專利名稱：包括有轉(zhuǎn)移到支持器的圖形元件的物體及制造該物體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于如同大型物體的物體，例如，寶石、石頭、手表型物體(例如手表玻 璃、轉(zhuǎn)盤(pán)或殼底)、行動(dòng)電子設(shè)備(例如窗口或屏幕)或任何其它固體媒體，包括圖形元件、 圖形，例如，裝飾、印刷字符、圖畫(huà)或相片，例如，具有微米和/或奈米尺寸。本發(fā)明亦有關(guān)于 制造該物體的方法。本發(fā)明可以應(yīng)用在各種工業(yè)、文化或藝術(shù)領(lǐng)域。對(duì)于手表工業(yè)，手表玻璃或殼底可 以依照本發(fā)明制造，用來(lái)生產(chǎn)非常堅(jiān)固的圖形或非常高視覺(jué)質(zhì)量的半透明裝飾。本發(fā)明亦可以應(yīng)用在寶石的領(lǐng)域，用來(lái)生產(chǎn)包括有裝飾或花紋的具有微米和/或 奈米尺寸的石頭，例如，用來(lái)制造墜子、手環(huán)或耳環(huán)。本發(fā)明亦用來(lái)以小容量(例如小于2mm的厚度，數(shù)cm2的表面積)和具有非常良 好的耐久性(數(shù)千年或數(shù)百萬(wàn)年)地儲(chǔ)存大量的信息。
背景技術(shù)：
要制造具有微米尺寸的裝飾或圖形的物體時(shí)，使用微型技術(shù)的技術(shù)獲得，例如，對(duì) 一個(gè)物體進(jìn)行光刻。然而，制造在物體表面的裝飾的耐久性和機(jī)械堅(jiān)固性很差。用來(lái)保護(hù)被制造在物體上的圖形的方法被記載在文件FR 2 851 496。在該文件 中，首先利用光刻在透明基體上制造圖形。然后，將基體反轉(zhuǎn)和利用粘著結(jié)合或卷曲固定在 所希望的物體上。此種方法具有一些缺點(diǎn)。實(shí)際上用來(lái)將基體固定到物體的粘著劑包含具有有限壽 命的有機(jī)材料。因此，因而產(chǎn)生的物體具有有限壽命。在另外一方面，該粘著劑的光學(xué)性質(zhì) 在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)劣化，使制造在基體上的圖形的易識(shí)性變化。卷曲方法容許基體可以 實(shí)體機(jī)械組合到物體，但是不能保證物體和其圖形具有良好的積體性，因?yàn)樗@得的卷曲 可以被分解而不毀壞該物體，假如希望制造包括有心情圖形的物體時(shí)會(huì)有問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供包括有一個(gè)以上的圖形元件的物體，以及制造該物體的方 法，不會(huì)有前面所述的先前技術(shù)的缺點(diǎn)。為此，本發(fā)明提供一種物體，設(shè)有至少為一個(gè)的圖形元件，包括有依照?qǐng)D形元件 的圖案蝕刻的至少一層，所述層的第一面被定位成面對(duì)至少部分透明的基體的至少一面， 第二面面對(duì)所述層的第一面，所述層的第一面被至少一鈍化層覆蓋，鈍化層利用晶圓結(jié)合 (分子粘著)固定到至少一支持器的至少一面，和與支持器形成單石結(jié)構(gòu)。依照?qǐng)D形元件的圖案蝕刻的所述層可以由至少一金屬組成。另外，依照?qǐng)D形元件 的圖案蝕刻的所述層可以包括至少在第二面，至少一區(qū)域由所述金屬和至少一半導(dǎo)體組 成。因此，具有微米和/或奈米尺寸的圖形元件，以堅(jiān)固、耐久和積體的方式(不使物體降級(jí)就不能拆解)，利用在鈍化層和物體的支持器之間所獲得的晶圓結(jié)合的結(jié)合，制造在 物體上。因此，由圖形元件形成的圖形或花紋在二個(gè)大型固體組件之間被氣密式密封，在 一側(cè)的基體和在另外一側(cè)的支持器，利用晶圓結(jié)合獲得結(jié)合。所述氣密式密封對(duì)濕氣或任 何其它氣體或液體化學(xué)產(chǎn)品(除非所述產(chǎn)品可以毀壞基體或支持器)的擴(kuò)散形成一個(gè)障壁。利用晶圓結(jié)合的結(jié)合，可以從基體和從物體的支持器形成單石和堅(jiān)固結(jié)構(gòu)，其中 包圍圖形元件。基體和支持器之間的粘著力大于材料的內(nèi)聚力。因此，要拆解基體和支持 器會(huì)造成物體的完全毀壞。另外，利用晶圓結(jié)合的結(jié)合，可以使用礦物材料，其光學(xué)性質(zhì)在時(shí)間上成為穩(wěn)定。 因此，所獲得的結(jié)構(gòu)不會(huì)因?yàn)闀r(shí)間使其光學(xué)性質(zhì)(圖形元件的可視度)發(fā)生任何劣化。利用在一側(cè)的基體和在另外一側(cè)的支持器的全體厚度用來(lái)機(jī)械保護(hù)圖形元件。在 圖形元件被毀壞之前，支持器被完全磨掉或壞掉。因此，通過(guò)選擇很硬的材料，例如，使用藍(lán) 寶石作為基體，只能被硅碳化物或鉆石刮傷。所述物體可以制造成與圖形元件的圖案的密度無(wú)關(guān)。當(dāng)圖形元件以金屬層制造時(shí)，圖形或花紋可以以珍貴和非常穩(wěn)定的材料制造，亦 即使用對(duì)腐蝕或長(zhǎng)期劣化不敏感者。通過(guò)使所述區(qū)域由金屬和形成在包括圖形元件的層的半導(dǎo)體組成，可以獲得在包 括圖形元件的層上的鈍化層的非常良好的粘著性，利用所述粘著性可以防止物體的任何劣 化，例如，在形成物體的層的后序切割(切出晶圓)時(shí)的劣化?；w可以由至少一非晶形或結(jié)晶材料和/或鈍化層組成，鈍化層可以由至少一礦 物材料組成。所述物體可以更包括粘著層，被定位在形成有圖形元件的層的第一面和基體的面 之間。在此種情況，亦可以在粘著層蝕刻圖形元件。粘著層可以由至少一金屬和/或一金屬的氮化物和/或一金屬的氧化物組成。所述物體可以更包括至少為一層的粘著層，被定位在支持器的面和鈍化層之間； 晶圓結(jié)合可以形成在粘著層和鈍化層之間。利用在晶圓結(jié)合之前迭層在支持器上的粘著層，支持器可以具有任何性質(zhì)或由任 何材料組成。所述材料可以與能夠增強(qiáng)晶圓結(jié)合的退火兼容。所述物體可以為，例如，寶石、手表或電子裝置。所述層的所述區(qū)域可以由硅化物組成。本發(fā)明亦有關(guān)于一種制造設(shè)有至少一圖形元件的物體的方法，至少包括的步驟 有(a)將由至少一金屬組成的至少一層，迭層在至少部分透明的基體的至少一面 上；(b)依照?qǐng)D形元件的圖案蝕刻所述層；(c)將至少一鈍化層至少迭層在 括蝕刻圖形元件的所述層上，和迭層在未被包 括蝕刻圖形元件的層覆蓋的基體的面的部分上；和
(d)利用晶圓結(jié)合將鈍化層固定在至少一支持器的至少一面，用來(lái)形成單石結(jié)構(gòu)。本發(fā)明亦有關(guān)于一種制造設(shè)有至少一圖形元件的物體的方法，至少包括的步驟 有(a)將由至少一金屬組成的至少一層，迭層在至少部分透明的基體的至少一面 上；(b)依照?qǐng)D形元件的圖案蝕刻所述層；(C)至少在與位于所述基體側(cè)上的所述層的第一面面對(duì)的所述層的第二面，形成 所述層，使至少一區(qū)域由所述金屬和至少一半導(dǎo)體組成；(d)將至少一鈍化層迭層在包括蝕刻有圖形元件的所述層上，和迭層在未被包括 蝕刻有圖形元件的所述層覆蓋的基體的面的部分上；和(e)利用晶圓結(jié)合將鈍化層固定在至少一支持器的至少一面，用來(lái)形成單石結(jié)構(gòu)。所述方法亦可以在迭層所述層的步驟(a)之前，更包括一步驟用來(lái)將粘著層迭層 在基體的面上，然后當(dāng)步驟(a)時(shí)將所述層迭層在粘著層上。當(dāng)步驟(b)時(shí)亦在粘著層蝕刻圖形元件。所述方法亦可以在用來(lái)迭層鈍化層的步驟(d)和用來(lái)固定的固定步驟(e)之間， 更包括一步驟用來(lái)在被包含在大約4oo°c和iioo°c之間的溫度，進(jìn)行退火，使基體包括鈍化層。所述方法亦可以在用來(lái)迭層鈍化層的步驟(d)和用來(lái)固定的固定步驟(e)之間， 更包括一步驟用來(lái)使鈍化層平面化。用來(lái)蝕刻圖形元件的步驟(b)的獲得可以經(jīng)由對(duì)所述層和/或?qū)Ρ欢ㄎ辉诨w的 面和所述層之間的粘著層施加屏蔽、光刻和蝕刻，或至少一激光蝕刻步驟直接對(duì)所述層和/ 或?qū)Ρ欢ㄎ辉诨w的面和所述層之間的粘著層施加。所述方法亦可以在用來(lái)固定的固定步驟(e)之前更包括一步驟用來(lái)將至少一層 的粘著層迭層在支持器的至少一面上，用來(lái)固定的固定步驟(e)的獲得是經(jīng)由利用所述粘 著層和鈍化層之間的晶圓結(jié)合施加結(jié)合。所述方法亦可以在用來(lái)迭層粘著層的步驟和用來(lái)固定的固定步驟(e)之間，更包 括一步驟用來(lái)使粘著層平面化。所述方法亦可以在用來(lái)迭層粘著層的步驟和固定步驟(e)之間，更包括一步驟用 來(lái)在被包含在大約4oo°c和iioo°c之間的溫度，進(jìn)行退火，使支持器包括粘著層。所述方法亦可以在用來(lái)固定的固定步驟(e)之后，更包括一步驟用來(lái)進(jìn)行熱處 理，使物體退火，用來(lái)加強(qiáng)晶圓結(jié)合。用來(lái)形成由所述金屬和半導(dǎo)體組成的區(qū)域的步驟(C)的獲得是通過(guò)施加用以使 所述層硅化(硅化物化)的步驟。


通過(guò)閱讀參照附圖的只純表示而不作限制用的實(shí)施例的說(shuō)明，當(dāng)可對(duì)本發(fā)明更加 明白。圖1A-1H表示依照特別實(shí)施例的制造物體的方法的步驟，和本發(fā)明的物體。以下所述的各圖的相同、相似和同等的部分以相同的元件符號(hào)表示，用來(lái)易于從一個(gè)圖換到另外一個(gè)圖。在圖中所示的不同部分，為著使所述圖更加易識(shí)，不需要依照相同的比例尺。不同的可能性(變化)宜被了解，所述可能性(變化)不互相排斥而是可以組合
在一起。
具體實(shí)施例方式下面聯(lián)合圖1A-1H用來(lái)說(shuō)明制造物體100的方法的實(shí)例，所述物體100包括轉(zhuǎn)移 到支持器20上的圖形元件，所述物體例如成為寶石、手表、或電子設(shè)備的大型物體。如圖IA所示，首先在基體2的一平面上迭層粘著層4，基體2為透明或至少部分透 明的基體，由非晶形材料(例如，玻璃)或結(jié)晶材料(藍(lán)寶石或鉆石)組成，在粘著層4上 迭層層6?；w2的厚度，例如，等于數(shù)百微米或被包含在大約IOOym和Imm之間的厚度。 支持器20的厚度(如圖1F-1H所示)可以大于或等于基體2的厚度。層4和6的獲得，例如，可以通過(guò)進(jìn)行PVD型的迭層(蒸著或?yàn)R散)。在此處所述 的實(shí)施例中，層6由金屬組成，例如金、白金、鎢、鈦、金屬氧化物等組成。層6的材料可以使 用對(duì)光不透明者。所述層6的厚度，例如，被包含在大約50nm和IOOnm之間。層6的厚度 可以依照形成層6的材料的性質(zhì)選擇，所選擇的厚度要足以獲得層6的某些不透明。因此，所制造的圖形元件希望被蝕刻在層6，和所述圖形元件可以經(jīng)由物體100上 的基體2看到。層6的材料的不透明容許在層6制造的圖形元件可以顯著看到。粘著層4， 例如，由鈦、氮化鈦、氧化鈦、或任何其它材料組成，在層6和基體2之間可以獲得良好的粘 著。粘著層4的性質(zhì)可以依照基體2和層6的性質(zhì)選擇。粘著層4的厚度，例如，被包含在 大約Inm和IOnm之間。在另一實(shí)施例中，層6可以直接迭層在基體2上，在層6和基體2之間不需要任何 中間的粘著層4。然后，在層6上形成屏蔽8使其圖案對(duì)應(yīng)到要被制作的圖形元件(圖1B)。對(duì)于此 點(diǎn)，在層6上，例如，迭層光敏樹(shù)脂層。然后，進(jìn)行一個(gè)以上的光刻或蝕刻步驟用來(lái)形成屏蔽 8。在此處所述的實(shí)施例中，屏蔽8由迭層在層6上的光敏樹(shù)脂層的其余部分形成。光敏樹(shù) 脂層直接用來(lái)形成蝕刻屏蔽8。在此處所述的實(shí)施例中，光敏樹(shù)脂為正，圖形元件的圖案由 屏蔽8的一些部分形成。然而，亦可以使用負(fù)的光敏樹(shù)脂。如圖IC所示，然后通過(guò)各向同性或各向異性或化學(xué)路徑(電漿模態(tài)，反應(yīng)離子蝕 刻或離子機(jī)械加工)對(duì)層6以及粘著層4蝕刻。然后除去蝕刻屏蔽8。將圖形元件的圖案 轉(zhuǎn)移到層6，然后由層6的其余部分6'和6"形成，以及由粘著層4的其余部分4'和4" 形成。在另一實(shí)施例中，屏蔽8亦可以形成在例如礦物型(例如由二氧化硅組成)的層， 迭層在層6上，然后在其上迭層光敏樹(shù)脂層。然后對(duì)樹(shù)脂層光刻或蝕刻用來(lái)形成圖形元件 的圖案。然后利用蝕刻將所述圖案轉(zhuǎn)移到礦物層。最后，利用蝕刻除去樹(shù)脂層的其余部分。 屏蔽8在此處的情況由礦物層的其余部分形成。此種方式可以用來(lái)制造對(duì)某些蝕刻劑(用 來(lái)蝕刻層6和/或粘著層4，可能對(duì)由樹(shù)脂組成的屏蔽造成損害(例如王水))具有抗蝕的 蝕刻屏蔽抗蝕劑。依照要被蝕刻的材料(層6和粘著層4的材料)進(jìn)行屏蔽的任一實(shí)施例 的選擇。
在上述方法的另一實(shí)施例中，可以不使用蝕刻屏蔽。在此種情況，圖形元件的圖案 直接制造在層6，假如有粘著層4存在于層6和基體2之間，可以選擇制造在粘著層4，例如 使用可以以飛秒(femtosecond)激光進(jìn)行的激光蝕刻。其次，在被蝕刻的層6的其余部分(圖IC的部分6'和6")形成由層6和半導(dǎo) 體的金屬組成的區(qū)域10。對(duì)于此點(diǎn)，例如，進(jìn)行被蝕刻的層6的部分6'和6"的硅化。所 述硅化的獲得是通過(guò)在受控制的大氣下，在被包含在，例如，200°C至450°C之間的溫度，最 好等于大致300°C的溫度，進(jìn)行硅烷(SiH4或更通常的SinH2n+2型的任何氣體)的分解。使 因而分解的氣體與層6的金屬作用，用來(lái)形成區(qū)域10。例如，當(dāng)層6由Pt組成時(shí)，在硅化后 獲得的區(qū)域10變成由PtSi組成。亦有可能使區(qū)域10由硅以外的半導(dǎo)體組成。所述區(qū)域 10，例如，可以制造成使其厚度被包含在大約Inm和50nm之間，或假如金屬層6的厚度大于 50nm時(shí)，使其厚度被包含在大約Inm和層6的全體厚度之間。在圖ID中，然后例如利用CVD(化學(xué)蒸著)或PVD，迭層鈍化層12。所述鈍化層12， 例如，由如同二氧化硅或氮化硅的礦物材料組成。所述鈍化層12的材料的選擇用來(lái)在后續(xù) 能夠獲得與支持器20的晶圓結(jié)合。所述鈍化層12亦用來(lái)保證由層6的其余部分6'、6" 形成的圖案的保護(hù)。在另一實(shí)施例中亦可以首先獲得將抗反射層和/或其它層迭層在層6的其余部分 6'、6"上，和迭層在包括所述其余部分6'、6"的基體2上，然后將鈍化層12迭層在所述 抗反射層和/或其它層上。通過(guò)在層6的其余部分6'、6"的表面設(shè)置區(qū)域10，可以改良在所述部分6'和 6"上的鈍化層12的粘著性。區(qū)域10的形成最好，例如，由一個(gè)硅化步驟獲得，可以使用用 以獲得鈍化層12的迭層的設(shè)備制造，在用以制造區(qū)域10的步驟和迭層鈍化層12的步驟之 間不需要任何其它的步驟，因此，區(qū)域10不會(huì)曝露到外部環(huán)境，因而可以保持區(qū)域10對(duì)鈍 化層12的粘著性。然后，例如利用機(jī)械化學(xué)磨光步驟，使鈍化層12平面化，藉以能夠除去由層6的其 余部分6'、6"和粘著層4'、4"的其余部分對(duì)基體2的表面所形成的間隙，在所述基體2 上制造層6的其余部分6'、6"和粘著層4的其余部分4'、4"。因而形成的薄鈍化層12' 具有平坦表面，位于其余部分6'、6"上(圖1E)。薄鈍化層12'所具有的厚度，例如，可以 被包含在大約IOOnm和1 μ m之間。組合件14因而獲得，在此處其形成是利用基體、層6的其余部分6'、6"、粘著層 4的其余部分4'、4"和薄鈍化層12'，包括希望轉(zhuǎn)移到物體100的支持器20上的圖形元 件的圖案。亦可以使組合件14接受穩(wěn)定化退火，例如，在被包含于大約400°C和1100°C之間 的溫度進(jìn)行，當(dāng)獲得晶圓結(jié)合然后在進(jìn)行所述的制造方法時(shí)，用來(lái)避免由于存在于組合件 14中的氧化物造成的除氣，因此，可以加強(qiáng)晶圓結(jié)合。與組合件14的制造并行地，可以準(zhǔn)備支持器20用來(lái)接受組合件14的轉(zhuǎn)移。對(duì)于此點(diǎn)，如圖IF所示，迭層粘著層22，例如，利用CVD或PVD型的迭層，迭層在支 持器20的面上用來(lái)接受組合件14。所述粘著層22可以由礦物材料組成，例如，二氧化硅 或氮化硅和/或性質(zhì)與鈍化層12相似者。粘著層22的材料選擇能夠在后續(xù)獲得與組合件 14晶圓結(jié)合者，尤指能與薄鈍化層12'結(jié)合者。亦可以以粘著層22的材料覆蓋支持器20的其它面，當(dāng)所述方法的后續(xù)步驟時(shí)用來(lái)獲得支持器20的機(jī)械保護(hù)。亦可以使支持器20和粘著層22接受穩(wěn)定化退火，例如，在被包含于大約40(TC和 1100°C之間的溫度進(jìn)行，當(dāng)獲得晶圓結(jié)合然后在進(jìn)行所述的制造方法時(shí)，例如當(dāng)粘著層22 由二氧化硅組成時(shí)，用來(lái)避免除氣，因此，可以加強(qiáng)晶圓結(jié)合。然后進(jìn)行粘著層22的表面處理，例如進(jìn)行粘著層22的表面22'的機(jī)械化學(xué)磨光， 用來(lái)除去可能再度出現(xiàn)在粘著層22的面22'的支持器20的粗度(圖1G)。藉以獲得平坦 面 22'。最后，如圖IH所示，組合件14或組合件14的部分，包括圖形元件，利用晶圓結(jié)合 轉(zhuǎn)移到支持器20上，而不需要供給任何材料。在此處所述的實(shí)施例中，在粘著層22和薄鈍 化層12'之間獲得晶圓結(jié)合，所述粘著層22和薄鈍化層12'由相同的材料組成。當(dāng)支持 器20的組成材料利用與薄鈍化層12'的晶圓結(jié)合可以獲得粘著性時(shí)，則粘著層22可以省 略。由晶圓結(jié)合所結(jié)合的表面的粗度可以小于大約Inm或0.5nm。然后，進(jìn)行物體(支持器+轉(zhuǎn)移組合件)的熱處理的步驟，用來(lái)加強(qiáng)所獲得的晶圓 結(jié)合。所述熱處理可以在被包含在大約250°C和1200°C之間的溫度，進(jìn)行退火。所述退火 最好在大于850°C的溫度進(jìn)行，用來(lái)在層12和22 (至少與大塊材料同等)之間獲得最佳的 堅(jiān)固性。因而獲得的物體100，包括由部分4'、4"、6'、6"形成的圖形元件，可以經(jīng)由基 體2和/或支持器20看到，和被隱含在因而形成的單石結(jié)構(gòu)。
9
權(quán)利要求
一種物體(100)，設(shè)有至少為一個(gè)的圖形元件，其特征在于，其包括至少由一金屬組成的至少一層(6、6′、6″)，依照?qǐng)D形元件的圖案被蝕刻，所述層的(6、6′、6″)的第一面被定位成面對(duì)至少部分透明的基體(2)的至少一面，第二面面對(duì)被至少一鈍化層(2、12′)覆蓋的所述層(6、6′、6″)的第一面，鈍化層(12、12′)利用晶圓結(jié)合固定到至少一支持器(20)的至少一面，和與支持器(20)形成單石結(jié)構(gòu)，所述層(6、6′、6″)包括至少在第二面，使至少一區(qū)域(10)由所述金屬和至少一半導(dǎo)體組成。
2.如權(quán)利要求1所述的物體(100)，其特征在于，基體(2)由至少一非晶形或結(jié)晶材料和/或鈍化層(12、12')組成，鈍化層(12、12') 由至少一礦物材料組成。
3.如上述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的物體(100)，其特征在于，更包括粘著層(4、4'、4")被定位在形成有圖形元件的層(6、6'、6")的第一面和 基體⑵的面之間。
4.如權(quán)利要求3所述的物體(100)，其特征在于，亦在粘著層(4、4'、4")蝕刻圖形元件。
5.如權(quán)利要求3或4的任一項(xiàng)所述的物體(100)，其特征在于，粘著層(4、4'、4")由至少一金屬和/或一金屬的氮化物和/或一金屬的氧化物組成。
6.如上述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的物體(100)，其特征在于，更包括至少為一層的粘著層(22)，被定位在支持器(20)的面和鈍化層(12、12')之 間，晶圓結(jié)合形成在粘著層(22)和鈍化層(12、12')之間。
7.如上述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的物體(100)，其特征在于，所述物體(100)為寶石、手表或電子裝置。
8.如上述權(quán)利要求的任一項(xiàng)所述的物體(100)，其特征在于，層(6、6'、6〃 )的所述區(qū)域(10)由硅化物組成。
9.一種制造設(shè)有至少一圖形元件的物體(100)的方法，至少包括的步驟有(a)將由至少一金屬組成的至少一層(6、6'、6")，迭層在至少部分透明的基體(2)的 至少一面上；(b)依照?qǐng)D形元件的圖案蝕刻所述層(6、6'、6")；(c)至少在與位于所述基體(2)側(cè)上的所述層(6、6'、6")的第一面面對(duì)的所述層 (6,6'、6")的第二面，形成所述層(6、6'、6")，使至少一區(qū)域(10)由所述金屬和至少 一半導(dǎo)體組成；(d)將至少一鈍化層(12、12')迭層在包括蝕刻有圖形元件的所述層(6、6'、6") 上，和迭層在未被包括蝕刻有圖形元件的所述層(6、6'、6")覆蓋的基體(2)的面的部分 上；和(e)利用晶圓結(jié)合將鈍化層(12、12')固定在至少一支持器(20)的至少一面。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在迭層層(6、6'、6")的步驟(a)之前，包括一步驟用來(lái)將粘著層(4、4'、4")迭層 在基體(2)的面上，然后當(dāng)步驟(a)時(shí)將所述層(6、6'、6")迭層在粘著層(4、4'、4")
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，當(dāng)步驟(b)時(shí)亦在粘著層(4、4'、4")蝕刻圖形元件。
12.如權(quán)利要求9至11的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在用來(lái)迭層鈍化層(12、12')的步驟(d)和固定步驟(e)之間，更包括一步驟用來(lái)在 被包含在大約400°C和1100°C之間的溫度，進(jìn)行退火，使基體(2)包括鈍化層(12、12')。
13.如權(quán)利要求9至12的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在用來(lái)迭層鈍化層(12、12')的步驟(d)和固定步驟(e)之間，更包括一步驟用來(lái)使 鈍化層(12、12')平面化。
14.如權(quán)利要求9至13的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，用來(lái)蝕刻圖形元件的步驟(b)的獲得是經(jīng)由對(duì)所述層(6、6'、6")和/或?qū)Ρ欢ㄎ辉?基體(2)的面和所述層(6、6'、6")之間的粘著層(4、4'、4")施加屏蔽、光刻和蝕刻， 或至少一激光蝕刻步驟直接對(duì)所述層(6、6'、6")和/或?qū)Ρ欢ㄎ辉诨w(2)的面和所述 層(6、6'、6〃 )之間的粘著層(4、4'、4〃 )施加。
15.如權(quán)利要求9至14的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在固定步驟(e)之前更包括一步驟用來(lái)將至少一層的粘著層(22)迭層在支持器(20) 的至少一面上，固定步驟(e)的獲得是通過(guò)利用所述粘著層(22)和鈍化層(12、12')之間 的晶圓結(jié)合施加結(jié)合。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，在用來(lái)迭層粘著層(22)的步驟和固定步驟(e)之間，更包括一步驟用來(lái)使粘著層(22) 平面化。
17.如權(quán)利要求15或16的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在用來(lái)迭層粘著層(22)的步驟和固定步驟(e)之間，更包括一步驟用來(lái)在被包含在大 約400°C和1100°C之間的溫度，進(jìn)行退火，使支持器(20)包括粘著層(22)。
18.如權(quán)利要求9至17的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在固定步驟(e)之后，更包括一步驟用來(lái)進(jìn)行熱處理，使物體(100)退火，用來(lái)加強(qiáng)晶 圓結(jié)合。
19.如權(quán)利要求9至18的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，用來(lái)形成由所述金屬和半導(dǎo)體組成的區(qū)域(10)的步驟(C)的獲得是通過(guò)施加用以使 所述層(6、6'、6〃 )硅化的步驟。
全文摘要
一種物體(100)，設(shè)有至少為一個(gè)的圖形元件，包括至少由一金屬組成的至少一層(6′、6″)，依照?qǐng)D形元件的圖案被蝕刻，所述層的第一面被定位成面對(duì)至少部分透明的基體(2))的至少一面，第二面面對(duì)被至少一鈍化層(12′)覆蓋的所述層的第一面，鈍化層(12′)利用晶圓結(jié)合固定到至少一支持器(20)的至少一面，和與支持器形成單石結(jié)構(gòu)，所述層包括至少在第二面，使至少一區(qū)域(10)由所述金屬和至少一半導(dǎo)體組成。
文檔編號(hào)A44C17/00GK101951802SQ200980103406
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者克里斯汀·帝谷, 勞倫特·凡德倫, 艾倫馬塞爾·壘 申請(qǐng)人:法國(guó)原子能與替代能委員會(huì)