本發(fā)明涉及晶體管制備技術(shù)領(lǐng)域，更具體的，本發(fā)明涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)是一種產(chǎn)效應(yīng)晶體管，主要應(yīng)用于控制和驅(qū)動液晶顯示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有機發(fā)光二極管(oled，organiclight-emittingdiode)顯示器的子像素，是平板顯示的核心技術(shù)。

基于金屬氧化物半導(dǎo)體材料的tft具有電子遷移率高(1～100cm²/vs)、制備溫度低(低于400℃，遠低于玻璃的熔點)、成本低(只需要普通的濺射工藝即可完成)以及持續(xù)工作穩(wěn)定性好的特點，其被認為是下一代最有前景的tft背板技術(shù)，受到學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛研究。

常用的氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)有背溝道刻蝕(bce)結(jié)構(gòu)和刻蝕阻擋層(esl)結(jié)構(gòu)。bce結(jié)構(gòu)簡單，容易獲得最小器件尺寸，在超高清顯示中有較大的應(yīng)用潛力，但由于氧化物半導(dǎo)體很容易被刻蝕液所刻蝕，圖形化源、漏電極的過程中刻蝕藥液會刻蝕掉下層的氧化物半導(dǎo)體層，因此，實際制備過程中源、漏電極的圖形化工藝是一個很大的難點。esl結(jié)構(gòu)是在源、漏電極圖形化之前在氧化物半導(dǎo)體層上沉積一層絕緣薄膜，以保護氧化物溝道層，該結(jié)構(gòu)可以有效避免刻蝕源、漏電極時刻蝕液對氧化物的刻蝕，但是，esl結(jié)構(gòu)額外地增加了一次光刻工藝，增加了工藝的繁瑣性，因此，其制備成本也相應(yīng)增加，而且其無法獲得較小的器件尺寸。

此外，不管bce結(jié)構(gòu)還是esl結(jié)構(gòu)，用作源、漏電極的導(dǎo)電薄膜均是半導(dǎo)體薄膜曝露在大氣中圖形化完成后再次獲得真空環(huán)境進行沉積制備，因此，半導(dǎo)體薄膜表面不可避免地會引入污染，這會增加源、漏電極與有源層界面之間的缺陷，不利于制備高性能器件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于此，本發(fā)明旨在提供一種氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管電學(xué)性能穩(wěn)定，具有良好的開關(guān)性能和明顯的場效應(yīng)特性。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種氧化物薄膜晶體管的制備方法。本發(fā)明通過陽極氧化的方法氧化半導(dǎo)體有源層(即溝道層)背溝道上方的金屬導(dǎo)電薄膜，同時制備了源電極、漏電極和鈍化層。該方法有效避免了源電極、漏電極在圖形化過程中對半導(dǎo)體有源層造成的傷害或污染，減少了源電極、漏電極與半導(dǎo)體有源層之間的界面缺陷。本發(fā)明所述氧化物薄膜晶體管的制備方法極大地簡化了制備工序，降低了成本，適宜工業(yè)生產(chǎn)。

其技術(shù)方案如下：

一種氧化物薄膜晶體管，包括：基板、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源電極、漏電極；所述柵極位于所述基板之上，所述柵絕緣層位于所述柵極之上，所述半導(dǎo)體有源層位于所述柵絕緣層之上，所述源電極、漏電極位于所述半導(dǎo)體有源層上且通過氧化物絕緣薄膜層隔開。

本發(fā)明所述的氧化物薄膜晶體管的源電極、漏電極由氧化物絕緣薄膜層隔開，氧化物絕緣薄膜層可以作為鈍化層，保護半導(dǎo)體有源層不受空氣中水、氧等氣氛的影響。所述氧化物薄膜晶體管電學(xué)性能穩(wěn)定，具有良好的開關(guān)性能和明顯的場效應(yīng)特性。

在其中一個實施例中，所述氧化物絕緣薄膜層的材料為al2o3、ta2o5、cuo或al-nd的氧化物。

在其中一個實施例中，所述源電極、漏電極的材料為al、ta、cu或al-nd。

在其中一個實施例中，所述源電極、漏電極的厚度分別為10-500nm，優(yōu)選為20-200nm，更優(yōu)選為30-100nm，最優(yōu)選為40-70nm。

在其中一個實施例中，所述半導(dǎo)體有源層的材料為二元氧化物和/或多元氧化物。所述二元氧化物可以是zno，in2o3，ga2o3和sno2等具有較寬帶隙的氧化物。所述多元氧化物可以是三元氧化物如：inzno，gazno，znsno，ndino，zrino，insno，inwo以及intio等。所述多元氧化物也可以是四元氧化物如：ingazno，inalzno，hfinzno，zninzno以及l(fā)ainzno等。此外，所述多元氧化物也可以是四元氧化物進一步摻雜其他元素組成。

在其中一個實施例中，所述半導(dǎo)體有緣層的厚度為10-100nm。

在其中一個實施例中，所述柵絕緣層為金屬氧化物薄膜。所述柵絕緣層的材料包括但不限于al2o3、ta2o5等絕緣材料。

在其中一個實施例中，所述柵極的材料包括但不限于al、ta、cu以及al-nd等。

所述的氧化物薄膜晶體管的制備方法，包括如下步驟：

選取基板；

在所述基板上形成柵極；

在所述柵極上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體有源層；

在所述半導(dǎo)體有源層上形成金屬導(dǎo)電薄膜層，所述金屬導(dǎo)電薄膜層設(shè)有源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及絕緣區(qū)域；

在所述金屬導(dǎo)電薄膜層上形成光刻膠，通過光刻的方法圖形化，露出所述絕緣區(qū)域，并在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域分別形成源電極保護層和漏電極保護層，得到含保護層器件；

將所述含保護層器件置于電解液中，通過陽極氧化的方法，將所述絕緣區(qū)域完全氧化，形成氧化物絕緣薄膜層；

將含有氧化物絕緣薄膜層的基板取出，去掉源電極保護層、漏電極保護層，即得氧化物薄膜晶體管。

本發(fā)明在制備氧化物薄膜晶體管的過程中，在半導(dǎo)體有源層上制備了一層金屬導(dǎo)電薄膜層，所述金屬導(dǎo)電薄膜層設(shè)有源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及絕緣區(qū)域，在所述金屬導(dǎo)電薄膜層上制備光刻膠，通過光刻的方法圖形化，使金屬導(dǎo)電薄膜層中間部位的絕緣區(qū)域裸露，再通過陽極氧化的方法氧化裸露的絕緣區(qū)域，即通過陽極氧化的方法氧化半導(dǎo)體有源層背溝道上方的金屬導(dǎo)電薄膜層，同時制備了源電極、漏電極和鈍化層。該方法有效避免了源電極、漏電極在圖形化過程中對有源層造成的傷害或污染，減少了源電極、漏電極與有源層之間的界面缺陷，而且省去了額外的鈍化層制備工藝，極大地節(jié)省了成本。

在其中一個實施例中，所述在所述基板上形成柵極為：通過噴墨打印的方法或磁控濺射沉積-濕法刻蝕圖形化的方法在基板上制備厚度為100～500nm的柵極。

在其中一個實施例中，所述在所述基板上形成柵極為：在基板上通過濺射的方法制備一層厚度為100～500nm的導(dǎo)電薄膜，并通過遮擋掩膜或光刻的方法圖形化制備柵極。所述柵極的材料為金屬或金屬合金。

在其中一個實施例中，所述在所述柵極上形成柵絕緣層為：通過陽極氧化法、熱氧化法、物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法在所述柵極上部制備厚度為100～1000nm的絕緣薄膜，并通過遮擋掩膜或光刻的方法圖形化制備柵絕緣層。

在其中一個實施例中，所述半導(dǎo)體有源層為氧化物半導(dǎo)體薄膜圖形化形成。

在其中一個實施例中，所述在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體有源層為：通過磁控濺射沉積-濕法刻蝕圖形化的方法制備厚度為10～100nm的半導(dǎo)體有源層。

在其中一個實施例中，所述在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體有源層為：通過磁控濺射的方法制備厚度為10～100nm的薄膜，并通過遮擋掩膜的方法圖形化制得半導(dǎo)體有源層。

在其中一個實施例中，所述在所述半導(dǎo)體有源層上形成金屬導(dǎo)電薄膜層為：通過磁控濺射的方法在所述半導(dǎo)體有源層上制備一層厚度為10～500nm的金屬導(dǎo)電薄膜層。

在其中一個實施例中，所述金屬導(dǎo)電薄膜層的厚度為20～200nm。

在其中一個實施例中，所述金屬導(dǎo)電薄膜層的厚度為30～100nm。

在其中一個實施例中，所述金屬導(dǎo)電薄膜層的厚度為40～70nm。

在其中一個實施例中，所述陽極氧化為：所述含保護層器件為陽極，pt為陰極，加0.1～1ma/cm²恒定電流氧化，當(dāng)兩極間的電壓達到設(shè)定值70～150v時，再恒定電壓氧化至電流無變化。

在其中一個實施例中，所述電解液為酒石酸銨與乙二醇的水溶液，其中酒石酸銨的質(zhì)量分數(shù)為3.48wt％，酒石酸銨與乙二醇的體積比為1:3。

在其中一個實施例中，所述光刻膠的厚度為500-1200nm。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明用作源電極、漏電極的金屬導(dǎo)電薄膜是在半導(dǎo)體有源層沉積完成后不破壞真空的情況下沉積制備，因此，源電極、漏電極與有源層界面無污染、缺陷少；源電極、漏電極的制備不會對有源層造成損傷，而且無需額外地刻蝕阻擋層，工藝簡單，生產(chǎn)成本低；半導(dǎo)體有源層上方的金屬導(dǎo)電薄膜被氧化成金屬氧化物絕緣層薄膜，其可以作為鈍化層保護半導(dǎo)體有源層不受空氣中水、氧等氣氛的影響，不需要額外制備鈍化層，省去了繁瑣的鈍化層制備工藝，極大地簡化了制備工序，降低了成本，適宜工業(yè)生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的沉積并圖形化金屬導(dǎo)電層作為柵極的示意圖。

圖2是本發(fā)明實例的在金屬導(dǎo)電層上沉積第一絕緣薄膜作為柵絕緣層的示意圖。

圖3是本發(fā)明實施例的沉積氧化物半導(dǎo)體有源層的示意圖。

圖4是本發(fā)明實施例的沉積金屬導(dǎo)電膜層的示意圖。

圖5是本發(fā)明實施例在金屬導(dǎo)電膜層上沉積光刻膠的示意圖。

圖6是本發(fā)明實施例圖形化光刻膠的示意圖。

圖7是本發(fā)明實施例陽極氧化過程的示意圖。

圖8是本發(fā)明實施例中與電解液接觸的金屬膜層被完全氧化成絕緣薄膜的示意圖。

圖9是本發(fā)明實施例中氧化物薄膜晶體管示意圖。

圖10是實施例1制備的氧化物薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線。

圖11是實施例2制備的氧化物薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線。

圖12是對比例1制備的氧化物薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及具體實施方式，對本發(fā)明進行進一步的詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用以解釋本發(fā)明，并不限定本發(fā)明的保護范圍。

以下實施例是對金屬氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和制備方法進行詳細描述，可理解，在其他實施例中，對于柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源電極、漏電極等結(jié)構(gòu)層為其他厚度的氧化物薄膜晶體管，或柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層含有其他材料的氧化物薄膜晶體管，也可照類似的制備方法制備，在此不再贅述。

本發(fā)明所述的氧化物薄膜晶體管及其制備方法如下：

一種金屬氧化物薄膜晶體管，如圖9所示，該金屬氧化物薄膜晶體管為底柵頂接觸結(jié)構(gòu)，包含基板00、柵極01、柵絕緣層02、半導(dǎo)體有源層03、源電極04a、漏電極04b以及氧化物絕緣薄膜層06。

本發(fā)明實施例中所采用器件結(jié)構(gòu)為bce結(jié)構(gòu)，其具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點。所述氧化物薄膜晶體管的各結(jié)構(gòu)層的相對位置如下：柵極01位于基板00之上，柵絕緣層02位于柵極01之上，半導(dǎo)體有源層03位于柵絕緣層02之上，源電極、漏電極位于半導(dǎo)體有源層03兩端并通過氧化物絕緣薄膜層06隔開，氧化物絕緣薄膜層06位于半導(dǎo)體有源層03之上。

在本發(fā)明實施例中，源電極04a、漏電極04b以及氧化物絕緣薄膜層06是通過陽極氧化法氧化半導(dǎo)體有源層背溝道上方的金屬導(dǎo)電薄膜制備而成，與傳統(tǒng)的制備方法不同，具有工藝簡單，對半導(dǎo)體有源層無損傷、適合工業(yè)生產(chǎn)等優(yōu)點。

具體的，本發(fā)明實施例所述金屬氧化物薄膜晶體管制備過程如圖1至9所示，包括如下步驟：

選取基板00；

在所述基板上形成柵極01；

在所述柵極上形成柵絕緣層02；

在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體有源層03；

在所述半導(dǎo)體有源層上形成金屬導(dǎo)電薄膜層04，所述金屬導(dǎo)電薄膜層設(shè)有源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及絕緣區(qū)域；

在所述金屬導(dǎo)電薄膜層上形成光刻膠05，通過光刻的方法圖形化，露出所述絕緣區(qū)域，并在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域分別形成源電極保護層和漏電極保護層，得到含保護層器件；

將所述含保護層器件置于電解液中，通過陽極氧化的方法，將所述絕緣區(qū)域完全氧化，形成氧化物絕緣薄膜層06；

將含有氧化物絕緣薄膜層的基板取出，去掉源電極保護層、漏電極保護層，即得氧化物薄膜晶體管。

更具體地，本發(fā)明實施例所述金屬氧化物薄膜晶體管的制備包括如下步驟：

(1)選取基板00。

(2)在所述基板00上通過濺射的方法制備一層厚度為100～500nm的導(dǎo)電薄膜，并通過遮擋掩膜或光刻的方法圖形化制備柵極01。

(3)通過陽極氧化法、熱氧化法、物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法在所述柵極上01上部制備厚度為100～1000nm的薄膜，并通過遮擋掩膜或光刻的方法圖形化制備柵絕緣層02。

(4)通過濺射的方法制備厚度10～100nm的薄膜，并通過遮擋掩模的方法圖形化制得半導(dǎo)體有源層。

(5)通過磁控濺射的方法在所述半導(dǎo)體有源層上制備一層厚度為40～70nm的金屬導(dǎo)電薄膜層04，所述金屬導(dǎo)電薄膜層設(shè)有源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及絕緣區(qū)域。

(6)在所述金屬導(dǎo)電薄膜04上通過旋涂的方法制備一層厚度為500～1200nm的光刻膠05，通過光刻的方法圖形化，露出所述絕緣區(qū)域，并在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域分別形成源電極保護層和漏電極保護層，得到含保護層器件。

(7)將所述含保護層器件置于電解液中，通過陽極氧化的方法，將所述絕緣區(qū)域完全氧化，形成氧化物絕緣薄膜層06。

其中，所述陽極氧化為：所述含保護層器件接陽極，pt接陰極，加0.1～1ma/cm²恒定電流氧化，當(dāng)兩極間的電壓達到設(shè)定值70～150v時，再恒定電壓氧化至電流無變化。

(8)將含有氧化物絕緣薄膜層的基板取出，去掉源電極保護層、漏電極保護層，即得氧化物薄膜晶體管。

本發(fā)明制備源電極、漏電極與半導(dǎo)體有源層界面無污染、缺陷少，不會對半導(dǎo)體有源層造成損傷，而且無需額外地刻蝕阻擋層，工藝簡單，生產(chǎn)成本低。此外，半導(dǎo)體有源層背溝道上方的金屬導(dǎo)電薄膜層被氧化成金屬氧化物絕緣薄膜層，其可以作為鈍化層保護半導(dǎo)體有源層不受空氣中水、氧等氣氛的影響。本發(fā)明不需要額外制備鈍化層，省去了繁瑣的鈍化層制備工藝。

總之，本發(fā)明氧化物薄膜晶體的制備方法具有工藝簡單、對半導(dǎo)體有源層無損傷、成本低廉、適宜工業(yè)生產(chǎn)等特點。

實施例1

一種金屬氧化物薄膜晶體管，如圖9所示，該金屬氧化物薄膜晶體管為底柵頂接觸結(jié)構(gòu)，包含基板00、柵極01、柵絕緣層02、半導(dǎo)體有源層03、源電極04a、漏電極04b以及氧化物絕緣薄膜層06。

本實施例中所采用器件結(jié)構(gòu)為bce結(jié)構(gòu)，具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點。所述氧化物薄膜晶體管的各結(jié)構(gòu)層的相對位置如下：柵極01位于基板00之上，柵絕緣層02位于柵極01之上，半導(dǎo)體有源層03位于柵絕緣層02之上，源電極、漏電極位于半導(dǎo)體有源層03兩端并通過氧化物絕緣薄膜層06隔開，氧化物絕緣薄膜層06位于半導(dǎo)體有源層03之上。

在本實施例中，源電極04a、漏電極04b以及氧化物絕緣薄膜層06是通過陽極氧化法氧化半導(dǎo)體有源層背溝道上方的金屬導(dǎo)電薄膜制備而成，與傳統(tǒng)的制備方法不同，具有工藝簡單，對半導(dǎo)體有源層無損傷、適合工業(yè)生產(chǎn)等優(yōu)點。

本實施例所述金屬氧化物薄膜晶體管采用如下步驟制備而成：

(1)選取基板00。

(2)在所述基板00上通過濺射的方法制備一層厚度為200nm的導(dǎo)電薄膜，并通過光刻的方法圖形化制備柵極01。

(3)通過陽極氧化法在所述柵極上01上部制備厚度為140nm的薄膜，并通過遮擋掩膜或光刻的方法圖形化制備柵絕緣層02。在本實施例中，所述柵絕緣層的材料為al2o3。

(4)通過濺射的方法制備厚度40nm的薄膜，并通過遮擋掩模的方法圖形化制得半導(dǎo)體有源層。在本實施例中，所述半導(dǎo)體有源層的材料為二元氧化物zno。

(5)通過磁控濺射的方法在所述半導(dǎo)體有源層上制備一層厚度為50nm的金屬導(dǎo)電薄膜層04，所述金屬導(dǎo)電薄膜層設(shè)有源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及絕緣區(qū)域。在本實施例中所述金屬導(dǎo)電薄膜層的材料為al。

(6)在所述金屬導(dǎo)電薄膜04上通過旋涂的方法制備一層厚度為1000nm的光刻膠05，通過光刻的方法圖形化，露出所述絕緣區(qū)域，并在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域分別形成源電極保護層和漏電極保護層，得到含保護層器件。

(7)將所述含保護層器件置于電解液中，通過陽極氧化的方法，將所述絕緣區(qū)域完全氧化，形成氧化物絕緣薄膜層06。所述氧化物絕緣薄膜層的材料為al2o3；

其中，所述陽極氧化為：所述含保護層器件接陽極，pt接陰極，加0.15a/cm²恒定電流氧化，兩電極之間的電壓將隨時間線性升高，當(dāng)兩極間的電壓達到設(shè)定值(vc＝70v)時，再恒定這個電壓，電流將隨時間不斷地減小，直到電流幾乎沒有明顯變化為止，該過程所持續(xù)的時間約10-15min。

在本實施例中，所述電解液為酒石酸銨與乙二醇的水溶液，其中酒石酸銨的質(zhì)量分數(shù)為3.48wt％，酒石酸銨與乙二醇的體積比為1:3。

(8)將含有氧化物絕緣薄膜層的基板取出，去掉源電極保護層、漏電極保護層，即得氧化物薄膜晶體管。

在空氣中對本實施例1所制備的薄膜晶體管器件性能進行測試。圖10是實施例1所制備的薄膜晶體管測得的轉(zhuǎn)移特性曲線，即漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系。曲線的測試條件為：源極電壓(vs)為0v，漏極電壓(vd)恒定為20v，柵極電壓(vg)從-20v到20v掃描，測試漏極電流(id)。

從圖中可以看出，本實施例所制備的薄膜晶體管器件表現(xiàn)出良好的開關(guān)性能，這說明金屬導(dǎo)電薄膜層的絕緣區(qū)域在陽極氧化過程中被完氧化成氧化物絕緣薄膜，因此，器件具有明顯的場效應(yīng)特性。

實施例2

一種金屬氧化物薄膜晶體管，如圖9所示，該金屬氧化物薄膜晶體管為底柵頂接觸結(jié)構(gòu)，包含基板00、柵極01、柵絕緣層02、半導(dǎo)體有源層03、源電極04a、漏電極04b以及氧化物絕緣薄膜層06。

本實施例中所采用器件結(jié)構(gòu)為bce結(jié)構(gòu)，具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點。所述氧化物薄膜晶體管的各結(jié)構(gòu)層的相對位置如下：柵極01位于基板00之上，柵絕緣層02位于柵極01之上，半導(dǎo)體有源層03位于柵絕緣層02之上，源電極、漏電極位于半導(dǎo)體有源層03兩端并通過氧化物絕緣薄膜層06隔開，氧化物絕緣薄膜層06位于半導(dǎo)體有源層03之上。

在本實施例中，源電極04a、漏電極04b以及氧化物絕緣薄膜層06是通過陽極氧化法氧化半導(dǎo)體有源層背溝道上方的金屬導(dǎo)電薄膜制備而成，與傳統(tǒng)的制備方法不同，具有工藝簡單，對半導(dǎo)體有源層無損傷、適合工業(yè)生產(chǎn)等優(yōu)點。

本實施例所述金屬氧化物薄膜晶體管采用如下步驟制備而成：

(1)選取基板00。

(2)在所述基板00上通過濺射的方法制備一層厚度為100nm的導(dǎo)電薄膜，并通過遮擋掩膜的方法圖形化制備柵極01。

(3)通過物理氣相沉積法在所述柵極上01上部制備厚度為100nm的薄膜，并通過遮擋掩膜的方法圖形化制備柵絕緣層02。在本實施例中，所述柵絕緣層的材料為ta2o5。

(4)通過濺射的方法制備厚度10nm的薄膜，并通過遮擋掩模的方法圖形化制得半導(dǎo)體有源層。在本實施例中，所述半導(dǎo)體有源層的材料為三元氧化物inzno。

(5)通過磁控濺射的方法在所述半導(dǎo)體有源層上制備一層厚度為10nm的金屬導(dǎo)電薄膜層04，所述金屬導(dǎo)電薄膜層設(shè)有源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域以及絕緣區(qū)域。在本實施例中，所述金屬導(dǎo)電薄膜層的材料為ta。

(6)在所述金屬導(dǎo)電薄膜04上通過旋涂的方法制備一層厚度為500nm的光刻膠05，通過光刻的方法圖形化，露出所述絕緣區(qū)域，并在所述源電極區(qū)域和所述漏電極區(qū)域分別形成源電極保護層和漏電極保護層，得到含保護層器件。

(7)將所述含保護層器件置于電解液中，通過陽極氧化的方法，將所述絕緣區(qū)域完全氧化，形成氧化物絕緣薄膜層06。所述氧化物絕緣薄膜層的材料為ta2o5。

其中，所述陽極氧化為：所述含保護層器件接陽極，pt接陰極，加1ma/cm²恒定電流氧化，當(dāng)兩極間的電壓達到設(shè)定值(vc＝150v)時，再恒定這個電壓，電流將隨時間不斷地減小，直到電流幾乎沒有明顯變化為止。

在本實施例中，所述電解液為酒石酸銨與乙二醇的水溶液，其中酒石酸銨的質(zhì)量分數(shù)為3.48wt％，酒石酸銨與乙二醇的體積比為1:3。

(8)將含有氧化物絕緣薄膜層的基板取出，去掉源電極保護層、漏電極保護層，即得氧化物薄膜晶體管。

在空氣中對本實施例所制備的薄膜晶體管器件性能進行測試，測試條件與實施例1的測試條件相同，實施例2所制備的薄膜晶體管測得的轉(zhuǎn)移特性曲線見圖11。

從圖中可以看出，本實施例所制備的薄膜晶體管器件也表現(xiàn)出良好的開關(guān)性能，這說明金屬導(dǎo)電薄膜的絕緣區(qū)域在陽極氧化過程中被完全氧化成氧化物絕緣薄膜，因此，器件具有明顯的場效應(yīng)特性。

對比例1

參考實施例1所述制備方法制備一種氧化物薄膜晶體管，制備過程與實施例1基本相同，區(qū)別僅在于，該對比例中將步驟(7)中的電壓vc設(shè)置為50v。

在空氣中對本對比例所制備的薄膜晶體管器件性能進行測試，測試條件與實施例1的測試條件相同，對比例1所制備的薄膜晶體管測得的轉(zhuǎn)移特性曲線見圖12。

從圖中可以看出，本對比例中器件不具備開關(guān)性能，表現(xiàn)出電阻特性，這說明金屬導(dǎo)電薄膜的絕緣區(qū)域在陽極氧化過程中并未完全氧化成氧化物絕緣薄膜，因此器件源電極、漏電極導(dǎo)通，無法關(guān)斷。

以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。