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一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法與流程

文檔序號:11781088閱讀:702來源:國知局

本發(fā)明涉及植物培養(yǎng)繁殖技術領域,具體涉及一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法。



背景技術:

蕙蘭是蘭科蕙蘭屬的地生草本植物,假鱗莖不明顯,集生成叢,呈橢圓形。葉帶形,直立性強,葉脈透亮,邊緣常有粗鋸齒。花常為淺黃綠色,唇瓣有紫紅色斑,一莖多花。蕙蘭是中國栽培最久和最普及的蘭花之一,屬于珍稀物種,為國家二級重點保護野生物種,是比較耐寒的蘭花品種之一。

由于蕙蘭種子非常微小,幾乎無胚乳,在自然條件下種子萌發(fā)率極低,因此在生產(chǎn)實踐中多采用分株方式進行繁殖,無性繁殖引發(fā)的病毒傳播嚴重制約了蘭花產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,病毒可造成植株葉斑、壞死以及花朵變色、畸形等癥狀,嚴重影響其品質(zhì),目前尚無藥物能有效防治病毒的危害與傳播,因此繁殖蕙蘭無毒苗是產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的必經(jīng)之路。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法,從而培養(yǎng)蕙蘭無毒苗,實現(xiàn)蕙蘭的無病毒栽培。

為了達到上述目的,本發(fā)明采用的技術方案為:一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法,包括以下步驟:

(1)植株熱處理:將無病蟲害長勢良好的蕙蘭放入培養(yǎng)箱中進行培養(yǎng),培養(yǎng)期間,培養(yǎng)箱內(nèi)濕度為80~90%,培養(yǎng)箱內(nèi)溫度開始時為30℃,每隔一天上升1℃,直至38℃,培養(yǎng)時間為22~25d,光照時間為16h/d,光照強度為3000~5000lx;

(2)材料選?。簩⑸鲜鰺崽幚砗蟮霓ヌm從培養(yǎng)箱中取出,切取蕙蘭的莖尖;

(3)材料消毒:將上述切取的莖尖用清水沖洗干凈,沖洗后剝?nèi)ネ鈱尤~片,在超凈工作臺上用體積分數(shù)為70%的酒精浸泡20~30s,然后用質(zhì)量分數(shù)為0.2%的氯化汞溶液分2~3次共消毒5~6min,每次用氯化汞溶液消毒后用無菌水漂洗5次,并用消毒濾紙吸干表面水分;

(4)原球莖誘導培養(yǎng):將上述消毒后的莖尖在解剖鏡下剝離成長度為0.3~0.5mm的莖段,然后接種到誘導培養(yǎng)基中進行培養(yǎng),所述誘導培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+0.3~0.7mg/L 6-BA+0.1~0.3mg/L IBA+0.2~0.3mg/L VC+0.05~0.15mg/L GA3,培養(yǎng)時間為22~25d,培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為12h/d,光照強度為1500~2000lx;培養(yǎng)時間結束后,再將培養(yǎng)材料整體移入新的誘導培養(yǎng)基中繼續(xù)培養(yǎng),培養(yǎng)時間為15~20d,培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為12h/d,光照強度為1500~2000lx;

(5)增殖繼代培養(yǎng):將培養(yǎng)后的原球莖在無菌工作臺上進行分割,然后在接入到增殖培養(yǎng)基中繼續(xù)培養(yǎng),所述增殖培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+0.8~1.5mg/L6-BA+0.1~0.3mg/L NAA+8~12%椰汁,培養(yǎng)條件:培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為12h/d,光照強度為1500~2000lx;

(6)壯苗培養(yǎng):增殖繼代培養(yǎng)后,選擇高2cm以上、基部有明顯突起的小苗轉入壯苗培養(yǎng)基中培養(yǎng),所述壯苗培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+2~4mg/L NAA,培養(yǎng)時間為15~20d,培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為13h/d,光照強度為1800~21000lx;培養(yǎng)時間結束后,再向壯苗培養(yǎng)基中加入0.3%活性炭,培養(yǎng)溫度27~29℃,光照時間為15h/d,光照強度為2500~3000lx;

(7)移栽:當試管苗生長至4~5cm高,根2~4條,葉1~2片時,將試管苗放在自然光下煉苗5~7天,打開瓶蓋煉苗1~2天;然后取出培養(yǎng)苗,用清水洗凈附著在根部的培養(yǎng)基,清洗時注意不要損害根部,然后移栽至水苔和腐殖土質(zhì)量比為1:2的混合基質(zhì)中,保持濕度和通風,空氣濕度為75~85%,溫度為20~25℃。

如上所述的一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法,進一步說明為,所述材料消毒步驟中,每次用質(zhì)量分數(shù)為0.2%的氯化汞溶液消毒時,向氯化汞溶液中加入一滴吐溫-20。

如上所述的一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法,進一步說明為,所述誘導培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+0.5mg/L 6-BA+0.2mg/L IBA+0.25mg/L VC+0.1mg/L GA3。

如上所述的一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法,進一步說明為,所述增殖培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+1mg/L 6-BA+0.2mg/L NAA+10%椰汁。

本發(fā)明的有益效果是:采用本方法能使培養(yǎng)后的蕙蘭苗株發(fā)病率低,成苗率高,苗株品質(zhì)好,栽培后適應性強,苗株長勢良好,通過生物技術手段在短時間內(nèi),滿足了商業(yè)化生產(chǎn)的需求,為企業(yè)規(guī)模化、產(chǎn)業(yè)化培養(yǎng)蕙蘭無毒苗提供了技術支持。

具體實施方式

下面對本發(fā)明具體實施方式做進一步的闡述。

本發(fā)明提供了一種蕙蘭無毒苗培養(yǎng)繁殖方法,從而培養(yǎng)蕙蘭無毒苗,實現(xiàn)蕙蘭的無病毒栽培,該方法包括以下步驟:

(1)植株熱處理:將無病蟲害長勢良好的蕙蘭放入培養(yǎng)箱中進行培養(yǎng),培養(yǎng)期間,培養(yǎng)箱內(nèi)濕度為80~90%,培養(yǎng)箱內(nèi)溫度開始時為30℃,每隔一天上升1℃,直至38℃,培養(yǎng)時間為22~25d,光照時間為16h/d,光照強度為3000~5000lx;部分病毒在高溫條件下會失去活性,持續(xù)一定時間后,病毒含量不斷下降,經(jīng)過熱處理能在一定程度上脫掉部分病毒,蕙蘭熱處理的溫度上限為38℃,超過38℃,會使蕙蘭失去活性,甚至枯死,熱處理溫度采用階梯上升,能使蕙蘭植物逐漸適應溫度的變化。

(2)材料選?。簩⑸鲜鰺崽幚砗蟮霓ヌm從培養(yǎng)箱中取出,切取蕙蘭的莖尖;植物病毒在植株體內(nèi)主要沿植物輸導組織蔓延發(fā)展,植物頂端分生組織沒有導管、篩管的分化,同時植物頂端細胞生活力強,能不斷分裂擺脫病毒的侵入,所以植物頂端分生細胞中一般不含病毒,切取蕙蘭的莖尖進行組培,從而可以獲得蕙蘭無毒苗。

(3)材料消毒:將上述切取的莖尖用清水沖洗干凈,沖洗后剝?nèi)ネ鈱尤~片,在超凈工作臺上用體積分數(shù)為70%的酒精浸泡20~30s,然后用質(zhì)量分數(shù)為0.2%的氯化汞溶液分2~3次共消毒5~6min,每次用氯化汞溶液消毒后用無菌水漂洗5次,并用消毒濾紙吸干表面水分;一般消毒用的0.1%氯化汞溶液滅菌效果不佳,而濃度較高的氯化汞溶液又易使莖尖失去活性,抑制誘導,而本培育方法采用質(zhì)量分數(shù)為0.2%的氯化汞溶液能較好起到滅菌作用而又對其活性影響較小,并且采用分2~3次操作,能更好的保護莖尖活性;

表1為采用上述消毒方法對蕙蘭莖尖進行處理后,放置于普通誘導培養(yǎng)基中進行培養(yǎng),對培養(yǎng)后蕙蘭莖尖誘導率的試驗結果:

由表1中可以看出,采用質(zhì)量分數(shù)為0.2%的氯化汞溶液能較好起到滅菌作用而又對其活性影響較小,并且采用分2~3次操作,能更好的保護蕙蘭莖尖活性,大大增加蕙蘭莖尖的誘導率。作為優(yōu)選,每次用質(zhì)量分數(shù)為0.2%的氯化汞溶液消毒時,向氯化汞溶液中加入一滴吐溫-20。

(4)原球莖誘導培養(yǎng):將上述消毒后的莖尖在解剖鏡下剝離成長度為0.3~0.5mm的莖段,接種成活率與莖段大小成正比關系,莖段小于0.2mm時,成活率不超過25%,所以本發(fā)明采用0.3~0.5mm的莖段,然后接種到誘導培養(yǎng)基中進行培養(yǎng),所述誘導培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+0.3~0.7mg/L 6-BA+0.1~0.3mg/L IBA+0.2~0.3mg/L VC+0.05~0.15mg/L GA3,通過加入VC和GA3,能有效遏制培養(yǎng)材料的褐化,在誘導培養(yǎng)基中的培養(yǎng)時間為22~25d,培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為12h/d,光照強度為1500~2000lx,經(jīng)過22~25天的培養(yǎng)后莖尖頂端周圍開始出現(xiàn)白色晶瑩的小突起,并逐漸長大形成1至數(shù)個原球莖,這時再將培養(yǎng)材料整體移入新的誘導培養(yǎng)基中繼續(xù)培養(yǎng),培養(yǎng)時間為15~20d,培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為12h/d,光照強度為1500~2000lx,經(jīng)過15~20天的繼續(xù)培養(yǎng)后,原球莖體積不斷增大,逐漸轉綠,在表面長出毛狀假根,此時可進行增殖繼代培養(yǎng);

表2為誘導培養(yǎng)基成分及用量

作為優(yōu)選,所述誘導培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+0.5mg/L 6-BA+0.2mg/L IBA+0.25mg/L VC+0.1mg/L GA3,即為表2中誘導培養(yǎng)基1的成分及用量;

(5)增殖繼代培養(yǎng):將培養(yǎng)后的原球莖在無菌工作臺上進行分割,然后在接入到增殖培養(yǎng)基中繼續(xù)培養(yǎng),所述增殖培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+0.8~1.5mg/L6-BA+0.1~0.3mg/L NAA+8~12%椰汁,培養(yǎng)條件:培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為12h/d,光照強度為1500~2000lx;通過在增殖培養(yǎng)基中繼續(xù)培養(yǎng),加快了原球莖的吸收,使原球莖體積和數(shù)量得到快速繁殖;

表3為增殖培養(yǎng)基成分及用量

作為優(yōu)選,所述增殖培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+1mg/L 6-BA+0.2mg/L NAA+10%椰汁,即為表3中增殖培養(yǎng)基1的成分及用量;

(6)壯苗培養(yǎng):增殖繼代培養(yǎng)后,選擇高2cm以上、基部有明顯突起的小苗轉入壯苗培養(yǎng)基中培養(yǎng),所述壯苗培養(yǎng)基為:B5培養(yǎng)基+2~4mg/L NAA,培養(yǎng)時間為15~20d,培養(yǎng)溫度24~26℃,光照時間為13h/d,光照強度為1800~21000lx;培養(yǎng)時間結束后,再向壯苗培養(yǎng)基中加入0.3%活性炭,培養(yǎng)溫度27~29℃,光照時間為15h/d,光照強度為2500~3000lx;加入活性炭能模擬土壤黑暗環(huán)境有利于根系的生長,同時增加培養(yǎng)溫度和光照強度,試管苗邊分化邊生根。

(7)移栽:當試管苗生長至4~5cm高,根2~4條,葉1~2片時,將試管苗放在自然光下煉苗5~7天,打開瓶蓋煉苗1~2天;然后取出培養(yǎng)苗,用清水洗凈附著在根部的培養(yǎng)基,清洗時注意不要損害根部,然后移栽至水苔和腐殖土質(zhì)量比為1:2的混合基質(zhì)中,保持濕度和通風,空氣濕度為75~85%,溫度為20~25℃,移栽成活率達90%以上。采用本方法能使培養(yǎng)后的蕙蘭苗株發(fā)病率低,成苗率高,苗株品質(zhì)好,栽培后適應性強,苗株長勢良好,通過生物技術手段在短時間內(nèi),滿足了商業(yè)化生產(chǎn)的需求,為企業(yè)規(guī)?;a(chǎn)業(yè)化培養(yǎng)蕙蘭無毒苗提供了技術支持。

本發(fā)明并不限于上述實例,在本發(fā)明的權利要求書所限定的范圍內(nèi),本領域技術人員不經(jīng)創(chuàng)造性勞動即可做出的各種變形或修改均受本專利的保護。

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