本申請(qǐng)屬于加熱不燃燒設(shè)備，尤其涉及設(shè)備控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著技術(shù)發(fā)展，氣溶膠生成設(shè)備應(yīng)用逐漸廣泛，氣溶膠生成設(shè)備由內(nèi)置電源、加熱系統(tǒng)、霧化液以及過(guò)濾嘴等組成，在使用時(shí)通過(guò)內(nèi)置電源提供電能，通過(guò)加熱系統(tǒng)對(duì)霧化液進(jìn)行加熱霧化，以產(chǎn)生氣溶膠從而實(shí)現(xiàn)卷煙模仿，當(dāng)用戶抽吸設(shè)備后，設(shè)備需要進(jìn)行溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)持續(xù)供能。

2、在相關(guān)技術(shù)中，在運(yùn)行氣溶膠設(shè)備的過(guò)程中，當(dāng)氣溶膠生成設(shè)備的抽吸次數(shù)達(dá)到指定數(shù)量的情況下，停止對(duì)氣溶膠生成設(shè)備加熱，直至氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行溫度恢復(fù)加熱前溫度后結(jié)束運(yùn)行。

3、然而，由于不同用戶存在抽吸習(xí)慣的不同，因此會(huì)存在即使氣溶膠生成設(shè)備的抽吸次數(shù)達(dá)到指定數(shù)量的情況下，氣溶膠生成基質(zhì)并未完全使用完畢的情況，導(dǎo)致氣溶膠生成設(shè)備的降溫時(shí)機(jī)產(chǎn)生偏差，進(jìn)而使得設(shè)備溫度控制的準(zhǔn)確度降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了設(shè)備控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)在運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備的過(guò)程中，對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座的連接情況進(jìn)行檢測(cè)，確保對(duì)設(shè)備基座進(jìn)行降溫時(shí)氣溶膠生成基質(zhì)已斷開(kāi)連接，提高降溫時(shí)機(jī)控制的準(zhǔn)確度。

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種設(shè)備控制方法，包括：

3、運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備，所述氣溶膠生成設(shè)備中包括氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座，所述氣溶膠生成基質(zhì)通過(guò)連接接口與所述設(shè)備基座連接；

4、在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到第一檢測(cè)結(jié)果，所述第一檢測(cè)結(jié)果用于指示所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

5、在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。

6、可選地，所述連接接口中包括第一檢測(cè)位置，所述第一檢測(cè)位置用于檢測(cè)所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

7、所述對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

8、通過(guò)所述第一檢測(cè)位置向所述連接接口的接口內(nèi)壁發(fā)送檢測(cè)信號(hào)；

9、接收所述檢測(cè)信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)反饋結(jié)果，所述信號(hào)反饋結(jié)果是指所述檢測(cè)信號(hào)在傳輸過(guò)程中從碰撞位置反射回來(lái)的信號(hào)，所述碰撞位置是所述檢測(cè)信號(hào)碰撞后反射的位置；

10、基于所述檢測(cè)信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果。

11、可選地，所述基于所述檢測(cè)信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

12、獲取所述檢測(cè)信號(hào)對(duì)應(yīng)的第一時(shí)刻，所述第一時(shí)刻用于指示發(fā)送所述檢測(cè)信號(hào)時(shí)所對(duì)應(yīng)的時(shí)刻；

13、獲取所述信號(hào)反饋結(jié)果對(duì)應(yīng)的第二時(shí)刻，所述第二時(shí)刻用于指示接收所述信號(hào)反饋結(jié)果對(duì)應(yīng)的時(shí)刻；

14、基于所述第一時(shí)刻和所述第二時(shí)刻之間的時(shí)間差得到所述第一檢測(cè)結(jié)果。

15、可選地，所述在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

16、在所述時(shí)間差大于預(yù)設(shè)時(shí)差閾值的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的所述設(shè)備基座。

17、可選地，所述基于所述檢測(cè)信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

18、獲取所述檢測(cè)信號(hào)對(duì)應(yīng)的第一信號(hào)強(qiáng)度；

19、獲取所述信號(hào)反饋結(jié)果對(duì)應(yīng)的第二信號(hào)強(qiáng)度；

20、基于所述第一信號(hào)強(qiáng)度和所述第二信號(hào)強(qiáng)度之間的信號(hào)差，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果。

21、可選地，所述在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

22、在所述氣溶膠生成基質(zhì)的使用次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)數(shù)量閾值的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果；或者，

23、在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)閾值的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果。

24、可選地，所述在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

25、在所述第一檢測(cè)結(jié)果符合所述連接斷開(kāi)條件的情況下，獲取所述設(shè)備基座對(duì)應(yīng)的第一運(yùn)行溫度；

26、獲取所述第一運(yùn)行溫度和預(yù)先設(shè)置得到的第二運(yùn)行溫度之間的運(yùn)行溫度差，所述第二運(yùn)行溫度是指所述設(shè)備基座通過(guò)降溫處理后對(duì)應(yīng)的運(yùn)行溫度；

27、根據(jù)運(yùn)行溫度差確定所述設(shè)備基座對(duì)應(yīng)的降溫模式，所述降溫模式用于確定所述基座設(shè)備在降溫時(shí)的降溫速度；

28、基于所述降溫模式對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。

29、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種設(shè)備控制裝置，包括：

30、運(yùn)行模塊，用于運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備，所述氣溶膠生成設(shè)備中包括氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座，所述氣溶膠生成基質(zhì)通過(guò)連接接口與所述設(shè)備基座連接；

31、檢測(cè)模塊，用于在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到第一檢測(cè)結(jié)果，所述第一檢測(cè)結(jié)果用于指示所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

32、降溫模塊，用于在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。

33、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括：存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述第一方面中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

34、第四方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)第一方面中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

35、第五方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，當(dāng)計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品在計(jì)算機(jī)設(shè)備上運(yùn)行時(shí)，使得計(jì)算機(jī)設(shè)備執(zhí)行上述第一方面中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

36、可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以參見(jiàn)上述第一方面中的相關(guān)描述，在此不再贅述。

37、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果至少包括：

38、在氣溶膠生成設(shè)備中包括具有連接狀態(tài)氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座的情況下，運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備，在氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座之間的連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，若檢測(cè)得到氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座不連接，表明氣溶膠生成設(shè)備當(dāng)前不再處于可抽吸狀態(tài)，因此可對(duì)設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，保證在設(shè)備基座降溫時(shí)，氣溶膠生成設(shè)備中不再連接有氣溶膠生成基質(zhì)，提高了設(shè)備溫度控制的準(zhǔn)確度，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

技術(shù)特征：

1.一種設(shè)備控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述連接接口中包括第一檢測(cè)位置，所述第一檢測(cè)位置用于檢測(cè)所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述檢測(cè)信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述檢測(cè)信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到第一檢測(cè)結(jié)果，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

8.一種設(shè)備控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：

9.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)設(shè)備包括存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

11.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被運(yùn)行時(shí)，使得如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法被執(zhí)行。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)適用于加熱不燃燒設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供了設(shè)備控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備；在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測(cè)，得到第一檢測(cè)結(jié)果；在第一檢測(cè)結(jié)果符合連接斷開(kāi)條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。保證在設(shè)備基座降溫時(shí)，氣溶膠生成設(shè)備中不再連接有氣溶膠生成基質(zhì)，提高了設(shè)備溫度控制的準(zhǔn)確度，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：王登軍,孫冬平,陳士江
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市基克納科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9