本發(fā)明涉及植物組織培養(yǎng)快繁及脫毒領(lǐng)域，尤其涉及西農(nóng)431甘薯的脫毒培育方法。

背景技術(shù)：

西農(nóng)431甘薯是一種優(yōu)良的甘薯，結(jié)薯集中、薯塊上紡錘型。薯皮橙黃、肉桔紅、薯干鮮紅，口感極好，香味濃、甜、面沙，是烤紅薯、加工薯脯、罐頭、鮮薯干、飴糖等保健食品的好原料。但是由于甘薯容易受多種病毒和病原菌的感染，尤其在大面積種植時(shí)，容易發(fā)生西農(nóng)431甘薯受病毒的危害而造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失，西農(nóng)431甘薯最初是在1998年育成的，經(jīng)過多年種植后，容易出現(xiàn)嚴(yán)重的種性退化，易染病，從而造成了產(chǎn)量降低。近年來，利用植物莖尖分生組織攜帶病毒很少，甚至不帶毒的特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)無病毒或去病毒植株的繁育，因此，利用這種技術(shù)也可實(shí)現(xiàn)品質(zhì)優(yōu)良的西農(nóng)431甘薯苗的培育。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供西農(nóng)431甘薯的脫毒培育方法。

本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用以下技術(shù)方案：西農(nóng)431甘薯的脫毒培育方法，其特征在于，其步驟如下：

(1)在西農(nóng)431甘薯的種植大田中選取長勢(shì)旺盛的健康植株，剪取3cm長的頂芽，對(duì)齊進(jìn)行消毒，消毒方法為：首先用0.1％的洗衣粉浸泡10min，用流水沖洗1～2h，再用75％的酒精浸泡60s，再用2.5％NaOCl消毒5～10min，使用無菌水沖洗5次；

(2)在解剖鏡下無菌剝離0.3mm大小的生長點(diǎn)帶2個(gè)葉原基，接種在預(yù)先制備好的培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng)，培養(yǎng)基為：在MS基本培養(yǎng)基中加入BAP 1mg/L、NAA0.01mg/L和GA₃0.1mg/L，培養(yǎng)條件為：培養(yǎng)溫度為27℃，光照強(qiáng)度2000LX，光照時(shí)間13h/d；

(3)當(dāng)莖尖發(fā)育成帶有4～5個(gè)葉片的小植株時(shí)，進(jìn)行血清法病毒檢測(cè)，檢測(cè)程序?yàn)椋簶悠凡杉谀ど宵c(diǎn)樣→加入封阻液→沖洗→添加特異病毒抗體→沖洗→加入酶標(biāo)抗體→沖洗→顯色→終止反應(yīng)，得到檢測(cè)呈陰性的脫毒株系；

(4)對(duì)脫毒株系進(jìn)行快繁培育，在無菌條件下，將莖尖苗剪切成段，每段帶一節(jié)和一片葉，形態(tài)學(xué)的下端扦插于培養(yǎng)基中進(jìn)行培育，培養(yǎng)基為：在MS基本培養(yǎng)基中加入IAA 0.1mg/L和GA₃ 0.1mg/L，培養(yǎng)溫度為27℃，光照強(qiáng)度2000LX，光照時(shí)間15h/d，使莖段下端長出根，側(cè)芽向上萌發(fā)形成完整植株；

(5)長成完整植株后進(jìn)行煉苗，方法為：將裝有小苗的培養(yǎng)瓶移到15℃的培養(yǎng)室中放置7d，然后打開培養(yǎng)瓶用鑷子取出小苗，洗去根部殘余的培養(yǎng)基；

(6)將經(jīng)過煉苗后的植株苗栽入苗圃地，進(jìn)行蓋土、灑水，及時(shí)搭建塑料薄膜拱棚，并加蓋遮陽網(wǎng)，進(jìn)行覆蓋遮陰保濕30d，然后去除遮陽網(wǎng)及塑料薄膜。

特別的，所述步驟(6)中的蓋土厚度為3cm。

特別的，所述步驟(6)中，覆蓋遮陰保濕的第3天，打開塑料薄膜拱棚進(jìn)行二次蓋土、灑水，覆蓋遮陰保濕的第7天，于塑料薄膜上打孔透氣，而后逐漸加大加多透氣孔，第30天時(shí)撤去塑料薄膜。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明中西農(nóng)431甘薯的莖尖脫毒苗的培育過程簡(jiǎn)單，可操作性強(qiáng)，培育步驟合理，可以獲得成活率較高的西農(nóng)431甘薯苗，并且在培育過程中，合理選用加入了生長調(diào)節(jié)劑的MS培養(yǎng)基，有助于植株幼苗的生長，提高幼苗成活率，植株培育完成后進(jìn)行了煉苗，在移栽苗圃地后，進(jìn)行了漸進(jìn)式的通風(fēng)透氣，提高了植株幼苗的環(huán)境適應(yīng)性和成活率。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明：

實(shí)施例1

(1)在西農(nóng)431甘薯的種植大田中選取長勢(shì)旺盛的健康植株，剪取3cm長的頂芽，對(duì)齊進(jìn)行消毒，消毒方法為：首先用0.1％的洗衣粉浸泡10min，用流水沖洗1h，再用75％的酒精浸泡60s，再用2.5％NaOCl消毒5min，使用無菌水沖洗5次；

(2)在解剖鏡下無菌剝離0.3mm大小的生長點(diǎn)帶2個(gè)葉原基，接種在預(yù)先制備好的培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng)，培養(yǎng)基為：在MS基本培養(yǎng)基中加入BAP 1mg/L、NAA0.01mg/L和GA₃0.1mg/L，培養(yǎng)條件為：培養(yǎng)溫度為27℃，光照強(qiáng)度2000LX，光照時(shí)間13h/d；

(3)當(dāng)莖尖發(fā)育成帶有4個(gè)葉片的小植株時(shí)，進(jìn)行血清法病毒檢測(cè)，檢測(cè)程序?yàn)椋簶悠凡杉谀ど宵c(diǎn)樣→加入封阻液→沖洗→添加特異病毒抗體→沖洗→加入酶標(biāo)抗體→沖洗→顯色→終止反應(yīng)，得到檢測(cè)呈陰性的脫毒株系；

(4)對(duì)脫毒株系進(jìn)行快繁培育，在無菌條件下，將莖尖苗剪切成段，每段帶一節(jié)和一片葉，形態(tài)學(xué)的下端扦插于培養(yǎng)基中進(jìn)行培育，培養(yǎng)基為：在MS基本培養(yǎng)基中加入IAA 0.1mg/L和GA₃ 0.1mg/L，培養(yǎng)溫度為27℃，光照強(qiáng)度2000LX，光照時(shí)間15h/d，使莖段下端長出根，側(cè)芽向上萌發(fā)形成完整植株；

(5)長成完整植株后進(jìn)行煉苗，方法為：將裝有小苗的培養(yǎng)瓶移到20℃的培養(yǎng)室中放置7d，然后打開培養(yǎng)瓶用鑷子取出小苗，洗去根部殘余的培養(yǎng)基；

(6)將經(jīng)過煉苗后的植株苗栽入苗圃地，進(jìn)行蓋土、灑水，蓋土厚度為3cm，及時(shí)搭建塑料薄膜拱棚，并加蓋遮陽網(wǎng)，進(jìn)行覆蓋遮陰保濕30d，覆蓋遮陰保濕的第3天，打開塑料薄膜拱棚進(jìn)行二次蓋土、灑水，覆蓋遮陰保濕的第7天，于塑料薄膜上打孔透氣，而后逐漸加大加多透氣孔，第30天時(shí)撤去塑料薄膜。

實(shí)施例2

(1)在西農(nóng)431甘薯的種植大田中選取長勢(shì)旺盛的健康植株，剪取3cm長的頂芽，對(duì)齊進(jìn)行消毒，消毒方法為：首先用0.1％的洗衣粉浸泡10min，用流水沖洗2h，再用75％的酒精浸泡60s，再用2.5％NaOCl消毒10min，使用無菌水沖洗5次；

(2)在解剖鏡下無菌剝離0.3mm大小的生長點(diǎn)帶2個(gè)葉原基，接種在預(yù)先制備好的培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng)，培養(yǎng)基為：在MS基本培養(yǎng)基中加入BAP 1mg/L、NAA0.01mg/L和GA₃0.1mg/L，培養(yǎng)條件為：培養(yǎng)溫度為27℃，光照強(qiáng)度2000LX，光照時(shí)間13h/d；

(3)當(dāng)莖尖發(fā)育成帶有5個(gè)葉片的小植株時(shí)，進(jìn)行血清法病毒檢測(cè)，檢測(cè)程序?yàn)椋簶悠凡杉谀ど宵c(diǎn)樣→加入封阻液→沖洗→添加特異病毒抗體→沖洗→加入酶標(biāo)抗體→沖洗→顯色→終止反應(yīng)，得到檢測(cè)呈陰性的脫毒株系；

(4)對(duì)脫毒株系進(jìn)行快繁培育，在無菌條件下，將莖尖苗剪切成段，每段帶一節(jié)和一片葉，形態(tài)學(xué)的下端扦插于培養(yǎng)基中進(jìn)行培育，培養(yǎng)基為：在MS基本培養(yǎng)基中加入IAA 0.1mg/L和GA₃ 0.1mg/L，培養(yǎng)溫度為27℃，光照強(qiáng)度2000LX，光照時(shí)間15h/d，使莖段下端長出根，側(cè)芽向上萌發(fā)形成完整植株；

(5)長成完整植株后進(jìn)行煉苗，方法為：將裝有小苗的培養(yǎng)瓶移到20℃的培養(yǎng)室中放置7d，然后打開培養(yǎng)瓶用鑷子取出小苗，洗去根部殘余的培養(yǎng)基；

(6)將經(jīng)過煉苗后的植株苗栽入苗圃地，進(jìn)行蓋土、灑水，蓋土厚度為3cm，及時(shí)搭建塑料薄膜拱棚，并加蓋遮陽網(wǎng)，進(jìn)行覆蓋遮陰保濕30d，覆蓋遮陰保濕的第3天，打開塑料薄膜拱棚進(jìn)行二次蓋土、灑水，覆蓋遮陰保濕的第7天，于塑料薄膜上打孔透氣，而后逐漸加大加多透氣孔，第30天時(shí)撤去塑料薄膜。

上面對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。