專利名稱：改進(jìn)的氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置及使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域涉及允許更有效的細(xì)胞培養(yǎng)過程的氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝 置和細(xì)胞培養(yǎng)方法。
背景技術(shù)：
在本申請中和在共同待決的美國申請10/961，814、美國申請11/952，848、美國申 請11/952，856中所引用的每個(gè)申請、專利和論文，以及在該每個(gè)申請中所引用的文獻(xiàn)和參 考，包括相應(yīng)于和/或要求這些申請和專利的任一個(gè)的優(yōu)先權(quán)的每個(gè)共同待決的專利申請 和每個(gè)PCT和外國申請或者專利的審查過程，以及在每個(gè)申請所引用的文獻(xiàn)中所引用或者 參考的每篇文獻(xiàn)，在這里明確地結(jié)合到本文中。對于按比例放大的貼壁細(xì)胞的培養(yǎng)，多擱板燒瓶例如Nunc Cell Factory和 Corning^Cell Stack通常被使用。然而，為了給培養(yǎng)中的細(xì)胞提供氧氣，這些裝置需要每
個(gè)擱板來使氣體存在于培養(yǎng)基上。為了使氣體存在于裝置中，這就需要使該裝置較大并在 按比例放大的期間難以處理，浪費(fèi)了實(shí)驗(yàn)室空間并且在培養(yǎng)基更換期間需要使用特殊的設(shè) 備。最終導(dǎo)致了在培養(yǎng)尺寸增加時(shí)復(fù)雜的和昂貴的方法。需要?dú)庖航缑鎭硌趸撆囵B(yǎng)是這 些無效用的根本原因。共同待決的美國專利申請10/961，814(Wilson等)描述了多擱板裝置，其消除了 氣體存在于每個(gè)擱板之上的需要。在一個(gè)實(shí)施方式中，用于使細(xì)胞存在于其上的一系列的 擱板狀的支架布置成一個(gè)在另一個(gè)的上面，并且該裝置外壁的至少一部分是氣體可滲透性 的。該氣體可滲透性的外壁定向?yàn)榇怪庇谠撝Ъ?。氣體通過氣體可滲透性外壁的傳遞允許 細(xì)胞在缺少氣液界面的情況下被氧化。該培養(yǎng)可以在不需要灌注培養(yǎng)基或氣體的情況下 (即，在靜態(tài)模式下操作)進(jìn)行，允許簡單的細(xì)胞生產(chǎn)方法。然而，隨著該裝置加寬，細(xì)胞與 氧源的距離隨之增加。在一些點(diǎn)上，細(xì)胞離該氧源太遠(yuǎn)，該裝置在水平方向上的可縮放性就 變得有限。因此，盡管該裝置比傳統(tǒng)的裝置更加緊湊，但是其在水平方向上的可縮放性是有 限的。共同待決的美國專利申請11/952，848 (Wilson)也描述了消除氣體存在于每個(gè)擱 板之上的需要的裝置。在各種實(shí)施方式中，一系列的細(xì)胞隔間被設(shè)置為一個(gè)在另一個(gè)之上。 每個(gè)細(xì)胞隔間的底部是氣體可滲透性的。在使用中，細(xì)胞可以存在于該氣體可滲透性表面 之上，該氣體可滲透性表面表現(xiàn)為氣體可滲透性支架的功能。當(dāng)該裝置水平和垂直縮放時(shí)， 這就允許每個(gè)細(xì)胞與周圍氧源的距離一致。然而，這種類型的裝置的制造可能會(huì)比描述于
4共同待決的‘814中的裝置更加困難和昂貴，對于最終使用者抬高了其成本。更進(jìn)一步，由 于存在更大的氣體可滲透性表面區(qū)域，裝置中培養(yǎng)基的蒸發(fā)可能會(huì)比傳統(tǒng)的多擱板燒瓶和 共同待決的‘814中的裝置以更高的速率發(fā)生。已公開的構(gòu)造最小化了這一問題，但是它們 加入了增加成本的特征。盡管共同待決的‘848和共同待決的‘814相對于傳統(tǒng)的多擱板燒瓶提供了更多的 有效幾何空間，其還存在對于無論是共同待決的‘848還是共同待決的‘814都不理想的細(xì) 胞培養(yǎng)的應(yīng)用。僅作為一個(gè)例子，干細(xì)胞經(jīng)常以低表面密度培養(yǎng)，以使得細(xì)胞相互之間不要 離得太近，從而避免不期望的分化。當(dāng)該培養(yǎng)產(chǎn)生的細(xì)胞的數(shù)量增長時(shí)，該培養(yǎng)裝置需要提 供更大的表面區(qū)域以保持細(xì)胞處于低表面密度。由此，一個(gè)允許在水平和垂直方向上按比 例放大的裝置就是有用的。為了最有效的利用空間，其應(yīng)當(dāng)在氣液界面缺失的情況下起作 用并且不需要裝備來泵送培養(yǎng)基或者氣體通過。盡管共同待決的‘848提供了那些特性，以 到周圍的氣體一致的距離放置細(xì)胞所產(chǎn)生的額外成本是沒有保證的，因?yàn)閷τ诩?xì)胞依存于 其上的每一平方厘米的面積內(nèi)存在很少的細(xì)胞(即，低氧氣需求)。共同待決的‘814的低 成本裝置在水平方向上具有有限的可縮放性。由此，就需要一種新的裝置構(gòu)造，其可以便宜 的制造，使用簡便，消除對于氣液界面的需要，不需要灌注，并且填補(bǔ)了共同待決的‘848和 共同待決的‘814之間的空白。這樣的裝置對于許多重要的細(xì)胞培養(yǎng)應(yīng)用例如干細(xì)胞培養(yǎng) 將減少花費(fèi)并簡化細(xì)胞制備過程。因此，公開了一種改進(jìn)的氣體可滲透性裝置，其可以容易的制造，可在氣液界面缺 失的情況下起作用，不需要裝備來泵送培養(yǎng)基或者氣體來通過其中，并且在水平和垂直方 向允許實(shí)質(zhì)上無限制的可縮放性。發(fā)明概述在這里描述的本發(fā)明允許高效的細(xì)胞培養(yǎng)。至少部分由氣體可滲透性材料組成的 氣體隔間分散在指定地點(diǎn)的培養(yǎng)設(shè)備內(nèi)，當(dāng)該裝置在水平方向上縮放時(shí)，其允許細(xì)胞相對 于氣體傳遞位置保持一個(gè)固定的距離。氣體隔間的氣體可滲透性壁允許與環(huán)境氣體的氣體 交換。這樣的裝置提供許多優(yōu)勢，包括消除對于氣液界面的需要的能力，允許細(xì)胞培養(yǎng)在靜 態(tài)模式中進(jìn)行(即，不存在對于泵送培養(yǎng)基或者氣體通過該裝置的需要)，允許該裝置的縮 放在水平方向和垂直方向均增加，降低培養(yǎng)基蒸發(fā)的速率，允許簡單和低成本的設(shè)備制造， 并且提供降低的給料頻率的能力。在一種實(shí)施方式中，氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置包括一個(gè)設(shè)置在另一個(gè)之上的支 架，并具有分離它們的空間以形成細(xì)胞隔間。一個(gè)歧管將一入口連接至該細(xì)胞隔間。至少 一個(gè)氣體可滲透性氣體隔間與該細(xì)胞隔間接觸，由此增強(qiáng)細(xì)胞隔間與環(huán)境氣體之間的氣體 傳遞在另一種實(shí)施方式中，該氣體隔間包括垂直于支架定向的壁。在另一種實(shí)施方式中，對環(huán)境氣體開放的氣體隔間位于氣體可滲透性裝置的底 部。在另一種實(shí)施方式中，對環(huán)境氣體開放的氣體隔間位于該裝置的頂部。在另一種實(shí)施方式中，對環(huán)境氣體開放的氣體隔間位于該裝置的側(cè)壁。在另一種實(shí)施方式中，對環(huán)境氣體開放的氣體隔間位于該裝置的頂部和/或底部 和側(cè)壁。
在另一種實(shí)施方式中，對環(huán)境氣體開放的氣體隔間橫穿該整個(gè)的氣體可滲透性裝 置，具有的氣體開口位于氣體可滲透性裝置的相對的壁。在另一種實(shí)施方式中，該氣體隔間包括氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)。


圖IA是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的透視圖。氣體可滲透性裝置10的內(nèi)容物通過 氣體可滲透性外壁和氣體隔間M與環(huán)境氣體交流。圖IB是圖IA裝置的A-A橫截面視圖，展示出如何使用氣體隔間M來減少細(xì)胞和 氣體隔間壁之間的距離。圖IC是圖IA裝置的B-B橫截面視圖，展示出考慮到接種和培養(yǎng)基交換的設(shè)計(jì)。圖2是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖，示出細(xì)胞和提供氣體傳遞的壁之 間的距離如何能夠通過氣體隔間的數(shù)目和位置來改變。圖3A是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖，示出氣體隔間如何占據(jù)氣體可 滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置。圖IBB是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖，示出氣體隔間如何通過側(cè)壁橫 穿該氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置。圖3C是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖，示出氣體隔間如何完全穿過該 氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置。圖3D是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖，示出氣體隔間如何具有任意的 幾何形狀，在這一案例中為具有圓孔的圓柱形隔間。圖4A是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的透視圖，示出氣體隔間如何成為該裝置周界 的一部分。圖4B是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的俯視圖，示出氣體隔間如何成為該裝置周界 的一部分。圖5利用橫截面視圖示出本發(fā)明示例性的實(shí)施方式，其示出在在裝置周界不存在 氣體可滲透性壁的情況下放置氣體隔間的優(yōu)選方法。圖6A示出本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的透視圖，其構(gòu)造為允許細(xì)胞和培養(yǎng)基以最 小的湍流進(jìn)入該裝置。圖6B示出圖6A的B-B橫截面，顯示了入口進(jìn)入孔和出口進(jìn)入孔。圖6C示出圖6A的A-A橫截面，顯示了流體如何從該實(shí)施方式的一個(gè)末端流到另
一個(gè)末端。圖7A是本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的分解圖，示出優(yōu)選的實(shí)施方式如何被組裝。圖7B是示于圖7A中示例性的實(shí)施方式的另一個(gè)分解圖。圖7C是示于圖7A中示例性的實(shí)施方式以組裝狀態(tài)的橫截面視圖。圖8A示出示例性的實(shí)施方式，其具有任選的氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)50。圖8B示出先前于圖7A中描述的示例性的實(shí)施方式的分解圖，具有以組裝存在的 氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)50。圖8C示出圖8B的組裝橫截面視圖。圖9A是示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖，該氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置允許存在于每一支架之上的培養(yǎng)基的高度與傳統(tǒng)的燒瓶和多擱板燒瓶瓶一致，但是相對于傳統(tǒng)的 燒瓶能夠降低給料頻率。圖9B示出在使用中的圖9A中的氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置以及在接種過程中如 何加入培養(yǎng)基60以使得其以一定的高度存在于該最上部支架觀之上，其與存在于每一個(gè) 其他的支架觀之上的高度相同。這就允許在接種過程中細(xì)胞接種的一致性。圖9C示出為了降低給料頻率，過量的培養(yǎng)基60如何被加入至圖9A的氣體可滲透 性細(xì)胞培養(yǎng)裝置。發(fā)明詳述圖IA示出本發(fā)明的一種實(shí)施方式的透視圖。該氣體可滲透性裝置10的外部包括 頂部18，側(cè)壁20，后側(cè)壁21和底部19。氣體隔間M從頂部18向下延伸進(jìn)入氣體可滲透 性裝置10內(nèi)。氣體隔間M被構(gòu)造為允許環(huán)境氣體與壁22相接觸。經(jīng)選擇的壁22和/或 壁22的區(qū)域是氣體可滲透性的。在這一實(shí)施方式中，存在一個(gè)對于氣體隔間M的開口并 且該開口定位在頂部18上。允許通過氣體隔間M的經(jīng)選擇的部分的氣體傳遞，從而允許 在氣體可滲透性裝置10的內(nèi)容物與環(huán)境氣體之間改善的氣體交換。以這種方式，該裝置可 屬于標(biāo)準(zhǔn)的(X)2培養(yǎng)器，同時(shí)氣體隔間M促進(jìn)存在于氣體可滲透性裝置內(nèi)的培養(yǎng)的氣體交 換。除了氣體隔間，該氣體可滲透性裝置的外壁可以是氣體可滲透性的，進(jìn)一步增強(qiáng)了氣體 傳遞。圖IB示出圖IA裝置使用時(shí)的A-A橫截面視圖，并幫助解釋氣體隔間M的優(yōu)點(diǎn)。 在這一描述中，細(xì)胞32和細(xì)胞培養(yǎng)基34在該裝置中示出。細(xì)胞32放置在支架觀之上。支 架觀一個(gè)存在于另一個(gè)之上，它們之間的空間形成細(xì)胞隔間30。細(xì)胞隔間30由此限制在 支架觀的上側(cè)和下側(cè)，除了最端部的細(xì)胞隔間30，其通過支架觀限定了更低的一側(cè)并通過 頂部18限定了更高的一側(cè)。優(yōu)選地，氣體隔間M占據(jù)每個(gè)細(xì)胞隔間30的一部分。不像是 傳統(tǒng)的多擱板燒瓶，對于氣體可滲透性裝置10，其不需要使氣體存在細(xì)胞隔間30中而起作 用。在這一描述中，培養(yǎng)基34填充細(xì)胞隔間30。優(yōu)選地，每個(gè)支架觀之間的距離(即，細(xì) 胞隔間的高度)應(yīng)當(dāng)是相等的并且支架觀相互之間應(yīng)當(dāng)是平行的，為了使細(xì)胞均勻分布和 培養(yǎng)條件一致。因?yàn)榈湫屯扑]的在傳統(tǒng)燒瓶培養(yǎng)中的培養(yǎng)基高度為2mm至3mm之間，使得 支架之間2mm至3mm的距離將導(dǎo)致與傳統(tǒng)的燒瓶相似的給料頻率。為了降低給料頻率，可 增加支架之間的距離，因?yàn)檫@樣做會(huì)增加培養(yǎng)基體積對支架表面積的比例并對于每平方厘 米的生長區(qū)域提供更多的溶質(zhì)。被宣稱為不同地，在相對于在傳統(tǒng)燒瓶的每個(gè)擱板之上的 培養(yǎng)基，每個(gè)細(xì)胞隔間中更多的培養(yǎng)基可以降低給料頻率。圖IC示出圖IA的B-B橫截面視圖。氣體隔間M沿著支架觀的長度延伸并且穿 過細(xì)胞隔間30。歧管5存在于支架觀和進(jìn)入孔6之間，允許培養(yǎng)基通過進(jìn)入孔6被加入 至細(xì)胞隔間30中或者從其中移除。歧管5起進(jìn)入每個(gè)細(xì)胞隔間30的培養(yǎng)基通道的作用。 優(yōu)選地，氣體隔間M沿著支架觀的長度延伸至最大的實(shí)用距離，從而當(dāng)它們涉及氣體交換 的時(shí)候使氣體可滲透性裝置10內(nèi)的條件最大化的均一。氣體可滲透的氣體隔間壁22的表 面積的數(shù)量取決于制造方法和對于給定的細(xì)胞培養(yǎng)應(yīng)用所需要的氣體傳遞的數(shù)量。最大化 氣體可滲透性的表面積可以增加到每一個(gè)細(xì)胞隔間30的氣體傳遞。優(yōu)選地，通過氣體隔間 M提供的氣體傳遞能力被均勻地分配至每一個(gè)細(xì)胞隔間30。簡而言之，該氣體隔間被優(yōu)選 地構(gòu)建為對于從細(xì)胞隔間至細(xì)胞隔間的氣體傳遞產(chǎn)生相等的容積。甚至是如果該氣體隔間的整個(gè)表面都是氣體可滲透性的，該蒸發(fā)作用也小于‘848的實(shí)施方式。由此，另一個(gè)優(yōu)點(diǎn) 為能夠相對于‘814的實(shí)施方式在水平方向上增加該裝置的尺寸，同時(shí)相對于‘848的實(shí)施 方式降低蒸發(fā)作用。 控制在接種過程中細(xì)胞沉積的區(qū)域是一項(xiàng)設(shè)計(jì)考慮。當(dāng)該裝置使用接種體填充 時(shí)，每個(gè)細(xì)胞直接移向該裝置位于其下的區(qū)域。優(yōu)選該設(shè)計(jì)允許至少90%，并且更優(yōu)選 95%的細(xì)胞以一致的分布模式移向該支架。由此，歧管5應(yīng)當(dāng)占據(jù)最小體積的空間，同時(shí)仍 能促使容易地傳遞培養(yǎng)基或者移除該培養(yǎng)基。支架觀可以或者不可以使液體緊密接觸側(cè) 壁20和后側(cè)壁21。如果能夠以那種方式更容易地制造該裝置或者決定從細(xì)胞隔間到細(xì)胞 隔間移動(dòng)溶質(zhì)所需要的橫截面積大于由歧管可以提供的，那么支架觀和相鄰的壁之間的 間隙是可以存在的。如果決定該間隙將存在，那么會(huì)意識(shí)到來自接種體的細(xì)胞移動(dòng)將通過 該間隙落入至最低的支架(或者底部)并且以高于該支架其他區(qū)域的表面密度接種。注意 支架和外壁之間相同的物理關(guān)系對于該支架和氣體隔間壁適用。由此，該間隙包括了支架 和相鄰的壁之間的距離。該間隙區(qū)域和歧管區(qū)域致使細(xì)胞的數(shù)量在支架上不均一地接種。 在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，除了在歧管位置處，支架和外壁之間的距離為約0. 2英寸或更氣體隔間M的存在起到減小存在的細(xì)胞到氣體傳遞位置的距離。為了幫助解釋 這一概念，再次參考圖1B，考慮側(cè)壁20和氣體隔間壁22是氣體可滲透性的。氣體隔間M 的存在允許細(xì)胞32A與該裝置發(fā)生氣體傳遞的區(qū)域的間隔更短的距離，該距離比在不存在 氣體隔間M的情況下要短。該氣體隔間的目的是允許環(huán)境氣體(典型的培養(yǎng)器氣體)存在于該新穎的裝置的 氣體隔間內(nèi)。環(huán)境氣體的移動(dòng)通過在培養(yǎng)過程中在細(xì)胞隔間的內(nèi)容物和環(huán)境氣體之間形成 的濃度差異來驅(qū)動(dòng)。例如，在培養(yǎng)過程中貫穿氣體可滲透性材料形成的濃度梯度導(dǎo)致氣體 (例如氧氣和二氧化碳)從顯示為最高濃度的氣體可滲透性材料的一側(cè)傳遞至顯示為最低 的一側(cè)。例如，形成典型的氧氣梯度以使得氧氣從標(biāo)準(zhǔn)的細(xì)胞培養(yǎng)器傳遞至該新穎裝置的 細(xì)胞隔間。氣體隔間最優(yōu)選構(gòu)建為允許環(huán)境氣體自由進(jìn)入氣體隔間，不存在通過輔助裝置例 如泵的壓力流體。通過這樣構(gòu)造的氣體隔間，不需要用于導(dǎo)引在壓力下產(chǎn)生的氣流的入口 端口和出口端口。氣體在傳導(dǎo)期間快速的移動(dòng)并且在氣體隔間的最接近的相對的壁之間的 距離僅需要足夠大以使得氣體可以以大于培養(yǎng)所需要的速率移動(dòng)。通常來說，氣體隔間至 該裝置外部表面的深度越大，該氣體隔間應(yīng)該越寬。太窄的橫截面會(huì)限制氣流。使得該寬 度變小通常會(huì)起到使該裝置的尺寸更加緊湊的目的。然而，該節(jié)省的空間實(shí)質(zhì)上已經(jīng)通過 消除對氣液界面的需要來提供。由此，優(yōu)選朝向氣體隔間的開口的橫截面的寬度為約0.1 英寸或更大。而且，該開口的形狀優(yōu)選在貫穿該氣體隔間的深度內(nèi)保持一致。例如，對于具 有0.1英寸寬度的矩形開口，該氣體隔間壁將通常保持平行并且以約0. 1英寸的距離貫穿 該氣體隔間。由于被氣體隔間取代的空間的體積與該氣體可滲透性裝置的體積相比相對較 小，所以更大的距離沒有導(dǎo)致很大的空間流失。由此，基于該裝置的寬度和高度，以及所使 用的氣體隔間的數(shù)目，高至1英寸的朝向該氣體隔間的開口的橫截面的寬度能夠有效的允 許氣體傳遞，而對該裝置的占用的空間沒有太大的影響。對于包括該氣體隔間的幾何形態(tài)和材料具有很多可能的選擇。氣體隔間的長度、寬度、深度、氣體傳遞速率和所有其它的方面可以被改變，以滿足所給定的細(xì)胞培養(yǎng)應(yīng)用的 需要。液體可滲透性的氣體可滲透性材料為優(yōu)選的，例如二甲基硅樹脂。然而，共同待決的 ‘856描述了如何使用液體可滲透性材料。可以改變氣體隔間的位置和數(shù)量以控制細(xì)胞到氣體傳遞位置的距離。當(dāng)該氣體可 滲透性裝置在水平方向上按比例放大為更大的尺寸時(shí)，可以加入越來越多的氣體隔間。圖2 示出氣體可滲透性裝置11的橫截面視圖，其被改進(jìn)以減少細(xì)胞(例如細(xì)胞32B和細(xì)胞32C) 到氣體傳遞區(qū)域的最大距離。在這一描述中，兩個(gè)氣體隔間M延伸進(jìn)氣體可滲透性裝置11 內(nèi)。在該情形中，側(cè)壁20和氣體隔間壁22為氣體可滲透性的，可以看出氣體隔間M如何 允許細(xì)胞32B和32C比在不存在氣體隔間M的情況下更接近氣體傳遞區(qū)域。由此，當(dāng)該裝 置在水平方向上縮放時(shí)在培養(yǎng)基中保持可接受的氧張力的能力通過允許細(xì)胞接近環(huán)境氣 體的氣體隔間和氣體可滲透性壁的使用來獲得。氣體隔間不需要延伸進(jìn)入細(xì)胞隔間來允許細(xì)胞更接近氣體隔間壁。任意的減小細(xì) 胞到氣體可滲透性壁的距離的布置都是可以存在的。例如，氣體隔間可以延伸進(jìn)入，貫穿通 過，和/或完全穿過氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置。例子在圖3A，圖3B，圖3C和圖3D中示出， 其中氣體隔間24，氣體隔間M的氣體可滲透性壁22，裝置側(cè)壁20，支架觀，和/或細(xì)胞隔 間30相對于彼此可以被看到。在所有的示例中，作為選擇，氣體可滲透性裝置的任意外壁 可以是氣體可滲透性的，但是氣體隔間的至少一部分必須是氣體可滲透性的。如何決定何 時(shí)依賴于氣體可滲透性外部的裝置壁，例如側(cè)壁，將在這里描述。圖3A示出本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖。氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置 12A包括氣體隔間M，其延伸進(jìn)入氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置12A內(nèi)。一個(gè)朝向氣體隔間 24的開口是存在的并且位于底部19。由氣體可滲透性材料構(gòu)成的氣體隔間M的壁22提 供到細(xì)胞隔間30的氣體傳遞。細(xì)胞隔間30通過支架觀限定了它們較低的一側(cè)。氣體隔 間M存在于每一個(gè)細(xì)胞隔間30內(nèi)。圖;3B示出本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的透視圖。氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置12B 包括氣體隔間24。朝向氣體隔間M的開口存在于至少一個(gè)側(cè)壁20上。圖3C示出本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的橫截面視圖。氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置 12C包括氣體隔間M，其被構(gòu)建以產(chǎn)生完全穿過氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置12C的開口。由 此，該開口存在于兩個(gè)相對的壁，在這種情況中為頂壁18和底壁19。由氣體可滲透性材料 構(gòu)成的氣體隔間M的壁22提供了到細(xì)胞隔間30的氣體傳遞。細(xì)胞隔間30通過支架觀 限定了它們較低的一側(cè)。圖3D示出本發(fā)明示例性的實(shí)施方式的透視圖。氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置12D 包括延伸進(jìn)入氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置12D的圓形氣體隔間M。氣體隔間不需要被限制在該裝置的主體來起作用。圖4A示出本發(fā)明示例性的實(shí) 施方式的透視圖。氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置16包括氣體隔間M，其形成氣體可滲透性細(xì) 胞培養(yǎng)裝置16周壁的一部分。圖4B示出氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置16的俯視圖，顯示了 氣體隔間對。在這一構(gòu)造中，氣體隔間M起到擴(kuò)展氣體可滲透性裝置16的周界的作用并 且氣體可滲透性壁22起到很大的改善氣體傳遞進(jìn)入氣體可滲透性裝置16和從其中排出的 作用。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到朝向氣體隔間M的開口不需要完全穿過該頂部和底部以 極大地增加用于氣體傳遞的表面積。該開口可以穿過該頂部和/或底部和側(cè)壁。
盡管氣體隔間可以是任意尺寸和形狀，優(yōu)選該氣體隔間的結(jié)構(gòu)被構(gòu)造為能夠?qū)崿F(xiàn) 在每一個(gè)細(xì)胞隔間內(nèi)提供最一致的培養(yǎng)環(huán)境的意圖。培養(yǎng)條件一致性的程度可以依據(jù)處于 氣體可滲透性培養(yǎng)裝置內(nèi)的氣體隔間所在位置來建立。為了改善一致性，一個(gè)設(shè)計(jì)的目標(biāo) 是產(chǎn)生控制細(xì)胞到氣體隔間壁的最遠(yuǎn)距離的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，制造一定形狀的氣體可滲透性 裝置，允許氣體隔間位于相對于該裝置的中心線處于對稱樣式，這是一種在細(xì)胞培養(yǎng)隔間 中提供均一條件的方式。圖5示出本發(fā)明由此構(gòu)建的示例性的實(shí)施方式。其為示出在氣體 可滲透性壁不存在的情況下在裝置周界放置氣體隔間的優(yōu)選方法的橫截面視圖。在這一描 述中，兩個(gè)氣體隔間M延伸進(jìn)入氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置17。支架觀均勻隔開并且一個(gè) 定位在另一個(gè)的上面。為了說明該外壁20不需要?dú)怏w可滲透性作為合適的功能，考慮到該 情形在這一描述中它們不是氣體可滲透性的?？紤]到氣體隔間M的氣體隔間壁22沿著它 們的整個(gè)高度為氣體可滲透性，其如此放置，從而細(xì)胞到它們的最大距離D在整個(gè)橫截面 內(nèi)是固定的。以這種方式，只要細(xì)胞在支架上均一地分布，在距離氣體隔間壁22的最遠(yuǎn)點(diǎn)D 的細(xì)胞的氧氣傳遞就大致相當(dāng)于貫穿了該裝置。該實(shí)際距離D可依賴于培養(yǎng)所期望的氧氣 需求而變化。例如，當(dāng)形成氣體隔間的壁的氣體可滲透性是一致的時(shí)候，具有高氧氣需求的 培養(yǎng)例如肝細(xì)胞的距離D將小于保持在低表面密度的具有低氧氣需求的培養(yǎng)例如干細(xì)胞。 該氣體隔間被優(yōu)選地構(gòu)建，以使得其壁通常垂至于該支架。以那種方式，存在于每一個(gè)細(xì)胞 隔間中的培養(yǎng)基的體積通?？梢允窍嗟鹊模诮臃N過程中，支架上的細(xì)胞分布是一致的，并 且存在于每一個(gè)細(xì)胞隔間內(nèi)的細(xì)胞到細(xì)胞隔間壁有一個(gè)相似的物理距離。優(yōu)選地，氣體隔 間的氣體可滲透性壁的設(shè)計(jì)以提供到每一個(gè)細(xì)胞隔間相似的氣體傳遞能力的方式而完成。 由此，當(dāng)構(gòu)建氣體隔間的壁的時(shí)候，氣體可滲透性的區(qū)域應(yīng)當(dāng)相對于每一個(gè)細(xì)胞隔間和每 個(gè)其它的氣體隔間具有一致的材料類型、厚度和表面積。不是所有的氣體隔間的壁都需要是氣體可滲透性的以產(chǎn)生橫穿該氣體可滲透性 裝置的水平橫截面的基本上一致的氣體傳遞。再次參考圖5，考慮到該情形中壁20為氣體 可滲透性的。如果氣體隔間M的壁22A和壁22B不是氣體可滲透性的，而壁22C是氣體可 滲透性的，那么在水平橫截面上觀察到的存在于支架觀上任意給定位置的細(xì)胞就可以保 持在氣體傳遞位置的距離D內(nèi)。然而，當(dāng)培養(yǎng)需要的氣體交換沒有克服氣體隔間的能力來滿足氣體傳遞需要的時(shí) 候，并且當(dāng)制造成本可以通過氣體隔間的不同構(gòu)型來降低的時(shí)候，支架和氣體隔間之間的 優(yōu)選關(guān)系的偏離是可選擇的。那些本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到具有許多可能的設(shè)置來滿足基 本的目標(biāo)，其允許通過使用氣體隔間來改善到細(xì)胞隔間的氣體傳遞在水平方向上更進(jìn)一步 的可縮放性。對于如何物理定位和布置該氣體隔間的另一個(gè)考慮是在培養(yǎng)基輸送過程中和在 從該裝置移除的過程中該氣體隔間可能具有的對流體流動(dòng)的影響。優(yōu)選地，該氣體隔間將 以促進(jìn)流體容易地流動(dòng)的方式來布置。該氣體隔間應(yīng)當(dāng)優(yōu)選為不阻隔培養(yǎng)基流動(dòng)，不在裝 置內(nèi)捕獲氣體，或者不產(chǎn)生高湍流。該進(jìn)入孔的位置可以幫助克服這些潛在的不希望的流 體特征。圖6A，圖6B和圖6C示出氣體可滲透性裝置的示例性的實(shí)施方式，其被設(shè)置為允許 細(xì)胞和培養(yǎng)基以最小的湍流進(jìn)入該裝置。蓋帽37和38覆蓋入口進(jìn)入孔36和出口進(jìn)入孔 35，其在這一描述中被布置在氣體可滲透性裝置18相對的末端。在這一實(shí)施方式中，朝向氣體隔間M的開口通常為矩形的形狀，當(dāng)該培養(yǎng)基被加入至該裝置中或者從其中移除的 時(shí)候，朝向氣體隔間M的開口的最長側(cè)定位為液體流動(dòng)的方向。被宣稱為不同的，朝向氣 體隔間M的開口的最長側(cè)通常平行于該裝置的中心軸線。在任意的實(shí)施方式中，進(jìn)入孔可 以被構(gòu)造為用于關(guān)閉或者開啟系統(tǒng)的功能。圖6B示出圖6A的B-B橫截面，貫穿該裝置的中 心軸線，其進(jìn)入孔蓋帽被移除。布置支架觀以形成細(xì)胞隔間30。入口進(jìn)入孔36和出口進(jìn) 入孔35通過入口歧管沈和出口歧管25與每個(gè)細(xì)胞隔間30相連通。在這一實(shí)施方式中， 細(xì)胞隔間30形成從入口進(jìn)入孔36到出口進(jìn)入孔35的導(dǎo)管。圖6C示出圖6A的A-A橫截 面，流體流動(dòng)箭頭M指示當(dāng)培養(yǎng)基被引入至入口進(jìn)入孔36時(shí)，培養(yǎng)基和氣體所走的路徑。 在這一描述中，該氣體隔間M的形狀和位置促使一致的流體形式。那些本領(lǐng)域技術(shù)人員將 認(rèn)識(shí)到具有很多種可能的氣體隔間構(gòu)造和幾何形狀，其將滿足促使貫穿該氣體可滲透性裝 置的流體流動(dòng)一致性的基本目標(biāo)。一個(gè)優(yōu)選的幾何形狀為朝向該氣體隔間的矩形的開口， 該矩形開口的長邊被定向?yàn)樵谠搨?cè)壁的方向和平行于該側(cè)壁的方向。用于制造本發(fā)明的氣體可滲透性裝置的材料可以是任意的用于細(xì)胞培養(yǎng)裝置中 的在先使用的或者描述的那些，并且特別是在共同待決的‘814和‘848中描述的那些。盡 管是液體可滲透性的，氣體可滲透性的材料可以如共同待決的‘856中描述的那樣使用，該 優(yōu)選的實(shí)施方式利用液體不可滲透性的但是氣體可滲透性的材料。在該優(yōu)選的實(shí)施方式 中，該裝置是一次性的并且該材料為光學(xué)上透明的，非細(xì)胞毒性的，并且可以通過注塑成型 法制備。對于支架和氣體可滲透性材料所需要的不同的特征之前已經(jīng)在明確結(jié)合到本文的 專利中進(jìn)行了描述。除了在先描述的用于微觀評估的結(jié)構(gòu)，延伸進(jìn)氣體可滲透性裝置的氣 體隔間可以利用足夠?qū)捯栽试S光線照進(jìn)該氣體隔間的開口來構(gòu)造，以促使最底部支架的倒 置顯微鏡。除了更加有效的利用通過消除在每個(gè)支架上的氣液界面的需要同時(shí)允許在水平 方向和垂直方向的可縮放性而獲得的空間，容易地制造本發(fā)明裝置的能力允許在細(xì)胞培養(yǎng) 過程中進(jìn)一步的成本降低。一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式集成了傳統(tǒng)的由聚苯乙烯構(gòu)成的平面支架 和氣體可滲透性硅樹脂壁，其在圖7A，圖7B和圖7C中示出。在圖7A的分解圖中，氣體可滲 透性硅樹脂殼體40存在于一疊支架28之下。在這一描述中，每個(gè)支架28通過凸起42從 其相鄰的支架觀分離，其通過從該大堆分離出的支架觀示出。支架開口 44存在于支架觀 上不同的位置(在這一描述中兩個(gè)位置)。支架開口 44為從支架觀移除的一部分材料，以 允許支架觀配合氣體隔間對。優(yōu)選地，在任意的實(shí)施方式中，當(dāng)不連續(xù)層板的材料形成支 架時(shí)，部分的材料從支架移除以允許氣體隔間穿過該支架。在這一描述中，在組裝過程中， 氣體隔間M延伸自氣體可滲透性硅樹脂殼體40的底部以移動(dòng)進(jìn)入通過支架開口 44產(chǎn)生 的空余的空間。頂部46存在于支架觀之上。法蘭夾具48存在于頂部46的下面。當(dāng)支架 28被置于氣體可滲透性硅樹脂殼體40的內(nèi)部，法蘭夾具48連接至頂部46并且通過擠壓氣 體可滲透性硅樹脂殼體40的法蘭43形成液壓密封。圖7B示出從顯示了朝向氣體隔間M 的開口的組裝部件的底部觀看的另一個(gè)視圖。如果意圖是培養(yǎng)貼壁細(xì)胞，并且該氣體可滲 透性裝置將要經(jīng)受伽瑪射線，共同待決的‘856提供了在伽瑪輻射之前制備硅樹脂材料的 指導(dǎo)，從而支架的表面化學(xué)在伽瑪輻射的過程中沒有改變。圖7C示出圖7A和圖7B中所示的組裝部件的橫截面視圖，顯示了處于組裝狀態(tài)的 不同的組件。法蘭夾具48通過擠壓法蘭43以液密的方式緊固頂部46和硅樹脂殼體40。細(xì)胞培養(yǎng)裝置設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到具有很多不同的方法和構(gòu)造來生產(chǎn)液密裝置。 而且，如上所述，該裝置的外壁不需要是氣體可滲透性的。由此，該硅樹脂外殼不需要形成 該裝置的外壁。在那種情況下，頂部46可以以形成該裝置外壁的方式來制造。氣體隔間對 穿過支架開口 44以允許氣體隔間M提供至培養(yǎng)隔間30的氣體傳遞。在這種情況下，當(dāng)氣 體隔間的壁包括是硅樹脂的區(qū)域時(shí)，該硅樹脂的厚度應(yīng)當(dāng)優(yōu)選為小于0. 22英寸，并且更優(yōu) 選0. 01英寸或更小，以促使充足的氣體傳遞。通過延伸進(jìn)入細(xì)胞培養(yǎng)隔間30，當(dāng)該裝置在 標(biāo)準(zhǔn)的組織培養(yǎng)器中來回移動(dòng)之時(shí)，該氣體隔間M的定位促使可能形成的任意濃縮物的 排出。大體上，當(dāng)選擇該氣體隔間的定位和幾何形狀時(shí)，應(yīng)當(dāng)注意使在可能減少環(huán)境氣體與 氣體隔間的氣體可滲透性區(qū)域的接觸的區(qū)域內(nèi)收集的溢出或者濃縮的幾率最小化。這樣的 結(jié)果將改變進(jìn)入該細(xì)胞隔間或者從其中排出的氣體傳遞的速率。圖8A示出任選的氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)50的示例性的實(shí)施方式，其起到提供作為描 述于共同待決的‘814中的“氣體可滲透性材料支撐”和/或描述于共同待決的‘848中的 “培養(yǎng)隔間支撐”的類似的功能。本質(zhì)上，其確保了氣體隔間在培養(yǎng)過程中沒有坍塌，其可能 是由于依賴于細(xì)胞培養(yǎng)基的流體靜力學(xué)壓力和氣體隔間的氣體可滲透性材料的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度 和位置的原因。氣體隔間開口 52允許氣體進(jìn)入該氣體隔間。氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)開口 53允 許環(huán)境氣體與該氣體隔間的氣體可滲透性材料接觸。突起物M起到使該氣體隔間的壁與 氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)50保持一定的距離的作用，并且由此確保該氣體可以圍繞該氣體隔間 的氣體可滲透性部分的表面移動(dòng)。圖8B示出在先描述于圖7A中的具有處于組裝狀態(tài)的氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)50的示 例性實(shí)施方式的分解圖。圖8C示出圖8B的組件的橫截面視圖。大量的支架觀已經(jīng)被移 除以簡化該視圖。氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)50在恰當(dāng)?shù)奈恢茫哂蟹糯蟮囊晥D以更加清晰的展示 突起物M如何起到接觸氣體隔間M的壁22的作用，留下壁22的一部分沒有與氣體隔間 支撐結(jié)構(gòu)50接觸并且由此允許壁22直接接觸環(huán)境氣體。環(huán)境氣體自由穿過氣體隔間開口 52和氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)開口 53。至細(xì)胞隔間30或者來自其中的氣體傳遞利用氣體隔間M 的壁22來發(fā)生，至少一部分由氣體可滲透性材料構(gòu)成。當(dāng)構(gòu)造本發(fā)明任意特別的結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)當(dāng)注意確保考慮到CO2的交換速率和/或蒸 發(fā)速率。共同待決的‘848可以提供如何最小化或者控制由于過多的進(jìn)入該細(xì)胞隔間和從 其中排出的氣體傳遞速率而產(chǎn)生的不需要的PH變化或者滲透變化速率的指導(dǎo)。使用這里公開的氣體可滲透性裝置的一個(gè)優(yōu)選的方法為形成一個(gè)容器，其集成了 多于一個(gè)的堆疊的支架，其被布置以使得該支架一個(gè)存在與另一個(gè)的頂上并且平行于相鄰 的支架，在它們之間具有一空間。在每個(gè)支架之間的空間形成細(xì)胞隔間。每個(gè)支架優(yōu)選為層 狀材料，該材料優(yōu)選為剛性聚苯乙烯。至少一個(gè)氣體隔間存在于氣體可滲透性裝置中。該 氣體隔間的幾何形狀為具有垂至于支架的壁并且其由氣體可滲透性材料構(gòu)成，以使得其可 以提供氣體傳遞至每個(gè)細(xì)胞隔間。該氣體可滲透性裝置具有至少一個(gè)進(jìn)入孔和一個(gè)連接該 進(jìn)入孔至細(xì)胞隔間的歧管。在使用中，該進(jìn)入孔蓋帽被移除并且接種體被加入以使得其填 充該細(xì)胞隔間。該進(jìn)入孔蓋帽被重新蓋上并且起到阻隔污染物的作用。對于封閉的系統(tǒng)流 體的引入和移除，還可以任意構(gòu)造該進(jìn)入孔。細(xì)胞安置在它們下面的支架上。該裝置被置 于細(xì)胞培養(yǎng)器中，其中細(xì)胞被允許增殖。當(dāng)細(xì)胞消耗氧氣的時(shí)候，在細(xì)胞隔間內(nèi)的培養(yǎng)基與 氣體隔間內(nèi)部的環(huán)境氣體之間形成濃度梯度。通過被動(dòng)的傳送和擴(kuò)散，作為應(yīng)答，氧氣穿過氣體隔間的氣體可滲透性材料并且進(jìn)入細(xì)胞隔間中。當(dāng)溶質(zhì)達(dá)到預(yù)設(shè)的水準(zhǔn)，培養(yǎng)基就被 交換。圖9A示出氣體可滲透性細(xì)胞培養(yǎng)裝置的示例性實(shí)施方式，其允許存在于每個(gè)支 架之上的培養(yǎng)基的高度符合傳統(tǒng)的燒瓶和多擱板燒瓶(最多約3mm)，但是相對于傳統(tǒng)的燒 瓶可以降低給料頻率。該氣體隔間在該橫截面視圖中未示出，以幫助使該描述更加清晰地 顯示在最上面的支架觀之上的空間的體積如何能夠起到降低給料頻率的作用。氣體可滲 透性裝置20被構(gòu)造成使得在最上面的支架觀之上的空間超過每個(gè)支架觀之間的空間，其 優(yōu)選為相等的。如在圖9B中所示的，當(dāng)在使用時(shí)，培養(yǎng)基60在接種的過程中被加入以使得 其存在于該最上面的支架觀之上的高度與存在于每個(gè)其它的支架觀之上的高度相同。如 果目標(biāo)是模仿傳統(tǒng)的燒瓶條件，那么該高度為2mm至3mm。這就允許在接種過程中，對于每 個(gè)支架觀一致的細(xì)胞接種，包括最上面的支架觀。氣體65存在于培養(yǎng)基60之上。接下 來，在細(xì)胞被接種之后，可以加入更多的培養(yǎng)基60(在這里稱為“過量的培養(yǎng)基”)，如在圖 9C的橫截面視圖中所示。氣體65通過過量的培養(yǎng)基60被置換。在過量的培養(yǎng)基60中的 溶質(zhì)能夠通過歧管25和沈移動(dòng)至每個(gè)細(xì)胞隔間30。而且，如果支架觀沒有以液密的方式 附著在該側(cè)和/或在氣體可滲透性裝置20的氣體隔間壁，就產(chǎn)生用于額外的溶質(zhì)從過量的 培養(yǎng)基60移動(dòng)到細(xì)胞隔間30的間隙。大體上，該過量的培養(yǎng)基的體積將指示給料頻率的 降低。例如，如果過量的培養(yǎng)基的體積與存在于其下的培養(yǎng)基的體積相等，可以期望給料頻 率減少50%。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可以作出大量的變形可以而沒有背離本發(fā)明的精神。由 此，其不會(huì)意圖將本發(fā)明的范圍限制在示例性的和描述的實(shí)施方式中。恰恰相反，本發(fā)明的 范圍通過附加的權(quán)利要求和它們的等價(jià)物來解釋。
權(quán)利要求
1.一種氣體可滲透性培養(yǎng)裝置，包括 一個(gè)進(jìn)入孔，和一側(cè)壁、一頂壁和一底壁，和多于一個(gè)的支架，一個(gè)位于另一個(gè)之上，每個(gè)所述的支架通過一空間隔離，所述的空間 形成細(xì)胞隔間，和一歧管，連接所述的進(jìn)入孔至所述的細(xì)胞隔間，和至少一個(gè)氣體隔間，所述的氣體隔間具有一開口，其與環(huán)境氣體相流通，并且所述的氣 體隔間具有至少一個(gè)由氣體可滲透性材料構(gòu)成的壁，所述的至少一個(gè)由氣體可滲透性材料 構(gòu)成的壁不是支架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的氣體隔間的至少一個(gè)由氣體可滲透性材料 構(gòu)成的壁通常定位為垂直于所述支架。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述的支架具有一支架開口并且所述的氣體隔間 穿透所述的支架開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的一個(gè)氣體可滲透性材料的壁存在于每個(gè)細(xì) 胞隔間中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的側(cè)壁由氣體可滲透性材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的側(cè)壁不由氣體可滲透性材料構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中一個(gè)朝向所述的氣體隔間的開口是存在的并且定 位在所述的底部上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中一個(gè)朝向所述的氣體隔間的開口是存在的并且定 位在所述的頂部上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中一個(gè)朝向所述的氣體隔間的開口位于所述的側(cè)壁上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的氣體隔間形成所述裝置的周界的一部分， 以使得朝向所述氣體隔間的所述開口穿透所述的頂部和/或所述的底部和所述的側(cè)壁。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中朝向所述氣體隔間的所述開口位于兩個(gè)相對的 壁上，從而所述的氣體隔間是一個(gè)穿過整個(gè)氣體可滲透性裝置的開口。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中朝向所述氣體隔間的所述開口通常為矩形的形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該氣體可滲透性裝置的所述側(cè)壁的至少一部分 由氣體可滲透性材料構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的支架包括聚苯乙烯材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的氣體隔間的所述至少一個(gè)壁的所述氣體 可滲透性材料為硅樹脂。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述硅樹脂的厚度為約0.022英寸或更小。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述的支架具有一開口，所述的氣體隔間穿透該 開口。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中兩個(gè)進(jìn)入孔被置于該裝置的相對末端。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述的氣體隔間開口為矩形并且所述開口對于所述氣體隔間的最長側(cè)通常垂直于存在于進(jìn)入孔附近的相對末端。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置包，其括氣體隔間支撐結(jié)構(gòu)。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中位于最上面的支架之上的空間超過任意其它的 支架之間的空間。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中一間隙存在于所述的支架和壁之間，所述的側(cè)壁 和/或所述的氣體隔間的所述的一個(gè)壁臨近所述的支架。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中朝向所述氣體隔間的所述開口的寬度為至少0.1英寸。
24.在權(quán)利要求1所述的裝置中，在任意所述支架的上表面上到氣體可滲透性材料的 最遠(yuǎn)位置的距離不超過任意其它所述支架上表面上的最遠(yuǎn)位置到氣體可滲透性材料的距罔。
全文摘要
公開了提供更有效的細(xì)胞培養(yǎng)的氣體可滲透性裝置和方法。
文檔編號(hào)C12M1/24GK102089420SQ200980126878
公開日2011年6月8日 申請日期2009年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者約翰·R·威爾遜 申請人:威爾森沃爾夫制造公司