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低品位菱鎂礦選擇性解離設(shè)備及方法

文檔序號(hào):262926閱讀:459來(lái)源:國(guó)知局
低品位菱鎂礦選擇性解離設(shè)備及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種低品位菱鎂礦選擇性解離方法,包括以下步驟:(1)、將低品位菱鎂礦粉碎至1-10mm;(2)、將步驟(1)中粉碎得到的菱鎂礦置于磁選機(jī)中磁選,磁選采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度為2-5T;(3)、將步驟(2)得到的菱鎂礦研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于60%,過(guò)200目篩,取篩下物;(4)、將步驟(3)得到的菱鎂礦在600-900℃下煅燒40-180min得到輕燒粉;(5)、將步驟(4)得到的輕燒粉研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于97%,過(guò)200目篩,篩下物即為選擇得到的高品位菱鎂礦精礦。本發(fā)明低品位菱鎂礦選擇性解離方法步驟科學(xué)、合理,解決了現(xiàn)有技術(shù)中氧化鎂回收率低,易造成環(huán)境污染的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】低品位菱鎂礦選擇性解離設(shè)備及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及菱鎂礦冶煉技術(shù),尤其涉及一種低品位菱鎂礦選擇性解離方法。

【背景技術(shù)】
[0002]中國(guó)是世界上菱鎂礦資源較為豐富的國(guó)家之一,而且分布比較集中,其中遼寧省菱鎂礦儲(chǔ)量豐富,占全國(guó)總量的85%,居全國(guó)首位。我國(guó)的菱鎂產(chǎn)業(yè)現(xiàn)已發(fā)展成為獨(dú)具特色的資源性優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè),年產(chǎn)各種鎂砂及制品1500萬(wàn)噸,產(chǎn)量居世界首位。
[0003]我國(guó)擁有的菱鎂礦資源中,低品位菱鎂礦占總儲(chǔ)量近一半。由于開采缺乏科學(xué)依據(jù)、隨意性大,采富棄貧、亂采濫掘現(xiàn)象非常嚴(yán)重。致使有些礦山的礦石回采率不足50%,相當(dāng)一部分優(yōu)質(zhì)菱鎂礦山遭到嚴(yán)重破壞。經(jīng)過(guò)幾十年的開采,商品級(jí)的菱鎂礦已越來(lái)越少,特別是高品位的菱鎂礦在某些地區(qū)已經(jīng)不能滿足生產(chǎn)需要。尋找低品位礦石的合理利用途徑,充分發(fā)揮本地區(qū)的資源優(yōu)勢(shì),是一項(xiàng)亟待解決的戰(zhàn)略問(wèn)題。
[0004]現(xiàn)有的菱鎂礦的提純方法主要采用浮選工藝完成。浮選工藝通常采用陽(yáng)離子捕收劑十二胺和陰離子捕收劑油酸鈉對(duì)菱鎂礦浮選,兩種離子捕收劑都能一定程度的分離菱鎂礦中的精礦和二氧化硅,但精礦MgO回收率均較低,最多在60-70%左右,所以亟待一種簡(jiǎn)單、易行、選擇率高的菱鎂礦的提純方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于,針對(duì)上述現(xiàn)有菱鎂礦提純方法選擇性差、回收率低的問(wèn)題,提出一種低品位菱鎂礦選擇性解離方法,采用該方法處理的菱鎂礦選擇性佳、回收率高。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種低品位菱鎂礦選擇性解離方法,包括以下步驟:
[0007](I)、將低品位菱鎂礦粉碎至1-1Omm ;
[0008](2)、將步驟⑴中粉碎得到的菱鎂礦置于磁選機(jī)中磁選,所述磁選采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度為2-5T;磁選后,菱鎂礦(精礦)中的二氧化硅、氧化鐵、氧化鈣的含量均有不同程度的下降;
[0009](3)、將步驟(2)得到的菱鎂礦研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于60%,過(guò)200目篩,取篩下物;篩下物的二氧化硅、氧化鐵和氧化鈣含量再次下降;
[0010](4)、將步驟(3)得到的菱鎂礦在600-900°C下煅燒40_180min得到輕燒粉;
[0011](5)、將步驟(4)得到的輕燒粉研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于97%,過(guò)200目篩,篩下物即為選擇得到的高品位菱鎂礦。所述高品位菱鎂礦中二氧化硅、氧化鈣含量進(jìn)一步下降,最終得到純度大于98%的氧化鎂,氧化鎂回收率在80%以上。
[0012]進(jìn)一步地,所述低品位菱鎂礦中MgO質(zhì)量含量< 41%。
[0013]進(jìn)一步地,所述低品位菱鎂礦由輥破碎機(jī)及振動(dòng)篩組破碎。
[0014]進(jìn)一步地,將低品位菱鎂礦粉碎至3_5mm。
[0015]進(jìn)一步地,所述步驟(2)中磁場(chǎng)強(qiáng)度為3-4T,更優(yōu)選為3.2T。
[0016]進(jìn)一步地,所述步驟(4)中煅燒溫度為800-900°C,煅燒時(shí)間為120_150min。
[0017]本發(fā)明中除特殊說(shuō)明,所述含量均為質(zhì)量含量。
[0018]本發(fā)明低品位菱鎂礦選擇性解離方法步驟科學(xué)、合理,與現(xiàn)有技術(shù)相比較具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0019](I)本發(fā)明低品位菱鎂礦選擇性解離方法包括:粉碎-磁選-研磨-煅燒-研磨一系列處理,選礦得到的菱鎂礦粉中氧化鎂回收率大于80%,大大提高了礦石的綜合利用率。
[0020](2)本發(fā)明低品位菱鎂礦選擇性解離方法與浮選法相比,不采用任何化學(xué)試劑和水,在節(jié)約生產(chǎn)成本的同時(shí)還減少了污水的排放。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為本發(fā)明低品位菱鎂礦選擇性解離方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明:
[0023]實(shí)施例1
[0024]本實(shí)施例對(duì)大石橋地區(qū)的低品位菱鎂礦進(jìn)行選擇,該低品位菱鎂礦中MgO質(zhì)量含量為40 %,氧化鈣質(zhì)量含量為2.3%,二氧化硅質(zhì)量含量為4 %,氧化鐵質(zhì)量含量為0.8%。該低品位菱鎂礦選擇性解離方法如圖1所示,包括以下步驟:
[0025](I)、將低品位菱鎂礦置于粉碎設(shè)備中,粉碎至粒度為3-5_,所采用的粉碎設(shè)備包括輥破碎機(jī)及振動(dòng)篩組。
[0026](2)、將步驟(I)中粉碎得到的低品位菱鎂礦置于磁選機(jī)中磁選,磁選采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度為3.2T;磁選后,菱鎂礦(精礦)中的二氧化硅的含量降至1.5%以下,氧化鐵含量降至0.3%以下,氧化鈣的含量降至1.4%以下;磁選大大降低了菱鎂礦中的氧化鐵含量,輕燒粉中氧化鐵的含量直接影響耐火磚的質(zhì)量。
[0027](3)、將步驟⑵得到的菱鎂礦置于研磨設(shè)備中研磨,使菱鎂礦、方解石、石英、白云石達(dá)到單體解離的粒度。具體的研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于60%,過(guò)200目篩,取篩下物;篩下物中二氧化硅的含量降至1.3%以下,氧化鐵含量降至0.2%以下,氧化鈣含量降至0.7%以下。
[0028](4)、將步驟(3)得到的菱鎂礦在850°C下煅燒ISOmin得到輕燒粉。
[0029](5)、將步驟(4)得到的輕燒粉研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于97%,過(guò)200目篩,篩下物即為選擇得到的高品位菱鎂礦精礦。得到的高品位菱鎂礦精礦中二氧化硅的含量降至0.4%以下,氧化鈣含量降至0.3%以下,最終得到純度98.40%的氧化鎂,氧化鎂回收率在85%以上。
[0030]實(shí)施例2
[0031]本實(shí)施例處理的低品位菱鎂礦中MgO質(zhì)量含量為41%,氧化I丐質(zhì)量含量為3%, 二氧化硅質(zhì)量含量為3.2%,氧化鐵質(zhì)量含量為0.7%。該低品位菱鎂礦選擇性解離方法包括以下步驟:
[0032](I)、將低品位菱鎂礦置于粉碎設(shè)備中,粉碎至粒度為5-8_。
[0033](2)、將步驟(I)中粉碎得到的低品位菱鎂礦置于磁選機(jī)中磁選,所述磁選采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度為5T ;磁選后,菱鎂礦(精礦)中的二氧化娃的含量降至1.8%以下,氧化鐵含量降至0.3%以下,氧化鈣的含量降至1.6%以下。
[0034](3)、將步驟(2)得到的菱鎂礦置于研磨設(shè)備中研磨,使菱鎂礦、方解石、石英、白云石達(dá)到單體解離的粒度。具體的研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于70%,過(guò)200目篩,取篩下物;篩下物中二氧化硅的含量降至1.4%以下,氧化鐵含量降至0.2%以下,氧化鈣含量降至0.8%以下。
[0035](4)、將步驟(3)得到的菱鎂礦在800-900°C下煅燒180min得到輕燒粉。
[0036](5)、將步驟(4)得到的輕燒粉研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于97%,過(guò)200目篩,篩下物即為選擇得到的高品位菱鎂礦精礦。所述高品位菱鎂礦精礦中二氧化硅的含量降至0.4%以下,氧化鈣含量降至0.35%以下,最終得到純度98.40%的氧化鎂,氧化鎂回收率在80%以上。
[0037]實(shí)施例3
[0038]本實(shí)施例處理的低品位菱鎂礦中MgO質(zhì)量含量為41%,氧化I丐質(zhì)量含量為2.0%,二氧化硅質(zhì)量含量為5%,氧化鐵質(zhì)量含量為0.5%。該低品位菱鎂礦選擇性解離方法包括以下步驟:
[0039](I)、將低品位菱鎂礦置于粉碎設(shè)備中,粉碎至粒度為5-8_。
[0040](2)、將步驟(I)中粉碎得到的低品位菱鎂礦置于磁選機(jī)中磁選,所述磁選采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度為2.5T ;磁選后,菱鎂礦(精礦)中的二氧化娃的含量降至2.0%以下,氧化鐵含量降至0.2%以下,氧化鈣的含量降至1.3%以下;磁選大大降低了菱鎂礦中的氧化鐵含量,輕燒粉中氧化鐵的含量直接影響耐火磚的質(zhì)量。
[0041](3)、將步驟(2)得到的菱鎂礦置于研磨設(shè)備中研磨,使菱鎂礦、方解石、石英、白云石達(dá)到單體解離的粒度。具體的研磨至200目以下粉料質(zhì)量含量大于60%,過(guò)200目篩,取篩下物;使二氧化硅的含量降至1.4%以下,氧化鐵含量降至0.15%以下,氧化鈣含量降至0.8%以下。
[0042](4)、將步驟(3)得到的菱鎂礦在800°C下煅燒120min得到輕燒粉。
[0043](5)、將步驟(4)得到的輕燒粉研磨至200目以下粉料質(zhì)量含量大于98%,過(guò)200目篩,篩下物即為選擇得到的高品位菱鎂礦精礦。所述高品位菱鎂礦中二氧化硅的含量降至0.5%以下,氧化鈣含量降至0.3%以下,最終得到純度98.50%的氧化鎂,氧化鎂回收率在85%以上。
[0044]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,包括以下步驟: (1)、將低品位菱鎂礦粉碎至1-1Omm; (2)、將步驟(I)中粉碎得到的菱鎂礦置于磁選機(jī)中磁選,所述磁選采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度為2-5T ; (3)、將步驟(2)得到的菱鎂礦研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于60%,過(guò)200目篩,取篩下物; (4)、將步驟(3)得到的菱鎂礦在600-900°C下煅燒40-180min得到輕燒粉; (5)、將步驟(4)得到的輕燒粉研磨至200目以下的粉料質(zhì)量含量大于97%,過(guò)200目篩,篩下物即為選擇得到的高品位菱鎂礦。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,所述低品位菱鎂礦中MgO質(zhì)量含量< 41%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,所述低品位菱鎂礦由輥破碎機(jī)及振動(dòng)篩組破碎。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,步驟(I)將低品位菱鎂礦粉碎至3-5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,所述步驟(2)中磁場(chǎng)強(qiáng)度為3-4T。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,所述步驟(4)中煅燒溫度為800-900°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述低品位菱鎂礦選擇性解離方法,其特征在于,所述步驟(4)中煅燒時(shí)間為120-150min。
【文檔編號(hào)】B02C21/00GK104190523SQ201410416055
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月21日
【發(fā)明者】崔俊峰, 崔軍, 么革, 齊國(guó)超, 崔毅, 崔薇薇, 何占高, 劉希洋 申請(qǐng)人:營(yíng)口東吉科技(集團(tuán))有限公司
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