專利名稱：用于細(xì)胞擴(kuò)增的隨時(shí)間變化電磁力套筒及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于細(xì)胞擴(kuò)增的套筒，更具體地涉及可移動地 容納培養(yǎng)容器的隨時(shí)間變化電磁力套筒。本發(fā)明還涉及這樣的隨時(shí)間變化電磁力套筒其在使用時(shí)對培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供隨時(shí)間變 化的電磁力，用于其中的細(xì)胞擴(kuò)增。技術(shù)背景培養(yǎng)細(xì)胞的方法已存在多年。 一些方法包括使用如培養(yǎng)瓶或培 養(yǎng)皿的培養(yǎng)室在二維培養(yǎng)物中培養(yǎng)細(xì)胞，而其它一些方法包括使用 如生物反應(yīng)器的培養(yǎng)室在三維培養(yǎng)物中培養(yǎng)細(xì)胞。最佳培養(yǎng)細(xì)胞的 方法包括將分子(比如生長因子、激素及其它)加入培養(yǎng)物中的細(xì) 胞，從而例如上調(diào)或下調(diào)細(xì)胞的擴(kuò)增。 一些方法經(jīng)優(yōu)化用于培養(yǎng)個 體細(xì)胞，另一些方法經(jīng)優(yōu)化用于組織培養(yǎng)。另外，為了隨時(shí)間盡量 產(chǎn)生更多的細(xì)胞或更大的組織構(gòu)建體，細(xì)胞培養(yǎng)在多種條件下進(jìn)行。美國專利號6,643,597, Wolf等公開了使用隨時(shí)間變化電磁力 ("time varing electromagnetic force, TVEMF")在培養(yǎng)物中培養(yǎng)細(xì) 胞。Wolf等公開了使用電極為細(xì)胞培養(yǎng)物提供電磁力，用于其生長。 在使用導(dǎo)電線圏而不是電極為細(xì)胞培養(yǎng)物傳遞TVEMF的情況下， 所述線圏與培養(yǎng)室集成在一起，并且固定在它上面。由于在培養(yǎng)物 中擴(kuò)增的細(xì)胞可能被引入人體用于組織再生或治療人體疾病，因此 培養(yǎng)室應(yīng)該是無菌的。如果待傳遞給培養(yǎng)室中細(xì)胞的TVEMF源與 培養(yǎng)室集成在一起，則每個培養(yǎng)室都應(yīng)該在不干擾TVEMF源的情 況下滅菌，這是一個麻煩而且耗時(shí)的過程，并且如果所述容器將在 每次使用后丟棄，則集成式TVEMF線圏也不得不與之一起丟棄。 無論如何，集成式TVEMF線圏都是昂貴的細(xì)胞擴(kuò)增方法。因此，非常期望能有這樣的TVEMF套筒其包含具有內(nèi)部部 分的導(dǎo)電線圏，其中所述內(nèi)部部分限定可拆裝地容納培養(yǎng)容器的空 間。也非常期望能有這樣的TVEMF套筒其包含具有內(nèi)部部分和 外部部分的線圏支架、纏繞在線圏支架外部部分上的導(dǎo)電線圏以及
TVEMF源，并且其中線圏支架的內(nèi)部部分限定可拆裝地容納培養(yǎng) 室的空間。還非常期望能有這樣的TVEMF套筒在使用時(shí)被導(dǎo)入 到含有細(xì)胞的培養(yǎng)容器，并且為培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供TVEMF以 用于細(xì)胞擴(kuò)增。本發(fā)明克服了之前和現(xiàn)在的細(xì)胞培養(yǎng)方法的有關(guān)問 題，并且顯示出以往未見的優(yōu)點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及包含具有內(nèi)部部分和外部部分的導(dǎo)電線圏以及與導(dǎo) 電線圏有效連接的TVEMF源的TVEMF套筒，其中所述內(nèi)部部分 限定了可移動地容納培養(yǎng)容器的空間。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電線圏基本 上是剛性的。本發(fā)明還涉及包含具有內(nèi)部部分和外部部分的線圏支架、纏繞 在線圏支架外部部分的導(dǎo)電線圏以及與導(dǎo)電線圏有效連接的 TVEMF源的TVEMF套筒，其中線圏支架的內(nèi)部部分限定了可移 動地容納培養(yǎng)容器的空間。本發(fā)明還涉及細(xì)胞擴(kuò)增的方法，其包括以下步驟提供隨時(shí)間 變化電磁力套筒，所述隨時(shí)間變化電磁力套筒包含具有內(nèi)部部分和 外部部分的導(dǎo)電線圏，其與TVEMF源有效連接；將含有細(xì)胞的培 養(yǎng)容器導(dǎo)入隨時(shí)間變化電磁力套筒的導(dǎo)電線圏的內(nèi)部部分；以及通 過隨時(shí)間變化電磁力套筒為培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供隨時(shí)間變化電磁 力，以用于細(xì)胞擴(kuò)增。所述TVEMF套筒可優(yōu)選地對培養(yǎng)容器中的 細(xì)胞傳遞脈沖方波(遵循傅立葉曲線)形式的TVEMF，并且所述 TVEMF可優(yōu)選為約0.05高斯到約6高斯。通過以下用于公開目的而給出的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案描述，本 發(fā)明的其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將是4艮明顯的。本發(fā)明可通過下文所 述的優(yōu)選實(shí)施方案更完整的進(jìn)行描述，但并不旨在僅限于此。


在附圖中，圖1是TVEMF套筒的側(cè)視圖； 圖2是TVEMF套筒的前視圖；圖3是可移動地鄰近并容納培養(yǎng)室的TVEMF套筒的前視圖4是TVEMF套筒的側(cè)視圖；圖5是導(dǎo)入培養(yǎng)容器的TVEMF套筒的側(cè)視圖；圖6是TVEMF套筒的側(cè)-見圖；圖7是導(dǎo)入旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器的TVEMF套筒的截面?zhèn)纫晥D；和圖8是可移動地鄰近并容納旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器的TVEMF套筒的截面 側(cè)視圖。附圖詳述在附圖中，圖1-6展示了可為培養(yǎng)室內(nèi)的細(xì)胞提供TVEMF的 TVEMF套筒10的優(yōu)選實(shí)施方案。圖7和8展示了可為旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng) 容器內(nèi)的細(xì)胞提供TVEMF的旋轉(zhuǎn)式TVEMF套筒10的優(yōu)選實(shí)施方 案。圖1是TVEMF套筒10優(yōu)選實(shí)施方案的側(cè)視圖，其包含導(dǎo)電線 圏5和與導(dǎo)電線圏5有效連接的TVEMF源9。短語"有效連接" 以及類似的詞和短語旨在指所述TVEMF源可以以這樣的形式與導(dǎo) 電線圏連接在運(yùn)行時(shí)，所述TVEMF源可通過導(dǎo)電連接對導(dǎo)電線 圏傳遞TVEMF，優(yōu)選4吏用至少一個電導(dǎo)線。所述TVEMF源可優(yōu) 選固定在導(dǎo)電線圏上，并且可優(yōu)選與導(dǎo)電線圏集成在一起。在本發(fā) 明中，導(dǎo)電線圏可以是任何導(dǎo)電材料。所述導(dǎo)電線圏可優(yōu)選(但不 限于)為以下導(dǎo)電材料銀、金、銅、鋁、鐵、鉛、鈦、鈾、鐵磁 金屬和鋅或者其組合。導(dǎo)電線圏也可優(yōu)選包含鹽水。本發(fā)明的導(dǎo)電 線圏可優(yōu)選基本為剛性。"基本為剛性"在本發(fā)明中旨在指導(dǎo)電線圏 可在不需要支持的情況下維持其形狀。導(dǎo)電線圏可以為任何形狀， 優(yōu)選基本為圓柱形，優(yōu)選具有基本為橢圓形的截面，更優(yōu)選具有基 本為卵形的截面，最優(yōu)選具有基本為圓形的截面。導(dǎo)電線圏也可優(yōu) 選為螺線管一一緊密纏繞的導(dǎo)電線圏。另外，導(dǎo)電線圏可優(yōu)選纏繞 在絕緣體中，所述絕緣體包括但不僅限于橡膠、塑料、有機(jī)硅、玻 璃和陶瓷。優(yōu)選地，所述絕緣體為導(dǎo)電線圏提供剛性。在圖1展示的優(yōu)選實(shí)施方案中，導(dǎo)電線圏5纏繞在線圏支架3 的外部部分上。本發(fā)明的線圏支架可優(yōu)選地由非導(dǎo)電非磁性材料制成，更優(yōu)選非金屬，并且最優(yōu)選塑料例如聚乙烯。另外，所述線圏 支架可優(yōu)選包含導(dǎo)電材料，優(yōu)選鐵。不限于理論地，認(rèn)為鐵芯能增
強(qiáng)螺線管的磁場。所述線圈支架的外部部分具有與導(dǎo)電線圏匹配的 形狀。"匹配"指所述線圏支架為導(dǎo)電線圏提供支持，并優(yōu)選決定 并維持導(dǎo)電線圏的形狀。所述導(dǎo)電線圏可以纏繞在支持導(dǎo)電線圏形 狀的線圏支架的外部部分上，優(yōu)選具有基本為卵形的截面，更優(yōu)選基本為橢圓形截面，最優(yōu)選基本為圓形的截面。在TVEMF套筒IO 的這一優(yōu)選實(shí)施方案中，導(dǎo)電線圏5和線團(tuán)支架3置于(優(yōu)選可拆 卸地)為其提供穩(wěn)定支持的底座11上。圖2是圖1所展示TVEMF套筒10優(yōu)選實(shí)施方案的前視圖，描 述了纏繞在線圏支架3外部部分上的導(dǎo)電線圏5,并且其中導(dǎo)電線圏 5和線圏支架3置于(優(yōu)選可拆卸地)底座11上。圖3是圖1和2所展示TVEMF套筒10優(yōu)選實(shí)施方案的前視圖， 其還在纏繞了導(dǎo)電線圈5的線圏支架3的內(nèi)部部分中具有培養(yǎng)容器 1。在本發(fā)明中，所述導(dǎo)電線圏和線圏支架(存在時(shí))具有限定可移 動地容納培養(yǎng)容器的空間的內(nèi)部部分。"可移動地容納"和類似術(shù)語 指空間的特征，其中培養(yǎng)容器根據(jù)需要導(dǎo)入其中和從其中移出。例 如，導(dǎo)電線圏或線圏支架(存在時(shí))內(nèi)部部分的空間可移動地容納 培養(yǎng)容器。該空間可接納培養(yǎng)容器，使得所述培養(yǎng)容器可按照需要 從所述空間移出和/或拆除。所述線圏支架內(nèi)部部分的空間可以是任 何形狀，優(yōu)選具有可將至少一個培養(yǎng)容器可移動地放置于其上的一 個面。本發(fā)明的培養(yǎng)容器可以是可被導(dǎo)電線圏和線圏支架(適用時(shí)) 內(nèi)部部分所包圍并包含在其中的培養(yǎng)容器，包括但不僅限于生物反 應(yīng)器培養(yǎng)容器、旋轉(zhuǎn)式生物反應(yīng)器培養(yǎng)容器、瓶、板、皿和/或一次 性培養(yǎng)容器。"包圍"指導(dǎo)電線圏和線圏支架(適用時(shí))圍繞在培養(yǎng)容器上。另外，所述培養(yǎng)容器可以是單個培養(yǎng)容器或者一個以上的 培養(yǎng)容器。本發(fā)明的培養(yǎng)容器也能夠支持和維持細(xì)胞培養(yǎng)物，優(yōu)選細(xì)胞、細(xì)胞聚集體、組織或組織樣結(jié)構(gòu)的擴(kuò)增。圖4是本發(fā)明TVEMF套筒10的另一個優(yōu)選實(shí)施方案的側(cè)視圖， 其具有導(dǎo)電線圏105和有效連接的TVEMF源109。導(dǎo)電線圏105 以基本為圓柱體的形狀纏繞，優(yōu)選具有基本為卵形的截面，更優(yōu)選 具有基本為圓形的截面，最優(yōu)選具有基本為橢圓形的截面。在此優(yōu) 選實(shí)施方案中的導(dǎo)電線圏105基本為剛性，并且優(yōu)選是絕緣的。絕 緣體可優(yōu)選地提供形成導(dǎo)電線圏形狀的剛性。TVEMF套筒10的導(dǎo) 電線圏的截面大至足以可移動地容納和包圍培養(yǎng)容器。另外，導(dǎo)電 線圏105可移動地鄰近培養(yǎng)容器101。"可移動地臨近"和類似術(shù)語 指導(dǎo)電線圏可與所述培養(yǎng)容器相鄰、接近或接觸，從而使其易于從 所述培養(yǎng)容器移出或拆除。圖5展示了 TVEMF套筒10的又一個優(yōu)選實(shí)施方案的側(cè)視圖， 其具有導(dǎo)電線圏205和與導(dǎo)電線圏205有效連接的TVEMF源209。 在TVEMF套筒10的此優(yōu)選實(shí)施方案中，導(dǎo)電線圈205纏繞在線圏 支架203的外部部分上。圖5還展示導(dǎo)入培養(yǎng)容器201(例如培養(yǎng)臟) 的TVEMF套筒IO。在此優(yōu)選實(shí)施方案中，培養(yǎng)容器201放置在升 降器213上，升降器213又放置(優(yōu)選可拆卸地放置)在底座211 上，使得升降器213可從底座211移去，并且可如所需進(jìn)行清潔、 滅菌和/或保存。導(dǎo)電線圏205放置在(優(yōu)選可拆卸地)底座211上。 為了將培養(yǎng)容器201導(dǎo)入TVEMF套筒10，將培養(yǎng)容器201放置在 升降器213上，接著將導(dǎo)電線圏205和線圏支架203放置在培養(yǎng)容 器201上。術(shù)語"導(dǎo)入"和類似術(shù)語旨在指導(dǎo)電線圏或線圏支架(適 用時(shí))的內(nèi)部部分中可移動地接納和容納培養(yǎng)容器。操縱TVEMF 套筒使其包圍并可移動地鄰近培養(yǎng)容器就認(rèn)為是將TVEMF套筒導(dǎo) 入培養(yǎng)容器。另外，操縱培養(yǎng)容器使其被TVEMF套筒所包圍也認(rèn) 為是將培養(yǎng)容器導(dǎo)入TVEMF套筒。在本發(fā)明中，在使用時(shí)一旦導(dǎo)入后，TVEMF套筒的導(dǎo)電線圏即可移動地鄰近培養(yǎng)容器，同時(shí)包 圍培養(yǎng)容器。圖6是圖5所展示TVEMF套筒10的優(yōu)選實(shí)施方案的側(cè)視圖。 TVEMF套筒10包含導(dǎo)電線圏205和有效連接的TVEMF源209。 在圖6中，與圖5—樣，導(dǎo)電線圏205纏繞在線圏支架203的外部 部分上。線圏支架203可移動地鄰近并包圍培養(yǎng)容器，纏繞了導(dǎo)電 線圏205的線圏支架203可拆卸地放置在底座211上。圖7是TVEMF套筒10以及將其導(dǎo)入旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器301的另 一個優(yōu)選實(shí)施方案的截面?zhèn)纫晥D。圖6中優(yōu)選實(shí)施方案的TVEMF 套筒10包含導(dǎo)電線圏305和與導(dǎo)電線圏305有效連接的TVEMF源 309。在此優(yōu)選實(shí)施方案中，導(dǎo)電線圏305纏繞在線圏支架303的外 部部分上，并且TVEMF套筒IO是旋轉(zhuǎn)式的。在一個末端上，第一
導(dǎo)線325和第二導(dǎo)線326與TVEMF源309相連。在另一末端上， 線325、 326與至少一個環(huán)相連以便于導(dǎo)電線圉305旋轉(zhuǎn)，優(yōu)選分別 與第一環(huán)321和第二環(huán)322相連。在圖7中還描述了由底座311支 撐的馬達(dá)外殼312。馬達(dá)313固定在馬達(dá)外殼312的內(nèi)部，并且通過 第一線314和第二線315連接到控制盒316，其中容納有控制裝置， 由此馬達(dá)313的速度可以通過旋轉(zhuǎn)控制旋鈕317進(jìn)行增量控制。從 馬達(dá)外殼312延伸出的是馬達(dá)軸318。旋轉(zhuǎn)架328可移動地容納旋轉(zhuǎn) 式培養(yǎng)容器固定器329 (優(yōu)選是一次性的)，其可移動地容納旋轉(zhuǎn)式 培養(yǎng)容器301，它可拆卸地固定在旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器固定器329中，優(yōu) 選通過螺釘331固定。在圖7中，TVEMF套筒10和旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器301優(yōu)選可拆卸 地^L旋轉(zhuǎn)架328上。馬達(dá)軸318容納旋轉(zhuǎn)架328。當(dāng)控制旋鈕317 打開時(shí)，旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器301與纏繞了導(dǎo)電線圏305的線圈支架303 可優(yōu)選同時(shí)旋轉(zhuǎn)。另外，在運(yùn)行時(shí)，TVEMF套筒10保持可移動地 鄰近并包圍旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器301,而同時(shí)為旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器301內(nèi)的 細(xì)胞提供TVEMF。旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器可優(yōu)選是一次性的，其中可將 其拋棄并在以后的細(xì)胞培養(yǎng)中使用新的。所述旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器也可 優(yōu)選在每次使用后滅菌，例如在高壓滅菌鍋中滅菌，并且在以后的 細(xì)胞培養(yǎng)中重復(fù)使用。 一次性培養(yǎng)容器可在無菌環(huán)境中制造并包裝， 由此醫(yī)療或研究人員可以像其它一次性醫(yī)療設(shè)備那樣使用它們。圖8展示了圖7的TVEMF套筒IO優(yōu)選實(shí)施方案的截面?zhèn)纫晥D， 其可移動地鄰近并包圍旋轉(zhuǎn)式培養(yǎng)容器301。在運(yùn)行時(shí)，將培養(yǎng)容器導(dǎo)入TVEMF套筒。打開TVEMF套筒 的TVEMF源，通過導(dǎo)電線圏將TVEMF傳遞到被TVEMF套筒包 圍并與其可移動地鄰近的培養(yǎng)容器。在使用中，TVEMF分布在整 個培養(yǎng)容器中，并因此到達(dá)其中含有的細(xì)胞，優(yōu)選近乎均一的分布。 在本發(fā)明中，術(shù)語"細(xì)胞"或者任何其它相似的術(shù)語旨在包括但不 僅限于單個細(xì)胞、附著在細(xì)胞附著基質(zhì)上的細(xì)胞、細(xì)胞聚集體、組 織和組織樣結(jié)構(gòu)。術(shù)語"擴(kuò)增"旨在包括培養(yǎng)容器中組織、組織樣 結(jié)構(gòu)和/或細(xì)胞聚集體在尺寸的生長和/或細(xì)胞數(shù)量上的生長。由于本發(fā)明提供了為培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供TVEMF以進(jìn)行細(xì) 胞擴(kuò)增的方法，因此設(shè)計(jì)TVEMF套筒的大小和構(gòu)造以可移動地容 納培養(yǎng)容器，從而可為培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供TVEMF，優(yōu)選以近 乎均一的分布。由于本發(fā)明的TVEMF套筒可移動地鄰近培養(yǎng)容器， 因此所述TVEMF套筒可重復(fù)使用以進(jìn)行連續(xù)細(xì)胞培養(yǎng)。也因?yàn)?TVEMF套筒可移動地鄰近培養(yǎng)容器，因此單個TVEMF套筒可容 納不同類型、形狀和尺寸的培養(yǎng)容器。導(dǎo)電線圏的尺寸及其纏繞數(shù)為使得當(dāng)向?qū)щ娋€圏提供TVEMF 時(shí)，在培養(yǎng)容器中產(chǎn)生TVEMF以進(jìn)行其中細(xì)胞的擴(kuò)增。所述 TVEMF套筒可產(chǎn)生優(yōu)選從約0.05高斯至約6高斯的TVEMF，更 優(yōu)選從約0.05高斯至約0.5高斯，最優(yōu)選約0.5高斯。所述TVEMF 優(yōu)選為3波，更優(yōu)選為微分方波，最優(yōu)選為方波(遵循傅立葉曲線)。 優(yōu)選地，脈沖方波的頻率為約2至約25周/秒，更優(yōu)選約5至約20 周/秒，例如約10周/秒，導(dǎo)電線圏的RMS值為約l至約1000mA, 優(yōu)選約l至約10mA,例如6mA。然而，這些參數(shù)并不意在限制本 發(fā)明的TVEMF,并且可基于本發(fā)明的其它方面而發(fā)生變化。TVEMF 可通過標(biāo)準(zhǔn)i殳備測量，例如EN331 Cell Sensor高斯計(jì)。還預(yù)期所述TVEMF套筒可裝有溫度控制裝置。所述溫度控制 裝置(優(yōu)選為自動傳感器)檢測導(dǎo)電線圏和線圏支架(適用時(shí))內(nèi) 部部分內(nèi)的溫度。在使用中，如果所述溫度控制設(shè)備檢測到導(dǎo)電線 圏和線圏支架(存在時(shí))內(nèi)部部分內(nèi)的溫度讀數(shù)高于所需溫度，則 所述溫度控制設(shè)備可為用戶發(fā)出這種溫度改變的警報(bào)，優(yōu)選使用警 鈴發(fā)出警報(bào)。不限于理論地，在存在高電阻時(shí)會產(chǎn)生熱。因此，可 移動地容納了培養(yǎng)容器的空間可能會變熱，這取決于導(dǎo)電線圏的直 徑和其中提供的電量。如在本發(fā)明中所預(yù)期的，可對TVEMF套筒作出多種改變而不 脫離本發(fā)明的范圍，因此本文的所有內(nèi)容均應(yīng)理解為"^兌明而非限制。操作方法從供體收集外周血細(xì)胞PBC，并使用所收集的全血制成培養(yǎng)混 合物，其中將細(xì)胞(0.75xl(^個細(xì)胞/ml)懸浮在補(bǔ)充了 5%人白蛋 白(HA )、 100 ng/ml重組人G誦CSF (Amgen Inc., Thousand Oaks, CA)、和100 ng/ml重組人干細(xì)胞因子(SCF) (Amgen)的Iscove 改良的Dulbecco培養(yǎng)基(IMDM) ( GIBCO, Grand Island, NY)中。 將溶于DMSO的10 ppm D-青霉胺[D(-)-2-氨基-3-巰基-3-甲基丁
酸I(Sigma-Aldrich)(銅螯合劑)加入細(xì)胞混合物中。不限于理論地， 銅螯合劑的目的是在TVEMF擴(kuò)增之前降低外周血中銅的量。不限 于理論地，相信可用銅量的下降可增強(qiáng)細(xì)胞擴(kuò)增。實(shí)施例1-旋轉(zhuǎn)式生物反應(yīng)器中的細(xì)胞擴(kuò)增將如上述制備的培養(yǎng)混合物的第一樣品置于帶有75 ml培養(yǎng)室 的旋轉(zhuǎn)式生物反應(yīng)器中。將0.75 x 106個細(xì)胞/1111的培養(yǎng)混合物置于 75ml培養(yǎng)室中，總培養(yǎng)混合物體積為75 ml。通過包圍并且可移動 地鄰近旋轉(zhuǎn)式生物反應(yīng)器的TVEMF套筒(例如圖7和8中的)為 旋轉(zhuǎn)式生物反應(yīng)器的培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供脈沖方波形式的約0.5 高斯隨時(shí)間變化電磁力。將第二樣品置于不施加任何TVEMF的旋 轉(zhuǎn)式生物反應(yīng)器中。除了 TVEMF條件以外，所有其它條件在第一 和第二樣品之間均相同。所述培養(yǎng)容器以約10rpm的速率旋轉(zhuǎn)。培 養(yǎng)物在37C和5% co2中生長。使第一和第二樣品的細(xì)胞擴(kuò)增7天,在擴(kuò)增的第七天之后用PBS (磷酸緩沖液)洗滌細(xì)胞，并通過傳統(tǒng)計(jì)數(shù)技術(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，例如使 用Coulter細(xì)胞計(jì)數(shù)器。通過視覺判斷，發(fā)現(xiàn)通過TVEMF套筒接 觸TVEMF的第一培養(yǎng)混合物的生長或擴(kuò)增是未接觸TVEMF的樣 品的五倍以上。實(shí)施例2-培#^中的細(xì)胞擴(kuò)增將如上述制備的培養(yǎng)混合物的第一樣品置于培養(yǎng)臟中，對包圍 并臨近培一的TVEMF套筒(例如圖5和6中)提供脈沖方波形 式的約0.5高斯TVEMF。將第二樣品置于不施加任何TVEMF的培 養(yǎng)臟中。除了 TVEMF條件以外，所有其它條件在第一和第二樣品 之間均相同。培養(yǎng)物在37"C和5。/。C02中培養(yǎng)。使第一和第二樣品的細(xì)胞擴(kuò)增7天,在擴(kuò)增的第七天之后用PBS (磷酸緩沖液)洗滌細(xì)胞，并通過傳統(tǒng)計(jì)數(shù)技術(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，例如使 用Coulter細(xì)胞計(jì)數(shù)器。通過視覺判斷，發(fā)現(xiàn)通過TVEMF套筒接 觸TVEMF的培養(yǎng)混合物的生長或擴(kuò)增是未接觸TVEMF的樣品的 兩倍以上。
權(quán)利要求
1.隨時(shí)間變化電磁力套筒，其包含-具有內(nèi)部部分和外部部分的導(dǎo)電線圈，其中所述內(nèi)部部分限定可移動地容納培養(yǎng)容器的空間；和-與所述導(dǎo)電線圈有效連接的隨時(shí)間變化電磁力源。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏基本 上是剛性的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述隨時(shí)間變化電 磁力套筒可繞軸旋轉(zhuǎn)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述軸基本上是水 平的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述軸基本上是豎 直的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏為螺 線管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏基本 為圓柱體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏具有 基本為圓形的截面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏具有 基本為卵形的截面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏具 有基本為橢圓形的截面。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述培養(yǎng)容器可 繞軸旋轉(zhuǎn)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏是 絕緣的。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其還包含具有內(nèi)部部 分的線圏支架，其中所述線圏支架位于導(dǎo)電線圏的內(nèi)部部分中，并且 其中所述線圏支架的內(nèi)部部分可移動地容納所述培養(yǎng)容器。
14. 隨時(shí)間變化電磁力套筒，其包含-具有內(nèi)部部分和外部部分的線圏支架，其中所述內(nèi)部部分限定可移動 地容納培養(yǎng)容器的空間； -纏繞在線圏支架外部部分上的導(dǎo)電線圏；和 -與導(dǎo)電線圏有效連接的隨時(shí)間變化電磁力源。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述隨時(shí)間變化 電磁力套筒可繞軸旋轉(zhuǎn)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述軸基本上是 水平的。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述軸基本上是 豎直的。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏是 螺線管。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏具 有基本為圓形的截面。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏具 有基本為卵形的截面。
21. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏具 有基本為橢圓形的截面。
22. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述培養(yǎng)容器可 繞軸旋轉(zhuǎn)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)電線圏是 絕緣的。
24. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述線圏支架是 非導(dǎo)體的。
25. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述線圏支架包 含導(dǎo)體材料。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25的隨時(shí)間變化電磁力套筒，其中所述導(dǎo)體材料是 鐵。
27. 根據(jù)權(quán)利要求14的隨時(shí)間變化電磁力套筒，還包含用于控制培養(yǎng) 容器中溫度的溫度控制裝置。
28. 細(xì)胞擴(kuò)增的方法，其包括以下步驟-提供具有內(nèi)部部分和外部部分的隨時(shí)間變化電磁力套筒；-將含有細(xì)胞的培養(yǎng)容器導(dǎo)入隨時(shí)間變化電磁力套筒的內(nèi)部部分；和-通過隨時(shí)間變化電磁力套筒對培養(yǎng)容器中的細(xì)胞提供隨時(shí)間變化電磁力，以用于細(xì)胞擴(kuò)增。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中隨時(shí)間變化電磁力套筒的內(nèi)部部分 還包含具有內(nèi)部部分和外部部分的線圏支架，其中導(dǎo)電線圏纏繞在所 述線圈支架的外部部分上，并且其中所述線圏支架的內(nèi)部部分限定可 移動地容納培養(yǎng)容器的空間。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中隨時(shí)間變化電磁力套筒的內(nèi)部部分 還包含具有內(nèi)部部分和外部部分的導(dǎo)電線圏，其中所述內(nèi)部部分限定 可移動地容納培養(yǎng)容器的空間。
31. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述隨時(shí)間變化電磁力為方波。
32. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述隨時(shí)間變化電磁力為約0.05高 斯至約6高斯。
33. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述隨時(shí)間變化電磁力為約0.05高 斯至約0.5高斯。
34. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法， 斯。
35. 根據(jù)權(quán)利要求31的方法， 25周/秒。
36. 根據(jù)權(quán)利要求31的方法, 20周/秒。其中所述隨時(shí)間變化電磁力為約0.5高 其中所述方波的頻率為約2周/秒至約 其中所述方波的頻率為約5周/秒至約
37. 根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中所述方波的頻率約為10周/秒。
38. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述隨時(shí)間變化電磁力是微分方波。
39. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述隨時(shí)間變化電磁力是S波。
全文摘要
隨時(shí)間變化電磁力的套筒，其中所述隨時(shí)間變化電磁力的套筒包含與導(dǎo)電線圈有效連接的隨時(shí)間變化電磁力源，所述線圈能夠可拆裝地容納培養(yǎng)容器。本發(fā)明還涉及用于細(xì)胞擴(kuò)增的方法，其包括提供隨時(shí)間變化電磁力的套筒，該套筒導(dǎo)入培養(yǎng)容器中，并且在使用時(shí)對所述培養(yǎng)容器中的細(xì)胞傳遞隨時(shí)間變化的電磁力，用于細(xì)胞擴(kuò)增。
文檔編號C12M1/42GK101213291SQ200680023814
公開日2008年7月2日 申請日期2006年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者克萊頓·R·帕克 申請人:雷格內(nèi)泰克公司