本申請涉及發(fā)煙制品，特別是涉及一種氣溶膠生成基質(zhì)及微波加熱方法。

背景技術(shù)：

1、氣溶膠生成基質(zhì)一般是通過加熱不燃燒的方式來產(chǎn)生氣溶膠，具體地，氣溶膠生成基質(zhì)利用外部熱源加熱，使其剛好加熱到足以散發(fā)出香味的程度，氣溶膠生成基質(zhì)不會(huì)燃燒，而是通過負(fù)載霧化劑，使用時(shí)通過加熱釋放霧化劑，以形成煙霧。

2、相關(guān)技術(shù)中，對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱的方式有電阻加熱、電磁加熱、微波加熱等，在抽吸前，需要先對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行預(yù)熱，預(yù)熱后，用戶可以對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)持續(xù)抽吸預(yù)定的口數(shù)，以達(dá)到吸食氣溶膠的目的。

3、但是，相關(guān)技術(shù)中，氣溶膠生成基質(zhì)的實(shí)體結(jié)構(gòu)的密度較高，在加熱過程中，氣溶膠在短時(shí)間內(nèi)難以在氣溶膠生成基質(zhì)的實(shí)體結(jié)構(gòu)內(nèi)流通，或者難以從氣溶膠生成基質(zhì)的實(shí)體結(jié)構(gòu)中釋放到外界，由此導(dǎo)致氣溶膠生成基質(zhì)的提取效率大大降低，無法適應(yīng)即抽的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請實(shí)施例期望提供一種能夠提高氣溶膠提取效率的氣溶膠生成基質(zhì)及微波加熱方法。

2、為達(dá)到上述目的，本申請實(shí)施例提供了一種氣溶膠生成基質(zhì)，所述氣溶膠生成基質(zhì)具有至少一個(gè)氣溶膠釋放通道，且所述氣溶膠生成基質(zhì)構(gòu)造出所述氣溶膠釋放通道的壁體的厚度為0.1mm～1.2mm。

3、一種實(shí)施方式中，所述壁體的厚度為0.3mm～0.5mm。

4、一種實(shí)施方式中，位于所述氣溶膠生成基質(zhì)不同位置處的所述壁體的厚度差為0～100％。

5、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠生成基質(zhì)為擠出成型結(jié)構(gòu)。

6、一種實(shí)施方式中，各所述氣溶膠釋放通道的橫截面積為s1，構(gòu)造出對(duì)應(yīng)的所述氣溶膠釋放通道的所述壁體的橫截面積為s2，s1：s2＝1：1～5：1。

7、一種實(shí)施方式中，所述壁體包括第一壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓；所述第一壁體的部分內(nèi)表面朝向所述氣溶膠生成基質(zhì)的外側(cè)凹陷，以使所述第一壁體的內(nèi)周側(cè)形成多個(gè)間隔設(shè)置的第一凹槽。

8、一種實(shí)施方式中，所述壁體包括第一壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓；所述第一壁體的部分外表面朝向所述氣溶膠生成基質(zhì)的內(nèi)側(cè)凹陷，以使所述第一壁體的外周側(cè)形成多個(gè)間隔設(shè)置的第二凹槽。

9、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠生成基質(zhì)具有多個(gè)所述第一凹槽和多個(gè)所述第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿所述壁體的厚度方向一一相對(duì)設(shè)置。

10、一種實(shí)施方式中，所述壁體包括第一壁體和第二壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓以及位于所述氣溶膠生成基質(zhì)內(nèi)部的中空區(qū)域，所述第二壁體設(shè)置在所述中空區(qū)域內(nèi)，以將所述中空區(qū)域分隔成至少兩個(gè)所述氣溶膠釋放通道。

11、一種實(shí)施方式中，所述第二壁體的數(shù)量為多個(gè)，各所述第二壁體的一側(cè)分別與所述第一壁體連接，各所述第二壁體相對(duì)的另一側(cè)相互連接。

12、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠釋放通道包括至少一個(gè)第一氣溶膠釋放通道以及多個(gè)第二氣溶膠釋放通道，多個(gè)所述第二氣溶膠釋放通道環(huán)繞在所述第一氣溶膠釋放通道的周側(cè)。

13、一種實(shí)施方式中，所述壁體包括第一壁體、多個(gè)第二壁體、以及呈環(huán)形的第三壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓以及位于所述氣溶膠生成基質(zhì)內(nèi)部的中空區(qū)域；多個(gè)所述第二壁體和所述第三壁體均設(shè)置在所述中空區(qū)域內(nèi)，各所述第二壁體的一側(cè)分別與所述第一壁體連接，各所述第二壁體相對(duì)的另一側(cè)分別與所述第三壁體連接；所述第三壁體內(nèi)構(gòu)造出所述第一氣溶膠釋放通道，所述第一壁體、所述第三壁體與相鄰的兩個(gè)所述第二壁體共同構(gòu)造出所述第二氣溶膠釋放通道。

14、一種實(shí)施方式中，所述壁體設(shè)置有氣孔。

15、一種實(shí)施方式中，所述壁體具有吸波材料。

16、一種實(shí)施方式中，所述壁體用于吸收微波并產(chǎn)生熱量，以生成氣溶膠。

17、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠釋放通道的一端為貫穿所述氣溶膠生成基質(zhì)的開放端，所述氣溶膠釋放通道的相對(duì)的另一端為封閉端。

18、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠釋放通道的相對(duì)兩端均為貫穿所述氣溶膠生成基質(zhì)的開放端。

19、本申請另一實(shí)施例提供了一種微波加熱方法，用于上述所述的氣溶膠生成基質(zhì)，所述方法包括：

20、利用微波對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)進(jìn)行加熱，以使所述氣溶膠生成基質(zhì)產(chǎn)生的氣溶膠釋放到所述氣溶膠釋放通道內(nèi)。

21、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠釋放通道的數(shù)量為多個(gè)，所述方法包括：

22、每次對(duì)多個(gè)所述氣溶膠釋放通道中的部分所述氣溶膠釋放通道的所述壁體進(jìn)行加熱。

23、一種實(shí)施方式中，所述氣溶膠釋放通道包括至少一個(gè)第一氣溶膠釋放通道以及多個(gè)第二氣溶膠釋放通道，多個(gè)所述第二氣溶膠釋放通道環(huán)繞在所述第一氣溶膠釋放通道的周側(cè)，所述方法包括：

24、每次對(duì)多個(gè)所述第二氣溶膠釋放通道中的部分所述第二氣溶膠釋放通道的所述壁體進(jìn)行加熱。

25、本申請實(shí)施例提供了一種氣溶膠生成基質(zhì)及微波加熱方法，氣溶膠生成基質(zhì)具有至少一個(gè)氣溶膠釋放通道，且氣溶膠生成基質(zhì)構(gòu)造出氣溶膠釋放通道的壁體的厚度為0.1mm～1.2mm。壁體的厚度設(shè)置在0.1mm～1.2mm的范圍內(nèi)，有利于在加熱過程中快速釋放氣溶膠，在提高氣溶膠提取效率的同時(shí)，也可以保證氣溶膠生成基質(zhì)的碳化率，提升利用率。另外，該厚度范圍也可以使氣溶膠生成基質(zhì)具有足夠的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，不易發(fā)生形變。

技術(shù)特征：

1.一種氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述氣溶膠生成基質(zhì)具有至少一個(gè)氣溶膠釋放通道，且所述氣溶膠生成基質(zhì)構(gòu)造出所述氣溶膠釋放通道的壁體的厚度為0.1mm～1.2mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述壁體的厚度為0.3mm～0.5mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，位于所述氣溶膠生成基質(zhì)不同位置處的所述壁體的厚度差為0～100％；和/或，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，各所述氣溶膠釋放通道的橫截面積為s1，構(gòu)造出對(duì)應(yīng)的所述氣溶膠釋放通道的所述壁體的橫截面積為s2，s1：s2＝1：1～5：1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述壁體包括第一壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述氣溶膠生成基質(zhì)具有多個(gè)所述第一凹槽和多個(gè)所述第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿所述壁體的厚度方向一一相對(duì)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述壁體包括第一壁體和第二壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓以及位于所述氣溶膠生成基質(zhì)內(nèi)部的中空區(qū)域，所述第二壁體設(shè)置在所述中空區(qū)域內(nèi)，以將所述中空區(qū)域分隔成至少兩個(gè)所述氣溶膠釋放通道。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述第二壁體的數(shù)量為多個(gè)，各所述第二壁體的一側(cè)分別與所述第一壁體連接，各所述第二壁體相對(duì)的另一側(cè)相互連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述氣溶膠釋放通道包括至少一個(gè)第一氣溶膠釋放通道以及多個(gè)第二氣溶膠釋放通道，多個(gè)所述第二氣溶膠釋放通道環(huán)繞在所述第一氣溶膠釋放通道的周側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述壁體包括第一壁體、多個(gè)第二壁體、以及呈環(huán)形的第三壁體，所述第一壁體構(gòu)造出所述氣溶膠生成基質(zhì)的外輪廓以及位于所述氣溶膠生成基質(zhì)內(nèi)部的中空區(qū)域；多個(gè)所述第二壁體和所述第三壁體均設(shè)置在所述中空區(qū)域內(nèi)，各所述第二壁體的一側(cè)分別與所述第一壁體連接，各所述第二壁體相對(duì)的另一側(cè)分別與所述第三壁體連接；所述第三壁體內(nèi)構(gòu)造出所述第一氣溶膠釋放通道，所述第一壁體、所述第三壁體與相鄰的兩個(gè)所述第二壁體共同構(gòu)造出所述第二氣溶膠釋放通道。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述壁體設(shè)置有氣孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述壁體具有吸波材料；和/或，

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述氣溶膠釋放通道的一端為貫穿所述氣溶膠生成基質(zhì)的開放端，所述氣溶膠釋放通道相對(duì)的另一端為封閉端；和/或，

14.一種微波加熱方法，用于權(quán)利要求1-13任意一項(xiàng)所述的氣溶膠生成基質(zhì)，其特征在于，所述方法包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微波加熱方法，其特征在于，所述氣溶膠釋放通道的數(shù)量為多個(gè)，所述方法包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微波加熱方法，其特征在于，所述氣溶膠釋放通道包括至少一個(gè)第一氣溶膠釋放通道以及多個(gè)第二氣溶膠釋放通道，多個(gè)所述第二氣溶膠釋放通道環(huán)繞在所述第一氣溶膠釋放通道的周側(cè)，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請實(shí)施例提供一種氣溶膠生成基質(zhì)及微波加熱方法，其中，氣溶膠生成基質(zhì)具有至少一個(gè)氣溶膠釋放通道，且所述氣溶膠生成基質(zhì)構(gòu)造出所述氣溶膠釋放通道的壁體的厚度為0.1mm～1.2mm。本申請實(shí)施例的氣溶膠生成基質(zhì)可以提高氣溶膠提取效率。

技術(shù)研發(fā)人員：李航,李永福,劉詠名,倪軍,杜靖,湯建國
受保護(hù)的技術(shù)使用者：思摩爾國際控股有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2