一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及植物育苗領(lǐng)域，尤其涉及一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤。
技術(shù)背景
[0002]穴盤育苗作為一種專業(yè)化培育和生產(chǎn)作物商品苗的新技術(shù)，由于育苗載體多為輕型疏松保水保肥性能好的基質(zhì)例如草炭、蛭石、粉碎果肩、有機(jī)質(zhì)腐殖質(zhì)等中一種或多種，因而可以減少原料用量滿足育苗的養(yǎng)分和水分，可實行輕簡育苗；在穴盤孔中精量播種，實現(xiàn)一粒種子一棵苗，大大節(jié)省用種；也節(jié)省了育苗場地，還能在管理上實行集約化、工廠化。同時，在移栽時減輕勞動強(qiáng)度，利于機(jī)械化作業(yè)。它具有適于輕簡化、工廠化、規(guī)?；蜆?biāo)準(zhǔn)化育苗的特點，已成為育苗企業(yè)和種苗公司一種主要生產(chǎn)方法。
[0003]穴盤育苗技術(shù)主要涉及的步驟和工序有:一是播種，主要環(huán)節(jié)包括基質(zhì)處理混合、基質(zhì)裝盤、點孔、下種、覆蓋、鎮(zhèn)壓和補(bǔ)水等。二是出苗管理，主要措施是增溫保濕促進(jìn)齊苗和全苗。三是苗床壯苗管理，主要措施是溫水控制，病蟲防治，合理調(diào)控促壯苗。四是栽前管理，主要措施是煉苗和塑造幼苗宜栽性能，栽前苗床控水，便于起苗移栽。其中，播種過程是育苗關(guān)鍵步驟，也是最重要環(huán)節(jié)，無論是機(jī)械播種還是人工播種都要力求種子落在穴孔正中，且對于紅葉石楠來說，在氣溫較低的情況下，要做防凍措施，通常采用地膜覆蓋，這種方式易造成污染，且鋪設(shè)地膜成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案；
[0005]—種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，主要包括矩形穴盤架、圓形小穴盤、以及穴盤蓋；所述小穴盤與穴盤架固定連接，所述小穴盤包括生長穴、環(huán)繞生長穴上端一周設(shè)置的配合槽，以及穴盤板；所述生長穴與穴盤板一體成型；所述穴盤蓋包括蓋板以及播種孔層，所述蓋板包括平板以及固定板一，所述平板為葉片狀，所述蓋板通過固定板一與小穴盤上的配合槽過盈連接，所述播種孔層與蓋板相互連接且可相對轉(zhuǎn)動，且播種孔位置與生長穴位置對應(yīng)設(shè)置。
[0006]進(jìn)一步的，所述小穴盤設(shè)置8個，以兩行四列的形式與穴盤架固定連接；所述小穴盤中的生長穴設(shè)置9個，包括中心I個，以及環(huán)圓周8個；所述播種孔與生長穴位置對應(yīng)設(shè)置，且播種孔的面積與葉片相應(yīng)位置的面積一致或略小于葉片狀平板相應(yīng)位置的面積。這樣能保證后期需要保溫時，葉片可以完全遮擋住播種孔。
[0007]進(jìn)一步的，所述生長穴底部還開設(shè)有多個導(dǎo)水孔，紅葉石楠樹苗需要澆水時，需旋轉(zhuǎn)播種孔層，使播種部位露出，澆水后，多余的水分通過導(dǎo)水孔流出。
[0008]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)水孔沿生長穴底部周向設(shè)置，所述導(dǎo)水孔孔徑設(shè)置為l_3mm?？讖讲灰诉^大，否則易造成培養(yǎng)土的流失。
[0009]進(jìn)一步的，所述配合槽為上口大、下口??；所述固定板一形狀與配合槽形狀相匹配，也為上大下小形；所述配合槽與固定板一過盈連接。這樣能保證旋轉(zhuǎn)播種孔層時，蓋板保持不動。
[0010]進(jìn)一步的，所述生長穴設(shè)置為上大下小的圓臺形，這樣有利于水分的導(dǎo)流。
[0011]本發(fā)明的有益效果在于:
[0012]1、固定了播種位置，使得種子能夠落在生長穴正中，不論對于機(jī)械播種還是人工播種都能保證播種質(zhì)量及速度。
[0013]2、由于紅葉石楠在冬季需要做防凍措施，尤其是嬌嫩的幼苗，而對于穴盤育苗來說，鋪設(shè)地膜是一件非常費(fèi)時費(fèi)力的事，因此，本發(fā)明在每個小穴盤上都設(shè)置了蓋板，需要播種和澆水時，只需旋轉(zhuǎn)播種孔層的位置露出生長穴即可，而需要保溫時，旋轉(zhuǎn)播種孔層使播種孔被蓋板遮擋，此時每個小穴盤都達(dá)到一個相對密封的狀態(tài)。
【附圖說明】
[0014]圖1、本發(fā)明的主要結(jié)構(gòu)示意圖
[0015]圖2、本發(fā)明的生長穴及配合槽結(jié)構(gòu)示意圖
[0016]圖3、穴盤蓋結(jié)構(gòu)示意圖
[0017]圖4、蓋板結(jié)構(gòu)示意圖
[0018]圖5、播種孔層結(jié)構(gòu)示意圖
[0019]圖中:1、穴盤架，2、小穴盤，21、穴盤板，22、生長穴，23、配合槽，3、穴盤蓋，31、蓋板，311、平板，312、固定板一，32、播種孔層，321、固定板二
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。
[0021]如圖1-5所示的一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，主要包括矩形穴盤架1、圓形小穴盤2、以及穴盤蓋3 ;所述小穴盤2與穴盤架I固定連接，所述小穴盤2包括生長穴22、環(huán)繞生長穴上端一周設(shè)置的配合槽23，以及穴盤板21 ;所述生長穴22與穴盤板21 —體成型；所述穴盤蓋3通過配合槽23與小穴盤2連接，所述穴盤蓋3包括蓋板31以及播種孔層32，所述蓋板31包括平板311以及固定板一 312，所述平板311為葉片狀，所述蓋板31通過固定板一 312與小穴盤2上的配合槽23過盈連接，所述播種孔層32與蓋板31通過固定板二321連接，且播種孔位置與生長穴22位置對應(yīng)設(shè)置。所述生長穴22設(shè)置為上大下小的圓臺形。
[0022]所述小穴盤2設(shè)置8個，以兩行四列的形式與穴盤架I固定連接；所述小穴盤2中的生長穴22設(shè)置9個，包括中心I個，以及環(huán)圓周8個；所述播種孔與生長穴22位置對應(yīng)設(shè)置，且播種孔面積與葉片相應(yīng)位置的面積一致或略小于葉片相應(yīng)位置的面積。
[0023]所述生長穴22底部還周向開設(shè)有6個導(dǎo)水孔，所述導(dǎo)水孔孔徑設(shè)置為2_，紅葉石楠樹苗需要澆水時，需旋轉(zhuǎn)播種孔層，使播種部位露出，澆水后，多余的水分通過導(dǎo)水孔流出。
[0024]所述配合槽23為上口大、下口小；所述固定板一 312形狀與配合槽23形狀相匹配，也為上大下小形；所述配合槽23與固定板一 312過盈連接。
【主權(quán)項】
1.一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，其特征在于:主要包括矩形穴盤架、圓形小穴盤、以及穴盤蓋；所述小穴盤與穴盤架固定連接，所述小穴盤包括生長穴、環(huán)繞生長穴上端一周設(shè)置的配合槽，以及穴盤板；所述生長穴與穴盤板一體成型；所述穴盤蓋包括蓋板以及播種孔層，所述蓋板包括平板以及固定板一，所述平板為葉片狀，所述蓋板通過固定板一與小穴盤上的配合槽過盈連接，所述播種孔層與蓋板相互連接且可相對轉(zhuǎn)動，且播種孔位置與生長穴位置對應(yīng)設(shè)置。2.如權(quán)利要求1所述的一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，其特征在于:所述小穴盤設(shè)置8個，以兩行四列的形式與穴盤架固定連接；所述小穴盤中的生長穴設(shè)置9個，包括中心I個，以及環(huán)圓周8個；所述播種孔與生長穴位置對應(yīng)設(shè)置，且播種孔的面積與葉片相應(yīng)位置的面積一致或略小于葉片狀平板相應(yīng)位置的面積。3.如權(quán)利要求1所述的一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，其特征在于:所述生長穴底部還開設(shè)有多個導(dǎo)水孔。4.如權(quán)利要求3所述的一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，其特征在于:所述導(dǎo)水孔沿生長穴底部周向設(shè)置，所述導(dǎo)水孔孔徑設(shè)置為l_3mm。5.如權(quán)利要求1所述的一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，其特征在于:所述配合槽為上口大、下口?。凰龉潭ò逡恍螤钆c配合槽形狀相匹配，也為上大下小形；所述配合槽與固定板一過盈連接。6.如權(quán)利要求1所述的一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，其特征在于:所述生長穴設(shè)置為上大下小的圓臺形。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種紅葉石楠用組合型育苗穴盤，主要包括矩形穴盤架、圓形小穴盤、以及穴盤蓋。所述小穴盤規(guī)則設(shè)置于穴盤架上，所述小穴盤包括生長穴、環(huán)繞生長穴上端一周設(shè)置的配合槽，以及穴盤板；所述生長穴與穴盤板一體成型。所述穴盤蓋包括蓋板以及播種孔層，所述蓋板，包括平板以及固定板一，所述平板為葉片狀，所述蓋板通過固定板一與小穴盤上的配合槽過盈連接，所述播種孔層與蓋板相互連接且可相對轉(zhuǎn)動，且播種孔位置與生長穴位置對應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過在小穴盤上安裝穴盤蓋的方法能使播種位置固定在生長穴正中，播種完成后，旋轉(zhuǎn)播種孔層直至孔被蓋板遮擋，這樣的設(shè)計能在較冷的天氣防止凍土傷根，甚至可以實現(xiàn)反季節(jié)培育。
【IPC分類】A01G13/02, A01G9/10
【公開號】CN105028025
【申請?zhí)枴緾N201510461038
【發(fā)明人】袁國亮
【申請人】丹陽市香逸林果專業(yè)合作社
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年7月30日