲得對負載電流的度量。然而...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。