專(zhuān)利名稱(chēng)：體外基因擴(kuò)增芯片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種體外基因擴(kuò)增芯片及其制作方法，屬醫(yī)療用品。
目前，體外基因擴(kuò)增一般先使用PCR儀(體外基因擴(kuò)增儀)擴(kuò)增產(chǎn)物，再標(biāo)記、電泳，然后觀察結(jié)果。整個(gè)過(guò)程復(fù)雜，使用儀器多，且容易使擴(kuò)增產(chǎn)物污染而出現(xiàn)假性結(jié)果。
本發(fā)明的目的就是為了解決以上技術(shù)的不足，提供一種安全快速的體外基因擴(kuò)增系統(tǒng)。
本發(fā)明所述的體外基因擴(kuò)增芯片，是在硅、玻璃、金屬、塑料等基材上蝕刻出深度為10um～2000um，比表面積為0.1mm2/ul～10000mm2/ul的反應(yīng)室，反應(yīng)室區(qū)有硅材料，加熱得二氧化硅層，避免了天然硅對(duì)基因擴(kuò)增的抑制。反應(yīng)室底部背后有三塊金屬絲作為熱源，用微量注射泵使基因擴(kuò)增反應(yīng)混合物注入反應(yīng)室，當(dāng)擴(kuò)增產(chǎn)物流經(jīng)不同溫度區(qū)時(shí)，擴(kuò)增產(chǎn)物自動(dòng)變溫，產(chǎn)生解鏈，退火和鏈延伸，可在反應(yīng)室里對(duì)擴(kuò)增產(chǎn)物進(jìn)行標(biāo)記，擴(kuò)增后，可無(wú)需電泳即可進(jìn)行觀察，減低了被污梁的可能。
本體外基因擴(kuò)增芯片具有高的比表面積，無(wú)需電泳擴(kuò)增過(guò)程，使用簡(jiǎn)單、快捷、安全。
本體外基因擴(kuò)增芯片是經(jīng)以下步驟制作而成①在芯片基材上用光刻方法蝕刻出深度為10um～2000um，比表面積為0.1mm2/ul～10000mm2/ul的反應(yīng)室；
②反應(yīng)室區(qū)有硅材料，加熱，得二氧化硅層；③蓋上蓋玻片。
實(shí)施例取15mm×20mm的硅，反應(yīng)室刻蝕深度為120mm，加熱，得二氧化硅層，反應(yīng)室底部背后為三根銅絲作為熱源，在反應(yīng)室內(nèi)加入擴(kuò)增反應(yīng)化合物25ul，TaqDNA聚合酶1ul，白色念珠菌模板DNA5ul，石臘30ul，按94℃×180″，55℃×60″，72℃×60″，循環(huán)35次，加熒光素標(biāo)記，在熒光顯微鏡觀察即可。
權(quán)利要求
1.一種體外基因擴(kuò)增芯片，其特征在于在芯片基材上蝕刻出反應(yīng)室，反應(yīng)室頂部有蓋玻片，反應(yīng)室底部背后有三塊金屬絲作為熱源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體外基因擴(kuò)增芯片，其特征在于所述的芯片基材可以是硅、玻璃、金屬、塑料等，反應(yīng)室區(qū)有硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體外基因擴(kuò)增芯片，其特征在于反應(yīng)室區(qū)經(jīng)二氧化硅修飾。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體外基因擴(kuò)增芯片，其特征在于所述的反應(yīng)室比表面積為0.1mm2/ul～10000mm2/ul。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體外基因擴(kuò)增芯片，其特征在于所述的刻蝕出的反應(yīng)室深度為10um～2000um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體外基因擴(kuò)增芯片，其特征在于是通過(guò)以下步驟制作而成①在芯片基材上用光刻方法蝕刻出深度為10um～2000um，比表面積為0.1mm2/ul～10000mm2/ul的反應(yīng)室；②反應(yīng)室區(qū)有硅材料，加熱，得二氧化硅層；③蓋上蓋玻片。
全文摘要
一種體外基因擴(kuò)增芯片,屬醫(yī)療用品,其特征在于在芯片基材上蝕刻出微反應(yīng)室,反應(yīng)室頂部有蓋玻片,反應(yīng)室底部背后用三塊金屬絲作為熱源,反應(yīng)室里的基因擴(kuò)增混合物流經(jīng)不同溫度區(qū)時(shí),自動(dòng)變溫,產(chǎn)生解鏈,退火和鏈延伸,本芯片封閉、不受污染、安全,成本低,反應(yīng)快。
文檔編號(hào)C12Q1/68GK1364913SQ01101939
公開(kāi)日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2001年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月18日
發(fā)明者鄭東 申請(qǐng)人:鄭東