本發(fā)明涉及設施果樹溫室結果領域,具體為一種模擬下沉式設施果樹專用節(jié)能日光溫室。
背景技術:
目前設施果樹沒有專用的日光溫室結構,一般借用設施蔬菜日光溫室結構參數(shù)建造。
日光溫室依據(jù)溫室操作面與地平面的相對位置分為:下沉式日光溫室,地平式日光溫室。下沉式日光溫室的溫室操作面一般低于地平面60-80厘米。下沉式日光溫室相對于地平式日光溫室的優(yōu)點是:更好的利用地熱資源,保溫性能好。但是目前設施果樹生產(chǎn)一般不能采用下沉式日光溫室,原因在于設施果樹生產(chǎn)一般要求在采果后5-12月份揭棚處理,但是6-8月份為北方雨季,降雨量大,降雨急,下沉式日光溫室由于操作面低于地面,所以排水能力很差,容易形成積水,造成澇害,而且設施果樹生產(chǎn)的主要樹種桃、杏、李、大櫻桃、葡萄等,這些都屬于怕澇果樹。
另外,大部分日光溫室的后坡厚度一般較薄,只有30-40cm,只具有保溫功能而未具有蓄熱功能。另外保溫材料白天處于卷合狀態(tài),卷合過程經(jīng)常會存在不同步的情況,致使生產(chǎn)中經(jīng)常出現(xiàn)保溫被停滯在離脊高點1-1.5米的距離,由于保溫材料不透光,嚴重制約了后坡保溫蓄熱功能,同時也嚴重制約了保溫材料覆蓋下植株的生長。
日光溫室內(nèi)留的操作道一般留在靠近北墻一側,但是北邊是整個日光溫室光熱資源最為豐富的地方,將操作道留在北墻一側造成了空間利用率的極大浪費。而南邊由于鋼架結構的限制比較低矮,濕度較大,一般不能開展種植,即便種植由于光、溫、氣、熱變化較為劇烈,生產(chǎn)效果也不理想。
技術實現(xiàn)要素:
為了充分發(fā)揮下沉式日光溫室保溫性能好的優(yōu)點,規(guī)避下沉式日光溫室排水差易造成澇害的缺點;改善現(xiàn)有日光溫室后坡保溫需熱功能開發(fā)不夠;提高溫室內(nèi)空間利用率,研發(fā)了一種模擬下沉式設施果樹專用節(jié)能日光溫室。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種模擬下沉式設施果樹專用節(jié)能日光溫室,所述溫室包含有東山墻、西山墻、后墻,所述東山墻、西山墻的一端分別連接后墻的兩端,所述溫室還包含有前墻,所述前墻兩端分別連接東山墻、西山墻的另一端,所述前墻的磚墻高1.6m,0.8m地下,0.8m地上,厚024m,墻前培土為三角形,培土高 0.8m,寬1.5m。
進一步的,所述溫室內(nèi)設置有走道,所述走道離前墻0.5m,用混泥土澆筑路面寬0.8m,厚0.1m。
進一步的,所述溫室內(nèi)設置有排水溝,所述排水溝緊靠前墻,用磚砌筑,厚度為0.06m,排水溝內(nèi)寬0.3m,深0.5m。
進一步的,所述前墻與后墻之間由拱桿連接,所述拱桿以脊高為分界點,前面弧形部分為拱桿I,后面斜面部分為拱桿II,所述后墻向上延伸至與拱桿脊高點平齊,所述拱桿II上部、緊靠后墻向上延伸的位置設置有加厚后坡,所述加厚后坡的后坡面角為32度,在拱桿II上用厚0.05m預制板鋪蓋,靠后墻鋪設0.2m厚隔熱泡沫板,預制板與泡沫板之間填充爐渣與塑料泡沫混合物,爐渣與泡沫體積比為1:1,頂部鋪設0.2m厚隔熱泡沫板,在泡沫板上用混泥土澆筑,厚10cm。
進一步的,所述東山墻上離前墻0.71米處為門洞,門寬1.2m,兩側門洞墻體為0.24m,頂部為0.1m厚水泥板,在門洞兩頭和中間位置設置3道門。
本發(fā)明的有益效果是:
溫室相對下沉式:設置高0.8m前墻,在墻外堆土成三角形,高0.8m,寬1.5m。通過前墻的設立實現(xiàn)地平線以上建設的溫室構筑下沉是溫室結構特點。有益效果:較之于傳統(tǒng)地面以上溫室保溫性能顯著提高,一般平均氣溫提高1.5度,平均地溫提高2度。同時避免下沉式溫室夏季發(fā)生澇害的可能。
走道前移:將走道前移到溫室前部,離前墻0.3m處用混泥土澆筑寬0.8m,厚0.1m路面。將前墻擋光面積用來排水和走道,避免了由于前墻設立造成的前墻后1m范圍內(nèi)寡光環(huán)境影響了;相比于傳統(tǒng)溫室將傳統(tǒng)溫室中走道和前部拱桿太矮無法操作的兩部分浪費土地的空間合二為一,提高溫室內(nèi)土地利用率5.5%。
后坡加厚,保溫被后移:在后屋面與后墻之間填充爐渣與塑料泡沫混合為,頂部用混凝土澆筑0.1m頂,使得保溫杯處于卷合狀態(tài)時能夠放置于混凝土頂部分。填充爐渣與塑料泡沫的混合為實現(xiàn)了后屋面加厚,加大了后屋面的保溫需熱能力;后坡頂?shù)脑O置使得保溫被得以后移,有效避免傳統(tǒng)溫室由于保溫被無法到頂造成后屋面無法發(fā)揮保溫需熱功能的情況。通過兩項措施的配合能夠提高溫室內(nèi)平均氣溫0.9度左右。
附圖說明
圖1所示是溫室剖面圖;
圖2所示是溫室山墻剖面圖;
圖3所示是溫室山墻外觀圖;
圖4所示是溫室山墻俯視圖;
圖5所示是溫室西山墻剖面圖;
圖6所示是溫室后山墻剖面圖;
1-東山墻;2-西山墻;3-后墻;4-拱桿I;5-拱桿II;6-前墻;
7-鋼筋混凝土框架結構;8-立柱;9-后坡;10-門洞。
具體實施方式
下面未述及的相關技術內(nèi)容及參數(shù)均可采用或借鑒現(xiàn)有技術。
實施例1
一種模擬下沉式設施果樹專用節(jié)能日光溫室,所述溫室包含有東山墻1、西山墻2、后墻3,所述東山墻1、西山墻2的一端分別連接后墻3的兩端,所述溫室還包含有前墻6,所述前墻6兩端分別連接東山墻1、西山墻2的另一端,磚土前墻6:磚墻(0.4m鋼筋混泥土圈梁,1.0m磚砌墻體,0.4m鋼筋混泥土圈梁)高1.6m,0.8m地下,0.8m地上;墻前培土為三角形,厚0.8m,寬1.5m。0.4m鋼筋混泥土圈梁寬0.4m,厚0.4m,采用鋼筋混泥土澆筑。1.1m磚砌墻體采用砌塊磚砌筑,厚0.24m。0.3m鋼筋混泥土圈梁,寬0.24m,厚0.4m。所述溫室內(nèi)設置有走道,所述走道離前墻0.5m,用混泥土澆筑路面寬0.8m,厚0.1m。所述溫室內(nèi)設置有排水溝,所述排水溝緊靠前墻6,用磚砌筑,厚度為0.06m,排水溝內(nèi)寬0.3m,深0.5m。所述前墻6與后墻3之間由拱桿連接,所述拱桿以脊高為分界點,前面弧形部分為拱桿I4,后面斜面部分為拱桿II5,所述后墻3向上延伸至與拱桿脊高點平齊,所述拱桿II5上部、緊靠后墻3向上延伸的位置設置有加厚后坡9,所述加厚后坡9的后坡面角為32度,在拱桿II5上用厚0.05m預制板鋪蓋,靠后墻鋪設0.2m厚隔熱泡沫板,預制板與泡沫板之間填充爐渣與塑料泡沫混合物,爐渣與泡沫體積比為1:1,頂部鋪設0.2m厚隔熱泡沫板,在泡沫板上用混泥土澆筑,厚10cm。所述東山墻1上離前墻0.71米處為門洞10,門寬1.2m,兩側門洞墻體為0.24m,頂部為0.1m厚水泥板,在門洞兩頭和中間位置設置3道門。
實施例2
一種模擬下沉式設施果樹專用節(jié)能日光溫室,所述溫室包含有東山墻1、西山墻2、后墻3,所述東山墻1、西山墻2的一端分別連接后墻3的兩端,所述溫室還包含有前墻6,所述前墻6兩端分別連接東山墻1、西山墻2的另一端,所述前墻6的磚墻高1.6m,0.8m地下,0.8m地上,墻前培土為三角形,培土高 0.8m,寬1.5m。
東山墻1和西山墻2的高度走勢與現(xiàn)有的大棚一樣,所述東山墻1和西山墻2采用鋼筋混凝土框架結構7,地面以下0.8m為寬0.4m、厚0.4m鋼筋混凝土圈梁,離溫室最前端3m,7m,10m處為寬0.4m,厚0.24m鋼筋混凝土立柱8,立柱8頂采用鋼筋混凝土澆筑寬0.24m,厚0.4m梁,框架內(nèi)采用砌塊砌筑,厚0.24m,梁上采用砌塊砌筑,厚0.4m,墻面為橢圓弧形,墻前培土寬3.5m,培土的高度與東山墻1和西山墻2一樣高,隨東山墻1和西山墻2的高度變化;后墻3采用鋼筋混凝土框架結構7,地面以下0.8m為寬0.4m,厚0.4m鋼筋混凝土圈梁,后墻3兩頭及中間每隔5m處設一鋼筋混凝土柱高3m,寬0.4m,厚0.24m,柱頂用鋼筋混凝土梁連接,梁寬0.4m,厚0.24m,梁上用磚壘高1.6m,厚0.24m墻,框架內(nèi)用磚填充,厚度為0.24m,磚墻后培土為三角形,高4.2m,寬3.5m。
所述溫室內(nèi)設置有走道,所述走道離前墻60.5m,用混泥土澆筑路面寬0.8m,厚0.1m。所述溫室內(nèi)設置有排水溝,所述排水溝緊靠前墻6,用磚砌筑,厚度為0.06m,排水溝內(nèi)寬0.3m,深0.5m。所述前墻6與后墻3之間由拱桿連接,拱桿的上下弦采用鍍鋅鋼管,上弦直徑32mm,下弦25mm,拱桿離前墻1.3m范圍內(nèi)弧切角為60度,離前墻1.3m以后范圍內(nèi)弧切角為30度,拱桿與拱桿之間間距為1m。上下弦之間用腹筋連接,腹筋用直徑10mm鋼筋,腹筋為60度角。在距前墻1m,3m,5m處用拉桿連接固定拱桿,拉桿用32mm鍍鋅鋼管。所述拱桿以脊高為分界點,前面弧形部分為拱桿I4,后面斜面部分為拱桿II5,所述后墻3向上延伸至與拱桿脊高點平齊,所述拱桿II5上部、緊靠后墻3向上延伸的位置設置有加厚后坡9,所述加厚后坡9的后坡面角為32度,在拱桿上用后0.05m預制板鋪蓋,靠后墻鋪設0.2m厚隔熱泡沫板,預制板與泡沫板之間填充爐渣與塑料泡沫混合物,爐渣與泡沫體積比為1:1,頂部鋪設0.2m厚隔熱泡沫板,在泡沫板上用混泥土澆筑,厚10cm。所述東山墻1上離前墻60.71米處為門洞10,門寬1.2m,兩側門洞墻體為0.24m,頂部為0.1m厚水泥板,在門洞兩頭和中間位置設置3道門。
當然,上述說明并非是對本發(fā)明的限制,本發(fā)明也并不僅限于上述舉例,本技術領域的技術人員在本發(fā)明的實質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換,也應屬于本發(fā)明的保護范圍。