專利名稱：口腔衛(wèi)生組合物的制作方法
口腔衛(wèi)生組合物 發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及含硅的口腔衛(wèi)生組合物。本發(fā)明也涉及使用這些組 合物的治療方法和它們的制備方法。
背景技術(shù)：
熟知口腔衛(wèi)生組合物適合用作潔齒劑組合物例如牙膏和漱口 劑。為了控制牙齒的機(jī)械清潔和拋光，現(xiàn)代潔齒劑常包含磨料，和 任選許多其它的普通成分，包4舌濕潤(rùn)劑、粘合劑、調(diào)味劑、著色劑、 治療成分或活性成分，例如氟化物源、流變控制劑、防腐劑和發(fā)泡 劑或清潔劑。
在這樣的潔牙制劑中磨料的主要作用是幫助從牙齒表面去除各 種沉淀物，包括薄膜。薄膜緊密地粘附到牙齒，常包含有色物，造 成不美觀。
有效的潔牙制劑應(yīng)該尋求最多地去除各種沉淀物，包括薄膜。 優(yōu)選磨料用于這樣的制劑中，以便不損害齒齦，也不通過(guò)磨損硬牙 組織或去除硬牙組織的礦物質(zhì)而損害牙齒的硬組織。在牙膏中的磨 料例如二氧化硅、磷酸鈣、氧化鋁或其它的固體顆粒，機(jī)械地從牙 齒去除沉淀物和薄膜，從而導(dǎo)致牙膏的磨損性。
繼續(xù)需要用于潔牙制劑例如牙膏的替代磨料，該磨料提供必需 的清潔要求，包括去除薄膜和/或抑制牙垢，以及具有可接受的或改 善的磨損性水平。至今已經(jīng)證明要達(dá)到這個(gè)平衡具有挑戰(zhàn)性。
本發(fā)明基于發(fā)現(xiàn)硅，特別是多孔硅可被用作口腔衛(wèi)生組合物中 的研磨劑，該口腔衛(wèi)生組合物包括適合用作潔齒劑組合物的那些組 合物。
發(fā)明概述
在本發(fā)明的第 一方面，提供含微粒硅研磨劑的口腔衛(wèi)生組合物， 例如潔齒劑組合物。
任選硅研磨劑可負(fù)載一種或多種向牙齒和/或其它口腔表面控釋 的活性劑和/或非活性劑。
依照本發(fā)明的另 一方面，4是供依照本發(fā)明第 一方面的所迷口腔 衛(wèi)生組合物的制備方法，該方法包括將所述微粒硅研磨劑和口腔衛(wèi) 生組合物的其它組分共混。
依照本發(fā)明的另 一 方面，，提供減少染色和/或牙菌斑和/或齒齦炎 的方法，該方法包括將安全和有效量的依照本發(fā)明第 一方面的組合 物施用至牙齒和其它口腔表面。
依照本發(fā)明的另 一方面，4是供依照本發(fā)明第 一 方面的組合物在 制備藥用口腔衛(wèi)生組合物例如潔齒劑組合物中的用途，該藥用口腔
衛(wèi)生組合物用于減少牙菌斑和/或減少或抑制齒齦炎。
依照本發(fā)明的另一方面，提供減少染色的化妝方法，該方法包 括將安全和有效量的依照本發(fā)明第一方面的組合物施用至牙齒和其 它口腔表面。
依照本發(fā)明的另 一方面，提供依照本發(fā)明第 一方面的組合物， 該組合物用于治療和/或預(yù)防牙菌斑和/或齒齦炎。
發(fā)明詳述
絲
當(dāng)用于本文時(shí)，除非另作i兌明，術(shù)語(yǔ)"硅"是指元素硅。元素硅通 常被描述為黑灰色。為免除疑問(wèn)，和除非另作說(shuō)明，元素硅不包括 含硅的化合物如二氧化硅、硅酸鹽或聚硅氧烷，盡管元素硅可與這 些材料組合使用。
特別是，適用于本發(fā)明的硅研磨劑可選自非晶硅、單晶硅和多
晶硅(包括納米結(jié)晶硅，其粒度通常為1至1 OOnm)和包括它們的組合。
優(yōu)選可被稱為"pSi"的多孔硅，和適用于本發(fā)明的任何上述類型的硅 可多孔化。例如使用染色蝕刻方法可將硅表面多孔化，或例如使用 陽(yáng)極化技術(shù)將硅更充分地多孔化。
最優(yōu)選，硅是可吸收性的。所述硅可作為研磨劑和/或用于活性 劑和/或非活性劑的控釋而存在。硅研磨劑可包含生物活性硅。
硅研磨劑的純度可為約95-99.99999%,例如約96-99.9%。優(yōu)選所 謂的冶金級(jí)硅，該冶金級(jí)硅的純度通常為約98-99.5%。
例如在PCT/GB96/01863中描述了半導(dǎo)體硅在生物應(yīng)用中的用 途，該專利的內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中。如其中所描述， 通過(guò)在氫氟酸基溶液中部分電化學(xué)解離可使塊晶硅多孔，如美國(guó)專 利5,348，618所描述，該專利的內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中。 該蝕刻方法產(chǎn)生的硅結(jié)構(gòu)保留結(jié)晶度和初始?jí)K料的結(jié)晶方向。因此， 所形成的多孔硅為結(jié)晶硅形式。廣泛地講，該方法涉及陽(yáng)極化，例 如電化學(xué)電池中的重硼摻雜的CZ硅晶片，該電化學(xué)電池包含含10% 氫氟酸乙醇溶液的電解質(zhì)。在強(qiáng)度為約50mA cm^的陽(yáng)極化電流通過(guò) 之后，產(chǎn)生多孔硅層，通過(guò)短時(shí)間內(nèi)增加電流強(qiáng)度可將該多孔硅層 與晶片分開。該效應(yīng)為在多孔區(qū)和塊晶區(qū)之間的界面上將硅溶解。 PCT/GB02/03493和其中的參考文獻(xiàn)也描述了制備硅顆粒的方法，所 述方法適合制備用于本發(fā)明的硅，PCT/GB02/03493和其參考文獻(xiàn)的 內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中。
在多孔硅形成之后，可將多孔硅干燥。例如，可將多孔硅進(jìn)行 超臨界干燥，如Canham在Nature,第368巻，笫133-135頁(yè)，(1994年)
中所描述。另外，可使用表面張力比水低的液體如乙醇或戊烷將多 孔硅凍干或風(fēng)干，如Bellet和Canham在Adv. Mater, 10，第487-490頁(yè)， (1998年)中所描述。
為了產(chǎn)生適用于口腔衛(wèi)生組合物的微粒形式的硅，可使硅經(jīng)過(guò) 粉碎。例如，可通過(guò)碾磨減少粒度，如Kerkar等，J. Am. Cemm. Soc， 第73巻，第2879-2885頁(yè)，(1990年)所描述。PCT/GB01/03633描述了
制備微粒硅的其它方法，其中^P圭經(jīng)過(guò)離心方法，或通過(guò)研磨硅粉末 制備硅顆粒，該專利的內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中?？稍诮Y(jié) 晶硅晶片之間研磨多孔硅粉末。因?yàn)槎嗫坠璧挠捕缺葔K晶硅低，和 結(jié)晶硅晶片具有超純的、超光滑的表面，所以硅晶片/多孔硅粉末/硅 晶片夾層是從例如通過(guò)陽(yáng)極化得到的大得多的多孔硅顆粒中，荻得
例如I-IO ium粒度的便利方法。
4吏用Malvern Instruments的Mastersizer型Malven4立度分才斤4義，來(lái) 測(cè)定硅顆粒的平均粒度(d5(Aim)。穿過(guò)透明元件(cell)發(fā)射氦氖氣體激 光光束，該元件包含懸浮在水溶液中的硅顆粒。撞到顆粒的光線以 與粒度成反比的角度散射。光電探測(cè)器陣列在幾個(gè)預(yù)定角度測(cè)量光 的量。電信號(hào)與測(cè)量到的光通量值成比例，然后，對(duì)照由樣品和水 性分散體的折射率所定義的理論顆粒預(yù)測(cè)的散射圖，通過(guò)微型計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)處理電信號(hào)，以測(cè)定硅的粒度分布。
優(yōu)選微粒硅研磨劑的平均粗度，以使?jié)嶟X劑組合物的磨料和清 潔特征平衡盡可能合理地有效，而不引起牙齒和/或齒齦的損害。通 常dso處于l至100 pm范圍內(nèi)，優(yōu)選處于10至50 pm范圍內(nèi)。例如，d50 為約30 |Lim。
當(dāng)硅研磨劑包含多孔硅時(shí)，例如為了改善口腔衛(wèi)生組合物中的 多孔硅的穩(wěn)定性，多孔硅的表面可適當(dāng)改性。特別是，可將多孔硅 的表面改性以使硅在堿性條件下更穩(wěn)定。多孔硅的表面可包括由多 孔硅的孔形成的外表面和/或內(nèi)表面。因此可將多孔硅的表面改性以 提供硅烷表面；硅氧化物表面，其中通?？蓪⒍嗫坠杳枋鰹楸徊?分氧化；或可具有Si-0-C鍵和/或Si-C鍵的衍生化表面。
例如可通過(guò)染色蝕刻方法或陽(yáng)極化方法，使用氫氟酸基溶液產(chǎn) 生硅烷表面?？赏ㄟ^(guò)使硅顆粒經(jīng)過(guò)化學(xué)氧化、光化學(xué)氧化或熱氧化 產(chǎn)生硅氧化物表面，例如在Properties of Porous Silicon (多孔硅的特性) (L.T. Canham編著，IEE 1997年)的5.3章中所描迷。PCT/GB02/03731 描述了多孔硅如何以多孔硅樣品保留 一些未氧化狀態(tài)的多孔硅這樣
的方式被部分氧化，該專利的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合到本文中。例
如，PCT/GB02/03731描述了如何在20。/() HF乙醇溶液中陽(yáng)極化之后， 在50(TC時(shí)，在空氣中通過(guò)熱處理將陽(yáng)極化的樣品部分氧化以產(chǎn)生部 分氧化的多孔硅樣品。
在部分氧化之后，可將硅顆粒部分氧化，以具有相當(dāng)于在約單 層氧和厚度小于或等于約4.5nm的總氧化物之間，覆蓋整個(gè)硅骨架的 氧化物含量。多孔硅的氧與硅原子比在約0.04和2.0之間，和優(yōu)選在0.60 和1.5之間。氧化可發(fā)生在硅的孔內(nèi)和/或外表面上。
衍生化多孔硅是至少在部分表面上具有共價(jià)鍵合單層的多孔 硅。所述單層通常包含一種或多種有機(jī)基團(tuán)，該有機(jī)基團(tuán)通過(guò)氫硅 烷化結(jié)合到多孔硅的至少部分表面。在PCT/GB00/01450中描述了衍 生化多孔硅，該專利的內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中。 PCT/GB00/01450描述了在Lewis酸存在時(shí)，使用例如氬硅烷化的方法 使硅表面衍生化。在那種情況下，為了阻礙在表面的硅原子氧化進(jìn) 行衍生化，因此使硅穩(wěn)定化。制備衍生化多孔硅的方法為技術(shù)人員 已知，和例如由J. H. Song和M.J. Sailor在Inorg. Chem.，第21巻，第l-3期，第69-84頁(yè)，1999年(Chemical Modification of Crystalline Porous Silicon Surfaces (結(jié)晶多孔硅表面的化學(xué)改性》描述。當(dāng)需要增加硅的 疏水性，因此降低它的潤(rùn)濕性時(shí)，可期望硅的衍生化。用一種或多 種炔烴基團(tuán)改性優(yōu)選的衍生化表面。用乙炔氣處理可荻得炔烴衍生 化的硅，如J. Salonen等，在Phys Stat. Solidi (a), 182,第123-126頁(yè)， (2000年)"熱碳化多孔珪表面的研究"和S.T. Lakshmikumar等，在Curr. Appl. Phys. 3,第185-189頁(yè)(20O3年)中"通過(guò)乙炔低溫光催化反應(yīng)使多 孔硅表面穩(wěn)定化"所描述。
依照多孔硅的孔隙率性質(zhì)可將多孔硅細(xì)分。微孔硅包含直徑'J、 于2nm的孔；中孔硅包含直徑為2至50nm的孔；和大孔硅包含直徑大 于50nm的孔。依照本發(fā)明的硅研磨劑可包含微孔的或中孔的多孔硅。
獲得期望硬度的硅研磨劑的 一種便利方法是控制硅的孔隙率。熟知控制多孔硅孔隙率的方法。微孔硅和中孔硅可用于本發(fā)明的口 腔衛(wèi)生組合物。選擇使用哪種多孔硅，在某種程度上取決于是否期 望使用多孔硅作為活性劑或非活性劑的控釋載體。通常依照本發(fā)明
的多孔硅研磨劑的BET表面積可為100至700m2/g ,例如200至 500m2/g。通過(guò)BET氮吸附方法測(cè)定BET表面積，如Bmnauer等，J. Am. Chem. Soc, 60, 309, 1938年所描述。使用加速的表面積和孔隙率測(cè)定 分析儀(ASAP 2400)(可得自Micromeritics Instrument7〉司，Norcross, 喬治亞30093)進(jìn)行BET測(cè)量。在測(cè)量之前，在35(TC時(shí)將樣品在真空 下脫氣最少2小時(shí)。 一般孔隙率為至少約30%體積，例如至少約40% 體積，例如至少約50%體積，例如至少約70%體積，例如至少約75% 體積，例如約80%體積，和高達(dá)約85%體積或90%體積。對(duì)于主要用 作磨料，孔隙率通常為約30-70°/。體積，優(yōu)選約50-70%體積。也可以 共混一部分具有不同孔隙率范圍的多孔硅。例如，為了提供組合物， 該組合物除提供可接受的磨料特性之外也控制調(diào)味劑的釋放速率， 那么一部分多孔硅顆?？删哂酗@著不同的孔隙率。例如，在需要調(diào) 味劑初始突釋的情況下，那么顯著比例的硅顆粒的孔隙率可最好為 至少約75%體積，例如至少約80%體積，和高達(dá)約85%體積或90%體 積。通常較高孔隙率的硅的比例將處于約5-60%體積的范圍內(nèi)。
用于本發(fā)明的硅的Mohs硬度通常等于或大于約2，和可小于或等 于約5。優(yōu)選Mohs硬度為3至4。熟知對(duì)應(yīng)于Mohs硬度標(biāo)度的試驗(yàn)，
其中石更度定義為該材料對(duì)另一種材料施加刮擦的能力。該標(biāo)度為從l 至10,數(shù)字較高表明硬度增加。
測(cè)定硬度的另 一種熟知的方法是Vickers硬度試驗(yàn)。該試驗(yàn)通過(guò) 從金字塔形金剛石壓頭的載荷下，產(chǎn)生的壓痕尺寸計(jì)算而測(cè)定材料 的硬度。Vickers試驗(yàn)采用的壓頭為其對(duì)側(cè)面在頂部成136°角的正方 形基金字塔。以最高達(dá)約120kg-力的載荷將金剛石壓入材料表面，借 助于校準(zhǔn)的顯微鏡例如游絲顯微鏡測(cè)定壓痕的尺寸(通常不大于 0.5mm)。用以下公式計(jì)算Vickers數(shù)(HV):
HV= 1.854 (F/D2)
其中F為施加的載荷(kg-力)，D2為壓痕的面積(mm2)。用于本發(fā) 明的硅的Vickers硬度為例如通常大于l GPa,例如I至4GPa。優(yōu)選， Vickers硬度小于4GPa或3GPa，例如l至2GPa。
一些類型的硅，特別是中孔硅是可吸收性的?？晌招怨枋钱?dāng) 浸入模擬體液溶液例如小腸液時(shí)，過(guò)一段時(shí)間會(huì)溶解的硅。在體內(nèi)， 可吸收性硅的副產(chǎn)物為硅酸。用于依照本發(fā)明的口腔衛(wèi)生制劑的硅 磨料是可吸收性的，可負(fù)載一種或多種釋放到牙齒和其它口腔表面 的活性劑和/或非活性劑。例如，使用這種方法以可控的方式可釋放 任何一種或多種防牙垢劑、調(diào)味劑、消毒劑或氟化物。特別優(yōu)選消 毒劑例如氯己定的釋放?？稍O(shè)計(jì)多孔硅以控制活性劑和/或非活性劑 的釋放動(dòng)力學(xué)?？赏ㄟ^(guò)控制孔徑尺寸、孔隙率水平和硅顆粒粒度中 的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)來(lái)獲得這種控釋。
可以多種方式將要釋放的試劑負(fù)載到硅上。例如，可將一種或 多種試劑沉淀到硅顆粒的表面上、摻入多孔硅的孔中或與硅的表面
結(jié)合或締合。
可將要釋放的試劑溶解或懸浮在合適的溶劑中，在產(chǎn)生的溶液
中將硅顆粒溫育一段合適的時(shí)間。去除溶劑會(huì)導(dǎo)致試劑沉淀到硅顆 粒的表面上。然而，如果顆粒包含多孔硅，活性劑或非活性劑的溶 液將通過(guò)毛細(xì)管作用滲入多孔硅的孔，在去除溶劑之后，試劑會(huì)存 在于孔中。
在粉碎(例如研磨)、加工之前和/或之后，可將要釋放的試劑負(fù) 載到硅上。
存在于P腔衛(wèi)生組合物，更特別是依照本發(fā)明的潔齒劑組合物
中的磨料總量為約5-50%重量，優(yōu)選為約20-40%重量。當(dāng)潔齒劑組合 物為牙粉時(shí)，那么磨料的量可高于和多達(dá)95%重量。磨料可包含除了 依照本發(fā)明的硅研磨劑以外的磨料，或在潔齒劑組合物中硅研磨劑 可組成所有的或基本上所有的磨料。 在依照本發(fā)明的口腔衛(wèi)生組合物中使用硅也可賦予口腔衛(wèi)生組 合物以視覺(jué)上吸引人的外觀，該視覺(jué)上吸引人的外觀可包括閃光或
閃爍外觀。例如，PCT/GB01/03633描述了包含多層的鏡(mirror)在皮 膚病用組合物中的用途，該多層鏡又包含一種或多種結(jié)晶硅、多孔 硅、非晶硅和多晶硅，該專利的內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中。 通過(guò)使用鏡，反射不同波長(zhǎng)的光，可實(shí)現(xiàn)組合物的特定色彩。這可 通過(guò)在低孔隙率層和高孔隙率層之間，改變含多孔硅的相鄰層的孔 隙率來(lái)實(shí)現(xiàn)。通常低孔隙率層的孔隙率可為最高達(dá)約65%體積，例如 約25%體積至65%體積，高孔隙率層的孔隙率為至少約60%體積，例 如約60%體積至95%體積。每層可包含大于10層或大于100層，或大 于200層或大于或等于400層。形成鏡的每一層具有與其相鄰的一個(gè) 或多個(gè)層不同的折射率，以使相連接的層形成Bragg層疊鏡。特別是， 可將閃光或閃爍外觀應(yīng)用到凝月交劑，通常本質(zhì)上半透明的那些凝膠 劑。
生物活性材料與活組織高度相容，通過(guò)引起特定的生物反應(yīng)能 夠與組織形成結(jié)合。生物活性材料也可稱為表面活性生物材料。生 物活性硅包含納米結(jié)構(gòu)，這樣的納米結(jié)構(gòu)包括(i)微孔硅、中孔硅， 其中任一種都可為單晶硅、多晶硅或非晶硅；(ii)具有納米尺寸顆粒 的多晶硅；(iii)可為無(wú)定形的或結(jié)晶的硅納米顆粒。優(yōu)選，對(duì)于用作 生物活性材料，所述硅研磨劑是多^:孔的。
雖然不希望受特定的理論束縛，但相信依照本發(fā)明生物活性硅 的使用在原位產(chǎn)生硅酸，所述硅酸促進(jìn)牙齒再礦化。生物活性硅可 包含另外的組分例如鈣和/或磷酸鹽和/或氟化物源，以輔助例如再礦 化過(guò)程。這包括表面下牙釉質(zhì)的再礦化和/或牙質(zhì)中的礦化小管，因 此抵制齒齲和/或超敏反應(yīng)。本領(lǐng)域熟知合適的鈣、磷酸鹽和氟化物 化合物?？纱嬖谥辽偌s10ppm的鈣離子，上限為約35,000ppm。磷 酸根離子的濃度可通常為約250至40,000ppm。
潔齒組合物
當(dāng)用于本文時(shí)，"潔齒劑組合物"包括牙膏、牙粉、預(yù)防打磨膏
(prophylaxis paste)、 4t劑、糖4t齊')、夾心糖(bon陽(yáng)bon)、樹月交或口凝月交。 口凝膠可為適用于多級(jí)變白系統(tǒng)的類型。其中依照本發(fā)明使用了微 粒硅磨料的潔齒劑組合物將包含普通技術(shù)人員熟知的成分；這些成 分可廣泛地表征為活性劑和非活性劑?；钚詣┌ǚ例x劑例如氟化 物、抗菌劑、減感劑、防牙垢劑(或防牙結(jié)石劑)和增白劑。非活性成 分一般包括水(以使能夠形成水相)、清潔劑、表面活性劑或發(fā)泡劑、 增稠劑或膠凝劑、粘合劑、增效劑、保留水分的濕潤(rùn)劑、調(diào)味劑、 甜味劑和著色劑、防腐劑和任選除本發(fā)明的硅磨料之外的用于清潔 和拋光的其它磨料。 袖
所述潔齒劑組合物通常包含水相，該水相包含濕潤(rùn)劑。水的量 可占約1%至約90%重量，優(yōu)選約10%至約60%重量。優(yōu)選水是去離子 水，不含有機(jī)雜質(zhì)。
可使用用于潔齒劑組合物的任何已知的濕潤(rùn)劑。合適的實(shí)例包 括山梨糖醇、甘油、木糖醇、丙二醇。濕潤(rùn)劑的量通常占潔齒劑組 合物約5%至85%重量。
防齲劑
依照本發(fā)明的潔齒劑組合物可包含防齲劑，例如氟離子源。氟 離子源應(yīng)足以供應(yīng)約25ppm至5000ppm的氟離子，例如約525至 1450ppm。防齲劑的合適實(shí)例包括一種或多種無(wú)機(jī)鹽例如可溶性堿金 屬鹽，包括氟化鈉、氟化鉀、氟硅酸銨、氟硅酸鈉、 一氟磷酸鈉和 錫的氟化物例如氟化亞錫。
防牙垢劑
牙垢劑的合適的實(shí)例包括焦磷酸鹽，例如二堿金屬焦磷酸鹽或四堿 金屬焦磷酸鹽、長(zhǎng)鏈多磷酸鹽例如六偏磷酸鈉和環(huán)磷酸鹽例如三偏
磷酸鈉。這些防牙垢劑包括在潔齒劑組合物中，濃度為約1%至約5% 重量。
任何已知的抗菌劑均可用于本發(fā)明的組合物。例如，這些抗菌
劑包括非陽(yáng)離子抗菌劑例如卣代二苯醚，優(yōu)選的實(shí)例為三氯生(2,4,4'-三氯-2'-羥基二苯醚)?？咕鷦┑牧靠烧紳嶟X劑組合物約0.1%至1.0% 重量，例如約0.3%重量。 將研顛
在依照本發(fā)明的潔齒劑組合物的制備中，微粒硅可作為單獨(dú)的 磨料使用或與其它已知的潔齒劑磨料或拋光劑組合使用。市購(gòu)磨料 可與硅組合使用，并包括二氧化硅、硅酸鋁、煅燒的氧化鋁、偏磷 酸鈉、偏磷酸鉀、碳酸鈣、磷酸鈣例如磷酸三鈣和脫水磷酸二4丐、 硅酸鋁、膨潤(rùn)土或其它含硅材料或其組合。
本發(fā)明的潔齒劑組合物也可包含調(diào)味劑。合適的實(shí)例包括精油 例如留蘭香油、薄荷油、冬青油、黃樟油、丁香油、鼠尾草油、桉 樹油、牛至油、肉桂油、檸檬油、酸橙油、葡萄柚油和橙油。其它 的實(shí)例包括調(diào)味的醛、酯和醇。進(jìn)一步的實(shí)例包括薄荷醇、香芹酮 和茴香腦。
增鄉(xiāng)
增稠劑的量可占潔齒劑組合物約O. 1%至約10%重量，優(yōu)選約0.5% 至約4%重量。
用于本發(fā)明組合物的增稠劑包括天然的和合成的樹膠和膠體， 其實(shí)例包括黃原膠、角叉菜膠、羧曱基纖維素鈉、淀粉、聚乙烯吡 咯烷酮、羥乙基丙基纖維素、羥丁基曱基纖維素、羥丙基曱基纖維 素和鞋乙基纖維素。合適的增稠劑也包括無(wú)機(jī)增稠劑例如無(wú)定形二 氧化硅化合物，包括膠體二氧化硅化合物。
可將表面活性劑用于本發(fā)明的組合物，以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)預(yù)防作用和 使?jié)嶟X劑組合物在化妝上更可接受。表面活性劑的量通常占依照本
發(fā)明的潔齒劑組合物約0.1%至約5%重量，優(yōu)選約0.5%至約2%重量。 依照本發(fā)明的潔齒劑組合物可包含一種或多種表面活性劑，該表面 活性劑可選自陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、兩性表面活 性劑和兩性離子表面活性劑。表面活性劑優(yōu)選為清潔劑材料，該清 潔劑材料賦予組合物以清潔和發(fā)泡的性質(zhì)。表面活性劑的合適實(shí)例 為普通技術(shù)人員熟知，并包括高級(jí)脂肪酸甘油單酯單硫酸酯的水溶 性鹽，例如氫化椰子油脂肪酸的單硫酸化甘油單酯的鈉鹽；高級(jí)烷 基硫酸鹽例如月桂基硫酸鈉；烷基芳基磺酸鹽例如十二烷基苯磺酸 鈉；高級(jí)烷基磺基乙酸鹽，月桂基磺基乙酸鈉；1，2-二羥基丙磺酸鹽 的高級(jí)脂肪酸酯；和低級(jí)脂族氨基羧酸化合物的基本上飽和的高級(jí) 脂肪酰胺，例如在脂肪酸、烷基或酰基中具有12至16個(gè)碳的那些 化合物。進(jìn)一步的實(shí)例包括N-月桂?；“彼嵋约癗-月桂酰基肌氨 酸、N-肉豆蔻?；“彼峄騈-棕櫚酰基肌氨酸的鈉鹽、鉀鹽和乙醇 胺鹽。
增效劑
一種或多種在潔齒劑組合物中用作任何抗菌劑、防牙垢劑或其 它活性劑的增效劑也可包括在潔齒劑組合物中。合適的增效劑的實(shí) 例包括合成的陰離子多羧酸鹽?？梢韵铝行问绞褂眠@樣的陰離子多 羧酸鹽它們的游離酸或部分中和的或更優(yōu)選完全中和的水溶性堿 金屬(例如鉀和優(yōu)選鈉)鹽或銨鹽。優(yōu)選為馬來(lái)酸酐或馬來(lái)酸與另 一種 可聚合烯屬不飽和單體的l: 4至4: l共聚物，優(yōu)選曱基乙烯基醚/馬來(lái) 酸酐的分子量(M.W.)為約30,000至約1,800,000。
當(dāng)存在時(shí)，以有效獲得對(duì)潔齒劑組合物中任何抗菌劑、防牙垢 劑或其它活性劑功效的期望增強(qiáng)作用的量，使用增效劑例如陰離子 多羧酸鹽。一般陰離子多羧酸鹽占潔齒劑組合物約0.05%重量至約4% 重量，優(yōu)選約0.5%重量至約2.5%重量。
可將各種其它材料摻入本發(fā)明的潔齒劑組合物中，包括防腐 劑；聚硅氧烷；減感劑，例如硝酸鉀；增白劑，例如過(guò)氧化氫、過(guò) 氧化鉤和過(guò)氧化脲；和葉綠素4匕合物。 一些牙膏包括碳酸氬鹽以降 低牙菌斑的酸度。當(dāng)存在時(shí)，以對(duì)期望的性質(zhì)和特性基本上不產(chǎn)生 不利影響的量，將這些添加劑摻入潔齒劑組合物中。
潔齒劑組合物的制備
制備依照本發(fā)明的潔齒劑組合物的合適方法包括真空下使用高 剪切混合系統(tǒng)。 一般潔齒劑的制備為本領(lǐng)域所熟知。美國(guó)專利 3980767、美國(guó)專利3996863、美國(guó)專利4358437和美國(guó)專利4328205 描述了制備潔齒劑組合物的合適的方法，這些專利的內(nèi)容通過(guò)引用 而整體結(jié)合到本文中。
例如，為了制備依照本發(fā)明的典型潔齒劑組合物，可在攪拌下 在常規(guī)混合器中，將濕潤(rùn)劑分散于水中。將有機(jī)增稠劑與濕潤(rùn)劑的 分散體以及以下的組分混合4壬何增效劑；任何鹽，包括防齲劑例 如氟化鈉；和任何甜味劑。攪拌產(chǎn)生的混合物直到形成均勻的凝膠 相?？蓪⒁环N或多種顏料例如二氧化鈦與凝膠相，以及用來(lái)調(diào)節(jié)pH 需要的任何酸或堿混合。將這些成分混合直到獲得同質(zhì)相。然后將 混合物轉(zhuǎn)移至高速/真空攪拌機(jī)，其中可將另外的增稠劑和表面活性 劑成分與混合物組合?？蓪⑷魏文チ习ü枘チ吓c混合物，以及用 于組合物的其它磨料組合?？蒦1尋任何不溶于水的抗菌劑例如三氯生 溶解于包括在潔齒劑組合物中的調(diào)味油中，將所產(chǎn)生的溶液以及表 面活性劑與混合物組合，然后在約20至50 mmHg的真空下，將該 組合物高速混合約5至30分鐘。產(chǎn)生的產(chǎn)物通常為均勻的、半固體 可才齊出糊或凝月交物。
潔齒劑組合物的pH通常使硅在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)期內(nèi)，不會(huì)溶于組合 物中，并因此提供可接受的有效期。潔齒劑組合物的pH通常小于或 等于約9，優(yōu)選特別是對(duì)于不是粉末例如牙膏的組合物，pH小于或等于約7。 pH的下限通?？蔀榧s3.5或約4。特別是當(dāng)潔齒劑組合物為凝 膠例如用于多級(jí)變白系統(tǒng)的那些凝膠時(shí)，pH可為約3.5或約4。
依照美國(guó)牙科協(xié)會(huì)推薦的方法，通過(guò)測(cè)得的放射性牙質(zhì)磨損 (RDA)值，可測(cè)定包含硅研磨劑的本發(fā)明潔齒劑組合物的磨蝕度，如 Hefferren,J. Dental Research,第55巻(第4期),第563-573頁(yè)，(1976年) 和美國(guó)專利4,340,583 、美國(guó)專利4,420,312和美國(guó)專利4,421,527中所 述，其內(nèi)容通過(guò)引用而整體結(jié)合到本文中。在該方法中，用中子流 照射萃取的人牙，并使萃取的人牙經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)洗刷規(guī)范。將從牙根的 牙質(zhì)去除的放射性磷32用作所測(cè)試的潔齒劑的磨損指標(biāo)。也測(cè)定在15 ml的0.5。/o羧甲基纖維素鈉水溶液中包含10g焦磷酸4丐的參照漿液，任 意地將該混合物的RDA取作100 。將要測(cè)試的潔齒劑組合物制備成與 焦磷酸鹽同樣濃度的懸浮液，并經(jīng)過(guò)同樣的洗刷規(guī)范。依照本發(fā)明 的潔齒劑組合物的RDA可處于約10至150范圍內(nèi)，優(yōu)選小于約1 OO和 最優(yōu)選小于約70。
本發(fā)明潔齒劑組合物的表層清潔比例(PCR)是潔齒劑清潔特性的 衡量指標(biāo)， 一般為約20至150,優(yōu)選大于約50。
可通過(guò)Stookey等，J. Dental Research,第61巻(第11期)，第1236-9頁(yè)，(1982年)描述的試驗(yàn)，測(cè)定PCR清潔值。通過(guò)將包埋在樹脂中 的10mn^牛釉質(zhì)樣品染色，來(lái)體外評(píng)估清潔作用，該樹脂用酸蝕刻以 加快染色的積累和粘附。用培養(yǎng)液來(lái)實(shí)現(xiàn)染色，該培養(yǎng)液通過(guò)以下 方法制備將茶葉、咖啡和細(xì)磨的胃粘蛋白，溶解于包含24小時(shí)藤 黃八疊球菌turtox培養(yǎng)物的滅菌胰胨豆胨培養(yǎng)液中。在染色之后，將 樣品安裝在裝備了軟尼龍牙刷的V-8交叉洗刷機(jī)上，在釉質(zhì)表面上調(diào) 節(jié)至150g張力。然后用要測(cè)試的潔齒劑組合物和焦磷酸鈣標(biāo)準(zhǔn)品刷 樣品，該焦磷酸4丐標(biāo)準(zhǔn)品在50 1111的0.5%羧曱基纖維素鈉水溶液中包 含1 Og的焦石粦酸鉤。用由在40g去離子水中的25g牙膏組成的潔齒劑漿 液刷樣品400次(strokes)。用Pennwalt輕石粉清洗樣品，直到染色被去 除。為了測(cè)定在刷前和后樣品的顏色，使用Minolta色度計(jì)使用標(biāo)準(zhǔn)
Commission Internationale de I'Eclairage (CLE) L* a* b承才示度,進(jìn)一亍反射 比的測(cè)量。
以PCR/RDA的比率度量依照本發(fā)明的潔齒劑組合物的清潔效 率，其可處于約0.5至約2.0范圍內(nèi)，優(yōu)選大于約l.O，和更優(yōu)選大于約 1.5。
附圖簡(jiǎn)述
現(xiàn)在將參考附圖，僅作為實(shí)例而非限制性描述本發(fā)明的實(shí)施方 案，其中


圖1 a為用未改進(jìn)的市購(gòu)牙膏刷后，人前磨牙粗糙牙冠區(qū)域的SEM 圖象(300 x);
圖lb為顯示于圖la中區(qū)域的EDX圖譜(15keV光束，放大300倍)； 圖lc為聚焦到圖la中圓形顆粒之一上的EDX圖譜(15keV光束， 放大37000倍)；
圖2為顯示于圖la中相同牙冠的高度多孔區(qū)域的SEM圖象(500 圖3a為用依照本發(fā)明的牙膏刷后，人牙齒粗糙區(qū)域的SEM圖象
(300 x );
圖3b為顯示于圖3a中區(qū)域的EDX圖譜(15keV光束，放大300倍)；
圖3c為顯示于圖3a中角形顆粒的SEM圖象(4,500 x );
圖3d為與無(wú)孔二氧化硅標(biāo)準(zhǔn)品相比，顯示于圖3c中顆粒的EDX 圖譜(5keV光束，放大23000倍)；
圖4a為暴露于未處理塊硅粉末溶液中的人牙釉質(zhì)多孔化部分的 SEM圖象(1000 x);
圖4b為顯示于圖4a中區(qū)域的EDX圖譜(5keV光束，放大17000倍)； 圖4c為暴露于經(jīng)HF處理的塊硅粉末溶液中的人牙齒相對(duì)光滑區(qū) 域的SEM圖象(330 x);
圖4d為圖4c中的SEM圖象，但放大2000 x;圖5為在16 °C和24 °C時(shí)，保留在中孔硅樣品中的油(％)對(duì)時(shí)間(min) 的圖。
實(shí)施例
現(xiàn)在將參考以下的實(shí)施例，僅作為實(shí)例來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施方案。
實(shí)施例l:在潔齒劑組合物中的化學(xué)穩(wěn)定性
將涂有中孔硅層(650nm厚，70%體積的孔隙率)的塊硅晶片切成 片段，在18。C時(shí)將該片段的一半浸入pH為6.1、 6.7和9.1的牙膏中， 持續(xù)兩天。結(jié)果表明，中孔硅在pH為6.1的牙膏中最穩(wěn)定，在pH為9.1 的牙膏中穩(wěn)定最差。在pH 6.1時(shí)，幾乎沒(méi)有或沒(méi)有發(fā)生中孔硅的氧化 和/或侵蝕。
實(shí)施例2:在人唾液中的化學(xué)穩(wěn)定性
在早上，從年齡在20和50之間的10個(gè)健康成人志愿者收集人唾 液。每個(gè)志愿者用自來(lái)水漱口，吞咽，等待約30秒鐘，然后將唾液 吐入收集容器中。在26。C時(shí)，合并液體的pH為7.5+/-0.1。然后將含0.63 l^m+/-0.02 pm厚的中孔(約69%體積)硅層的晶片片段在2ml唾液等分試 樣中，在3TC時(shí)溫育從20分鐘至5小時(shí)范圍的時(shí)間。為了測(cè)定片段厚 度的變化，在暴露于唾液之后，拍攝中孔層的橫截面SEM圖象。在20 分鐘之后，厚度減小至0.61 ,;在2小時(shí)之后，厚度減小至0.59 在5小時(shí)之后，厚度減小至0.58^1111。
實(shí)施例3:粘附至口腔表面
選取20-24mm長(zhǎng)的人前磨牙，用有和沒(méi)有10%重量的中孔硅閃光 顆粒的Colgate⑧Total牙膏(使用之前pH為6.7)刷該前磨牙l分鐘。由完 全多孔硅膜制備這些顆粒。通過(guò)在曱醇/4(^/。重量的HF(l: l體積)的電 解質(zhì)中將5-15毫歐姆硅晶片陽(yáng)極化而制作所述膜。在計(jì)算機(jī)控制下， 在20mA/cm-2 (9秒周期)和125 mA/cm-2 (4.5秒周期)之間調(diào)節(jié)電流強(qiáng) 度，在其間有l(wèi)秒周期不施加電流。重復(fù)一百次，產(chǎn)生已調(diào)節(jié)孔隙率
的鮮明有色分層結(jié)構(gòu)。通過(guò)施加最后的電流脈沖165mA/cm-s持續(xù)30 秒完成膜從下面的無(wú)孔晶片上的分離。然后通過(guò)使用研棒和研缽將 風(fēng)干的膜機(jī)械壓碎成為閃光粉末，隨后無(wú)需進(jìn)行分類或篩分即可使 用。在將牙齒表面用水沖洗5分鐘后，進(jìn)行手工刷。圖la顯示在用未 改進(jìn)的牙膏刷后牙冠表面粗糙區(qū)域的300 x圖象。有低密度的圓形水 合二氧化硅顆粒存在于釉質(zhì)表面上。圖lb中的相關(guān)EDX圖譜(15keV 光束，放大300倍)，顯示Si弱峰和磷酸4丐主峰，這是羥基磷灰石的特 征峰。圖lc顯示聚焦在圖la中圓形顆粒之一上的EDX圖謙(15keV光 束，放大37000倍)；圖2顯示相同牙冠的高度多孔區(qū)域，其中顯示有 在刷后部分包埋在釉質(zhì)孔的較高密度二氧化硅顆粒。圖3a顯示經(jīng)過(guò)相 似的刷，但這次用改進(jìn)的牙膏，不同牙齒粗糙區(qū)域的300 x圖象。然 后沖洗，在水沖洗后的釉質(zhì)表面上，圓形顆粒和角形顆粒仍然明顯。 當(dāng)與圖1W目比時(shí)，圖3b顯示的相關(guān)EDX圖譜(15keV光束，放大300倍) 表明存在顯著較高水平的硅。圖3c顯示來(lái)自圖3a的角形顆粒的4,500 x圖象。它的角形與它是斷裂的多孔硅相一致。圖3d中的相關(guān)EDX 圖語(yǔ)(5keV光束，放大23000倍)表明多孔硅顆粒被重度氧化和/或水 合。圖3d中的"角形顆粒"圖譜，由于Si和O的存在而顯示主峰，由于 C、 Na和Cl的存在而顯示次峰(在"Si02標(biāo)準(zhǔn)品"圖譜中不明顯)。
實(shí)施例4:粘附至口腔表面(表面化學(xué))
測(cè)試含和不含天然氧化物表面的冶金級(jí)無(wú)孔塊硅顆粒粘附到口 腔表面的能力。耳關(guān)合Y吏用Malvern Instruments Mastersizer 2000與Hydro G散射裝置和應(yīng)用Mle散射理論的5.22版軟件，來(lái)測(cè)定粒度分布。體 積加權(quán)的平均顆粒直徑為24 iiini， d,。為2.6 pm(即10y。體積的顆粒具有 小于2.6 iLim的直徑)和ci9。為56 pm。 一企測(cè)小至0.2 pm和大至150 pm的顆 粒。樣i粉化的冶金級(jí)硅樣品在HF和乙醇的l: l體積的混合物中蝕刻15 分鐘。過(guò)濾之后，粉末在Shel Lab真空烘箱中在32。C干燥過(guò)夜。將兩
加入到2ml新鮮的人唾液等分試樣中。然后將人前磨牙浸入到兩個(gè)攪 拌下的溶液中，持續(xù)10分鐘。在取出之后，將牙齒沖洗5秒鐘。圖4a 顯示暴露于作為標(biāo)準(zhǔn)的、未處理的粉末溶液中的釉質(zhì)多孔化部分的 1000 x圖象。圖4b中的相關(guān)EDX圖語(yǔ)(SkeV光束，放大17000倍)說(shuō)明 該顆粒在本質(zhì)上是無(wú)孔的，因?yàn)檠跣盘?hào)弱。圖4c顯示暴露于HF處理 的粉末中的牙齒相對(duì)光滑區(qū)域的330 x圖象。有較少的微粒粘附，但
圖4d中的較高放大倍數(shù)的圖象顯示亞微顆粒基本上均勻的覆蓋。相 關(guān)EDX圖譜顯示硅信號(hào)和氧信號(hào)弱。
實(shí)施例5:調(diào)味劑的控釋
將涂有中孔層(10.9 pm厚)的塊硅晶片片段負(fù)載薄荷油，在16。C 和24。C時(shí)，隨著揮發(fā)性油慢慢地從孔中蒸發(fā)，使用重量分析技術(shù)監(jiān) 測(cè)它的重量。Bmmhead等在Electrochimica Acta,第38巻，第191-197 頁(yè)，(1993年)"陽(yáng)極化的硅中孔成核和增長(zhǎng)的重量分析"中描迷了合適 的重量分析技術(shù)。對(duì)來(lái)源于140厚度和74%孔隙率的硅膜的中孔顆粒 進(jìn)行了比較。結(jié)果顯示于圖5。在進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)中，機(jī)械篩分高孔隙 率(82%體積)的中孔硅顆粒，以使顆粒直徑為7、100 pm。對(duì)拋光的硅 晶片，使用具有硬級(jí)尼龍刷的商品牙刷，用力刷這些顆粒。在刷后， 大多數(shù)顆粒的直徑小于50 相當(dāng)比例顆粒的直徑低于15 pm。
權(quán)利要求
1.一種口腔衛(wèi)生組合物，所述組合物包含微粒硅研磨劑。
2. 權(quán)利要求1的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅選自一種或多種 以下的硅非晶硅；單晶硅；和多晶硅。
3. 權(quán)利要求1或2的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅為多孔硅。
4. 權(quán)利要求3的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述多孔硅的BET表面 積為100-700 m2/g。
5. 權(quán)利要求4的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述多孔硅的BET表面 積為200-500 m2/g。
6. 權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅為微 孔硅或中孔硅。
7. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅為可 吸收性硅。
8. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅的純 度為約96-99.9%。
9. 權(quán)利要求3-8中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述多孔硅 包含表面改性的多孔硅或基本上由表面改性的多孔硅組成。
10. 權(quán)利要求9的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述表面改性的多孔硅 包含或基本上由一種或多種以下的多孔硅組成衍生化多孔硅、部 分氧化的多孔硅、具有硅烷表面的改性多孔硅。
11. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅研磨 劑的平均粒度(d50)為約1-100 um。
12. 權(quán)利要求11的口腔衛(wèi)生組合物，其中(15。為約10-50 um。
13. 權(quán)利要求12的口腔衛(wèi)生組合物，其中d5。為約30um。
14. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述樣i粒硅 研磨劑的Vickers硬度為約l-4GPa。
15. 權(quán)利要求14的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述Vickers石更度為約l-2GPa。
16. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅研磨 劑負(fù)載用于釋放到牙齒和/或其它口腔表面的至少 一種活性和/或非活 性成分。
17. 權(quán)利要求16的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述活性和/或非活性 成分選自任何一種或多種以下的成分防牙垢劑、調(diào)味劑、消毒劑、 防齲劑。
18. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述孩M立硅 研磨劑的量占該口腔衛(wèi)生組合物約5-50%重量。
19. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅研磨 劑包含生物活性硅。
20. 權(quán)利要求19的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述生物活性硅負(fù)載 鍋和/或磷酸鹽。
21. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，所述口腔衛(wèi)生組 合物為潔齒劑組合物。
22. 權(quán)利要求21的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述潔齒劑組合物選 自牙膏、牙粉、預(yù)防打磨膏、錠劑、糖錠劑、夾心糖、樹膠或口凝 膠。
23. 權(quán)利要求22的口腔衛(wèi)生組合物，所述口腔衛(wèi)生組合物為牙膏。
24. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述硅研磨 劑至少部分以鏡的形式存在，各鏡包含多個(gè)層，和其中每層包含多 孔硅。
25. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，所述口腔衛(wèi)生組 合物的pH小于或等于約7。
26. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，所述口腔衛(wèi)生組 合物的RDA為約10-150。
27. 權(quán)利要求26的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述RDA小于約100。
28. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，其中PCR為約 20-150。
29. 權(quán)利要求28的口腔衛(wèi)生組合物，其中所述PCR大于約50。
30. —種制備前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物的方法， 所述方法包括將微粒硅研磨劑和所述口腔衛(wèi)生組合物的其它組分共混。
31. 權(quán)利要求30的制備方法，其中所述其它組分選自一種或多 種以下的組分水、濕潤(rùn)劑、防齲劑、防牙垢劑、抗菌劑、其它研 磨劑、調(diào)味劑、增稠劑、表面活性劑、增效劑、防腐劑、聚硅氧烷、 減感劑、增白劑、酸度調(diào)節(jié)劑、顏料。
32. —種減少染色和/或牙菌斑和/或齒齦炎的方法，所述方法包 括將安全和有效量的權(quán)利要求1-29中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物施用至牙齒和其它口腔表面。
33. 權(quán)利要求1-29中任一項(xiàng)的組合物在制備藥用口腔衛(wèi)生組合物中的用途，所述藥用口腔衛(wèi)生組合物用于減少牙菌斑和/或減少或 抑制齒齦炎。
34. —種減少染色的化妝方法，所述方法包括將安全和有效量的 權(quán)利要求1-29中任一項(xiàng)的組合物施用至牙齒和其它口腔表面。
35. 權(quán)利要求1-29中任一項(xiàng)的口腔衛(wèi)生組合物，所述組合物用 于牙菌斑和/或齒齦炎的治療和/或預(yù)防。
全文摘要
提供含硅研磨劑的適合用作潔齒劑組合物的口腔衛(wèi)生組合物。
文檔編號(hào)A61K8/02GK101203204SQ200680022154
公開日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2006年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月22日
發(fā)明者L·T·坎汗 申請(qǐng)人:Psi醫(yī)療有限公司