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一種方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法與流程

文檔序號:12122670閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,包括以下步驟:

步驟S01:建立一初始方塊電阻SPICE模型;

步驟S02:將該模型載入建模軟件進行建模,并設(shè)定模型所需擬合參數(shù)的值,得到模擬方塊電阻的模型擬合線;

步驟S03:直接在建模軟件中調(diào)整擬合參數(shù)值的大小,直至模型擬合線與方塊電阻實測數(shù)據(jù)相匹配;

步驟S04:將匹配狀態(tài)下所對應(yīng)的擬合參數(shù)值代入初始方塊電阻SPICE模型,以得到最終的方塊電阻SPICE模型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,所述方塊電阻SPICE模型為

<mrow> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>S</mi> <mi>H</mi> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <mi>A</mi> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mi>L</mi> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mi>L</mi> </mrow> <mrow> <mi>W</mi> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mi>W</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mi>B</mi> </msup> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mi>W</mi> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mi>W</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mi>C</mi> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mrow> <mi>L</mi> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mi>L</mi> </mrow> <mrow> <mi>W</mi> <mo>-</mo> <mn>2</mn> <mi>D</mi> <mi>W</mi> </mrow> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mi>D</mi> </msup> <mo>-</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </msup> <mo>+</mo> <mi>E</mi> </mrow>

其中,RSH是方塊電阻,W和L分別為電阻的寬度和長度,A,B,C,D,E,DL,DW是擬合參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)A的值,使模型擬合線向上移動,反之,通過減小擬合參數(shù)A的值,使模型擬合線向下移動。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)B的值,使模型擬合線向上移動,反之,通過減小擬合參數(shù)B的值,使模型擬合線向下移動。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)C的值,使模型擬合線繞其與方塊電阻實測數(shù)據(jù)的交點逆時針轉(zhuǎn)動,反之,通過減小擬合參數(shù)C的值,使模型擬合線繞其與方塊電阻實測數(shù)據(jù)的交點順時針轉(zhuǎn)動。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)D的值,使模型擬合線繞其與方塊電阻實測數(shù)據(jù)的交點逆時針轉(zhuǎn)動,反之,通過減小擬合參數(shù)D的值,使模型擬合線繞其與方塊電阻實測數(shù)據(jù)的交點順時針轉(zhuǎn)動。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)E的值,使模型擬合線向上移動,反之,通過減小擬合參數(shù)E的值,使模型擬合線向下移動。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)DW的值,使模型擬合線對應(yīng)電阻寬度或長度尺寸趨小方向的一端部分上移,反之,通過減小擬合參數(shù)DW的值,使模型擬合線對應(yīng)電阻寬度或長度尺寸趨小方向的一端部分下移。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,步驟S03中,調(diào)整擬合參數(shù)值時,通過增大擬合參數(shù)DL的值,使模型擬合線對應(yīng)電阻寬度或長度尺寸趨小方向的一端部分上移,反之,通過減小擬合參數(shù)DL的值,使模型擬合線對應(yīng)電阻寬度或長度尺寸趨小方向的一端部分下移。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方塊電阻SPICE模型的構(gòu)建方法,其特征在于,擬合參數(shù)A的提取值為10-100之間的數(shù)值,擬合參數(shù)B的提取值為-1-0之間的數(shù)值,擬合參數(shù)C的提取值為0-1之間的數(shù)值,擬合參數(shù)D的提取值為-1-0之間的數(shù)值,擬合參數(shù)E為正數(shù),擬合參數(shù)DW和DL的提取值分別為0.01-1微米之間的數(shù)值。

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