1.一種基于GaN HEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法，應(yīng)用于由下至上依次排布襯底、SiC層、AlN成核層、GaN緩沖層、AlN插入層、AlGaN勢壘層的GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上，在AlN插入層與AlGaN勢壘層之間形成二維電子氣溝道，的其特征在于，包括如下步驟：
采用光刻膠掩膜涂覆于所述GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上，并采用干法刻蝕方法在所述光刻膠上進(jìn)行刻蝕形成陣列開孔，刻蝕深度具體為由光刻膠頂部到達(dá)溝道二維電子氣溝道的深度或超過溝道二維電子氣溝道的深度，去除光刻膠掩膜；
采用200-400攝氏度持續(xù)10-30分鐘熱處理、濕法處理、等離子體表面處理中任意一種方式或者三者結(jié)合的方式，對(duì)所述GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)中的AlGaN勢壘層進(jìn)行修復(fù)和清潔；
采用光刻膠涂覆于AlGaN勢壘層頂上中部，采用電子束蒸發(fā)或磁控濺射法在所述AlGaN勢壘層頂上中部兩側(cè)由下至上依次沉積TiN、Ni或Ti、Au，對(duì)金屬進(jìn)行剝離，去除AlGaN勢壘層頂上中部的光刻膠；
采用200-400攝氏度持續(xù)10-30分鐘熱處理或等離子體處理方式對(duì)歐姆接觸激活，使得TiN與溝道二維電子氣形成良好接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN HEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法，其特征在于，所述陣列開孔的形狀具體為圓形或多邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN HEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法，其特征在于，所述陣列開孔面積總和占整個(gè)歐姆電極區(qū)域的比例為20％-50％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN HEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法，其特征在于，所述TiN的厚度為20-100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaN HEMT結(jié)構(gòu)的歐姆接觸制備方法，其特征在于，所述Au的厚度為50-500nm。