技術(shù)總結(jié)
一種用于被驅(qū)動(dòng)負(fù)載和外部電源共地應(yīng)用場(chǎng)景的NMOS管驅(qū)動(dòng)控制電路、芯片、裝置和驅(qū)動(dòng)方法，NMOS管的源極通過(guò)被驅(qū)動(dòng)負(fù)載接地，NMOS管的漏極與外部電源的正極電連接；驅(qū)動(dòng)控制模塊接收外部驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，驅(qū)動(dòng)控制模塊依據(jù)外部驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制NMOS管的柵極電位變換成高于柵極驅(qū)動(dòng)電位門(mén)限值的電位，所述柵極驅(qū)動(dòng)電位門(mén)限值為外部供電源電壓與外部NMOS管的柵源開(kāi)啟電壓之和，以保證NMOS管的持續(xù)驅(qū)動(dòng)能力。特別適合應(yīng)用于電子煙的電熱絲需要和電池共地的應(yīng)用場(chǎng)景，相比PMOS驅(qū)動(dòng)降低了成本和功耗，經(jīng)濟(jì)環(huán)保。

技術(shù)研發(fā)人員：張海波;柏志彬;李盛峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華芯邦科技有限公司
文檔號(hào)碼：201621483376
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.09.05