專利名稱：春石斛工廠化栽培方法
春石斛工廠tt^施 絲領(lǐng)域
本發(fā)明屬于花丼栽培技術(shù)領(lǐng)域，具體為春石斛工廠化栽培方法。
背景技術(shù)：
春石斛(Dendrobium)，蘭科(Orchidaceae)石斛屬，多年生草本，附生性， 莖叢生，有節(jié)，黃綠色，葉近革質(zhì)，卵狀披針形，長9-12cm，總狀花序。我國有 76種原生種，主要分布于云南、廣東、廣西、臺灣、海南等地。日本、泰國、新 加坡等國家石斛蘭產(chǎn)業(yè)化規(guī)模己非常成熟，而且育種工作突出，培育出豐富的雜 交品種，花色有紅色、白色、黃色及各種復合色，是當前國內(nèi)外市場盆栽欣賞和 切花生產(chǎn)的高檔花卉。目前國內(nèi)春石斛工廠化栽培，催化技術(shù)難以掌握，且生產(chǎn) 成本高、高品質(zhì)花丼率低，使春石斛在國內(nèi)市場的開拓面臨新的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明的目的在于設(shè)計提供一種春石斛工 廠化栽培方法的技術(shù)方案，其工藝簡單，成本低。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于包括以下步驟
1) 選擇苗高3-5cm、有5片以上葉片和4-6條根的春石斛幼苗，經(jīng)大棚練苗后 移栽至128孔穴盤，移栽前期空氣濕度控制在90%以上，栽培階段光照控制在1 萬Lux以下，纟顯度控制在18-28°C，每隔20天施用3000-5000倍稀釋的花多多肥料 一次，至止葉長出；
2) 栽培6-8個月后，將植株高度5cm以上、根系發(fā)達盤結(jié)完整的植株從128 孔中移栽至8cm營養(yǎng)缽中栽培，栽培階段光照控制在3.5萬Lux以下，溫度控制在 18-28°C;栽培第一年當根系長至缽壁時，每株施入15粒魔肥；栽培第二，季施
入菜籽餅肥，量為0.5 cm3每株；
3)在8cm營養(yǎng)缽栽培階段的第三年進行催花處理
a. 開花株上山低溫處理止葉出現(xiàn)一月，莖桿飽滿成熟后，將開花株搬入山
上的大棚中，在10-15。C夜間Mit超過1小時、白天最高溫度不高于32'C的條件下 累積處理30-45天，光照控制在4萬Lux以下，并保持水苔濕潤；
b. 開花株下山加溫催花花芽呈半粒米大后，搬至山下溫室，適當拉開植株 間的距離，植株的短葉面朝南，光照控制在3萬Lux以下，溫度控制在18-28°" 空氣濕度大于70 % ，增施稀釋1000-2000倍的KH2P04葉肥1-2次；
上述兩次移栽均采用特級水苔包裹植株的整個根系部分。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于植株從128孔中移栽至8cm營養(yǎng)缽 中的時間為3-5月^K
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第一年，前期以快 速澆水的方式提供水分，半月后采用干透濕透的原則澆水，空氣濕度控制在70±5%。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第一年，前l(fā)-2個 月光照控帝贓2萬Lux以下，后期控制在3萬Lux以下，溫度控制在夜溫18-20°C， 晝溫26-28°C。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第一年的6-8月， 等根系長至缽壁時，每株施入15粒魔肥。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第二年，新芽長出 后，每缽內(nèi)留一最健壯的芽，新芽生長期大量供應(yīng)水，至止葉長出后，濕度控制在 70 ±5%。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第二年，光照控制 在3. 5萬Lux以下，至止葉長出后溫度控制在夜溫18-20。C ，晝溫26-28°C 。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第二年的3-5月施
入菜籽餅肥，量為0. 5 cm3每株。
所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于經(jīng)大棚練苗后的幼苗用水沖洗根部
后用0.1-0. 2%高錳酸鉀溶液浸泡2-3分鐘，撈起晾干，采用純水苔作為培養(yǎng)基質(zhì)， 單株移栽到128孔穴盤中。
所述的花多多的N:P:K為20-20-20，可由美國Scotts公司購得;魔肥的N:P:K
為6-40-6，可由臺灣臺合園藝企業(yè)股份有限公司購得；水苔可由西洋園藝資材(廣
州)有限公司購得。
上述春石斛工廠化栽培方法，能適應(yīng)我國氣候條件，解決了春石斛工廠化栽 培的技術(shù)問題，且工藝簡單，生產(chǎn)成本低，得到的春石斛一致性好，產(chǎn)品品質(zhì)高， 具有良好的觀賞價值和廣闊的市場前景。
本專利申請文件中涉及的含量除另有說明外，其余均為重量百分含量。
春石斛工廠化栽培方法，其特征在于包括以下步驟
1)選擇苗高3-5cm、有5片以上葉片和4-6條根的春石斛幼苗，經(jīng)大棚練苗 后的幼苗用水沖洗掉根部的培養(yǎng)基后，用0.1-0. 2%高錳酸鉀溶液浸泡2-8分鐘， 撈起晾干，采用純7jC苔作為培養(yǎng)基質(zhì)，單株移栽到128孔穴盤中，植,部露出 水苔表面，插上標簽，注明品種編號和種植日期；
移栽前期空氣濕度控制在90%以上，栽培階段光照控制在1萬Lux以下，溫 度控制在18-28。C，不澆透水，以噴霧的方式提供植株蒸發(fā)所需水分，等新根長出 來后再澆透7jC， 1-2個月后可適當增加光照，每隔20天施用3000-5000倍稀釋的 花多多肥料一次，至止葉長出；
病蟲害的防治苗期主要病害有灰霉、炭疽及一些根部病害，10-15天噴殺菌 齊U，在日常管理中及時剪除老葉、病葉；發(fā)現(xiàn)根部病害，如鐮孢菌、絲核菌，則 應(yīng)及早去除病株，消除病害來源，防止再侵染。 2)栽培6-8個月后，將植株高度5cm以上、根系發(fā)達盤結(jié)完整的植株從128 孔中移栽至8cm營養(yǎng)缽中栽培，移栽采用特級水苔包裹植株的整個根系部分，栽培 階段光照控制在3. 5萬Lux以下，溫度控制在18-28。C植株，從128孔中移栽至8cm 營養(yǎng)缽中的時間為3-5月份；
8cm營養(yǎng)缽栽培第一年管理8cm營養(yǎng)缽滿放于15孔托盤內(nèi)，植株高的放中 間，矮的放兩邊，短葉面朝南，當植株生長至相臨兩株相互遮擋時則擺鵬花形； 前期以快速澆水的方式提供水分，半月后采用干透濕透的原則澆水，空氣濕度控 制在70±5%;前1-2個月光照控制在2萬Lux以下，后期控制在3萬Lux以下， 溫度控制在18-28°C，優(yōu)選夜溫18-20°C、晝溫26-28。C;新芽長出后，每缽內(nèi)留 一最健壯的芽，抹去多余的新芽，當新芽長至10cm高時則應(yīng)插鐵絲以固定植株， 鐵絲立于長葉的一面，扎絲剪為12cm長，用扎絲將新芽輕輕寬舒地固定在鐵絲上; 栽培第一年的6-8月，等根系長至缽壁時，每株施入15粒魔肥；
8cm營養(yǎng)缽栽培第二年管理新芽長出后，每缽內(nèi)留一最健壯的芽，抹去多余 的新芽，當新芽長至10cm高時則應(yīng)插鐵絲以固定植株，鐵絲立于長葉的一面，扎 絲剪為12cm長，用扎絲將新芽輕輕寬舒地固定在鐵絲上；新芽生長期大量供應(yīng)水， 至止葉長出后濕度控制在70±5%;光照控制在3. 5萬Lux以下，至止葉長出后溫 度控制在18-28。C，雌夜溫18-20。C、晝溫26-28。C;栽培第二年的3-5月施入 菜籽餅肥，量為0.5 cm3每株。
8cm營養(yǎng)缽栽培第一、二年的病蟲害防治春季蟲害較多，10-15天噴灑樂斯 本等殺蟲劑，病害主要有炭疽病，用火把或炭疽福美防治；夏季易造成莖腐，葉 腐等細菌性病害的大面積發(fā)生，該季也是蛾類和蝶類的幼蟲、紅蜘蛛危害的時候， 這段時間加強溫室的通風，10天打殺蟲或殺菌劑防治，并控制澆水的時間；秋季 害蟲有蚜蟲，薊馬，紅蜘蛛等，炭疽病也時有發(fā)生；冬季病害相對教少，15-20天 噴灑殺蟲和殺菌劑，加強溫室內(nèi)通風，搞好溫室內(nèi)及周邊的環(huán)境衛(wèi)生工作，及時
清除病株病葉等侵染源。
3)在8cm營養(yǎng)缽栽培階段的第三年進行催花處理
a. 開花株上山低溫處理止葉出現(xiàn)一月，莖桿飽滿成熟后，將開花株搬入山
上的大棚中，在10-15。C夜間溫度超過1小時、白天最高溫度25-32。C的條件下累 積處理30-45天，光照控制在4萬Lux以下，并保持水苔濕潤；高山易發(fā)生蛞蝓 和蝸牛等蟲害，它們主要吃新芽和花苞，可以組織人工捕殺或用藥誘殺，在苗床 上放一碗啤酒或撒些鹽。
b. 開花株下山加溫催花花芽呈半粒米大后，搬至山下溫室，適當拉開植株 間的距離，每排擺五張托盤，植株的短葉面朝南，光照控制在3萬Lux以下，溫 度控制在18-28°C ，空氣濕度大于70% ，增施稀釋1000-2000倍的KH2P04葉肥1_2 次；此階段主要的病害有軟腐，導致花芽的黃化流失，此時要拉開植株間的距離， 控制t顯度，加強關(guān)照與通風。
權(quán)利要求
1、春石斛工廠化栽培方法，其特征在于包括以下步驟1)選擇苗高3-5cm、有5片以上葉片和4-6條根的春石斛幼苗，經(jīng)大棚練苗后移栽至128孔穴盤，移栽前期空氣濕度控制在90％以上，栽培階段光照控制在1萬Lux以下，溫度控制在18-28℃，每隔20天施用3000-5000倍稀釋的花多多肥料一次，至止葉長出；2)栽培6-8個月后，將植株高度5cm以上、根系發(fā)達盤結(jié)完整的植株從128孔中移栽至8cm營養(yǎng)缽中栽培，栽培階段光照控制在3.5萬Lux以下，溫度控制在18-28℃；栽培第一年當根系長至缽壁時，每株施入15粒魔肥；栽培第二年春季施入菜籽餅肥，量為0.5cm3每株；3)在8cm營養(yǎng)缽栽培階段的第三年進行催花處理a.開花株上山低溫處理止葉出現(xiàn)一月，莖桿飽滿成熟后，將開花株搬入山上的大棚中，在10-15℃夜間溫度超過1小時、白天最高溫度不高于32℃的條件下累積處理30-45天，光照控制在4萬Lux以下，并保持水苔濕潤；b.開花株下山加溫催花花芽呈半粒米大后，搬至山下溫室，適當拉開植株間的距離，植株的短葉面朝南，光照控制在3萬Lux以下，溫度控制在18-28℃，空氣濕度大于70％，增施稀釋1000-2000倍的KH2PO4葉肥1-2次；上述兩次移栽均采用特級水苔包裹植株的整個根系部分。
2、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于植株從128孔中 移栽至8cm營養(yǎng)缽中的時間為3-5月份。
3、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培 第一年，前期以快速澆水的方式提供7jC分，半月后采用干透濕透的原則澆水，空氣 濕度控制在70 ±5%。
4、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其f寺征在于8cm營養(yǎng)缽栽培第一年，前1-2個月光照控制在2萬Lux以下，后期控制在3萬Lux以下，t顯度控 制在夜溫18-20°C，晝溫26-28°C。
5、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培 第一年的6-8月，等根系長至缽壁時，每株施入15粒魔肥。
6、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培 第二年，新芽長出后，每缽內(nèi)留一最健壯的芽，新芽生長期大量供應(yīng)水，至止葉長 出后，濕度控制在70±5%。
7、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培 第二年，光照控制在3.5萬Lux以下，至止葉長出后溫度控制在夜溫18-2(TC，晝 溫26-28°C。
8、 如權(quán)禾腰求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于8cm營養(yǎng)缽栽培 第二年的3-5月施入菜籽餅肥，量為0.5 crf每株。
9、 如權(quán)利要求1所述的春石斛工廠化栽培方法，其特征在于經(jīng)大棚練苗后的 幼苗用水沖洗根部后用0.1-0. 2%高錳酸鉀溶液浸泡2-3分鐘，撈起晾干，采用純水 苔作為培養(yǎng)基質(zhì)，單株移栽到128孔穴盤中。
全文摘要
春石斛工廠化栽培方法，屬于花卉栽培技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于包括以下步驟幼苗經(jīng)大棚練苗后移栽至128孔穴盤；栽培6-8個月后，將植株從128孔中移栽至8cm營養(yǎng)缽中栽培，栽培階段光照控制在3.5萬Lux以下，溫度控制在18-28℃；栽培第一年當根系長至缽壁時，每株施入15粒魔肥；栽培第二年春季施入菜籽餅肥，量為0.5cm³每株；在8cm營養(yǎng)缽栽培階段的第三年進行催花處理開花株上山低溫處理，開花株下山加溫催花。上述春石斛工廠化栽培方法，能適應(yīng)我國氣候條件，解決了春石斛工廠化栽培的技術(shù)問題，且工藝簡單，生產(chǎn)成本低，得到的春石斛一致性好，產(chǎn)品品質(zhì)高，具有良好的觀賞價值和廣闊的市場前景。
文檔編號A01G31/00GK101180942SQ20071016057
公開日2008年5月21日 申請日期2007年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月26日
發(fā)明者鄭勇平 申請人:浙江森禾種業(yè)股份有限公司