專利名稱：高釋放量的盤形吸氣裝置的制作方法
安裝在電子管中的揮發(fā)性吸氣裝置在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。
從英國(guó)專利898，505和美國(guó)專利3，023，883，3，211，280和3，920，355中可知，這些吸氣裝置有一U形橫斷面，并釋放一定數(shù)量吸氣劑，通常是少于約100mg的鋇。隨著大規(guī)模電子管或電視顯象管的發(fā)展，發(fā)現(xiàn)有必要增加從吸氣裝置揮發(fā)的吸氣劑的數(shù)量。美國(guó)專利3，428，168;3，457，448和4，642，516描述了能釋放大量吸氣劑的吸氣裝置。這些吸氣裝置能釋放約125mg到230mg的吸氣劑。它們采用了U形凹槽容器的方案，然而這種容器有一相對(duì)較大的凹槽寬度。使用這種較寬的凹槽，就必須防止吸氣金屬汽化釋放劑從凹槽中脫離，如美國(guó)專利3，457，448的圖6和7所示。上述三個(gè)專利試圖克服這些U形橫斷面吸氣裝置的這種缺點(diǎn)。
電子管的尺寸越大，要求吸氣劑的數(shù)量越大。美國(guó)專利3，558，962和3，560，788描述了這種能提供大量吸氣劑如400mg或更多的吸氣裝置。也可參見美國(guó)專利3，385，420的圖9和


圖10。
雖然上述美國(guó)專利3，558，962和3，560，788所描述的盤形吸氣裝置能夠釋放多達(dá)400mg的鋇(占含鋇量的80-85%)，它們?nèi)杂心承┤秉c(diǎn)。
美國(guó)專利3，558，962描述了一種盤形吸氣裝置，其中插入了一個(gè)網(wǎng)篩用來(lái)作為保持住揮發(fā)后的吸氣劑殘?jiān)脑鰪?qiáng)件。然而這些附加的網(wǎng)篩大大增加了吸氣裝置的總重量，這是它固有的缺點(diǎn)。此外這種網(wǎng)篩結(jié)構(gòu)在吸氣裝置的外圓周形成封閉的電路，這樣當(dāng)利用射電頻率加熱時(shí)，在局部區(qū)域就會(huì)過(guò)熱導(dǎo)致吸氣裝置容器壁的熔化。
美國(guó)專利3，560，789描述了另一種結(jié)構(gòu)的盤形吸氣裝置，但它也有一些缺陷。由于外壁不是與底壁一體加工的，所以將兩個(gè)零件連接在一起就需附加的制造費(fèi)用，此外在單獨(dú)的底壁附近還需增加另一個(gè)盤形零件。
如果減弱RF感應(yīng)電流的強(qiáng)度來(lái)避免熔化問(wèn)題，就發(fā)現(xiàn)在吸氣金屬開始揮發(fā)以前(開始時(shí)間)要花費(fèi)很長(zhǎng)時(shí)間。此外為第保證足夠數(shù)量的吸氣金屬揮發(fā)也需要極長(zhǎng)的時(shí)間(總時(shí)間)。
此外，美國(guó)專利3，558，962和3，560，788描述的吸氣裝置提取了外壁直徑為25mm，當(dāng)有必要使用外徑更小而吸氣金屬釋放量相同的吸氣裝置時(shí)，仍然存在上述缺陷。
所以本發(fā)明的一個(gè)目的就是要提供一種能克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷的盤形吸氣裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種總重量最小的盤形吸氣裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種不存在吸氣裝置容器壁熔化問(wèn)題的盤形吸氣裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種吸氣金屬釋放量大的盤形吸氣裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供一種不必花費(fèi)很長(zhǎng)的用于吸氣材料揮發(fā)的開始時(shí)間和總時(shí)間的盤形吸氣裝置。
參照附圖及其詳細(xì)描述，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員會(huì)更好地理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和目的。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的盤形吸氣裝置一個(gè)實(shí)施例的底視圖。
圖2是沿
圖1中2-2′線所取的斷面圖。
圖3是沿圖2中3-3′線所取的斷面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的盤形吸氣裝置另一實(shí)施例的斷面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的盤形吸氣裝置另一實(shí)施例的斷面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的組合式第一和第二傳熱延遲件的平面視圖。
現(xiàn)在參照
圖1，2和3，其中相同的零件用相同的標(biāo)號(hào)表示，
圖1，2和3示出了一個(gè)安裝在電子顯像管的漏斗形部分上抵住其上一個(gè)壁的盤形揮發(fā)性吸氣裝置100，用于向顯像管內(nèi)釋放大量的鋇吸氣金屬。吸氣裝置100包裝一個(gè)最好由不銹鋼制成的盤形容器102。盤形容器102包括一個(gè)環(huán)繞圓盤形底壁108的周邊106的垂直側(cè)壁104。盤形容器102包含一塊吸氣金屬汽化釋放劑110。吸氣金屬汽化釋放劑110最好釋放出遇熱即汽化的鋇吸氣金屬，并包括重量比約為1∶1的BaAl4和Ni的金屬互化物，該金屬互化物被壓入由所述側(cè)壁104和所述底壁108形成的空間112內(nèi)。吸氣金屬汽化釋放劑和鎳最好為現(xiàn)有技術(shù)那樣的粉末形式。
說(shuō)明書和權(quán)利要求書中使用的“吸氣金屬汽化釋放劑”一詞指的是在吸氣金屬汽化釋放前和后的材料，即包括在吸氣裝置內(nèi)為固態(tài)形式的材料，在顯像管內(nèi)大量的由固態(tài)材料汽化的吸氣金屬和在顯像管內(nèi)表面上處于薄膜形式的材料。
盤形揮發(fā)性吸氣裝置10帶有一組第一傳熱延遲件114，114′，114″和114″′。這種熱延遲件在某種程度上能夠控制或延遲在所述吸氣金屬汽化釋放劑110的圓周方向上的熱傳導(dǎo)，并防止過(guò)大的能導(dǎo)致吸氣金屬汽化釋放劑110從容器中脫離的機(jī)械應(yīng)力。如
圖1所示，這組第一傳熱延遲件包括四個(gè)等距隔開的徑向槽116，116′，116″，116″′，其長(zhǎng)度大于寬度。槽116，116′，116″和116″′通常有一開口形的橫斷面或?yàn)榘雮€(gè)正弦波的形狀，或?yàn)殚_口的燈泡狀橫斷面。燈泡狀橫斷面在靠近所述圓盤形底壁108處變窄。徑向槽116，116′，116″和116″′最好有大致平行的側(cè)壁118，118′(僅由圖3中徑向槽116″詳細(xì)示出)。此外徑向槽116，116′，116″和116″′還包括一個(gè)徑向弧形上連接壁120。徑向槽116，116′，116″和116″′伸入由垂直壁102和圓盤形底壁108形成的空間內(nèi)。此外盤形吸氣裝置100還帶有一個(gè)第二傳熱延遲件122，它可以延遲在吸氣金屬汽化釋放劑110的徑向方向上的熱傳導(dǎo)，并像第一傳熱延遲件一樣能有效地防止容器和吸氣金屬汽化釋放劑間的過(guò)大應(yīng)力，該應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致吸氣金屬汽化釋放劑110脫離。如
圖1，2和3所示，第二傳熱延遲件122包括一個(gè)與圓盤形底壁108一體加工的環(huán)形槽124。環(huán)形槽124有一燈泡狀橫斷面，在靠近所述圓盤形底壁處變窄。環(huán)形槽124伸入由垂直側(cè)壁104和底壁108形成的空間112。這樣，當(dāng)吸氣裝置由RF場(chǎng)(高頻場(chǎng))感應(yīng)產(chǎn)生的電流加熱時(shí)，在吸氣金屬汽化釋放劑110的圓周方向和徑向上的熱傳導(dǎo)均被延遲，所述高頻場(chǎng)是由位于顯像管外部與吸氣裝置100相對(duì)的線圈產(chǎn)生的。
形成第一傳熱延遲件組的徑向槽的數(shù)量可以是任何數(shù)量，只要能足以延遲在圓周方向上的熱傳導(dǎo)即可。現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)徑向槽的數(shù)量最好是3-8個(gè)。如果徑向槽少于3個(gè)，在圓周方向上就不能足夠地延遲熱傳導(dǎo)，結(jié)果造成吸氣金屬汽化釋放劑顆粒從吸氣裝置上泄出。如果槽的數(shù)量大于8個(gè)，在圓周方向上就會(huì)過(guò)分地延遲熱傳導(dǎo)，結(jié)果在極短的時(shí)間內(nèi)造成鋇金屬汽化量的損失。第二傳熱延遲件的數(shù)量可以是任何數(shù)量，只要能足以延遲在吸氣金屬汽化釋放劑徑向上的熱傳導(dǎo)即可。現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)使用一個(gè)或兩個(gè)第二傳熱延遲件就可以了。如果試圖采用兩個(gè)以上的第二傳熱延遲件，在制造盤形容器時(shí)就會(huì)遇到困難。
在盤形揮發(fā)性吸氣裝置10的實(shí)施例中，環(huán)形槽124的半徑r4最好小于容器102半徑r1的50%。如果半徑r4比r1的50%大的過(guò)多，就不會(huì)給第一傳熱延遲件組114，114′，114″和114″′留有足夠的空間。
現(xiàn)在參照?qǐng)D4，它示出了本發(fā)明揮發(fā)性的吸氣裝置400的另一實(shí)施例。揮發(fā)性吸氣裝置400包括一個(gè)最好由不銹鋼制成的盤形容器402，包括一個(gè)環(huán)繞圓盤形底壁408的周邊406形成的垂直側(cè)壁404。在揮發(fā)性吸氣裝置400的另一實(shí)施例中，有第一傳熱延遲件，用于延遲在吸氣金屬汽化釋放劑410的圓周方向上的熱傳導(dǎo)，它們是壓入吸氣金屬汽化釋放劑410上表面416的多個(gè)等距隔開的徑向槽412，412″。在吸氣金屬汽化釋放劑410的徑向方向上延遲熱傳導(dǎo)的第二傳熱延遲件包括一個(gè)環(huán)形槽420，也被壓入吸氣金屬汽化釋放劑410的上表面416內(nèi)。
應(yīng)當(dāng)理解，也可以使用傳熱延遲件的其它組合。如在一個(gè)吸氣裝置上，在吸氣金屬汽化釋放劑的圓周方向上用于延遲熱傳導(dǎo)的第一傳熱延遲件包括一組壓入吸氣金屬汽化釋放劑上表面的徑向槽，而在吸氣金屬汽化釋放件的徑向方向上用于延遲熱傳導(dǎo)的第二傳熱延遲件包括至少一個(gè)與圓盤形底壁一體加工的環(huán)形槽。在后者中，如果僅有一個(gè)環(huán)形槽，由于其位置并不限制壓入吸氣金屬汽化釋放劑上表面的徑向槽的徑向延伸，故其半徑不限制在小于吸氣裝置外壁半徑的50%。
圖5示出了本發(fā)明揮發(fā)性吸氣裝置500的另一實(shí)施例的斷面圖，其中第一傳熱延遲件是壓入吸氣金屬汽化釋放劑510內(nèi)的徑向槽512，512′，第二傳熱延遲件是加工在底壁508上的兩個(gè)同心的燈泡形環(huán)形槽514，514′。
圖6示出了一個(gè)組合在一起的第一和第二傳熱延遲件600，它可被嵌入由盤形容器(未示出)支承的吸氣金屬汽化釋放劑內(nèi)。組合的第一和第二傳熱延遲件包括一個(gè)大致為圓盤形的件602，其直徑小于盤形容器外垂直側(cè)壁的直徑，和一組等距隔開的徑向輪輻件604，604′，604″，604″′，它們的長(zhǎng)度均大于寬度。
這里所用的“盤形”一詞是指一種吸氣裝置，其中吸氣金屬汽化釋放劑從一個(gè)側(cè)壁完全延伸到相對(duì)的側(cè)壁。有一開式中部的環(huán)形吸氣裝置不是這里所用的“盤形”一詞。
例1現(xiàn)有技術(shù)中的盤形吸氣裝置是根據(jù)美國(guó)專利3，558，962制造的，其外徑為25mm，并含有約2000mg的50%BaAl4-50%Ni(重量)粉末混合物。在將粉末混合物放入盤形容器前，插入一個(gè)10×10不銹鋼網(wǎng)篩。當(dāng)吸氣裝置在真空中被RF加熱時(shí)，盤形容器的外壁熔化并引起吸氣金屬汽化釋放劑的顆粒泄出。這樣就不可能對(duì)釋放的鋇的數(shù)量有任何意義。此外，如果吸氣裝置在電子裝置如陰極射線管中加熱，容器的融化和吸氣金屬汽化釋放劑顆粒的泄出會(huì)對(duì)電子裝置的內(nèi)部元件造成嚴(yán)重?fù)p壞。
例2根據(jù)
圖1，2和3所示的本發(fā)明實(shí)施例，總共制造了十七個(gè)盤形裝置。半徑r2是10mm，帶有四個(gè)與圓盤形底壁一體加工的等距隔開的徑向槽，每個(gè)槽的長(zhǎng)度均大于寬度。每個(gè)槽都在4.25mm半徑(r3)到8.68mm(r2)半徑的范圍內(nèi)延伸，每個(gè)槽都有大致平行于側(cè)壁。
該盤形裝置還帶有一個(gè)與圓盤形底壁一體加工的環(huán)形槽，所述環(huán)形槽的橫斷面通常為燈泡形，在靠近所述圓盤形底壁處變窄。環(huán)形槽的半徑是3.38mm(是r1的34%)。盤形容器102容納了約2000mg的50%BaAl4-50%Ni(重量)粉末混合物。平均總含鋇量是477mg。吸氣裝置由RF在真空環(huán)境中加熱，吸氣金屬汽化鋇釋放。吸氣裝置總共被加熱40秒鐘時(shí)間，使用不同的開始時(shí)間(從使用RF加熱到Ba開始汽化的時(shí)間)。從鋇釋放量(汽化的鋇的重量)的圖表中可獲得下列數(shù)據(jù)
所示的吸氣裝置不會(huì)有容器外壁被熔化的現(xiàn)象，也不會(huì)有吸氣金屬汽化釋放劑的松散顆粒泄出的現(xiàn)象。
例3根據(jù)本發(fā)明制造的另一種盤形吸氣裝置，非常類似于例1中所述的吸氣裝置，唯一不同之處是四個(gè)徑向槽不是與圓盤形底壁一體加工的，而是為位于吸氣金屬汽化釋放劑上表面上的槽。當(dāng)RF在真空中加熱吸氣裝置總共40秒，開始時(shí)間為12秒時(shí)，460mg的鋇被釋放，占總含鋇量的96%。
所示的吸氣裝置不會(huì)有容器外壁被熔化的現(xiàn)象，也不會(huì)有吸氣金屬汽化釋放劑的松散顆粒泄出的現(xiàn)象。
例4根據(jù)圖5所示實(shí)施例制造的另一種吸氣裝置，半徑r1是10mm。盤形容器含有約2000mg的50%BaAl4-50%Ni(重量)的粉末混合物。在加熱吸氣裝置時(shí)，不會(huì)有容器外壁被熔化的現(xiàn)象，也不會(huì)有吸氣金屬汽化釋放劑的松散顆粒泄出的現(xiàn)象。
盡管申請(qǐng)人參照某些最佳實(shí)施例相當(dāng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明，以便于本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能更好地實(shí)施本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)知道也可以采用其它改型而不會(huì)超出附加權(quán)利要求書的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種安裝在電子管內(nèi)的揮發(fā)性的吸氣裝置，包括一個(gè)盤性容器，該盤形容器有一圓盤形底壁和一環(huán)繞該底壁周邊的垂直側(cè)壁，粉末狀吸氣金屬汽化釋放劑被壓入由所述底壁和側(cè)壁形成的空間內(nèi)，所述容器還包括當(dāng)吸氣裝置由RF場(chǎng)感生的電流加熱時(shí)在所述吸氣金屬汽化釋放劑的周邊方向延遲熱傳導(dǎo)的第一傳熱延遲件，和在吸氣金屬汽化釋放劑的徑向方向上延遲熱傳導(dǎo)的第二傳熱延遲件，所述RF場(chǎng)是由位于電子管外側(cè)與吸氣裝置相對(duì)的線圈產(chǎn)生的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸氣裝置，其中第一傳熱延遲件包括一組與圓盤形底壁一體加工的等距隔開的徑向槽，該槽的至少一部分伸入由所述側(cè)壁和底壁形成的空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的吸氣裝置，其中徑向槽的長(zhǎng)度大于寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的吸氣裝置，其中徑向槽的斷面為開口的燈泡形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的吸氣裝置，其中徑向槽的燈泡形斷面在靠近所述圓盤形底壁處變窄。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸氣裝置，其中第二傳熱延遲件包括至少一個(gè)與圓盤形底壁一體加工的環(huán)形槽，它的至少一部分伸入由側(cè)壁和底壁所形成的空間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的吸氣裝置，其中所述環(huán)形槽的直徑小于外垂直側(cè)壁的直徑的一半。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的吸氣裝置，其中所述環(huán)形槽的斷面為開口的燈泡形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的吸氣裝置，其中環(huán)形槽的燈泡形斷面在靠近所述圓盤形底壁處變窄。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸氣裝置，其中第一傳熱延遲件包括一組壓入所述吸氣金屬汽化釋放劑媳礱婺詰牡染喔艨木斷蠆郟渲遼僖徊糠稚烊胗傷霾啾諍偷妝謁緯傻目占洹
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的吸氣裝置，其中所述徑向槽的長(zhǎng)度大于寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸氣裝置，其中第二傳熱延遲件包括至少一個(gè)壓入所述吸氣金屬汽化釋放劑上表面的環(huán)形槽，其至少一部分伸入由所述側(cè)壁和底壁形成的空間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的吸氣裝置，其中所述環(huán)形槽的直徑小于外垂直側(cè)壁的直徑的一半。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸氣裝置，其中所述的第一和第二傳熱延遲件是一單獨(dú)的金屬插件，嵌入吸氣金屬汽化釋放劑，所述單獨(dú)的金屬插件包括一個(gè)圓盤形的件和一組等距隔開的徑向輪輻件。
15.一個(gè)安裝在電子顯象管漏斗形部分上抵住其上一個(gè)壁的揮發(fā)性吸氣裝置，用于向管內(nèi)排出大量的鋇吸氣金屬，它包括一個(gè)不銹鋼盤形容器，該容器有一圓盤形底壁和環(huán)繞該底壁周邊的垂直側(cè)壁，壓入由所述側(cè)壁和所述底壁形成的空間內(nèi)的粉未狀鋇吸氣金屬汽化釋放劑它由重量比為1∶1的BaAl4和Ni的金屬互化物構(gòu)成，由四個(gè)等距隔開的與圓盤形底壁一體加工的徑向槽形成的第一傳熱延遲件，用于在所述吸氣金屬汽化釋放劑的圓周方向上延遲熱傳導(dǎo)，其長(zhǎng)度大于寬度，其開口的橫斷面有兩個(gè)大致平行的徑向側(cè)壁和一個(gè)徑向弧形上連接壁伸入由所述側(cè)壁和底壁所形成的空間內(nèi)，和由一個(gè)圓盤形底壁一體加工的環(huán)形槽構(gòu)成的第二傳熱延遲件，用于在吸氣金屬汽化釋放劑的徑向上延遲熱傳導(dǎo)，所述環(huán)形槽有一燈泡形的斷面，在靠近所述圓盤形底壁處變窄，其直徑小于外垂直側(cè)壁的直徑的一半并伸入由側(cè)壁和底壁所形成的空間內(nèi)，當(dāng)吸氣裝置由RF場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生的電流加熱時(shí)它們延遲熱傳導(dǎo)，RF場(chǎng)由位于管子外側(cè)與吸氣裝置相對(duì)的線圈產(chǎn)生。
16.一個(gè)安裝在電子顯象管漏斗形部分上抵住其上一個(gè)壁的揮發(fā)性吸氣裝置，用于向管內(nèi)排出大量的鋇吸氣金屬，它包括一個(gè)不銹鋼盤形容器，該容器有一圓盤形底壁和環(huán)繞該底壁周邊的垂直側(cè)壁，壓入由所述側(cè)壁和所述底壁形成的空間內(nèi)的粉末狀鋇吸氣金屬汽化釋放劑，它由重量比為1∶1的BaAl4和Ni的金屬互化物構(gòu)成，由四個(gè)等距隔開的壓入所述吸氣金屬汽化釋放劑上表面和徑向槽形成的第一傳熱延遲件，用于在所述吸氣金屬汽化釋放劑的圓周方向上延遲熱傳導(dǎo)，其長(zhǎng)度大于寬度并至少部分地伸入由所述側(cè)壁和底壁所形成的空間內(nèi)，和壓入所述吸氣金屬汽化釋放劑上表面的環(huán)形槽構(gòu)成的第二傳熱延遲件，用于在吸氣金屬汽化釋放劑的徑向上延遲熱傳導(dǎo)，其直徑小于外垂直側(cè)壁的直徑的一半并至少部分地伸入由側(cè)壁和底壁所形成的空間內(nèi)，當(dāng)吸氣裝置由RF場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生的電流加熱時(shí)它們延遲熱傳導(dǎo)，RF場(chǎng)由位于管子外側(cè)與吸氣裝置相對(duì)的線圈產(chǎn)生。
17.一個(gè)安裝在電子顯象管漏斗形部分上抵住其上一個(gè)壁的揮發(fā)性吸氣裝置，用于向管內(nèi)排出大量的鋇吸氣金屬，它包括一個(gè)不銹鋼盤形容器，該容器有一圓盤形底壁和環(huán)繞該底壁周邊的垂直側(cè)壁，壓入由所述側(cè)壁和所述底壁形成的空間內(nèi)的粉末狀鋇吸氣金屬汽化釋放劑它由重量比為1∶1的粉末狀鋇吸氣金屬互化物構(gòu)成并從一個(gè)側(cè)壁完全延伸到相對(duì)的另一側(cè)壁，還包括在所述吸氣金屬汽化釋放劑的圓周方向上延遲熱傳導(dǎo)的第一傳熱延遲件，和在所述吸氣金屬汽化釋放劑的徑向方向上延遲熱傳導(dǎo)的第二傳熱延遲件，所述第一和第二傳熱延遲件是嵌入吸氣金屬汽化釋放劑內(nèi)的單獨(dú)金屬插件，所述單獨(dú)金屬插件包括一個(gè)直徑小于外垂直側(cè)壁直徑的一半的圓盤形件和四個(gè)等距離隔開的長(zhǎng)度大于寬度的徑向輪輻件，當(dāng)吸氣裝置由RF場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生的電流加熱時(shí)，它們延遲傳導(dǎo)，RF場(chǎng)由位于管子外側(cè)與吸氣裝置相對(duì)的線圈產(chǎn)生。
全文摘要
一個(gè)安裝在電子管內(nèi)的吸氣裝置，包括一個(gè)盤形容器，該容器有一環(huán)繞圓盤形底壁的垂直側(cè)壁，和壓入側(cè)壁和底壁所形成空間內(nèi)的吸氣金屬汽化釋放劑。還帶有一組在吸氣劑周向上延遲熱傳導(dǎo)的第一傳熱延遲件和一組在吸氣劑徑向上延遲熱傳導(dǎo)的第二傳熱延遲件。當(dāng)該裝置由射電頻率場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生的電流加熱時(shí)，在很短時(shí)間內(nèi)就會(huì)釋放出大量的吸氣金屬，而不會(huì)產(chǎn)生吸氣劑從容器中脫離的現(xiàn)象。
文檔編號(hào)A01G1/04GK1038566SQ8910323
公開日1990年1月10日 申請(qǐng)日期1989年5月9日 優(yōu)先權(quán)日1989年5月9日
發(fā)明者波羅·狄奧·帕特, 單尼爾·馬特里, 季尤斯普·阿爾索, 斯特法羅·特里維萊托 申請(qǐng)人:意大利聯(lián)合股份公司