本實(shí)用新型屬于食品加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高粘度果蔬汁的加工裝置。
背景技術(shù):
超臨界二氧化碳?xì)⒕夹g(shù)是一種新型的非熱殺菌技術(shù)。非熱加工技術(shù)在保證食品安全( 殺滅微生物和鈍酶) 的條件下,最小程度的改變了食品的原有風(fēng)味,色澤,滋味,質(zhì)構(gòu),具有巨大的應(yīng)用前景。目前,國內(nèi)外的研究表明,超臨界二氧化碳?xì)⒕Ч^好;與超高壓殺菌技術(shù)相比,超臨界二氧化碳?xì)⒕夹g(shù)處理壓力低,壓力容易達(dá)到并易于控制;與傳統(tǒng)的熱力殺菌技術(shù)相比,超臨界二氧化碳?xì)⒕夹g(shù)處理溫度低,對食品中的熱敏物質(zhì)破壞作用小,有利于保持食品原有品質(zhì)。因此超臨界二氧化碳?xì)⒕夹g(shù)日漸成為食品殺菌技術(shù)研究的焦點(diǎn)之一。
經(jīng)研究證明,超臨界二氧化碳對微生物有很強(qiáng)的滅菌作用。但是,目前國內(nèi)的超臨界二氧化碳滅菌方式主要采用的靜態(tài)的方式進(jìn)行滅菌處理,靜態(tài)的滅菌方式所需的壓強(qiáng)大、時間長,特別對于一些高粘度的物料,由于二氧化碳不能夠與內(nèi)部的物料充分接觸,僅僅對于物料的表層進(jìn)行了有效的滅菌,不僅提高了對于滅菌設(shè)備技術(shù)的要求和生產(chǎn)成本,而且滅菌效果并不理想。
在果蔬汁加工中會涉及到果蔬汁的攪拌、混合,而果蔬汁攪拌、混合是否均勻直接影響到最終成品口感及味道。目前,果蔬汁攪拌器有很多種,但其原理不外乎是利用機(jī)械力和重力使兩種或兩種以上的果蔬汁均勻混合起來。某些果蔬汁成分的特性,需要嚴(yán)格控制攪拌時的環(huán)境條件,否則將引起果蔬汁的變性、失效,使?fàn)I養(yǎng)成分破壞或流失,并可能生成一些對人體有害的加工副產(chǎn)物,極大地影響了果蔬汁的質(zhì)量。
因此,急需一種新型的果蔬汁滅菌攪拌裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
有鑒于此,本實(shí)用新型提供一種采用動態(tài)滅菌方式的果蔬汁攪拌裝置,尤其適用于高粘度的果蔬汁。在本實(shí)用新型反應(yīng)釜中,能夠使超臨界二氧化碳?xì)怏w能夠與物料充分接觸,無需增大反應(yīng)釜內(nèi)部的壓強(qiáng),通過在加工裝置內(nèi)部形成超臨界二氧化碳強(qiáng)氣流,即能夠在較短的時間內(nèi)達(dá)到很好的殺菌效果;并且采用本實(shí)用新型的攪拌葉,能夠提高果蔬汁的混合效率,保證物料的充分?jǐn)嚢?;還能夠有效否防止物料在反應(yīng)池底部沉積。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種果蔬汁加工裝置,包括反應(yīng)釜、反應(yīng)池、驅(qū)動機(jī)構(gòu),所述反應(yīng)釜上方固定設(shè)置有二氧化碳發(fā)生器,所述反應(yīng)池中設(shè)有導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)、攪拌葉、中軸管,所述中軸管設(shè)置在所述反應(yīng)池中軸線處,所述中軸管為中空結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)由呈螺旋狀排布的第一導(dǎo)氣管以及沿第一導(dǎo)氣管末端水平延伸出的第二導(dǎo)氣管組成,所述第一導(dǎo)氣管表面均勻排布有若干導(dǎo)氣孔,所述第二導(dǎo)氣管與中軸管連通,所述第一導(dǎo)氣管的另一端密閉;所述攪拌葉通過軸桿與中軸管固定連接,所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)套設(shè)于所述二氧化碳發(fā)生器內(nèi)部,所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)與中軸管傳動連接,所述二氧化碳發(fā)生器與中軸管連通;所述攪拌葉上設(shè)有通孔,通孔內(nèi)設(shè)有三個可旋轉(zhuǎn)的擾流球;所述反應(yīng)釜的內(nèi)壁設(shè)有主磁體層,反應(yīng)池的外壁設(shè)有與主磁體層磁極相反的輔磁體層,反應(yīng)池通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在反應(yīng)釜內(nèi)部。
進(jìn)一步的,在同一水平面上,以中軸管為軸心對稱設(shè)置有一組所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,以中軸管為軸心對稱設(shè)置有一組所述攪拌葉,所述攪拌葉不在同一水平面。
進(jìn)一步的,所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)與所述攪拌葉沿中軸管間隔設(shè)置。
更進(jìn)一步的,從反應(yīng)釜底部沿中軸管依次間隔設(shè)置有兩組導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)、兩組攪拌葉、一組導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)、一組攪拌葉以及兩組導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述主磁體層表面設(shè)有內(nèi)凹的曲面;所述主磁體層設(shè)置在反應(yīng)釜底部;輔磁體層設(shè)置在反應(yīng)池的底部;所述主磁體層的面積大于輔磁體層。
向本實(shí)用新型中的反應(yīng)釜內(nèi)充入二氧化碳?xì)怏w要求壓力達(dá)到20MPa,保持反應(yīng)體系溫度為65℃,即實(shí)現(xiàn)超臨界二氧化碳滅菌。
本實(shí)用新型的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu),通入二氧化碳?xì)怏w后導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)內(nèi)部及周圍的氣流的作用下,這些區(qū)域的壓力小于反應(yīng)池內(nèi)的平均壓力并形成渦流層,在外部壓力的作用下迫使反應(yīng)池內(nèi)部的流體向反應(yīng)池內(nèi)壁移動,當(dāng)流體反應(yīng)池內(nèi)壁發(fā)生碰撞,在攪拌葉的作用下,將在反應(yīng)池內(nèi)壁周圍形成強(qiáng)對流層,通過這樣的方式,能夠保證在反應(yīng)池內(nèi)超臨界二氧化碳?xì)饬髋c物料充分的接觸,并且保證物料充分混合。
本實(shí)用新型中內(nèi)凹的曲面可以使主磁體層表面產(chǎn)生斥力的面積,確保較重的反應(yīng)池可以懸浮在反應(yīng)釜中;同時內(nèi)凹的曲面可以產(chǎn)生多個方向的斥力,以限制反應(yīng)池的晃動角度。主磁體層設(shè)置在反應(yīng)釜底部,輔磁體層設(shè)置在反應(yīng)池的底部,使反應(yīng)池的兩側(cè)沒有阻隔,可以獲得更大的晃動幅度,進(jìn)一步提高攪拌滅菌效率。
本實(shí)用新型攪拌葉本身也能夠通過旋轉(zhuǎn)使將在反應(yīng)池中產(chǎn)生渦流,而根據(jù)擾流球的設(shè)置和排布方式,能夠攪拌葉中形成許多連續(xù)的小渦流,渦流之間碰撞在反應(yīng)池中形成湍流,防止物料分層,提高混合效率。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,下面將結(jié)合附圖以及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述:
實(shí)施例
本實(shí)施例提供一種果蔬汁加工裝置,包括反應(yīng)釜1、反應(yīng)池2、驅(qū)動機(jī)構(gòu)4,所述反應(yīng)釜1上方固定設(shè)置有二氧化碳發(fā)生器3,所述反應(yīng)池2中設(shè)有導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10、攪拌葉13、中軸管5,所述中軸管5設(shè)置在所述反應(yīng)池中軸線處,所述中軸管5為中空結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10由呈螺旋狀排布的第一導(dǎo)氣管11以及沿第一導(dǎo)氣管11末端水平延伸出的第二導(dǎo)氣管12組成,所述第一導(dǎo)氣管11表面均勻排布有若干導(dǎo)氣孔111,所述第二導(dǎo)氣管12與中軸管5連通,所述第一導(dǎo)氣管11的另一端密閉;所述攪拌葉13通過軸桿14與中軸管5固定連接,所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)4套設(shè)于所述二氧化碳發(fā)生器3內(nèi)部,所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)4與中軸管5傳動連接,所述二氧化碳發(fā)生器3與中軸管5連通。所述攪拌葉13上設(shè)有通孔131,通孔內(nèi)設(shè)有三個可旋轉(zhuǎn)的擾流球132;所述反應(yīng)釜的內(nèi)壁設(shè)有主磁體層6,反應(yīng)池的外壁設(shè)有與主磁體層磁極相反的輔磁體層7,反應(yīng)池通過輔磁體層與主磁體層之間的斥力懸浮在反應(yīng)釜內(nèi)部。
進(jìn)一步的,在同一水平面上,以中軸管5為軸心對稱設(shè)置有一組所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10。
以中軸管5為軸心對稱設(shè)置有一組所述攪拌葉13,所述攪拌葉不在同一水平面。
進(jìn)一步的,所述導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10與所述攪拌葉13沿中軸管5間隔設(shè)置。
更進(jìn)一步的,從反應(yīng)釜1底部沿中軸管5依次間隔設(shè)置有兩組導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10、兩組攪拌葉13、一組導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10、一組攪拌葉13以及兩組導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)10。
進(jìn)一步的,所述主磁體層6表面設(shè)有內(nèi)凹的曲面;所述主磁體層設(shè)置在反應(yīng)釜2底部;輔磁體層7設(shè)置在反應(yīng)池1的底部;所述主磁體層的面積大于輔磁體層。
以上為本實(shí)用新型的其中具體實(shí)現(xiàn)方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些顯而易見的替換形式均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。特別的,本實(shí)用新型中所有未詳盡描述的技術(shù)方案,均可通過本領(lǐng)域內(nèi)任一現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。