專利名稱:可調(diào)節(jié)人工晶狀體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及可調(diào)節(jié)人工晶狀體系統(tǒng),并且尤其涉及能夠響應(yīng)于睫狀體 和/或懸韌帶移動(dòng)而改變光學(xué)放大率的可調(diào)節(jié)人工晶狀體系統(tǒng)。
背景技術(shù):
圖1中可見到人眼10的橫截面視圖,其具有由虹膜30分隔開的前房 12和后房14。前房14中是囊袋16,其固定眼睛的天然晶狀體17。光穿過 角膜18進(jìn)入眼睛到達(dá)晶狀體17。角膜和晶狀體一同作用以將光導(dǎo)向和聚焦 在視網(wǎng)膜20上。視網(wǎng)膜連接至視神經(jīng)22,其將視網(wǎng)膜接收的圖像發(fā)射至大 腦以進(jìn)行判讀。
響應(yīng)于視網(wǎng)膜接收到的圖像清晰度,大腦使睫狀肌26收縮或放松。特 別地,為了實(shí)現(xiàn)近聚焦調(diào)整,睫狀肌收縮,由此緩解懸韌帶27的張力,這 使得囊袋和晶狀體17變得更圓。為了實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)聚焦,睫狀肌松弛,由此增加 懸韌帶27的張力,這使得囊袋和晶狀體17變得更扁平。睫狀肌位于睫狀 體28中,而在睫狀肌收縮時(shí),使睫狀體移動(dòng)。
在天然晶狀體已經(jīng)損傷(例如,由白內(nèi)障所遮蔽)的眼睛中,天然晶 狀體不再能夠正確地將入射光聚焦和/或?qū)蛑烈暰W(wǎng)膜。結(jié)果,圖像變得模 糊。治療該情形的熟知外科手術(shù)技術(shù)包括移除受損的晶狀體,并且使用已 知為人工晶狀體(IOL)的人造晶狀體進(jìn)行置換,例如圖2中可見的現(xiàn)有技 術(shù)的I0L24。
常規(guī)IOL通常是固定焦距的晶狀體。通常選擇這種晶狀體以具有一定 放大率,從而患者具有遠(yuǎn)視的固定焦距,并且患者需要眼鏡或隱形眼鏡以 允許近視。近些年來,己經(jīng)進(jìn)行了廣泛的研究以開發(fā)可調(diào)節(jié)工OL (AIOL), 其允許佩帶者具有可調(diào)節(jié)的視力。
這種AIOL已經(jīng)包括單和雙晶狀體系統(tǒng),其位于后房(例如,囊袋中), 并且根據(jù)睫狀肌收縮和松弛而施加在囊袋16上的壓力或張力而提供可變的
焦度(focal power)。然而,目前這種系統(tǒng)取得了有限的成功。雖然尚未 確認(rèn)有限成功的準(zhǔn)確理由,囊袋和/或懸韌帶在手術(shù)之后的不可預(yù)測的屬性 已經(jīng)有助于有限的成功。例如,外科手術(shù)后的收縮和結(jié)疤已經(jīng)影響了囊袋 的性能。
已經(jīng)推薦了其它常規(guī)可調(diào)節(jié)晶狀體,其包括一個(gè)或多個(gè)電或壓電激活 的設(shè)備,以實(shí)現(xiàn)AIOL的焦度的改變。然而,這種晶狀體已經(jīng)趨向于為復(fù)雜 的。例如,在一些這種設(shè)備中,必須提供電能源,并且需要大量機(jī)械部件。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面涉及適應(yīng)性調(diào)節(jié)的方法和裝置,其至少部分地獨(dú)立于懸 韌帶和/或獨(dú)立于囊袋的機(jī)械性能而提供適應(yīng)性調(diào)節(jié)。根據(jù)本發(fā)明的方面, 將至少一個(gè)磁體耦合到睫狀體和/或懸韌帶,并且在IOL上提供至少一個(gè)磁 體,從而晶狀體響應(yīng)于睫狀體和/或懸韌帶的移動(dòng)而聚焦。應(yīng)當(dāng)意識到,在 一些實(shí)施例中,使用一個(gè)或多個(gè)磁媒質(zhì)可以避免需要電力源以實(shí)現(xiàn)適應(yīng)性 調(diào)節(jié)。還應(yīng)當(dāng)意識到,使用磁介質(zhì)以觸發(fā)晶狀體可以產(chǎn)生減少數(shù)量的機(jī)械 部件(例如,齒輪)以實(shí)現(xiàn)適應(yīng)性調(diào)節(jié),由此增加晶狀體的可靠性。IOL被 定尺寸和定形狀成適合患者眼睛;并且在一些實(shí)施例中可以被定尺寸和定 形狀成適合患者的囊袋。
本發(fā)明的第一方面涉及人工晶狀體(IOL),包括第一光學(xué)放大率元件、 耦合至第一光學(xué)放大率元件的第二光學(xué)放大率元件,并且第一光學(xué)放大率 元件和第二光學(xué)放大率元件中至少之一被機(jī)械地耦合至至少一個(gè)第一磁介 質(zhì),從而施加于該至少一個(gè)第一磁介質(zhì)的磁場引起IOL改變光學(xué)放大率。
第一光學(xué)放大率元件可以包括IOL的第一表面,而第二光學(xué)放大率元 件可以包括IOL的第二表面。在一些實(shí)施例中,第一表面和第二表面中至 少之一是彈性的。在一些實(shí)施例中,第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大 率元件耦合在一起以形成第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件之間 的封閉空間。該封閉的空間可以填充有氣體或液體。該第一磁介質(zhì)可以包 括固體。該第一磁介質(zhì)可以包括永磁體。
在一些實(shí)施例中,第一光學(xué)放大率元件包括第一晶狀體,而第二光學(xué) 放大率元件包括第二晶狀體。在一些實(shí)施例中,第一晶狀體和第二晶狀體
被配置成平移而不彎曲。
第一晶狀體和第二晶狀體可以通過鉸鏈耦合在一起。第一晶狀體通過 第一剛性元件耦合至鉸鏈,而第二晶狀體通過第二剛性元件耦合至鉸鏈。 鉸鏈可以是活動(dòng)鉸鏈。
在一些實(shí)施例中,第一磁介質(zhì)是可流動(dòng)的。例如,第一磁介質(zhì)可以包 括鐵磁流體。第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件可以耦合在一起
以形成包括第二介質(zhì)的封閉空間,而IOL可以被配置成使得在第一磁介質(zhì)
移置時(shí),第二介質(zhì)以一定方式移置以彎曲第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué) 放大率元件。該第一磁介質(zhì)和第二介質(zhì)可以由可移動(dòng)隔板分隔。
IOL可以至少包括第一觸覺部件,其中布置有第一磁介質(zhì)。在一些實(shí)施 例中,IOL至少包括第二觸覺部件,其中布置有第二磁介質(zhì)。在一些實(shí)施例 中,IOL至少包括第三觸覺部件,其中布置有第三磁介質(zhì)。在一些實(shí)施例中, IOL至少包括第四觸覺部件,其中布置有第四磁介質(zhì)。
IOL可以與尺寸和形狀設(shè)置成圍繞眼睛的環(huán)組合,該環(huán)至少保持第一磁 體。在這種實(shí)施例中,IOL還可以包括機(jī)械地耦合至IOL的第二磁介質(zhì),其 中該環(huán)保持第二磁體,設(shè)置該第一和第二磁體,從而當(dāng)環(huán)被放置于IOL周 圍時(shí),第一磁介質(zhì)基本上與第一磁體相對,而第二磁介質(zhì)基本上與第二磁 體相對。
根據(jù)本發(fā)明另一方面,配置IOL以直接響應(yīng)于睫狀體和懸韌帶中至少 之一的移動(dòng)而改變光學(xué)放大率。
IOL可以包括第一光學(xué)放大率元件、耦合至第一光學(xué)放大率元件的第二 光學(xué)放大率元件,并且第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件中至少 之一機(jī)械地耦合至至少一個(gè)第一磁介質(zhì),從而施加于該至少一個(gè)第一磁介 質(zhì)的磁場引起IOL改變光學(xué)放大率。
第一光學(xué)放大率元件可以是IOL的第一表面,而第二光學(xué)放大率元件 是IOL的第二表面。在這些實(shí)施例中,第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放 大率元件可以耦合在一起以形成第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元 件之間的封閉空間。該第一磁介質(zhì)可以是固體。
在一些實(shí)施例中,第一光學(xué)放大率元件包括第一晶狀體,而第二光學(xué) 放大率元件包括第二晶狀體。第一磁介質(zhì)是可流動(dòng)的。IOL可以至少包括第
一觸覺部件,其中布置有第一磁介質(zhì)。在一些實(shí)施例中,IOL至少包括第二 觸覺部件,其中布置有第二磁介質(zhì)。
IOL可以與定尺寸和定形狀成圍繞眼睛并且保持至少第一磁體的環(huán)組 合。IOL可以還包括第二磁體,而該環(huán)可以保持第二磁體;在這些實(shí)施例中, 環(huán)被定尺寸和定形狀使得當(dāng)環(huán)被放置于IOL附近時(shí),第一磁介質(zhì)基本上與 第一磁體相對,而第二磁介質(zhì)基本上與第二磁體相對。
IOL可以還包括至少一個(gè)磁介質(zhì),其配置和安置成使得施加于至少一個(gè) 磁介質(zhì)的磁場引起IOL改變光學(xué)放大率。I0L可以與被定形狀和定尺寸成連 接至睫狀體的至少一個(gè)磁體組合。
將參考隨附附圖作為實(shí)例描述本發(fā)明的示意性、非限制性實(shí)施例,在 附圖中使用相同的附圖標(biāo)記指示不同圖中的相同部件,其中 圖1是包括天然晶狀體的眼睛的橫截面?zhèn)纫晥D; 圖2是包括設(shè)置在囊袋中的人工晶狀體的眼睛的橫截面?zhèn)纫晥D; 圖3A和3B是根據(jù)本發(fā)明方面的晶狀體的實(shí)施例實(shí)例的橫截面?zhèn)纫晥D; 圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明方面的晶狀體的第二實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D; 圖4C是晶狀體第二實(shí)施例的一個(gè)實(shí)例的透視圖; 圖4D是晶狀體第二實(shí)施例的另一實(shí)例的透視圖5A和5B是根據(jù)本發(fā)明方面的晶狀體的另一實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫曇约?br>
圖5C和5D是根據(jù)圖5A和5B中所示的實(shí)施例的晶狀體的實(shí)施例實(shí)例 的透視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的方面涉及人工晶狀體(IOL),包括能夠響應(yīng)于睫狀體運(yùn)動(dòng)和/ 或直接響應(yīng)于懸韌帶移動(dòng)而改變放大率的裝置。這種能夠直接響應(yīng)于懸韌 帶運(yùn)動(dòng)改變放大率的IOL的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于,盡管降低了或沒有響應(yīng)于 睫狀體運(yùn)動(dòng)而使得囊袋移動(dòng)的能力,但是仍可以進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)節(jié)。能夠直 接響應(yīng)于睫狀體運(yùn)動(dòng)改變放大率的IOL的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于,盡管降低了
或沒有響應(yīng)于睫狀體運(yùn)動(dòng)而使得懸韌帶和/或囊袋移動(dòng)的能力,但是仍可以 進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)節(jié)。
根據(jù)本發(fā)明一些方面,提供一種IOL,其包括第一光學(xué)放大率元件和第
二光學(xué)放大率元件。根據(jù)這些方面,第二光學(xué)放大率元件機(jī)械地耦合至第 一光學(xué)放大率元件,并且第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件中至 少之一機(jī)械地耦合至至少一個(gè)磁體,從而施加于該至少一個(gè)磁體的磁場使 得第一光學(xué)元件和第二光學(xué)元件相對彼此產(chǎn)生位移。這些系統(tǒng)的實(shí)施例的 優(yōu)點(diǎn)在于,可以響應(yīng)于磁場而對晶狀體進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)節(jié),由此在一些實(shí)施 例中避免需要能量源和/或傳動(dòng)裝置實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)。因此,可以減少這種系統(tǒng)發(fā)
生故障的可能性??梢詫OL如圖2中所示插入囊袋或其它合適的位置。
應(yīng)當(dāng)意識到,措辭"響應(yīng)于睫狀體的運(yùn)動(dòng)"包括其中直接響應(yīng)于睫狀 體的移動(dòng)而實(shí)現(xiàn)適應(yīng)性調(diào)節(jié)的實(shí)施例,以及間接響應(yīng)于睫狀體的移動(dòng)而實(shí) 現(xiàn)適應(yīng)性調(diào)節(jié)的實(shí)施例。"直接響應(yīng)于睫狀體的移動(dòng)"的適應(yīng)性調(diào)節(jié),指得 是所實(shí)現(xiàn)的適應(yīng)性調(diào)節(jié)的量,至少部分由睫狀體的運(yùn)動(dòng)而直接確定,而無 需使用懸韌帶或囊袋將施加的由睫狀體產(chǎn)生的力(例如,IOL的適應(yīng)性調(diào)節(jié) 可以使用磁場直接響應(yīng)于睫狀體的移動(dòng)而實(shí)現(xiàn),該磁場可以由睫狀體的移 動(dòng)而控制,以使得操作耦合至如在此所述的IOL的磁體)。應(yīng)當(dāng)意識到,"直 接響應(yīng)于睫狀體的移動(dòng)"的適應(yīng)性調(diào)節(jié)可以使用完整的懸韌帶和/或囊袋實(shí) 現(xiàn),并且懸韌帶和/或囊袋可以部分地影響實(shí)現(xiàn)的適應(yīng)性調(diào)節(jié)的量。例如, "直接響應(yīng)于睫狀體的移動(dòng)"的適應(yīng)性調(diào)節(jié)可以通過將第一磁介質(zhì)連接至 睫狀體并且將第二磁介質(zhì)連接至IOL而實(shí)現(xiàn),如在此所述,由此睫狀體的 移動(dòng)導(dǎo)致IOL的適應(yīng)性調(diào)節(jié)。
"直接響應(yīng)于睫狀體和懸韌帶中至少之一的移動(dòng)"的適應(yīng)性調(diào)節(jié)指得 是所實(shí)現(xiàn)的適應(yīng)性調(diào)節(jié)的量由睫狀體和/或懸韌帶的運(yùn)動(dòng)而直接確定,無需 使用囊袋將施加的力。應(yīng)當(dāng)意識到,"直接響應(yīng)于睫狀體和懸韌帶中至少之 一的移動(dòng)"的適應(yīng)性調(diào)節(jié)可以使用完整的囊袋所實(shí)現(xiàn),而囊袋可以部分地 影響所實(shí)現(xiàn)的適應(yīng)性調(diào)節(jié)的量。
圖3A和3B是根據(jù)本發(fā)明的方面的眼睛晶狀體(IOL) 300的實(shí)施例的 一個(gè)范例的橫截面?zhèn)纫晥D。I0L300包括構(gòu)成包括IOL300的晶狀體的第一表 面310的第一光學(xué)放大率元件,以及構(gòu)成包括I0L300的晶狀體的第二表面
10320的第二光學(xué)放大率元件。
第一表面310和第二表面320機(jī)械地耦合至第一磁體350a和第二磁體 350b,從而分別由第一睫狀磁體375a和第二睫狀磁體375b施加于第一磁 體350a和第二磁體350b的磁場,使得第一表面310相對于第二表面320 產(chǎn)生位移。特別地,磁體350a和睫狀磁體375a被安置得使它們的公共磁 極朝向彼此(例如,如圖所示,它們的N極朝向彼此),并且因而互相排斥。 相似地,磁體350b和睫狀磁體375b被安置得使它們的北極(N)朝向彼此。 應(yīng)當(dāng)意識到,通過相對于第二表面移置第一表面,改變IOL300的放大率。 由于睫狀磁體375a和375b分別接近磁體350a和350b,將觸覺部件330a 和330b推向光軸線0A,引起第一表面310和第二表面320彼此越來越遠(yuǎn)離。 應(yīng)當(dāng)意識到,觸覺部件330a和330b可以被選擇成具有接觸囊袋的尺寸, 并且由此將I0L300定中心于患者的囊袋中。
如圖3A中所示,當(dāng)睫狀肌(未示出)松弛時(shí),磁體350a和375a以及 磁體350b和375b之間的互斥力,使得IOL300實(shí)現(xiàn)表面310和320的彎曲 確定量的平衡。根據(jù)表面310和320的形狀和位置所確定的I0L300所提供 的放大率,基于磁體350和375的磁屬性以及I0L300的機(jī)械屬性。如圖3B 中所示,在睫狀肌收縮時(shí),睫狀磁體375移動(dòng)靠近相應(yīng)的一個(gè)磁體350,而 結(jié)果,表面310和320彼此分開,并且表面310和320的曲率變大,從而 10L300的放大率增加。應(yīng)當(dāng)意識到,可以預(yù)先設(shè)置表面310和320以在由 于表面310和320的彎曲形狀(例如,凸形)而在收縮時(shí)彼此分離。分離 將通常認(rèn)為最可能沿著軸線0A。應(yīng)當(dāng)意識到,人工晶狀體300能夠直接響 應(yīng)于睫狀體移動(dòng)而改變放大率。
表面310和320包括能夠彎曲足夠量以實(shí)現(xiàn)IOL300的放大率合適改變 的材料。在所示實(shí)施例中,選擇材料具有合適的透明度以可看見光,從而 可以在患者視網(wǎng)膜上形成具有足夠亮度的圖像。
在一些實(shí)施例中,磁體包括合適的固體永磁體。例如,任何磁體可以 包括一種或多種下列金屬或陶瓷、磁性材料釹鐵硼、釤鈷或鋁鎳鈷。這 些材料可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)爻尚巍@?,磁體可以配置為球、塊、線或桿。正 如可能需要的,磁體可以覆蓋在生物惰性材料(例如,硅)中。
第一光學(xué)放大率元件310和第二光學(xué)放大率元件320可以借助于任何
合適的技術(shù)機(jī)械地耦合在一起。第一和第二表面界定了內(nèi)部空間315。在一 些實(shí)施例中,第一和第二表面耦合在一起,從而內(nèi)部空間315被完全封閉。 然而,本發(fā)明的實(shí)施例不局限于這種封閉,而可以存在一個(gè)或多個(gè)開口。 例如,可以圍繞IOL300的外周形成一個(gè)或多個(gè)開口。
在其中內(nèi)部空間315被完全封閉的實(shí)施例中,內(nèi)部空間可以由氣體介 質(zhì)(例如,空氣)或流體介質(zhì)(例如,液體或凝膠)填充。流體介質(zhì)的一 個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于,其與諸如空氣的氣體相比,具有更高的折射指數(shù)。在其中表 面未封閉內(nèi)部空間的實(shí)施例中,當(dāng)將晶狀體植入眼睛時(shí),存在于眼睛前房 中的含水流體將通常存在于內(nèi)部空間中。
雖然磁體375a和375b在此指定為睫狀磁體,給出該指定僅作為實(shí)例。 這樣指定的磁體可以連接至一個(gè)或多個(gè)睫狀體和懸韌帶。至少部分地由這 些位置中能夠響應(yīng)于來自大腦的自然神經(jīng)剌激而移動(dòng)的那一個(gè)位置,來確 定磁體375耦合之處,其中所述剌激指示將發(fā)生晶狀體聚焦。任意上述位 置的移動(dòng)的合適能力(其至少部分確定了磁體375的合適位置),將由患者 生理?xiàng)l件所確定。正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,睫狀體接收神經(jīng)刺 激,并且對剌激作出反應(yīng)。與此對比,懸韌帶響應(yīng)于睫狀體移動(dòng),而僅間 接地響應(yīng)神經(jīng)刺激。因此,與懸韌帶相比,在睫狀體中更可能存在移動(dòng)能 力??梢允褂眠B接至所選區(qū)域的任何合適的技術(shù),例如,外科手術(shù)植入該 位置,黏附在該位置上或者機(jī)械固定至該位置。
在一些實(shí)施例中,需要在晶狀體響應(yīng)于磁體375移動(dòng)而移動(dòng)時(shí),晶狀 體提供5至6個(gè)適應(yīng)性調(diào)節(jié)屈光度。因此,在確定所識別的位置能夠進(jìn)行 的移動(dòng)量和確定適應(yīng)性調(diào)節(jié)的所需量之后,可以設(shè)計(jì)或選擇IOL。例如,應(yīng) 當(dāng)選擇晶狀體具有合適的磁力、合適的機(jī)械特征(例如,表面彈性)以及 合適的晶狀體表面曲率。
雖然示出兩個(gè)磁體350a和350b,但是可以包括任意合適數(shù)量的磁體 (例如,1、 3或4)。對于包括的每個(gè)磁體350,可以包括相同數(shù)量的睫狀 磁體,每個(gè)均安置為互斥,如上所述;然而,磁體350和磁體375的數(shù)量 可以互相不同。應(yīng)當(dāng)意識到,初始可以植入第一數(shù)量的磁體,而稍后可以 根據(jù)醫(yī)療上所需要實(shí)現(xiàn)的合適量的適應(yīng)性調(diào)節(jié),來添加或移除其它磁體(例 如,實(shí)現(xiàn)適應(yīng)性調(diào)節(jié)的5—6個(gè)屈光度)。
在一些實(shí)施例中,每個(gè)磁體包括在相應(yīng)的觸覺部件330a和330b中。 然而,單一觸覺部件可以延伸在IOL300的圓周部分周圍,以使得包括一個(gè) 以上的磁體350,每個(gè)磁體安置得與一個(gè)或多個(gè)睫狀磁體375相互作用。在 一些實(shí)施例中,單一觸覺部件可以延伸完全圍繞I0L300的周圍。
圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明的方面的I0L400的另一實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫?圖。IOL400包括構(gòu)成I0L400的第一晶狀體410的第一光學(xué)放大率元件,以 及構(gòu)成I0L300的第二晶狀體420的第二光學(xué)放大率元件。在一些實(shí)施例中, 第一晶狀體410和第二晶狀體420可以由結(jié)構(gòu)430a而連接在一起。然而, 第一晶狀體410和第二晶狀體420可以由任意合適的結(jié)構(gòu)耦合在一起,所 述結(jié)構(gòu)允許第一晶狀體410和第二晶狀體420相對彼此平移,從而施加于 磁體350的磁場使得IOL400改變光學(xué)放大率。該結(jié)構(gòu)可以包括合適的合成 材料和/或患者自身生物材料。
至于在上參考圖3A和3B所述的裝置,第一光學(xué)放大率元件(即,晶 狀體410)和第二光學(xué)放大率元件(即,晶狀體420)機(jī)械地耦合至第一磁 體350a和第二磁體350b,從而分別由第一睫狀磁體375a和第二睫狀磁體 375b施加于第一和第二磁體350a和350b磁場,使得第一晶狀體410相對 于第二晶狀體420移置。尤其,至于圖3A和3B中的設(shè)備,磁體350a和睫 狀磁體375a被安置得使他們的公共極朝向彼此(例如,如圖所示,它們的 N極),并且因而互相排斥。相似地,磁體350b和睫狀磁體375b被安置得 使它們的北極(N)朝向彼此。應(yīng)當(dāng)意識到,相對于第二晶狀體420移置第 一晶狀體410,使得I0L400的放大率改變??梢允褂萌我夂线m數(shù)量的磁體 350和375。
結(jié)構(gòu)430a和430b可以包括任意合適的裝置,其使得第一晶狀體410 和第二晶狀體420在將磁力應(yīng)用于磁體350a和/或350b時(shí)進(jìn)行平移。例如, 結(jié)構(gòu)430a和430b可以包括柔韌材料430,其足夠柔韌以響應(yīng)于施加于磁體 350a和350b的磁場而在磁體350a的區(qū)域中彎曲,還足夠剛性以在施加磁 力時(shí)移動(dòng)晶狀體410和420使它們分離。
作為選擇,結(jié)構(gòu)430a和430b可以包括剛性段432a和432b,其樞軸地 圍繞磁體350,而基本上沒有彎曲任一剛性段。例如,磁體350可以連接至 鉸鏈,從而該剛性段432a和432b樞軸地圍繞鉸鏈。應(yīng)當(dāng)意識到,可以在
磁體350a處的結(jié)構(gòu)430a中形成合適的薄區(qū)域(即,活動(dòng)鉸鏈)而構(gòu)建鉸 鏈,從而該區(qū)域?qū)⒃试S響應(yīng)于施加于磁體350a的磁力而圍繞磁體350a樞 軸旋轉(zhuǎn)剛性段432a和432b。
如圖4A中所示,當(dāng)睫狀肌(未示出)松弛時(shí),基于磁體350和375的 磁性能和I0L400的機(jī)械性能,互斥力實(shí)現(xiàn)平衡。例如,如圖4B中所示, 在睫狀肌收縮時(shí),睫狀磁體375移動(dòng)更接近磁體350,而晶狀體410和420 分離。因此,人工晶狀體400能夠響應(yīng)于睫狀體移動(dòng)改變放大率。應(yīng)當(dāng)意 識到,包括結(jié)構(gòu)430a、 430b的晶狀體系統(tǒng)的一些實(shí)施例能夠通過僅相對于 第二放大率元件平移第一放大率元件(例如,未提供晶狀體410和420表 面的彎曲以改變IOL400的放大率),而使得放大率改變。
IOL400可以包括晶狀體410、 420的任意合適的組合,所述晶狀體410、 420能夠在晶狀體410和420相對彼此平移時(shí)提供I0L400的放大率的改變。 如圖4A中所示,選擇晶狀體410為正透鏡,而選擇晶狀體420為負(fù)透鏡, 從而當(dāng)晶狀體410和420互相移開時(shí),10L400的焦度增加。10L400可以包 括兩個(gè)以上的晶狀體。
第一晶狀體410和第二晶狀體420以及結(jié)構(gòu)430限定了內(nèi)部空間415。 在一些實(shí)施例中,第一和第二晶狀體耦合在一起,從而內(nèi)部空間415被完 全封閉。然而,本發(fā)明的實(shí)施例不局限于這種封閉,而且可以圍繞I0L400 的外周形成一個(gè)或多個(gè)開口。在內(nèi)部空間415完全封閉的實(shí)施例中,內(nèi)部 空間可以填充有氣體介質(zhì)或流體介質(zhì)。
圖4C是根據(jù)第二實(shí)施例的晶狀體的實(shí)例的透視圖。磁體375a布置在 圍繞IOL400的材料455的環(huán)中。例如,材料455的環(huán)可以通過粘合劑、機(jī) 械固定件、外科手術(shù)或其它合適的技術(shù)而連接至睫狀體。例如,材料455 的環(huán)可以連接至睫狀冠(parsplicatura)或懸韌帶。磁體375a被布置得 與磁體350a相對,從而,由于環(huán)455響應(yīng)于睫狀肌收縮和松弛而移置,結(jié) 構(gòu)430a運(yùn)行以相對晶狀體420移動(dòng)晶狀體410。
圖4D是根據(jù)晶狀體第二實(shí)施例的晶狀體的另一實(shí)例的透視圖。圖4D 中的示范晶狀體類似于圖4C中的晶狀體,不同之處在于磁體430a是楔形 的以使得充分符合觸覺部件430a。
圖5A和5B是根據(jù)本發(fā)明方面的I0L500的另一實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D。
與圖3A和3B中所示的10L相似,I0L500包括構(gòu)成包括IOL500的晶狀體的 第一表面510的第一光學(xué)放大率元件,以及構(gòu)成包括I0L500的晶狀體的第 二表面520的第二光學(xué)放大率元件。
第一表面510和第二表面520機(jī)械地耦合至第一磁介質(zhì)550a和第二磁 介質(zhì)550b,從而分別由第一睫狀磁體375a和第二睫狀磁體375b施加至第 一磁介質(zhì)550a和第二磁介質(zhì)550b的磁場使得第一表面510相對于第二表 面520移置。在圖5A和5B中所示的實(shí)施例中,磁媒質(zhì)是可流動(dòng)磁介質(zhì)。 例如,磁媒質(zhì)550a和550b可以是永磁流變流體,例如含納米顆粒的鐵磁 流體。第一表面510和第二表面520可以機(jī)械地耦合在一起,從而內(nèi)部空 間515被完全封閉。內(nèi)部空間可以填充有氣體介質(zhì)(例如空氣)或流體介 質(zhì)(例如,液體或凝膠)。
磁媒質(zhì)550a和550b優(yōu)選被保持得與內(nèi)部空間中的介質(zhì)分離,從而磁 介質(zhì)550a被保持在觸覺部件530a的一部分531a中,而內(nèi)部空間515中的 一部分介質(zhì)被布置在觸覺部件530a的一部分531a'中。類似地,磁介質(zhì) 550b被保持在觸覺部件532b的一部分531b中。例如,可移動(dòng)擋板532a 和530b可以設(shè)置在磁媒質(zhì)550a和550b之間的觸覺部件530a和530b中, 從而磁媒質(zhì)不與內(nèi)部空間515中的流體或氣體混合。在一些實(shí)施例中,可 以向磁媒質(zhì)提供表面活性劑以防止結(jié)聚。
正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解地,如圖5B中所示,當(dāng)鐵磁流體經(jīng)受 磁場時(shí),鐵磁流體的微粒在磁流通的方向上移動(dòng),這導(dǎo)致了流體自身的移 動(dòng)。因此,隨著鐵磁流體的微粒徑向向內(nèi)移動(dòng),在觸覺部件530a中可以形 成孔穴534a,而內(nèi)部空間515中的介質(zhì)移置,從而使得表面510和520更 凸?fàn)畹貜澢?br>
如圖5A中所示,當(dāng)睫狀肌(未示出)松弛時(shí),基于磁介質(zhì)550a和550b 與磁體375a和375b的磁性能,以及I0L400的機(jī)械性能(例如,表面510 和520的柔韌性),內(nèi)部空間515中的介質(zhì)的移置實(shí)現(xiàn)平衡。如圖5B中所 示,在睫狀肌收縮時(shí),睫狀磁體375a和375b移動(dòng)分別更接近磁媒質(zhì)550a 和550b,由此導(dǎo)致第一表面510和第二表面520彎曲和互相分離。應(yīng)當(dāng)意 識到,分離通常沿著軸線OA最明顯,從而表面510和520的曲率變得更大, 而I0L500的放大率增加。因此,人工晶狀體系統(tǒng)500能夠響應(yīng)于睫狀體的
移動(dòng)而改變放大率。
雖然示出了兩個(gè)觸覺部件,并且示出了每一個(gè)中設(shè)置有磁媒質(zhì)550a和 550b,但是可以包括具有可流動(dòng)磁媒質(zhì)(例如,1、 3或4)的任意數(shù)目的 觸覺部件。
圖5C和5D是根據(jù)圖5A和5B中所示的實(shí)施例的晶狀體的實(shí)施例的實(shí) 例的透視圖,其中晶狀體具有四個(gè)觸覺部件530a—530d。在所示實(shí)施例中, 環(huán)455連接至懸韌帶542。在圖5C中,如上參考圖5A所述,睫狀肌松弛, 并且不壓縮包括睫狀磁體375a—375d的環(huán)455。因此,磁媒質(zhì)550a—550d 設(shè)置在觸覺部件530a—530d的徑向最外部分中的位置中;而表面510和520 具有相對小的曲率。
在圖5D中,如上參考圖5B所述,睫狀肌收縮,并且由睫狀體徑向向 內(nèi)壓縮包括睫狀磁體375a—375d的環(huán)455。因此,磁媒質(zhì)550a—550d設(shè)置 在觸覺部件530a—530d的徑向最內(nèi)部分中;而作為結(jié)果,表面510和520 比圖5C中更彎曲。將意識到,雖然描述表面510和520均為柔韌的,但是 它們可以具有不同的柔韌度。在一些實(shí)施例中,表面510和520之一可以 是剛性的,而表面510和520中另一個(gè)將響應(yīng)于睫狀運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)更大的曲 率。
因而,已經(jīng)描述了發(fā)明思想和大量典型實(shí)施例,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員 而言將顯然的是,可以以各種方式實(shí)施本發(fā)明,而對于他們而言將易于發(fā) 生修改和改進(jìn)。因而,這些實(shí)施例并不旨在進(jìn)行限制,而僅作為實(shí)例呈現(xiàn)。 本發(fā)明僅根據(jù)需要由下列權(quán)利要求及其等效物所限定。
權(quán)利要求
1、一種人工晶狀體(IOL),包括第一光學(xué)放大率元件;第二光學(xué)放大率元件,其耦合于第一光學(xué)放大率元件,而第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件中至少之一被機(jī)械地耦合于至少一個(gè)第一磁介質(zhì),從而施加于該至少一個(gè)第一磁介質(zhì)的磁場使得IOL改變光學(xué)放大率。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOU其中第一光學(xué)放大率元件是IOL的第 一表面,而第二光學(xué)放大率元件是IOL的第二表面。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的IOL,其中第一表面和第二表面的至少之一 是柔韌的。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOL,其中第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué) 放大率元件被耦合在一起以在第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件 之間形成封閉空間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的I0L,其中封閉空間填充有氣體。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的I0L,其中封閉空間填充有流體。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOL,其中第一磁介質(zhì)是固體。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的I0L,其中第一磁介質(zhì)包括永磁體。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOL,其中第一光學(xué)放大率元件包括第一晶 狀體,而第二光學(xué)放大率元件包括第二晶狀體。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的IOL,其中第一晶狀體和第二晶狀體被配置 成平移而不彎曲。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的I0L,其中第一晶狀體和第二晶狀體由鉸 鏈耦合在一起。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的I0L,其中第一晶狀體由第一剛性元件耦 合至鉸鏈,而第二晶狀體由第二剛性元件耦合至鉸鏈。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的IOL,其中鉸鏈?zhǔn)腔顒?dòng)鉸鏈。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOL,其中第一磁介質(zhì)可流動(dòng)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的IOL,其中第一磁介質(zhì)是鐵磁流體。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的IOL,其中第一光學(xué)放大率元件和第二光 學(xué)放大率元件耦合在一起以形成包括第二介質(zhì)的封閉空間,并且其中IOL 被配置成在第一磁介質(zhì)移置時(shí),第二介質(zhì)被以彎曲第一光學(xué)放大率元件和 第二光學(xué)放大率元件的方式而移置。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的I0L,其中第一磁介質(zhì)和第二介質(zhì)由活動(dòng) 擋板分隔。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOL,其中IOL至少包括第一觸覺部件,其 中布置有第一磁介質(zhì)。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的IOL,其中IOL至少包括第二觸覺部件, 其中布置有第二磁介質(zhì)。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的IOL,其中IOL至少包括第三觸覺部件,其中布置有第三磁介質(zhì)。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的IOL,其中IOL至少包括第四觸覺部件, 其中布置有第四磁介質(zhì)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IOL,與被定尺寸和定形狀成圍繞眼睛的環(huán) 組合,該環(huán)至少保持第一磁體。
23、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的組合,還包括機(jī)械地耦合至IOL的第二磁介質(zhì),其中該環(huán)保持第二磁體,該第一磁體和第二磁體被布置成,當(dāng)該環(huán) 被放置于IOL周圍時(shí),第一磁介質(zhì)基本上與第一磁體相對,而第二磁介質(zhì) 基本上與第二磁體相對。
24、 一種IOL,配置成直接響應(yīng)于睫狀體和懸韌帶中至少之一的移動(dòng)而 改變光學(xué)放大率。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的I0L,包括 第一光學(xué)放大率元件;第二光學(xué)放大率元件,其耦合于第一光學(xué)放大率元件,而第一光學(xué)放 大率元件和第二光學(xué)放大率元件中至少之一被機(jī)械地耦合于至少一個(gè)第一 磁介質(zhì),從而施加于該至少一個(gè)第一磁介質(zhì)的磁場使得IOL改變光學(xué)放大率。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的IOL,其中第一光學(xué)放大率元件是IOL的 第一表面,而第二光學(xué)放大率元件是IOL的第二表面。
27、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的IOL,其中第一光學(xué)放大率元件和第二光 學(xué)放大率元件被耦合在一起以在第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元 件之間形成封閉空間。
28、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的IOL,其中第一磁介質(zhì)是固體。
29、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的I0L,其中第一光學(xué)放大率元件包括第一 晶狀體,而第二光學(xué)放大率元件包括第二晶狀體。
30、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的IOL,其中第一磁介質(zhì)可流動(dòng)。
31、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的IOL,其中IOL至少包括第一觸覺部件, 其中布置有第一磁介質(zhì)。
32、 根據(jù)權(quán)利要求31所述的IOL,其中IOL至少包括第二觸覺部件, 其中布置有第二磁介質(zhì)。
33、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的I0L,與被定尺寸和定形狀成圍繞眼睛的 環(huán)組合,該環(huán)至少保持第一磁體。
34、 根據(jù)權(quán)利要求33的組合,還包括機(jī)械地耦合至IOL的第二磁介質(zhì), 其中該環(huán)保持第二磁體,該環(huán)被定尺寸和定形狀成,當(dāng)該環(huán)被放置得鄰近 IOL時(shí),第一磁介質(zhì)基本上與第一磁體相對,而第二磁介質(zhì)基本上與第二磁 體相對。
35、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的IOL,其中IOL被配置成直接響應(yīng)于睫狀 體的移動(dòng)而改變光學(xué)放大率。
36、 根據(jù)權(quán)利要求35所述的IOL,還至少包括一個(gè)磁介質(zhì),該磁介質(zhì) 配置和安置成使得施加于至少一個(gè)磁介質(zhì)的磁場導(dǎo)致IOL改變光學(xué)放大率。
37、 根據(jù)權(quán)利要求36所述的IOU與被定形狀和定尺寸成連接至睫狀 體的至少一個(gè)磁體組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種人工晶狀體(IOL)(400),包括能夠響應(yīng)于睫狀體移動(dòng)而改變放大率的裝置。提供一種IOL,其包括第一光學(xué)放大率元件(410)和第二光學(xué)放大率元件(420)。該第二光學(xué)放大率元件被機(jī)械地耦合(432a,432b)于第一光學(xué)放大率元件,而第一光學(xué)放大率元件和第二光學(xué)放大率元件中至少之一被機(jī)械地耦合于至少一個(gè)磁體(350a,350b),從而施加于至少一個(gè)磁體的磁場使得第一光學(xué)元件和第二光學(xué)元件相對彼此移置。光學(xué)放大率元件可以是表面或晶狀體,磁介質(zhì)可以是液體、凝膠或固體。
文檔編號A61F2/16GK101360468SQ200680051005
公開日2009年2月4日 申請日期2006年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月21日
發(fā)明者J·平森 申請人:博士倫公司