技術編號：6871068
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微電子，具體涉及一種新型的溝槽結構相變存儲器。背景技術 隨著便攜式電子設備的逐步普及，不揮發(fā)存儲器的市場越來越大。FLASH是目前不揮發(fā)存儲器市場的主流，占90％以上。但由于FLASH中用于存儲電荷的浮柵不能隨著集成電路工藝的發(fā)展無限制地減薄，因此無法隨工藝技術持續(xù)發(fā)展。目前一般認為FLASH將很難逾越32nm工藝節(jié)點。因此國際上在研發(fā)下一代不揮發(fā)存儲技術上正在進行激烈的競爭。這其中相變存儲器(Phase Change Memory，簡稱PCM)...
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