專利名稱：甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種果樹優(yōu)良砧木品種甜櫻桃矮化砧嫩梢成苗法，尤其是涉及 甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法。
背景技術(shù)：
甜櫻桃矮化砧是一種無(wú)性系中間砧木，與大多數(shù)櫻桃品種嫁接親和性良 好。具有明顯的矮化、豐產(chǎn)、抗寒、抗病、耐澇等優(yōu)點(diǎn)，是目前國(guó)內(nèi)急需的果 樹矮化砧品種。但由于其為無(wú)性系砧木，不能采用種子繁殖，而采用常規(guī)壓條 及硬枝扦插生根又非常困難，目前國(guó)內(nèi)主要采用組培方法育苗，其成本非常高， 嚴(yán)重限制了甜櫻桃矮化砧的推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
為解決甜櫻桃矮化砧繁育成本高、難度大的難題，本發(fā)明提供了一種甜櫻 桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法，其所采取的技術(shù)方案為 該成苗法包括以下步驟
(1) 嫩梢采剪處理
每年的6-10月選枝條旺盛的甜櫻桃矮化砧苗，在枝條頂端用消毒后的剪
梢工具采剪15-20cm長(zhǎng)嫩梢，將嫩梢底端5-10cm處樹葉摘除并浸沾生根液， 生根液配方為MS維生素+ 1000卯mlBA + 1000 ppm NAA，生根液PH值在5. 4-5. 8 之間；
(2) 離體嫩梢容器快速生根 將處理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基質(zhì)和生根液的生根穴盤內(nèi)，插入
生根基質(zhì)中的嫩梢長(zhǎng)度為5cm，生根基質(zhì)成份為細(xì)河沙、珍珠巖和蛭石，體積 比為l: 1: 1，生根液配方為MS維生素+ 1000ppmlBA + 1000 ppm NAA，嫩梢 快速生根的溫度在25-35'C之間，相對(duì)濕度在80%-100%之間，遮陰透光率在 40%-65%之間，生根培養(yǎng)時(shí)間40天；(3)新苗移栽
將生根后的嫩梢既新苗連同生根基質(zhì)從生根穴盤中移栽入營(yíng)養(yǎng)缽，營(yíng)養(yǎng)缽
內(nèi)盛有適宜新苗生長(zhǎng)的基質(zhì)，基質(zhì)成份為草炭和腐熟后牛糞，體積比為3: 1，
每隔20天追施一次三元素符合肥，適宜新苗生長(zhǎng)的溫度為20-35°C，相對(duì)濕 度為60%-70%，當(dāng)新苗粗度達(dá)到0.5cm時(shí)，可嫁接上大櫻桃品種芽，嫁接后 15-25天后即可移栽入大田。
對(duì)步驟(1)中的剪梢工具進(jìn)行局部接觸式高溫消毒，消毒溫度300°C， 每次接觸消毒時(shí)間15秒。
步驟(1)中嫩梢采剪時(shí)間為早上6點(diǎn)-8點(diǎn)，摘葉處理在遮陰條件下進(jìn)行。
步驟(2)中的生根穴盤選用厚度為l.lmm的黑色PVC高強(qiáng)度薄板，形狀 為上粗下細(xì)的圓柱型，由8行4列共32只生根穴盤并排緊密連接在一起，組 成一個(gè)生根穴盤單元。
步驟(3)中的營(yíng)養(yǎng)缽材質(zhì)選用厚度為1.2mm的黑色PVC高強(qiáng)度薄板，形
狀為上粗下細(xì)的方柱型。
該方法將甜櫻桃矮化砧嫩梢直接插入裝有生根基質(zhì)和生根液的專用穴盤 中快速生根，比常規(guī)組培育苗不但降低了成本，還減少了嫩梢誘導(dǎo)生根、新苗 溫室鍛煉兩個(gè)環(huán)節(jié)，大幅度提高了甜櫻桃矮化砧的繁殖速度，可以使嫩梢生根 率由50%上升到90%以上，新苗成活率由60%上升到98%以上，同時(shí)新苗質(zhì) 量也有了顯著提高，新苗定植后無(wú)緩苗期，生長(zhǎng)快，抗病害能力強(qiáng)，適合在國(guó) 內(nèi)大面積推廣。該方法的推廣應(yīng)用，必將會(huì)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明 該成苗法包括以下步驟
(1 )嫩梢采剪處理 每年的6-10月選枝條旺盛的甜櫻桃矮化砧苗，在枝條頂端用消毒后的剪 梢工具采剪15-20cm長(zhǎng)嫩梢，將嫩梢底端5-10cm處樹葉摘除并浸沾生根液，素+ 1000卯mlBA + 1000 ppm NM，生根液PH值在5. 4-5. 8 之間。每天采剪嫩梢時(shí)間在早上6點(diǎn)-8點(diǎn)，摘葉在遮陰條件下進(jìn)行。
剪梢工具進(jìn)行局部接觸式高溫消毒，消毒溫度30(TC，每次接觸消毒時(shí)間 15秒。
(2) 離體嫩梢容器快速生根 將處理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基質(zhì)和生根液的生根穴盤內(nèi)，插入
生根基質(zhì)中的嫩梢長(zhǎng)度為5cm，生根基質(zhì)成份為細(xì)河沙、珍珠巖和蛭石，體積 比為l: 1: 1，生根液配方為MS維生素+ 1000卯mlBA + 1000 ppm NAA，嫩梢 快速生根的溫度在25-35。C之間，相對(duì)濕度在80%-100%之間，遮陰透光率在 40%-65%之間，生根培養(yǎng)時(shí)間40天。
最適合的生根穴盤材質(zhì)是透性良好的黑色PVC高強(qiáng)度薄板，厚度1. 1皿。 最適合的形狀及尺寸為上粗下細(xì)的圓柱型，上口徑X下口徑X高- 5.7X4.1 X6.2cm，底部孔徑lcm。為操作方便，由8行4列共32只生根穴盤并排緊密 連接在一起，組成一個(gè)生根穴盤單元。
(3) 新苗移栽
將生根后的嫩梢既新苗連同生根基質(zhì)從生根穴盤中移栽入營(yíng)養(yǎng)缽，營(yíng)養(yǎng)缽
內(nèi)盛有適宜新苗生長(zhǎng)的基質(zhì)，基質(zhì)成份為草炭和腐熟后牛糞，體積比為3: 1。
每隔20天追施一次三元素符合肥。適宜新苗生長(zhǎng)的溫度為20-35°C，相對(duì)濕 度為60%-70% 。新苗粗度達(dá)到0. 5cm時(shí)，可嫁接上大櫻桃品種芽。嫁接后15-25 天后即可移栽入大田。
最適合的生長(zhǎng)營(yíng)養(yǎng)缽材質(zhì)也是透性良好的黑色PVC高強(qiáng)度薄板，厚度是 1.2mm，最適合的形狀及尺寸為上粗下細(xì)的方柱型，上口長(zhǎng)X寬二10X8.5cm， 下口長(zhǎng)和寬都是6. 5cm，高35cm,底部孔徑3 cm。
權(quán)利要求
1、一種甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法，其特征在于包括以下方法步驟(1)嫩梢采剪處理每年的6-10月選枝條旺盛的甜櫻桃矮化砧苗，在枝條頂端用消毒后的剪梢工具采剪15-20cm長(zhǎng)嫩梢，將嫩梢底端5-10cm處樹葉摘除并浸沾生根液，生根液配方為MS維生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，生根液PH值在5.4-5.8之間；(2)離體嫩梢容器快速生根將處理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基質(zhì)和生根液的生根穴盤內(nèi)，插入生根基質(zhì)中的嫩梢長(zhǎng)度為5cm，生根基質(zhì)成份為細(xì)河沙、珍珠巖和蛭石，體積比為111，生根液配方為MS維生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，嫩梢快速生根的溫度在25-35℃之間，相對(duì)濕度在80％-100％之間，遮陰透光率在40％-65％之間，生根培養(yǎng)時(shí)間40天；(3)新苗移栽將生根后的嫩梢既新苗連同生根基質(zhì)從生根穴盤中移栽入營(yíng)養(yǎng)缽，營(yíng)養(yǎng)缽內(nèi)盛有適宜新苗生長(zhǎng)的基質(zhì)，基質(zhì)成份為草炭和腐熟后牛糞，體積比為31，每隔20天追施一次三元素符合肥，適宜新苗生長(zhǎng)的溫度為20-35℃，相對(duì)濕度為60％-70％，當(dāng)新苗粗度達(dá)到0.5cm時(shí)，可嫁接上大櫻桃品種芽，嫁接后15-25天后即可移栽入大田。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法，其特征在 于對(duì)步驟(1)中的剪梢工具進(jìn)行局部接觸式高溫消毒，消毒溫度30(TC， 每次接觸消毒時(shí)間15秒。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法，其特征在 于步驟(1)中嫩梢采剪時(shí)間為早上6點(diǎn)-8點(diǎn)，摘葉處理在遮陰條件下進(jìn)行。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的甜櫻桃矮化砧嫩梢離體容器成苗法，其特征在 于步驟(2)中的生根穴盤選用厚度為l.lmm的黑色PVC高強(qiáng)度薄板，形狀為上粗下細(xì)的圓柱型，由8行4列共32只生根穴盤并排緊密連接在一起，組 成一個(gè)生根穴盤單元。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法，其特征在 于步驟(3)中的營(yíng)養(yǎng)缽材質(zhì)選用厚度為1.2mm的黑色PVC高強(qiáng)度薄板，形狀為上粗下細(xì)的方柱型。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種甜櫻桃矮化砧離體嫩梢容器成苗法，包括嫩梢采剪處理，離體嫩梢容器快速生根，新苗移栽等步驟。與常規(guī)組培育苗方法相比，可以使甜櫻桃矮化砧離體嫩梢的生根率由50％上升到90％以上，新苗移栽后成活率由60％上升到98％以上，新苗定植后無(wú)緩苗期，生長(zhǎng)快，抗病害能力強(qiáng)，適合在國(guó)內(nèi)大面積推廣。
文檔編號(hào)A01G31/00GK101433171SQ20081023828
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月12日
發(fā)明者劉慶忠, 張道輝, 李國(guó)田, 艾呈祥, 魏海蓉 申請(qǐng)人:山東省果樹研究所