專利名稱：：神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及在腦疾病等各種疾病的治療中有用的促進神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置。
背景技術：
：阿爾茨海默病性癡呆等神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病等腦疾病是以中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞脆弱化、損傷為原因產生的。為了治療這些腦疾病，正在研究向腦中移植新的細胞或者向腦中注入神經(jīng)營養(yǎng)因子，保護正在損壞的神經(jīng)細胞這樣的腦再生療法。這樣的再生療法雖大多尚處在研究階段，但其中一部分已經(jīng)正在進行臨床應用，作為對各種腦疾病的新的治療方法正在引人關注。例如，在非專利文獻1、2中，公開了為了向腦內導入神經(jīng)營養(yǎng)因子，向腦內移植產生神經(jīng)營養(yǎng)因子的細胞，補充神經(jīng)營養(yǎng)因子量不足的治療方法。非專利文獻l:"脳O再生醫(yī)療"，[online],日本腦神經(jīng)外科學會，[2006年10月16日檢索]，互聯(lián)網(wǎng)〈http:〃square.umin.ac.jp/neuroinf/patient/701.html〉非專利文獻2:"神経保護、神経修復薬O展望"，[online],[2006年10月16日檢索]，互聯(lián)網(wǎng)〈http:〃www.h2.dion.nejp/park/indexl/i1014hogo.html〉
發(fā)明內容然而，上述具有修復中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞的功能的神經(jīng)營養(yǎng)因子由于不能通過血腦屏障(即，處在血管與腦之間防止有害物質進入到腦內的屏障)，因此不能通過靜脈注射等向腦內投入神經(jīng)營養(yǎng)因子。因此，在現(xiàn)有的腦再生療法中，只有如上述那樣向腦內移植產生神經(jīng)營養(yǎng)因子的細胞，或者直接向腦內注入神經(jīng)營養(yǎng)因子的方法。但是，對腦進行細胞移植或者注入神經(jīng)營養(yǎng)因子這樣的方法是伴隨中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞的損傷或者對腦的感染等很高風險的行為，因此是僅能夠用特定的高級醫(yī)療設施來實現(xiàn)的治療方法，所以盡管患者數(shù)量在增加，但并不是患者在任何地方都能容易地接受治療。因此，本發(fā)明就是鑒于上述問題而完成的，作為本發(fā)明的目的，是提供一種新的改良的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，為了治療或者預防腦疾病等各種疾病，其能夠不向患部實施細胞移植或者注射，而是通過與治療場所無關的簡易方法，促進患部中的神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生。雖然關于磁療對腦疾病的治療效果的機理尚未完全明確，但本申請的發(fā)明人經(jīng)過不懈努力，得到了以下見解，即，通過以適當?shù)拇艌鰪姸?例如小于或等于0.01特斯拉)，向被治療體患部的特定細胞(能夠產生神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的細胞，例如神經(jīng)膠質細胞)作用預定頻率的高頻交變磁場，能夠使該細胞內的鈣離子(Ca2+)濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質(以下，有時將"神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質"稱為"神經(jīng)營養(yǎng)因子群")的胞吐作用(exocytisis:開口釋放)反應，并增加該細胞內的轉錄因子(mRNA:Messengerribonucleicacid)，從而能夠促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成以及釋放，由此，能夠促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生。因此，本申請的發(fā)明人著眼于這樣的細胞中神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生促進作用而進行不懈努力，對作用于細胞的高頻交變磁場的頻率進行了實驗以及研究。結果發(fā)現(xiàn)了能夠大幅度提高神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生促進這樣的磁療效果的適宜的高頻交變磁場的頻率，完成了如下的本申請發(fā)明。為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的某個觀點，提供一種神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，該神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置通過對細胞施加磁刺激，促進神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生。該神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置的特征在于，具備高頻電磁波發(fā)生單元，為了使選自20180MHz、280600MHz、7001000MHz的范圍的產生促進用高頻的高頻交變磁場在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下對細胞發(fā)生作用，該高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生產生促進用高頻的高頻電磁波，通過由產生促進用高頻的高頻交變磁場產生的磁刺激，使細胞內的鈣離子濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的胞吐作用，并通過磁刺激，增加細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子物質的轉錄因子(mRNA)，從而促進神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的合成以及向細胞外的釋放。根據(jù)這樣的結構，通過發(fā)生適于磁療的產生促進用高頻的高頻電磁波，就能夠發(fā)射該產生促進用高頻的高頻交變磁場，作用于被治療體患部等的細胞。通過這樣的磁刺激，促進被治療體患部的細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生，該神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質能夠使由于疾病而脆弱化、損傷或者數(shù)量正在減少的細胞再生，適宜地磁療該疾病。通過這樣的磁療，不用向患部實施細胞移植或者注射，不用選擇治療場所，就能夠簡單地進行疾病的治療或預防。另夕卜，通過使由上述20180MHz、280600MHz、7001000MHz的高頻交變磁場產生的磁刺激作用于能夠產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的細胞，使該細胞產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群，通過該神經(jīng)營養(yǎng)因子群的作用，能夠使由于疾病而發(fā)生脆弱化等的細胞的神經(jīng)突起的伸展度為非刺激組的2倍以上，因此能夠提高磁療效果。另外，上述細胞是能夠產生神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的細胞，可以包括神經(jīng)膠質細胞、神經(jīng)細胞、成纖維細胞、血管內皮細胞、表皮細胞、角化細胞、免疫細胞或者肌肉細胞。另外，上述神經(jīng)營養(yǎng)因子可以包括神經(jīng)生長因子(NGF)、腦源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(BDNF)、堿性成纖維細胞增殖因子(FGF-2)或者神經(jīng)膠質細胞株源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(GDNF)中的至少任一種。另外，神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質也可以是腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、錳離子、京尼平(Genipin)、溶血磷脂酰乙醇胺(lysophosphatidylethanolamine)、神經(jīng)節(jié)苷脂或者Rho激酶中的至少任一種。另外，上述神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置可以是用于治療以中樞神經(jīng)系統(tǒng)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的細胞的脆弱化、損傷或者細胞數(shù)減少為原因發(fā)生的疾病而使用的治療器。另外，上述疾病可以是神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病或者脊髓損傷中的至少任一種。另外，上述產生促進用高頻可以選自60180MHz、280300MHz、450550MHz或者900950MHz的范圍。由此，能夠使上述脆弱化等的細胞的神經(jīng)突起的伸展度為非刺激組的例如2.5倍以上，因此能夠進一步提高磁療效果。另外，上述產生促進用高頻可以選自100160MHz的范圍。由此，能夠使上述脆弱化等的細胞的神經(jīng)突起的伸展度為非刺激組的例如3倍以上，因此能夠更進一步提高磁療效果。另夕卜，上述產生促進用高頻可以選自120160MHz的范圍。由此，能夠使上述脆弱化等的細胞的神經(jīng)突起的伸展度為非剌激組的例如3.5倍以上，因此能夠顯著提高磁療效果。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以具備輸出高頻電流的高頻振蕩單元、和通過從高頻振蕩單元施加高頻電流，發(fā)生產生促進用高頻的高頻電磁波的高頻用天線。根據(jù)該結構，能夠適宜地發(fā)生上述產生促進用高頻的高頻電磁波，使產生促進用高頻的高頻交變磁場適宜地作用于被治療體患部的細胞。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以按照預定的周期反復發(fā)生高頻電磁波的接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的斷開期間，間歇發(fā)生高頻電磁波。由此，能夠間歇發(fā)生高頻交變磁場并作用于被治療體患部的細胞，因此，對于該細胞，能夠反復交替作用高頻交變磁場的狀態(tài)和沒有作用高頻交變磁場的狀態(tài)。從而，作用于該細胞的高頻交變磁場刺激發(fā)生變化，能夠提高磁療效果。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元也可以按照與2.0土10%kHz相對應的周期反復發(fā)生高頻電磁波的第1接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的第1斷開期間，間歇發(fā)生高頻電磁波。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以按照與7.8±10^Hz相對應的周期反復發(fā)生高頻電磁波的第2接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的第2斷開期間，間歇發(fā)生高頻電磁波。由此，能夠以被治療體患部的細胞敏感反應的適當時間間隔間歇發(fā)生高頻交變磁場，作用于患部的細胞。另外，還可以具備低頻電磁波發(fā)生單元，為了使選自上述2.0士10%kHz的范圍的產生促進用低頻的低頻交變磁場對細胞發(fā)生作用，該低頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生產生促進用低頻的低頻電磁波。由此，對被治療體患部的細胞，不僅是上述高頻交變磁場，還能使適合于磁療的產生促進用低頻的頻率的低頻交變磁場發(fā)生作用，從而能夠進一步提高磁療效果。另外，上述低頻電磁波發(fā)生單元還可以具備輸出低頻電流的低頻振蕩單元、和通過從低頻振蕩單元施加低頻電流，發(fā)生產生促進用低頻的低頻電磁波的低頻用天線。由此，能夠適宜地發(fā)生產生促進用低頻的低頻電磁波，使產生促進用低頻的低頻交變磁場適宜地作用于被治療體患部的細胞。另外，施加到上述低頻用天線的低頻電流的上升沿時間可以小于或等于O.lp秒。由此，能夠提高低頻交變磁場的強度的變化率，因此細胞易于感受低頻交變磁場。另外，上述低頻電磁波發(fā)生單元可以按照預定的周期反復發(fā)生低頻電磁波的接通期間和不發(fā)生低頻龜磁波的斷開期間，間歇發(fā)生低頻電磁波。由此，能夠間歇發(fā)生低頻交變磁場并作用于被治療體患部的細胞，因此，對于該細胞，能夠交替作用低頻交變磁場的狀態(tài)和沒有作用低頻交變磁場的狀態(tài)。從而，作用到該細胞的低頻交變磁場刺激發(fā)生變化，從而能夠提高磁療效果。另外，上述低頻電磁波發(fā)生單元可以按照與7.8±10%Hz相對應的周期反復發(fā)生低頻電磁波的第3接通期間和不發(fā)生低頻電磁波的第3斷開期間，間歇發(fā)生低頻電磁波。由此，能夠按照被治療體患部的細胞敏感反應的適當時間間隔間歇發(fā)生低頻交變磁場，作用于該細胞。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以按照預定的周期反復發(fā)生高頻電磁波的接通期間和不發(fā)生高頻電磁波的斷開期間，間歇發(fā)生高頻電磁波，高頻電磁波的接通期間與低頻電磁波的接通期間同步。由此，高頻交變磁場和低頻交變磁場在相同的時間重復發(fā)生/非發(fā)生，因此能夠明確地分離雙方的交變磁場作用于患部細胞的時間和沒有作用的時間。由此，作用于該細胞的交變磁場刺激發(fā)生明顯的變化，從而能夠提高磁療效果。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元還可以通過按照與產生促進用高頻相對應的周期間歇發(fā)生比產生促進用高頻高的頻率的高頻電磁波，發(fā)生產生促進用高頻的高頻電磁波。由此，能夠以高頻率的高頻電磁波作為載波，產生上述產生促進用高頻的高頻電磁波。另外，上述高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生的產生促進用高頻的高頻電磁波還可以包括發(fā)生低于產生促進用高頻的高頻電磁波時產生的高次諧波。即，高頻電磁波發(fā)生單元還可以包括在發(fā)生上述產生促進用高頻的整數(shù)分之一頻率的電磁波時，作為高次諧波，附隨地發(fā)生該產生促進用高頻的高頻電磁波的電磁波發(fā)生單元。發(fā)明的效果如以上說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，不用向患部實施細胞移植或者注射，通過與治療場所無關的簡易治療，就能夠促進患部中的神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生，從而治療或者預防腦疾病等各種疾病。圖1是表示本發(fā)明第1實施方式的磁療器的外觀的立體圖。圖2A是表示同一個實施方式的磁療器的內部結構的一個例子的平面圖。圖2B是表示同一個實施方式的磁療器的內部結構的其它例子的平面圖以及表示振蕩線圈的平面圖。圖3是表示同一個實施方式的磁療器的電路結構例的框圖。圖4是表示同一個實施方式的施加到高頻用線圈以及低頻用線圈上的高頻電流以及低頻電流的波形的波形圖。圖5A是表示使用了同一個實施方式的磁療器的治療狀態(tài)的說明圖。圖5B是表示使用了同一個實施方式的磁療器的治療狀態(tài)的說明圖。圖6是表示由同一個實施方式的磁療器產生的磁療效果的機理的流程圖。圖7是表示在本發(fā)明實施例的實驗1中使用的磁刺激裝置的結構的立體圖。圖8是表示本發(fā)明的實施例的實驗1的實驗結果的圖。圖9是表示本發(fā)明的實施例的實驗2的實驗結果的圖。圖10是表示本發(fā)明的實施例的實驗5的實驗結果的圖。圖ll是表示上述實施方式的磁療器發(fā)生的電磁波的頻率的測定結果的圖。符號的說明10、IOA、10B:磁療器(神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置)12:外罩16:顯示部18:電源部20:控制塊21:電源供給電路22:主控制電路23:時鐘生成電路24:高頻振蕩單元25:低頻振蕩單元30、30A、30B:高頻用線圈40、40A、40B:低頻用線圈50:振蕩線圈具體實施例方式以下，參照附圖，詳細說明本發(fā)明的最佳實施方式。另外，在本說明書及附圖中，對于實質上具有相同功能結構的結構要素，通過標注相同的符號省略重復的說明。(第l實施方式)以下，作為本發(fā)明第1實施方式的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置的一個例子，對磁療器進行說明。該磁療器是通過對人體患部的細胞施加磁刺激，促進細胞中的神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質(以下，將"神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質"稱為"神經(jīng)營養(yǎng)因子群")的產生，用于治療以及預防腦疾病等各種疾病的治療器。<磁療器的結構〉首先，根據(jù)圖1，說明本實施方式的磁療器io的外觀結構。另外，圖1是表示本實施方式的磁療器10的外觀結構的立體圖。如圖1所示，磁療器10例如具備外罩12、操作部14和顯示部16。外罩12是用于在內部收容磁療器10的各主要裝置的箱體，例如，用塑料等合成樹脂等形成。在圖1的例子中，該外罩12具有平坦的大致長方體形狀(例如，長度8cmX寬度6cmX高度2cm左右)，但并不限于這樣的例子，例如，也能夠變更成大致球形、大致橢圓球形、大致棒形、大致立方體形、其它的使用者易于手持的形狀等任意的形狀。磁療器10的使用者通過手持這樣的外罩12，使磁療器10直接接觸患部或者對患部接近到預定距離以內，從而能夠使從磁療器IO發(fā)射的電磁波(包括交變磁場)作用于患部。操作部14例如是用于使磁療器10的動作(交變磁場的照射動作等)開始/停止的開關等。例如使用者在每次按下這樣的操作部14時，能夠切換磁療器10的動作/非動作。另外，顯示部16例如由LED(發(fā)光二極管)等發(fā)光燈等構成。該顯示部16能夠顯示磁療器10的動作/非動作的狀態(tài)和后述的電源部(未圖示)的余量或者充電狀態(tài)等。在本實施方式中，該顯示部16由紅色LED16a和綠色LED16b的兩個LED構成。例如，如果電源部的電池余量等大于或等于預定水平，則該紅色LED16a點亮，如果小于該水平則閃爍。另外，綠色LED16b在磁療器IO的動作時點亮或者閃爍，在非動作時熄滅。但顯示部16并不限于這樣的例子，例如，也可以由能夠顯示文字或者圖形等的液晶顯示裝置(LCD)等構成。由此，顯示部16能夠顯示磁療器10正在照射的電磁波(交變磁場)的頻率和強度、已經(jīng)持續(xù)照射的時間、照射時間、治療程序、電池的余量、時刻或者溫度等各種信息。其次，根據(jù)圖2A、圖2B說明本實施方式的磁療器10的內部結構。另外，圖2A是表示本實施方式的磁療器10的內部結構的一個例子(磁1療器10A)的平面圖，圖2B是表示本實施方式的磁療器10的內部結構的其它例子(磁療器10B)的平面圖，以及表示其內部的振蕩線圈50的立體圖。如圖2A所示，在磁療器10A的外罩12的內部，例如設置電源部18、控制塊20、高頻用線圈30A、低頻用線圈40A。其中，控制塊20、高頻用線圈30A以及低頻用線圈40A例如設置在同一個基板17上，能夠一起裝卸于外罩12。電源部18例如是由各種充電電池或者干電池等電池(例如9V的干電池等)等構成的直流電源裝置，對磁療器10A的各部分供電。另外，控制塊20例如是設置有控制磁療器10A內各部的控制裝置、產生高頻的高頻振蕩電路以及時鐘生成電路等(均未圖示)的電路基板，詳細情況在后面敘述(參照圖3)。高頻用線圈30A是通過施加高頻電流發(fā)射高頻電磁波的天線(高頻用天線)的一個例子。該高頻用線圈30A例如是由纏繞了8圈比較粗的銅線得到的線圈所構成的環(huán)形天線。這樣的高頻用線圈30A例如通過從上述控制塊20施加高頻電流，能夠發(fā)生作為產生促進用高頻(例如100160MHz)的高頻電磁波并向周圍發(fā)射。該高頻電磁波包括高頻交變磁場以及高頻交變電場。另一方面，低頻用線圈40A是通過施加低頻電流發(fā)射低頻電磁波的天線(低頻用天線)的一個例子。該低頻用線圈40A例如是由纏繞了500圈比較細的銅線得到的線圈所構成的環(huán)形天線。這樣的低頻用線圈40A例如通過從上述控制塊20施加低頻電流，能夠發(fā)生頻率例如大約2.0kHz的低頻電磁波并向周圍發(fā)射。該低頻電磁波包括低頻交變磁場以及低頻交變電場。這些高頻用線圈30A以及低頻用線圈40A例如被平行配置，使得各個中心軸例如大致沿相同的方向。而且，該高頻用線圈30A以及低頻用線圈40A的各個中心軸配置成平行于外罩12的最寬的面(圖1的上面以及下面)。從而，由高頻用線圈30A以及低頻用線圈40A發(fā)生的高頻電磁波以及低頻電磁波形成磁力線垂直于外罩12的側面的高頻交變磁場以及低頻交變磁場。其次，對圖2B表示的磁療器10B進行說明。如圖2B所示，在磁療器10B的外罩12的內部，例如設置電源部18、控制塊20、包括高頻用線圈30B和低頻用線圈40B的振蕩線圈50。其中，控制塊20、高頻用線圈30B以及低頻用線圈40B例如設置在同一個基板17上，能夠一起裝卸于外罩12。，圖2B的磁療器10B與上述圖2A的磁療器10A相比較，僅是高頻用線圈30B和低頻用線圈40B的結構以及配置不同，由于其它的構成要素大致相同，因此省略詳細的說明。如圖2B所示，振蕩線圈50例如在直徑3cm、軸方向的寬度9cm、徑向的厚度2mm的丙烯制的環(huán)形底座部52的外周上，形成了纏繞有比較粗的銅線得到的高頻用線圈30B和纏繞有比較細的導線得到的低頻用線圈40B。其中，高頻用線圈30B是纏繞了1圈的螺線管線圈(直徑3cm)，低頻用線圈40B是纏繞了200圈的螺線管線圈(直徑3cm，纏繞寬度5mm)。g卩，振蕩線圈50是在一個環(huán)形底座部52上，在同一個軸上制作了高頻用線圈30B以及低頻用線圈40B這兩種線圈。該振蕩線圈50的中心軸(高頻用線圈30B以及低頻用線圈40B的中心軸)配置成垂直于外罩12的最寬的面(圖1的上面以及下面)。從而，由高頻用線圈30B以及低頻用線圈40B發(fā)生的高頻電磁波以及低頻電磁波形成磁力線垂直于外罩12的最寬的面的高頻交變磁場以及低頻交變磁場。以上參照圖2A、圖2B說明了磁療器10的2個結構例(IOA、IOB)。在上述的磁療器IOA和磁療器10B中，形成交變磁場的磁力線的方向或者形狀不同。然而，在每種情況下，高頻用線圈30A、30B(以下統(tǒng)稱為"高頻用線圈30")以及低頻用線圈40A、40B(以下統(tǒng)稱為"低頻用線圈40")發(fā)生的高頻電磁波以及低頻電磁波，例如，以在以線圈的中心軸為中心的整個圓周方向大致均勻地擴散的方式照射。因此，即使以任意的角度使磁療器IOA、10B的任一個面接觸或者接近患部，都具有磁療效果。從而，使用這種磁療器10的治療非常簡便。另外，作為發(fā)射高頻電磁波或者低頻電磁波的天線，不限于上述圖2的高頻用線圈30以及低頻用線圈40那樣的環(huán)形天線的例子，例如，也能夠使用棒形天線等各種天線。其次，根據(jù)圖3，更詳細地說明本實施方式的磁療器10的電路結構以及動作。另外，圖3是表示本實施方式的磁療器10的電路結構的框圖。以下說明的控制塊20以及上述高頻用線圈30是發(fā)生預定的產生促進用頻率(例如83.3MHz)的高頻電磁波的高頻電磁波發(fā)生單元的一個結構例。該控制塊20以及上述低頻用線圈40是發(fā)生預定頻率(例如2kHz)的低頻電磁波的低頻電磁波發(fā)生單元的一個結構例。如圖3所示，控制塊20例如具備主控制電路22、電源供給電路21、時鐘生成電路23、高頻振蕩單元24和低頻振蕩單元25。主控制電路22例如由單芯片微機等構成，具有對控制塊20內的各部進行控制的功能。電源供給電路21例如具有接通/斷開控制電路212、升壓電路214、降壓電路216，具有控制把來自上述電源部18的電力供給到控制塊20內各部的功能。具體而言，接通/斷開控制電路212例如檢測操作部14的開關的接通/斷開，把檢測結果輸入到主控制電路22。另外，接通/斷開控制電路212根據(jù)主控制電路22的接通/斷開指示，接通/斷開從電源部18向高頻用線圈30以及低頻用線圈40等的供電。另外，升壓電路214例如能夠根據(jù)需要把來自由9V干電池構成等的電源部18的電力進行升壓。由此，能夠把供給到高頻用線圈30以及低頻用線圈40的電壓維持為例如9V。另外，升壓電路214例如在由于電源部18的電池的消耗等使自身能夠輸出的電壓降低到小于或等于預定水平的情況下，還能對主控制電路22輸出電池消耗的錯誤信號。其結果，主控制電路22如果被輸入了該錯誤信號，則例如進行把紅色LED16a從點亮切換到閃爍的控制，向使用者通知電池的消耗。另夕卜，降壓電路216通過把電源部18的電源降壓，能夠把供給到主控制電路22等的電壓維持為例如5V。另外，降壓電路216例如在由于電源部18的電池的消耗等使自身能夠輸出的電壓下降到小于或等于預定水平的情況下，還能對主控制電路22輸出電壓下降的錯誤信號。其結果，主控制電路22進行控制，使得例如停止磁療器10整體的動作，從而可以預先防范由電壓下降等引起的突發(fā)性的動作停止等故障。其結果，例如，由于在磁療器10的動作過程中點亮的綠色LED16b被控制成熄滅，因此能夠向使用者通知磁療器IO停止了動作。時鐘生成電路23例如生成預定頻率的時鐘信號，輸出到主控制電路22。該時鐘生成電路23構成為例如能夠生成32.7kHz以及10MHz的時鐘信號。主控制電路22把從該時鐘生成電路23輸入的時鐘信號輸出到低頻振蕩電路254。低頻振蕩電路254根據(jù)該時鐘信號，例如生成2.0kHz以及7.81Hz的時鐘信號，分別輸出到調制電路246以及線圈驅動電路258。高頻振蕩單元24生成預定的產生促進用頻率(例如大約83.3MHz)的高頻電流，施加到高頻用線圈30上。該高頻振蕩單元24例如具有頻率控制電路242、高頻振蕩電路244、調制電路246和線圈驅動電路248。頻率控制電路242具有控制高頻振蕩電路244生成的高頻的頻率的功能。具體而言，該頻率控制電路242例如根據(jù)來自主控制電路22的頻率設定信號以及來自高頻振蕩電路244的反饋的高頻，控制高頻振蕩電路244輸出的高頻的頻率。其結果，高頻振蕩電路244能夠穩(wěn)定地產生例如83.3MHz的高頻，輸出到調制電路246。另外，高頻只要是能夠傳遞預定頻率的信號，則可以是高頻電流或者高頻電壓的任一種。另外，上述高頻振蕩電路244輸出的83.3MHz的高頻例如是大致正弦波信號。調制電路246例如根據(jù)從低頻振蕩電路254輸入的時鐘信號，能夠例如以兩個階段進行接通/斷開處理，間歇輸出從高頻振蕩電路244輸入的83.3MHz的高頻信號。第1階段的接通/斷開處理是例如根據(jù)2.0kHz的時鐘信號，部分地截斷輸入的83.3MHz的高頻，間歇地輸出的處理。具體而言，調制電路246反復進行例如預定的第1接通期間(例如400pSeC)直接輸出83.3MHz的高頻，接著，預定的第1斷開期間(例如lOOpec)輸出把該高頻的振幅截斷了的信號的處理。由此，調制電路246例如能夠按照與2.0kHz相當?shù)闹芷诮油?斷開例如作為恒穩(wěn)的正弦波被輸入的83.3MHz的高頻，間歇振蕩83.3MHz的高頻。換言之，調制電路246能夠進行例如以從高頻振蕩電路244輸入的83.3MHz的高頻作為載波，輸出顯示2.0kHz的大致矩形波的信號的調制處理。另外，第2階段的接通/斷開處理是例如根據(jù)7.81Hz的時鐘信號，把完成了上述第1階段的接通/斷開處理的高頻進一步部分地截斷，間歇輸出的處理。具體而言，調制電路246反復進行例如預定的第2接通期間(例如64msec)直接輸出該高頻，接著，預定的第2斷開期間(例如64msec)輸出把該高頻的振幅截斷了的信號的處理。由此，調制電路246例如能夠像上述那樣，把按照與2.0kHz相當?shù)闹芷陂g歇的83.3MHz的高頻按照與7.81Hz相當?shù)闹芷诮油?斷開，進而能夠間歇振蕩按照更大的周期間歇的高頻。換言之，調制電路246例如能夠把從高頻振蕩電路244輸入的83.3MHz的高頻作為載波，輸出顯示7.81Hz的大致矩形波的信號。由這樣的調制電路246實施了兩個階段的接通/斷開處理的高頻輸入到線圈驅動電路248。線圈驅動電路248用來自電源供給電路21的電力把所輸入的高頻放大，按照與2.0kHz以及7.81Hz相當?shù)膬蓚€周期間歇振蕩頻率83.3MHz的高頻電流，施加到高頻用線圈30上。這時，線圈驅動電路248通過控制施加到高頻用線圈30的高頻電流的電流值，控制高頻用線圈30發(fā)生的高頻電磁波的磁場強度(磁通密度)，使得對患部作用的高頻交變磁場的磁場強度例如在50nT0.01T以下的范圍。例如，實際檢測了本實施方式的磁療器10B的高頻用線圈30B發(fā)生的高頻電磁波的磁場強度的結果是1.3pT，由此，距高頻用線圈30B的有效距離為3mm的范圍內，能夠對患部作用大于或等于50pT的高頻交變磁場。另一方面，低頻振蕩單元25例如生成大約2kHz的低頻電流，施加到低頻用線圈40上。該低頻振蕩單元25例如具有低頻振蕩電路254和線圈驅動電路258。低頻振蕩電路254如上所述，根據(jù)從主控制電路22輸入的時鐘信號，例如生成2.0kHz以及7.81Hz的時鐘信號，分別輸出到調制電路246以及線圈驅動電路258。另夕卜，低頻振蕩電路254例如根據(jù)該時鐘信號作為大致矩形波生成2.0kHz的低頻，進而，對該低頻，例如按照與大約7.81Hz相當?shù)闹芷?每64msec)實施接通/斷開處理，生成按照與大約7.81Hz相當?shù)闹芷陂g歇的2kHz的低頻。具體而言，低頻振蕩電路254反復進行例如預定的第3接通期間(例如64msec)直接輸出該低頻，接著，預定的第3斷開期間(例如64msec)輸出把該低頻的振幅截斷了的信號的處理。由此，低頻振蕩電路254能夠例如按照與7.81Hz相當?shù)闹芷诎?.0kHz的低頻接通/斷開，進行間歇振蕩。另夕卜，在該低頻振蕩電路254的前后還可以設置與上述頻率控制電路242以及調制電路246相當?shù)碾娐?。線圈驅動電路258用來自電源供給電路21的電力把從低頻振蕩電路254輸入的低頻放大，按照與7.81Hz相當?shù)闹芷陂g歇振蕩頻率2.0kHz的高頻電流，施加到低頻用線圈40上。這時，線圈驅動電路258通過控制施加到低頻用線圈40上的低頻電流的電流值，控制低頻用線圈40發(fā)生的低頻電磁波的磁場強度(磁通密度)，使得對患部作用的低頻交變磁場的磁場強度例如在50nT0.01T以下的范圍。例如，實際檢測了本實施方式的磁療器10B的低頻用線圈40B發(fā)生的高頻電磁波的磁場強度的結果是13pT，由此，在距低頻用線圈40B的有效距離為3mm的范圍內，能夠對患部作用大于或等于50pT的低頻交變磁場。<電磁波發(fā)生時間>這里，參照圖4，詳細說明施加到本實施方式的高頻用線圈30以及低頻用線圈40上的高頻電流以及低頻電流的波形。另外，圖4是表示施加到本實施方式的高頻用線圈30以及低頻用線圈40上的高頻電流以及低頻電流的波形的波形圖。如圖4(a)所示，在高頻用線圈30上施加產生促進用頻率(例如大約83.3MHz)的高頻電流。該高頻電流例如成為振幅30mA、以OA為中心對稱的大致正弦波。另外，該高頻電流例如不是連續(xù)波而是周期性地接通/斷開的斷續(xù)波。詳細而言，高頻電流具有交互反復例如400nsec的第1接通期間(1)和例如lOOpec的第1斷開期間(2)的波形，按照例如與大約2.0kHz相對應的周期間歇。進而，這樣的高頻電流在更大的時間尺度中，具有交互反復例如64msec的第2接通期間(3)和例如64msec的第2斷開期間(4)的波形，按照例如與大約7.81Hz相對應的周期間歇。另外，由于該高頻電流是例如大約83.3MHz的高頻，因此其上升沿時間以及下降沿時間例如小于或等于0.003pec，非常微小。與其相對，如圖4(b)所示，在低頻用線圈40上施加例如頻率大約2.0kHz的低頻電流。該低頻電流例如成為按照大約2.0kHz的周期交互取17pA或者OA的二值的矩形波(方波)。該低頻電流成為17pA的時間寬度(5)例如是400nsec，為OA的時間寬度(6)例如是100|asec。另外，該低頻電流的大致矩形波調整為其上升沿時間小于或等于O.lpsec，下降沿時間成為例如小于或等于l.Opsec。這樣，通過使施加到低頻用線圈40上的低頻電流的上升沿時間短至小于或等于O.l(asec，下降沿時間短至小于或等于l.O(isec，能夠增大施加該低頻電流時低頻用線圈40發(fā)生的低頻電磁波的單位時間的變化量。由此，由于磁刺激對象細胞易于感受極其微弱的磁場(例如磁通密度50nT0.01T)(即，細胞易于受到磁刺激)，因此能夠進一步促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生。縮短施加到低頻用線圈40上的電壓的上升沿時間，在線圈周圍發(fā)生的磁場變化率并不增大，但通過如上述那樣縮短低頻電流的上升沿時間，能夠增大磁場變化率，使細胞敏感地感受到磁場。例如，該低頻電流也不是連續(xù)波而是以大約7.81Hz周期性地接通/斷開的斷續(xù)波。詳細而言，例如，低頻電流具有交互反復64msec的第3接通期間(6)和64msec的第3斷開期間(8)的波形，按照與大約7.81Hz相對應的周期間歇。進而，如果把圖4(a)以及圖4(b)進行比較，則按照7.81Hz的周期接通/斷開高頻電流的定時與按照7.81Hz的周期接通/斷開低頻電流的定時同步。更詳細而言，高頻電流以及低頻電流都按照與7.81Hz相對應的周期間歇(具體而言，例如按照128msec的周期反復接通/斷開)，而這吋，調整高頻電流以及低頻電流的施加時間，使得高頻電流的第2接通期間(3)(或者第2斷開期間(4))與低頻電流的第3接通期間(7)(或者第3斷開期間(8))大致相同。除此以外，高頻電流施加到高頻用線圈30的期間(1)(高頻電流的接通期間)與低頻電流為例如17kiA的期同(5)(即，電流在低頻用線圈40中流過的期間)同步。更詳細而言，高頻電流以2.0kHz間歇(具體而言，例如按照500網(wǎng)ec的周期反復接通/斷開)，另一方面，低頻電流以2.0kHz交互取17^A或者OA的二值。這種情況下，高頻電流的第1接通期間(1)與低頻電流為17pA的期間(5)—致，高頻電流的第l斷開期間(2)與低頻電流為0A的期間(6)—致。這樣，調整高頻電流以及低頻電流的施加時間，使得高頻電流實際上在高頻用線圈30中流過的時間與低頻電流實際上在低頻用線圈40中流過的時間同步。例如，通過在9V下施加上述的高頻電流，高頻用線圈30能夠發(fā)生例如與圖4(a)所示的高頻電流大致相同波形的高頻電磁波并向周圍發(fā)射。該高頻電磁波例如是頻率大約83.3MHz的高頻的大致正弦波，按照與大約2.0kHz以及大約7.81Hz相當?shù)闹芷?，周期性地變化。通過這樣的高頻電磁波的照射，產生促進用高頻例如能夠在磁療器10的周圍間歇發(fā)生例如83.3MHz的高頻交變磁場。更詳細而言，例如，該高頻交變磁場是磁通密度(磁場強度)以13pT為最大振幅，以大約83.3MHz周期性地增減，磁場方向沿著正負兩個方向以大約83.3MHz周期性地變動的交變磁場，是按照與大約2.0kHz以及大約7.81Hz相當?shù)闹芷陂g斷地發(fā)生的磁場。通過這樣發(fā)生間歇的高頻交變磁場，磁療器IO不僅能夠將作為產生促進用高頻的大約83.3MHz的高頻交變磁場，而且還能同時將以該高頻交變磁場為載波的大約2.0kHz以及大約7.81Hz的低頻交變磁場的方式作用于被治療體(人體的患部等)。另外，通過例如在9V下施加上述的低頻電流，低頻用線圈40能夠發(fā)生與圖4(b)所示的低頻電流大致相同波形的低頻電磁波并向周圍發(fā)射。例如，該低頻電磁波是頻率大約2.0kHz的低頻的大致矩形波，以大約7.81Hz周期性地變化。通過這種低頻電磁波的照射，產生促進用低頻例如能夠在磁療器10的周圍間歇地發(fā)生大約2.0kHz的低頻交變磁場。更詳細而言，該低頻交變磁場例如是以2.0kHz的周期接通/斷開(例如，交互反復400psec的接通期間和10(Hisec的斷開期間)磁場強度例如為13pT、磁場方向僅固定為例如正方向的磁場而產生的交變磁場，作為整體，是以與大約7.81Hz相當?shù)闹芷陂g歇發(fā)生的磁場。通過這樣發(fā)生間歇的低頻交變磁場，磁療器10不僅能夠將產生促進用低頻為大約2.0kHz的低頻交變磁場，而且還能同時將以該低頻交變磁場為載波的大約7.81Hz的低頻交變磁場作用于被治療體。進而，通過對高頻用線圈30以及低頻用線圈40同時并行施加上述高頻電流以及低頻電流，能夠同時發(fā)生這樣的高頻電磁波和低頻電磁波。其結果，例如，能夠在磁療器10的周圍同時發(fā)生高頻交變磁場和低頻交變磁場。這時，如在上述圖4中表示的那樣，例如，高頻電磁波以及低頻電磁波的7.81Hz下的間歇時間相互同步，而且，高頻電磁波的2.0kHz下的間歇時間與由低頻電磁波產生的2.0kHz下的磁場發(fā)生時間同步。由此，能夠使由高頻電磁波照射產生的高頻交變磁場的發(fā)生時間與由低頻電磁波照射產生的磁場的發(fā)生時間同步。即，能夠使得當高頻用線圈30發(fā)生高頻交變磁場時，低頻用線圈40也發(fā)生預定強度的磁場，另一方面，當高頻用線圈30沒有發(fā)生高頻交變磁場時，低頻用線圈40也不發(fā)生預定水平的磁場。從而，磁療器10作為整體能夠周期性地反復磁場(高頻用線圈30發(fā)生的高頻交變磁場以及低頻用線圈40發(fā)生的預定水平的磁場)的發(fā)生/不發(fā)生。上述中說明了交變磁場的發(fā)生，而通過上述電磁波的照射也發(fā)生高頻交變電場和低頻交變電場。這些交變電場的發(fā)生方式例如與上述交變磁場的發(fā)生方式大致相同，因此省略其說明。另外，在上述圖3以及圖4的例子中，說明了產生83.3MHz的高頻電磁波作為產生促進用高頻，產生2.0kHz的低頻電磁波作為產生促進用低頻的例子，但所發(fā)生的頻率并不限于這樣的例子。本實施方式的磁療器10以與上述相同的結構，能夠產生例如20180MHz、280600MHz、7001000MHz范圍的高頻電磁波作為產生促進用高頻，另外，能夠發(fā)生例如2±10%kHz范圍的低頻電磁波作為產生促進用低頻。<磁療器的磁療方式〉其次，根據(jù)圖5A以及圖5B，說明由本實施方式的磁療器10進行磁療的方式狀態(tài)及其作用效果。另外，圖5A以及圖5B是表示使用了本實施方式的磁療器IOA、10B(參照圖2A、圖2b)的治療方式的說明圖。如圖5A以及圖5B所示，磁療器10例如是用干電池等電池動作的小型輕便的治療器(例如家用治療器)，患者能夠容易攜帶。另外，該磁療器10是磁刺激式的治療器，g卩，通過從上述高頻用線圈30以及低頻用線圈40產生電磁波而能夠從體外對腦內等患部的細胞作用磁剌激。因此，磁療器10不需要現(xiàn)有的電極粘貼型治療器中的用于在人體中流過電流的電極或者特殊的大型裝置，另外，即使在向腦內等施加磁刺激的情況下，也不需要剃去頭發(fā)。在使用這樣的磁療器10治療人體的患部(被治療體)時，例如，如圖5A(a)以及圖5B(a)所示，可以使接通了電源開始動作的磁療器10對患部直接接觸或者隔著頭發(fā)或衣服等間接接觸。由此，磁療器10向患部的磁刺激對象細胞作用如上述那樣發(fā)生的交變磁場(高頻交變磁場以及低頻交變磁場)。這時，交變磁場例如不僅作用于人體表面(毛發(fā)、皮膚等)的細胞，還作用于人體內部(腦、脊髓、肌肉、血管、骨骼等)的細胞，向這些細胞施加磁刺激。另外，磁療器10例如不一定需要與患者接觸，即使像圖5A(b)以及圖5B(b)所示那樣，僅是接近距體表預定距離以內的位置，也能夠向患部的細胞作用上述交變磁場。即，磁療器10例如與電極粘貼類的接觸型的磁療器等不同，能夠作為即使從頭發(fā)或者衣服之上等也能治療的非接觸型的磁療器利用。然而，由于磁療器10發(fā)生的交變磁場的強度隨著離開磁療器10而減小(與離開距離的三次方成比例降低)，因此如果磁療器10過于離開患部，則磁療效果減弱。因此，本實施方式的磁療器10考慮到高頻用線圈30以及低頻用線圈40與磁刺激對象的患部的距離(用于提供最低限度磁場強度的磁刺激的有效距離)，例如調整高頻用線圈30以及低頻用線圈40發(fā)生的高頻交變磁場以及低頻交變磁場的磁場強度，使得對該患部作用磁場強度(磁通密度)為例如50nT0.01T的交變磁場。即使是該50nT這樣微弱的磁場強度，也能夠對細胞施加可以促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生程度的磁刺激。由于地磁的強度是大約6mT，因此上述50nT這樣的磁場強度是地磁的大約1000分之一左右的非常弱的強度。這里，對使用上述磁療器10A(參照圖2A)和磁療器10B(參照圖2B)時的差別進行說明。如圖5A所示，在使用上述磁療器10A時，發(fā)生磁力線沿著長邊方向橫斷磁療器10A的交變磁場。另外，如圖5B所示，在使用上述磁療器10B時，發(fā)生磁力線沿著短邊方向縱斷磁療器10B的交變磁場。由此，能夠在患者腦內的寬深范圍內產生磁刺激。另外，磁療器IOA、10B由于向其整個周圍發(fā)生交變磁場，因此在磁療時，與患部對置的磁療器10A、10B的朝向不限于圖5A、圖5B那樣的對體表平行的方向的例子，即使是垂直于體表的方向、斜方向等任意的方向也能夠對患部作用交變磁場而進行治療。如以上那樣，通過使用上述磁療器10，對患部作用高頻交變磁場以及低頻交變磁場，例如促進患部特定細胞中的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生，由該神經(jīng)營養(yǎng)因子群促進中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦神經(jīng)系統(tǒng)細胞的恢復，從而能夠發(fā)揮治療腦疾病等的磁療效果。這時，磁療器10由于間歇產生上述高頻電磁波以及低頻電磁波，因此使交變磁場斷續(xù)地作用于患部，能夠產生磁場的變化。因此，不會像連續(xù)發(fā)生恒穩(wěn)交變磁場的情形那樣，由于患部的組織(細胞等)習慣了恒穩(wěn)的交變磁場而使磁療效果減弱。進而，由于高頻交變磁場的發(fā)生時間與低頻交變磁場的發(fā)生時間同步，因此作為磁療器10作用的磁場整體還具有強弱變化。因此，能夠更明確有無對患部的磁刺激，提高磁療效果。進而，調整磁療器10，使得所發(fā)生的高頻電磁波的上升沿時間以及下降沿時間短至例如小于或等于0.003psec，并且，大致矩形波的低頻電磁波的上升沿時間小于或等于O.lpsec,下降沿時間例如小于或等于1.0網(wǎng)ec。因此，在上述交變磁場變化時，磁場的作用/非作用的變化速度很快。從而，由于患度的組織對這樣的磁場變化敏感地反應，因此磁療效果提高。另外，磁療器10還具有一個特征，即，對患部的細胞起作用的高頻交變磁場以及低頻交變磁場的強度(磁通密度)例如大于或等于50nT、小于或等于0.01T，與現(xiàn)有的其它磁療器(例如0.810T)相比較非常小。即，在如現(xiàn)有的磁療器那樣使用了高磁場強度的情況下，有可能因磁刺激而在腦等患部中產生傷害。由這種強的磁剌激引起的傷害是眾所周知的，為此，在發(fā)達國家中確定了磁場環(huán)境下的安全作業(yè)基準。例如，在美國(斯坦福大學，1971年)對全身、頭部的磁刺激規(guī)定為0.02T，每一天暴露幾分鐘。然而，在現(xiàn)有的磁療法中，作用大于或等于0.1T的磁場的情形占據(jù)了大半。例如，即使直徑幾毫米的肩部肌肉僵硬治療用的磁鐵，其磁場強度也是0.080.13T。因此，不能否定長期使用以高強度磁場產起對生物體的傷害的可能性。與此不同，本實施方式的磁療器10由于作用于患部細胞的磁場強度如上所述是大于或等于50nT、小于或等于O.OIT，非常微弱，因此使生物體發(fā)生傷害的可能性極低，特別是能夠提供對腦等敏感的重要患部的安全磁療。但是，如果對患部作用的交變磁場的磁場強度過低(例如小于30nT)，則磁療效果可能降低。在某一種說法中，認為細胞能夠反應的最低磁場強度例如是3.011丁左右。因而，在本實施方式的磁療器10中，調整高頻用線圈30以及低頻用線圈40發(fā)生的高頻交變磁場以及低頻交變磁場的磁場強度，以使對患部的細胞作用的磁場程度例如成為50nT0.01T的適宜范圍。這些線圈發(fā)生的交變磁場的磁場強度根據(jù)磁療器10內的高頻用線圈30以及低頻用線圈40與磁刺激對象的患部的距離(例如，從體表到腦內患部的距離)以及患部的磁導率(例如，腦的磁導率)等而決定。具體而言，在本實施方式的磁療器10的結構中，例如，對從體表起6cm以內深度的患部，在至少作用50nT的高頻交變磁場以及低頻交變磁場時(即，使由磁療器10產生的磁刺激的有效距離為6cm時)，可以把高頻用線圈30B發(fā)生的高頻交變磁場的該線圈30B附近的磁場強度設定為例如大約O.OIT，把低頻用線圈40B發(fā)生的低頻交變磁場的該線圈40B附近的磁場強度設定為例如大約大于或等于O.IT。另外，在使上述有效距離為12cm時，可以把上述高頻交變磁場的線圈30B附近的磁場強度設定為例如大約O.IT，把上述低頻交變磁場的線圈40B附近的磁場強度設定為例如大約1T。如以上那樣，本實施方式的磁療器IO例如為了促進患部細胞的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生，作用適當?shù)念l率以及磁場強度的交變磁場，并且能夠以細胞易于受到刺激的時間切換這種交變磁場的作用/非作用。從而，本實施方式的磁療器10與現(xiàn)有的磁療器相比較，磁療效果非常高。另外，磁療器10操作簡單，而且不僅是電池驅動式、小型輕便、易于攜帶，而只要像上述那樣接觸或者接近患部，就能夠容易而且在短時間(例如10分鐘)內發(fā)揮治療效果。從而，使用這種磁療器10的磁療不像現(xiàn)有的腦再生療法還需要進行向腦內移植細胞的手術或者向腦內注入這樣高級的醫(yī)療技術。由此，患者不必住院，就能夠在家庭、職場、學校等任意的場所，由患者自身使用磁療器io隨時簡單地進行治療。另外，現(xiàn)有的進行向腦內移植細胞的手術或者向腦內注入這樣的再生療法有可能引起腦損傷或者感染癥等負作用。與此不同，本實施方式的磁療器IO通過從體外對具有產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的功能的細胞施加磁刺激，促進在細胞內產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群，促進脆弱化等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞等的自行恢復或者增殖。因此，由于不需要像細胞移植手術或者注射那樣向腦內介入醫(yī)療器具，所以沒有腦的損傷或者感染癥等負作用，具有減小對患部周圍的細胞、組織的影響的極大優(yōu)點。<磁療器的治療對象>其次，詳細說明本實施方式的磁療器10的(1)磁刺激對象細胞、(2)通過磁刺激產生的物質、(3)治療對象的部位、(4)治療對象的疾病。(1)磁刺激對象細胞(能夠產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的細胞)磁療器10的磁刺激對象細胞是能夠產生神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的細胞。具體而言，該磁剌激對象細胞例如是神經(jīng)膠質細胞、神經(jīng)細胞、成纖維細胞、血管內皮細胞、肌肉細胞、表皮細胞、角化細胞或者免疫細胞等。這種磁剌激對象細胞存在的主要部位例如是腦、脊髓、神經(jīng)、血管、肌肉、皮膚等。其中，神經(jīng)膠質細胞(neuroglia)是產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的代表性細胞的總稱，例如，有星形膠質細胞(星形神經(jīng)膠質astroglia)、小膠質細胞(microglia)、少突膠質細胞(oligodendrocyte)、施萬細胞(Schwanncell)、套細胞(mantlecell)等。神經(jīng)膠質細胞例如存在于腦、神經(jīng)細胞的周圍、血管、肌肉等中，向神經(jīng)細胞或者神經(jīng)膠質細胞供給自身產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群，支持這些細胞的增殖、恢復。另外，上述的成纖維細胞、血管內皮細胞、肌肉細胞、表皮細胞或者免疫細胞等這種存在于體內任一部位的非神經(jīng)系統(tǒng)的細胞也產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群。(2)通過磁刺激產生的物質如果由磁療器IO對上述磁剌激對象細胞(神經(jīng)膠質細胞等)施加磁刺激，則在該細胞中，產生神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質。該神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的生理性效果成為由磁療器io產生的磁療效果的主要部分。神經(jīng)營養(yǎng)因子(NT:Neurotrophin)是存在于腦、脊髓、末梢神經(jīng)中的神經(jīng)系統(tǒng)細胞的生存和維持正常功能的分子(蛋白質)，在發(fā)生期的神經(jīng)系統(tǒng)細胞的生長和分化、或者受到損傷的神經(jīng)系統(tǒng)細胞的再生或者生存、維持等中具有重要的功能。該神經(jīng)營養(yǎng)因子例如包括神經(jīng)生長因子(NGF:NerveGrowthFactor)、腦源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(BDNF:Brain-DerivedNeurotrophicFactor)、堿性成纖維細胞增殖因子(FGF-2:FibroblastGrowthFactor-2)、神經(jīng)膠質細胞株源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(GDNF:Glialcellline-DerivedNeurotrophicFactor)等。神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質是神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的具有神經(jīng)系統(tǒng)細胞的神經(jīng)突起伸展作用的物質群。該神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質與上述神經(jīng)營養(yǎng)因子相同，是支持神經(jīng)系統(tǒng)細胞的生存和維持正常功能的物質，具有蛋白質性成分和非蛋白質性成分。該神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質例如包括腺嘌呤核苷(adenosine)、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP:adenosinemonophosphate^錳離子、京尼平(Genipin)(植物成分，源自生藥的低分子物質)、溶血磷脂酰乙醇胺(lysophosphatidylethanolamine)(動植物膜成分)、神經(jīng)節(jié)苷脂、Rho激酶等。其中，腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸是非蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質，Rho激酶是蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質。(3)治療對象的部位被治療體中的治療對象的部位(患部)是中樞神經(jīng)系統(tǒng)(CNS:CentralNervousSystem)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)(CraniospinalNervousSystem)。中樞神經(jīng)系統(tǒng)包括端腦、間腦、中腦、小腦、腦橋、延髓、脊髓以及血管。該中樞神經(jīng)系統(tǒng)由神經(jīng)細胞(neuron)、神經(jīng)膠質細胞和血管構成。另夕卜，腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)是周圍神經(jīng)系統(tǒng)(PNS:PeripheralNervousSystem)中，由腦神經(jīng)(cranialnerves)禾卩脊神經(jīng)(spinalnerves)構成的神經(jīng)系統(tǒng)。該腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)由神經(jīng)細胞(neuron)、施萬細胞以及套細胞構成。構成這些中樞神經(jīng)系統(tǒng)和腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的細胞通過由上述神經(jīng)膠質細胞等供給的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的生理效果，進行修復、生長、分化、增殖，有助于以下所示的各種疾病的治療。另外，所謂細胞的分化，是細胞的性質、形態(tài)發(fā)生變化。另外，所謂中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞，指的是存在于中樞神經(jīng)系統(tǒng)(端腦(大腦半球)、間腦、中腦、小腦、腦橋、延髓、脊髓、血管)中的細胞。另外，所謂腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞，指的是存在于腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)中的細胞。另外，;在被治療體(例如人體)中，上述那樣的治療對象部位(患部)與由磁療器10產生的磁刺激的對象部位既可以是同一部位，也可以是不同的部位。例如，為了治療腦(治療對象部位)，可以對腦(磁刺激對象部位)施加磁刺激。另外，為了治療脊髓(治療對象部位)可以對能夠向該脊髓供給神經(jīng)營養(yǎng)因子群的部位例如大腿部(磁刺激對象部位)施加磁刺激。(4)治療對象的疾病磁療器10的治療對象疾病是由于各種原因使構成上述中樞神經(jīng)系統(tǒng)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的細胞(例如神經(jīng)細胞或者神經(jīng)膠質細胞)脆弱化、損傷，或者其細胞數(shù)減少而引起的疾病。具體而言，治療對象疾病是例如(a)神經(jīng)變性疾病(阿爾茨海默病性癡呆、帕金森病、亨延頓舞蹈病、肌肉萎縮性側索硬化癥、多發(fā)性硬化癥、多系統(tǒng)萎縮癥、脊髓小腦變性癥等)、(b)抑郁癥、(c)腦血管疾病(腦卒中、腦梗塞等)、(d)慢性疼痛、(e)神經(jīng)因性疼痛、(f)脊髓損傷(病變或者由外傷引起)等。另外，雖然不是疾病，但是為了預防這些疾病的(g)神經(jīng)保護作用也是磁療器IO產生的磁療效果之一。這樣，本實施方式的磁療器10能夠作為神經(jīng)變性疾病治療器(阿爾茨海默病性癡呆治療器、帕金森病治療器、亨延頓舞蹈病治療器、肌肉萎縮性側索硬化癥治療器、多發(fā)性硬化癥治療器、多系統(tǒng)萎縮癥治療器、脊髓小腦變性癥治療器等)、抑郁癥治療器、腦血管疾病用治療器(腦卒中治療器、腦梗塞治療器等)、慢性疼痛治療器、神經(jīng)因性疼痛治療器、脊髓損傷治療器、或者上述各種疾病的預防裝置等利用。例如，在治療抑郁癥的情況下，使用上述磁療器10對人體的腦照射交變磁場，促進由腦內的神經(jīng)膠質細胞(星形膠質細胞等)分泌BDNF、NGF等，對發(fā)生了脆弱化等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞提供神經(jīng)營樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞增殖、再生，從而恢復細胞功能，恢復5-羥色胺(腦內快樂物質)的產生，從而能夠有助于抑郁癥的治療。另外，在治療阿爾茨海默病性癡呆的情況下，使用上述磁療器10對人體的腦照射交變磁場，促進由發(fā)生了脆弱化等的腦內的Meynert核的神經(jīng)膠質細胞(星形膠質細胞等)分泌BDNF、NGF等，使由于卩淀粉樣蛋白沉著而發(fā)生脆弱化等的大腦皮質細胞增殖、再生，從而能夠有助于阿爾茨海默病性癡呆的治療。另外，在治療腦卒中的情況下，使用上述磁療器10對人體的腦照射交變磁場，促進由因血管阻塞等受到損傷的部位的神經(jīng)膠質細胞(星形膠質細胞等)分泌BGNF、NGF等，對受到損傷的細胞提供神經(jīng)營養(yǎng)因子群，由此使受到損傷的部位的神經(jīng)細胞、神經(jīng)膠質細胞增殖、再生，從而能夠有助于腦卒中的治療。另外，在治療神經(jīng)因性疼痛的情況下，通過使用上述磁療器10對感覺疼痛的患部照射交變磁場，促進在神末梢神經(jīng)中產生BDNF、NGF等。該BDNF、NGF等在神經(jīng)細胞內移動，輸送到脊髓后根神經(jīng)節(jié)、脊髓，在脊髓后根神經(jīng)節(jié)、脊髓中增殖星形膠質細胞，由此能夠恢復神經(jīng)過敏癥，治療神經(jīng)因性疼痛。NGF等在所產生的周邊部位或者神經(jīng)細胞內移動，輸送到脊髓后根神經(jīng)節(jié)、脊髓中，使受到損傷的感覺神經(jīng)修復、再生，從而有助于治療。<磁療效果的機理〉其次，參照圖6，說明通過由本實施方式的磁療器IO產生的交變磁場的磁刺激對上述疾病發(fā)揮磁療效果的機理。圖6是表示由本實施方式的磁療器IO產生的磁療效果的機理的流程圖。作為該磁療效果的機理，總體而言，在于對腦疾病等患部(腦等)中的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞以高濃度供給神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質(以下，稱為"神經(jīng)營養(yǎng)因子群")，促進中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞的再生。詳細而言，在于通過從磁療器10照射高頻交變磁場，對神經(jīng)膠質細胞等這樣的能夠產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的細胞(上述磁刺激對象細胞)施加磁刺激，促進該細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生，將該細胞中產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群供給腦疾病等患部的細胞，使由于腦疾病而脆弱化、損傷、減少了等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞修復、生長、分化、增殖。如圖6所示，作為該神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生促進的機理，通過細胞實驗的結果認為同時引起了三個細胞內過程。這三個過程是(1)由細胞內由鈣離子濃度上升引起的胞吐作用所產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的釋放(S10—S20—S30)、(2)由細胞內鈣離子濃度上升引起的mRNA的增加所產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成以及釋放(S10—S20—S40—S42—S44)、(3)不以細胞內鈣離子濃度上升為起因的mRNA的增加所產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成以及釋放(S10—S40—S42—S44)。以下，分別說明這些神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生過程。(1)胞吐作用胞吐作用(開口釋放)是真核細胞具有的細胞功能，是將蓄積在細胞內的物質釋放到細胞外的功能。由于是開口釋放，因此如蛋白質那樣的巨大分子也能夠釋放到細胞外。詳細說明該過程(1)。首先，通過由磁療器IO產生的磁刺激(SIO)，在神經(jīng)膠質細胞等產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的細胞中，存在于細胞膜表面或者細胞內的電位依賴性鈣離子通道或者電位非依賴性的鈣離子通道開放，從細胞外或者細胞內的鈣貯藏部位供給鈣離子，細胞內鈣離子濃度上升(S20)。通過細胞內鈣離子濃度上升，細胞內的貯藏有神經(jīng)營養(yǎng)因子群的小泡與細胞膜融合，引起向細胞外的空間釋放神經(jīng)營養(yǎng)因子的胞吐作用(S30)。即使細胞內的鈣離子濃度稍稍上升10%也誘發(fā)胞吐作用。在細胞內的鈣離子濃度上升以后，在幾分鐘以內開始釋放現(xiàn)象并結束。(2)伴隨著細胞內的鈣離子濃度上升的mRNA的增加該過程(2)起因于細胞增殖促進作用。在神經(jīng)科學的領域中，已知神經(jīng)營養(yǎng)因子群也能夠在細胞分裂期產生。通過上述的磁刺激(SIO)，如果細胞內轉離子濃度上升(S20)，則該細胞的增殖周期加快。處于細胞增殖期的靜止期的細胞通過上述鈣離子濃度的上升，經(jīng)過G1期，轉移到S期。在S期中，發(fā)生DNA、RNA的復制，增加用于產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群的mRNA(S40:作為說明這一點的數(shù)據(jù)，參照后述的實驗2的結果)。由該復制增加了的mRNA使得作為蛋白質的神經(jīng)營養(yǎng)因子核作為蛋白質性成分的一部分神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質合成(S42)，并向細胞外釋放所合成的神經(jīng)營養(yǎng)因子群(S44)。由該過程(2)產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群認為在神經(jīng)刺激后，隨著時間而增大。從細胞分裂的機理出發(fā)，可以認為這一點是妥當?shù)摹?3)不以細胞內鈣離子濃度上升為起因的mRNA的增加在該過程(3)中，在受到上述磁刺激(S10)的細胞內，不以細胞內鈣離子濃度的上升為起因，mRNA增加(S40)，合成神經(jīng)營養(yǎng)因子群(S42)，釋放到細胞外(S44)。說明認為產生該過程(3)的根據(jù)。在后述的實驗l中，將對MB8細胞(磁刺激對象細胞)的磁刺激經(jīng)過3個小時后的培養(yǎng)基添加到PC12細胞(被供給神經(jīng)營養(yǎng)因子群，分化的細胞)中，確認了PC12細胞的神經(jīng)突起的伸展。實驗1中使用的MB8細胞的分裂是大致一天1次。由于在實驗條件的磁刺激3個小時后的培養(yǎng)中轉移到S期的細胞少，因此認為如上述過程(3)所述，通過磁剌激直接激活了mRNA的增加作用。另外，在其它的實驗中，對所培養(yǎng)的神經(jīng)細胞進行10分鐘磁刺激，然后放置了10分鐘以后，得到了神經(jīng)細胞內的MAP激酶活性上升了大約20%這樣的實驗數(shù)據(jù)。MAP激酶是以級聯(lián)反應調整細胞內的蛋白質活化、DNA、RNA合成的酶。該級聯(lián)反應稱為MAP激酶系統(tǒng)，是從細胞膜向核傳遞信號的反應系統(tǒng)。由于該反應系統(tǒng)的動作，促進作為蛋白的神經(jīng)營養(yǎng)因子的合成，因此也增加mRNA。上述過程(2)起因于細胞內鈣離子濃度上升，發(fā)生RNA的合成。然而，在上述實驗中，在3個小時的反應時間中合成mRNA，根據(jù)其命令，合成神經(jīng)營養(yǎng)因子群的量很少。因此，如果鑒于這樣的實驗結果，則可以說不僅進行上述過程(2)，還同時進行過程(3)。這里，對非蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生機理進行說明。作為神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的代表性物質，例如有腺嘌呤核苷(adenosine)、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP:adenosinemonophosphate)、錳離子、京尼平(Genipin)(植物成分，源自生藥的低分子物質)、溶血磷脂酰乙醇胺(lysophosphatidylethanolamine)(動植物膜成分)、神經(jīng)節(jié)苷脂、Rho激酶。除此以外還發(fā)現(xiàn)了數(shù)百種神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質，但沒有被確定的物質很多。這些神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質如稱為單體離子(錳離子等)、低分子物質(腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸等)、脂質(溶血磷脂酰乙醇胺(lysophosphatidylethanolamine)、神經(jīng)節(jié)苷脂等)、蛋白質性成分(Rho激酶等)那樣，其種類、物性多種多樣。蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質受到mRNA的指導而促進合成，釋放到細胞外。另一方面，非蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質由于其種類多，產生機理也不相同。例如，單體離子或者低分子性物質的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質既有存在于細胞內的，也有在細胞內合成的。另外，脂質的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質在細胞內合成。認為任一種非蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的情況都通過胞吐作用釋放到細胞外。由于脂質的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質也是細胞膜的構成成分，因此認為也有通過胞吐作用以外的過程釋放到細胞外的情況。通過以上那樣的過程(1)(3)，如果在受到磁刺激的細胞(神經(jīng)膠質細胞等)中產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群，則該神經(jīng)營養(yǎng)因子群供給到由疾病等脆弱化了的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞等中，通過神經(jīng)營養(yǎng)因子群，中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞受到保護作用(S50)。其結果，脆弱化了的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞被激活，進行修復、生長、分化、增殖(S60)，從而能夠得到以上述中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞的脆弱化等為原因的腦疾病(神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病等)的治療效果(S70)。根據(jù)以上說明的機理，通過使用磁療器IO對患部施加適當?shù)拇糯碳?，促進細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生，能夠發(fā)揮對上述腦疾病等各種疾病的出色的治療或預防效果。從這樣的觀點出發(fā)，本實施方式的磁療器IO例如能夠發(fā)射磁通密度小于或等于O.OIT、大約120160MHz的產生促進用頻率的高頻交變磁場以及大約2.0kHz的低頻交變磁場作為能夠施加適當?shù)拇糯碳さ慕蛔兇艌?，作用于患部。該大約120160MHz左右的高頻交變磁場的照射剌激，例如與其它的頻率相比較，促進細胞中的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生的作用大。另外，2.0kHz的低頻交變磁場的照射刺激例如具有使P-內啡肽和細胞因子等從細胞釋放的作用。另外，作用于患部的高頻交變磁場的產生促進用頻率，根據(jù)后述的實驗結果，在磁療效果上，大約120160MHz是適宜的，但也發(fā)現(xiàn)即使是除此以外的頻率范圍，也充分有助于細胞內的鈣離子濃度上升。該適宜的產生促進用頻率的范圍是20180MHz、280600MHz、7001000MHz(第4適宜范圍)，更優(yōu)選的是60180MHz、280300MHz、450550MHz或者900950MHz(第3適宜范圍)，更加理想的是100160MHz(第2適宜范圍)，最優(yōu)選的是120160MHz(第1適宜范圍)。這里舉出的范圍中，由于越是后者范圍的產生促進用頻率，越能夠在磁刺激對象細胞中更多地產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群，供給到治療對象的部位的細胞中，因此可以說磁療效果越高。實施例以下，說明驗證由上述實施方式的磁療器10產生的磁療效果而進行的實驗的實驗結果。該磁療器10如上所述，能夠發(fā)射適宜的產生促進用頻率的高頻交變磁場以及低頻交變磁場(例如2.0kHz)對被治療體施加磁剌激。另外，以下的實施例是為了實驗驗證上述實施方式涉及的磁療器10的磁療效果的例子，本發(fā)明并不限于以下的例子。<實驗1〉首先，對實驗l進行說明，該實驗I是為了決定由上述磁療器IO作用于被治療體細胞的高頻交變磁場的產生促進用頻率的適宜范圍。在該實驗1中，對磁刺激對象細胞(MB8細胞)作用互不相同的多個頻率(203000MHz)的高頻交變磁場，在培養(yǎng)基內產生了神經(jīng)營養(yǎng)因子群以后，把含有該神經(jīng)營因子群的培養(yǎng)基添加到PC12細胞(因神經(jīng)營養(yǎng)因子群的存在使神經(jīng)突起伸展分化的細胞)中，判定神經(jīng)突起的伸展度，對每個頻率均求出與沒有施加磁刺激的非刺激組相比較而得到的磁療的效果度。首先，說明本實驗1的實驗條件及其順序(1)(5)。(1)MB8細胞以及PC12細胞的培養(yǎng)作為神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞(磁刺激對象細胞)，使用了作為神經(jīng)膠質類細胞的"MB8細胞"。該MB8是產生神經(jīng)營養(yǎng)因子以及神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的細胞。培養(yǎng)出生8天后的小鼠的腦細胞，使神經(jīng)膠質細胞增殖，得到MB8細胞。將該MB8細胞接種于24孔培養(yǎng)板(膠原蛋白I包被)中，每孔接種大約15.5X10S個，使用添加有10XFBS的DMEM培養(yǎng)基(日水制藥公司制)以及二氧化碳培養(yǎng)裝置(孵箱)，在溫度37'C、二氧化碳濃度5%的環(huán)境下培養(yǎng)24小時。另外，作為用于確認神經(jīng)突起伸展的細胞，使用了PC12細胞(JCRB0266)。該PC12細胞是腎上腺髓質的嗜鉻細胞瘤細胞，是在神經(jīng)生長因子的實驗、研究中標準使用的細胞。該PC12細胞是在神經(jīng)生長因子(NGF)等的存在下伸展神經(jīng)突起的細胞，在神經(jīng)生長因子等的作用下從腎上腺細胞向神經(jīng)細胞開始分化。該PC12細胞j吏用了從作為細胞銀行的團體法人人類科學研究資源銀行(HumanScienceResearchResourcesBank)分出的細胞。把該PC12細胞接種在48孔培養(yǎng)板(膠原蛋白IV包被)中，每孔接種大約28乂102個(細胞之間的間隔不過于接近的程度)，使用添加有10X馬血清+5XFBS的RPMI1640培養(yǎng)基(日水制藥社制)以及二氧化碳培養(yǎng)裝置，在溫度37°C、二氧化碳濃度5%的環(huán)境下培養(yǎng)了24小時。另外，以下的細胞培養(yǎng)完全在該溫度37'C、二氧化碳濃度5%的環(huán)境下進行。(2)對MB8細胞的磁刺激使用與上述磁療器10B(參照圖2B)相當?shù)膶嶒炗么糯碳ぱb置，對上述培養(yǎng)板內的各MB8細胞(神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞)施加磁刺激。磁刺激通過使用磁刺激裝置從培養(yǎng)板的下面?zhèn)日丈浣蛔兇艌龆M行。此時，在施加了30分鐘磁刺激以后，培養(yǎng)30分鐘(培養(yǎng)過程中沒有磁刺激)，進而再施加30分鐘磁剌激。這樣，將作用于MB8細胞的高頻交變磁場的頻率以每個實驗單位在20MHz3000MHz的范圍內階段性地改變，分別進行了實驗。對該磁剌激中使用的實驗用磁刺激裝置的結構進行詳細說明。該磁刺激裝置由用于生成MHz頻帶(20MHz3000MHz)的高頻的信號發(fā)生器("E4421B"Agilent公司制)、用于生成kHz頻帶(2.0kHz)的低頻的函數(shù)發(fā)生器("33220A"Agilent公司制)、用于生成Hz頻帶(7.81kHz)的低頻的函數(shù)發(fā)生器("FG320"橫河電機公司制)、調整這三種頻帶信號的輸出強度的RF-AMP單元(放大器)、統(tǒng)一控制這三種頻帶的信號的控制單元、和上述圖2B的磁療器10B具備的振蕩線圈50構成。在磁刺激時，如圖7所示，在振蕩線圈50上放置上述MB8細胞的培養(yǎng)板60，蓋上遮光布。接著，在振蕩線圈50的高頻用線圈30、低頻用線圈40上分別施加高頻電流、低頻電流，發(fā)生包括高頻交變磁場以及低頻交變磁場的電磁波，由此，對培養(yǎng)板60的各培養(yǎng)孔內的MB8細胞施加30分鐘磁刺激以后，中止磁刺激培養(yǎng)30分鐘，進而再施加30分鐘的磁刺激。這時，在每個實驗單位，在203000MHz之間階段性地使施加到高頻用線圈30上的高頻電流的頻率變化，使不同的產生促進用高頻的高頻交變磁場作用于細胞。另一方面，施加到低頻用線圈40上的低頻電流的頻率維持為2.0kHz，使一定頻率(2.0kHz)的低頻交變磁場作用于細胞。由此，能夠排除低頻交變磁場的影響而對高頻交變磁場的頻率與MB8細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生度的相關性進行實驗。另外，即使在高頻交變磁場是任一種頻率的情況下，也如在上述圖4中表示的那樣，按7.81Hz間歇地輸出高頻交變磁場以及低頻交變磁場的雙方。另外，測定了磁刺激中的上述振蕩線圈50的中心部的磁場強度(磁通密度)，83.3MHz的高頻電磁波的磁場強度是1.26pT，低頻電磁波的磁場強度是13pT。(3)磁刺激后的MB8細胞的培養(yǎng)、神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生使用上述培養(yǎng)板在溫度37t:下把受到了上述(2)的各頻率的磁刺激的磁刺激組的各MB8細胞(神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞)培養(yǎng)了3個小時。在培養(yǎng)過程中，MB8細胞產生與受到上述磁刺激時的各頻率相應的量的神經(jīng)營養(yǎng)因子群，并釋放到細胞外。另外，沒有實施上述(2)的磁刺激的非刺激組的MB8細胞也在與磁刺激組相同的條件下進行了培養(yǎng)。(4)將神經(jīng)營養(yǎng)因子群供給PC12細胞、神經(jīng)突起的伸展上述(3)的培養(yǎng)以后，吸取磁刺激組的各MB8細胞的培養(yǎng)基(含有MB8細胞產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群)，用微過濾器過濾，把該過濾后的培養(yǎng)基分別添加到PC12細胞中。然后，在溫度37'C下將各PC12細胞培養(yǎng)24小時。在培養(yǎng)過程中，各PC12細胞根據(jù)培養(yǎng)基內存在的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的數(shù)量而形成并伸展神經(jīng)突起。另外，添加了非刺激組的MB8細胞的培養(yǎng)基的PC12細胞也同樣進行了培養(yǎng)。(5)PC12細胞中的神經(jīng)突起的伸展度的判定用顯微鏡觀察上述(4)的培養(yǎng)后的各PC12細胞，把神經(jīng)突起的長度伸展到大于或等于一個細胞長度的情況判定為陽性細胞。每個頻率的磁刺激組觀察30個PC12細胞，記錄陽性細胞數(shù)。另外，對于非刺激組的PC12細胞也同樣進行判定，記錄陽性細胞數(shù)。然后，根據(jù)以下的公式，求出了上述每個頻率的磁刺激的效果度。該效果度的指標為在每個頻率表示磁刺激組的PC12細胞與非刺激組的PC12細胞相比較伸展何種程度的神經(jīng)突起，gp，由磁刺激產生的PC12細胞的神經(jīng)突起的伸展度(磁療效果)。即，該效果度越高，表示MB8細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群通過磁刺激越大量產生(神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生度高)，該神經(jīng)營養(yǎng)因子群使PC12細胞的神經(jīng)突起越伸展(神經(jīng)突起的伸展度高)。這一點表示，通過以高濃度供給神經(jīng)營養(yǎng)因子群，可以適宜地促進以疾病為原因已經(jīng)脆弱化等的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞的修復、生長、分化、增殖，疾病的磁療效果度高。(效果度)=(磁刺激組的陽性細胞數(shù))/(非刺激組的陽性細胞數(shù))進而，如上述那樣，在每個實驗單位得到了神經(jīng)突起的伸展效果以后，在每個相同的頻率總計它們的效果，求出了神經(jīng)突起伸展的平均效果度(倍)。針對所有頻率本實驗1合計進行了2173次。在收集各實驗數(shù)據(jù)時，在每個頻率的實驗中，去除了有可能是磁刺激以外的因素影響神經(jīng)突起伸展的數(shù)據(jù)(例如，細胞培養(yǎng)的不良、在同一個頻率中與其它的實驗數(shù)據(jù)偏離很大的特異性實驗數(shù)據(jù))。在本實驗1中，在各實驗日，再次進行了有關非刺激組的神經(jīng)突起伸展的確認、135MHz下的磁刺激時的神經(jīng)突起伸展的確認以及由前一天實驗所使用的頻率中的任一頻率產生的磁刺激時的神經(jīng)突起伸展的確認的實驗，保證了實驗的正確性。另外，在上述實驗1中使用的PC12細胞具有在神經(jīng)生長因子等的作用下從腎上腺細胞開始向神經(jīng)細胞分化的特性，通過神經(jīng)突起的伸展，能夠很容易地判斷該PC12細胞分化成神經(jīng)細胞。神經(jīng)營養(yǎng)因子群產生反應有多種機制，而且各個反應在多個反應的協(xié)同下進行(級聯(lián)反應)。在本實驗1中，并不是研究這些各機制和反應，而是研究對于機體重要的而且作為綜合性的最終的神經(jīng)功能的神經(jīng)突起的伸展現(xiàn)象的表現(xiàn)程度。即，即使促進與上述神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生有關的各個反應，但是如果最終沒有神經(jīng)突起的伸展，則也認為治療價值低，因此，測定了每個頻率的神經(jīng)突起的伸展度作為表示磁療效果的指標。以上說明了實驗1的實驗條件以及實驗順序。表1以及圖8表示該實驗1的實驗結果。另外，圖8的曲線圖是在每個頻率[MHz]把表l表示的平均效果度(倍)的實驗數(shù)據(jù)標記而描繪的近似曲線。37[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>上述表1以及圖8中的各參數(shù)的意義如下。"頻率(MHz)"是由上述磁剌激裝置發(fā)生的高頻電磁波的頻率，g卩，作用于MB8細胞的高頻交變磁場的頻率。"效果度"是磁刺激組的效果度除以非刺激組的效果度得到的值在各頻率的平均值，表示由各頻率的高頻交變磁場產生的磁刺激組的神經(jīng)突起伸展的效果是非刺激組的幾倍。如表1以及圖8所示，在對MB8細胞(磁刺激對象細胞)作用的高頻交變磁場的頻率是120160MHz的范圍(第1適宜范圍)的情況下，對由神經(jīng)營養(yǎng)因子群引起的PC12細胞的神經(jīng)突起伸展的效果度大于或等于3.5倍，極其高，特別是在上述頻率是140160MHz的情況下，效果度達到3.6倍左右，成為最高的峰值。因此，如果作用上述第1適宜范圍的高頻交變磁場的磁刺激，則與不施加磁刺激的情況相比較，能夠在PC12細胞中促進大于或等于3.5倍的神經(jīng)突起的伸展，可以說發(fā)揮出極其優(yōu)異的磁療效果。另外，在對MB8細胞(磁刺激對象細胞)作用的高頻交變磁場的頻率是100160MHz的范圍(第2適宜范圍)的情況下，由神經(jīng)營養(yǎng)因子群引起的對PC12細胞的神經(jīng)突起伸展的效果度大于或等于3倍，顯著高。因此，如果作用上述第2適宜范圍的高頻交變磁場的磁刺激，則與不施加磁刺激的情況相比較，能夠在PC12細胞中促進大于或等于3倍的神經(jīng)突起的伸展，可以說發(fā)揮出顯著優(yōu)異的磁療效果。另外，在高頻交變磁場的頻率是60180MHz、280300MHz、450550MHz或者900950MHz的范圍(第3適宜范圍)的情況下，由神經(jīng)營養(yǎng)因子群引起的對PC12細胞的神經(jīng)突起伸展的效果度大于或等于2.5倍，非常高。因此，如果作用上述第3適宜范圍的高頻交變磁場的磁刺激，則與不施加磁剌激的情況相比較，能夠在PC12細胞中促進大于或等于2.5倍的神經(jīng)突起的伸展，可以說發(fā)揮出非常優(yōu)異的磁療效果。進而，在高頻交變磁場的頻率是20180MHz、280600MHz、7001000MHz的范圍(第4適宜范圍)的情況下，由神經(jīng)營養(yǎng)因子群引起的對PC12細胞的神經(jīng)突起伸展的效果度大于或等于2倍，比較高。因此，如果作用上述第4適宜范圍的高頻交變磁場的磁刺激，則與不施加磁剌激的情況相比較，能夠在PC12細胞中促進大于或等于2倍的神經(jīng)突起的伸展，可以說發(fā)揮出優(yōu)異的磁療效果。另外，在機體內產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群從產生細胞釋放，通過細胞間隙到達需要神經(jīng)營養(yǎng)因子群的部位(治療對象的部位)D在該通過的過程中，神經(jīng)營養(yǎng)因子群的分子通過，但液體性成分減少(把該現(xiàn)象稱為"機體濃縮")。因此，當神經(jīng)營養(yǎng)因子群到達了所需要的部位時，濃縮到大于或等于產生時的濃度，因此磁療效果進一步增大。根據(jù)以上那樣的實驗1的結果，可以說從磁療效果的觀點出發(fā)，希望作用于MB8等神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞(磁刺激對象細胞)的高頻交變磁場的產生促進用高頻是上述第4適宜范圍，優(yōu)選是第3適宜范圍，更優(yōu)選的是第2適宜范圍，最優(yōu)選的是第l適宜范圍。艮P，通過作用這種范圍的頻率的高頻交變磁場，能夠大幅度促進由上述神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群，向其周圍等中存在的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞供給高濃度的神經(jīng)營養(yǎng)因子群，把該細胞的神經(jīng)突起的伸展度增加到大于或等于2倍、2.5倍、3倍、3.5倍。從而，能夠使因腦疾病等脆弱化、損傷、減少了的中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞修復、生長、分化、增殖，適當?shù)刂委熁蛘哳A防腦疾病等，可以說磁療效果很高。<實驗2〉其次，對實驗2進行說明，該實驗2是為了驗證通過由上述磁療器10產生的磁刺激，細胞內的mRNA增加，促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成。在該實驗2中，用RT-PCR法(ReverseTranscriptase-PolymeraseChainReaction:逆轉錄酶—聚合酶鏈反應)驗證了細胞內mRNA在135MHz的磁刺激后的表達增加。首先，說明本實驗2中的實驗條件及其順序(1)(7)。(1)MB8細胞的培養(yǎng)作為經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞(磁刺激對象細胞)，使用了作為神經(jīng)膠質類細胞的"MB8細胞"。該MB8細胞的培養(yǎng)與上述實驗1的細胞培養(yǎng)同樣進行。(2)對MB8細胞的磁刺激使用與上述實驗1同樣的磁刺激裝置(參照圖7)，對MB8細胞照射20分鐘的高頻交變磁場(135MHz)以及低頻交變磁場(2.0kHz),施加了磁刺激。(3)磁刺激以后的MB8細胞的培養(yǎng)把受到了上述(2)的磁刺激的MB8細胞在溫度37。C下培養(yǎng)3個小時，促進MB8細胞內mRNA的生成。(4)RNA的提取上述培養(yǎng)以后，去掉培養(yǎng)基，添加RNA提取液(ISOGEN)。接著，用勻漿器破碎MB8細胞，在室溫下靜置5分鐘。接著，在該懸濁液中添加氯仿，在室溫下靜置IO分鐘以后，在4。C下以12000Xg離心15分鐘。然后，分取上清，添加與上清等量的異丙醇，在室溫下靜止10分鐘以后，再次在4。C下以12000Xg離心15分鐘。接著，在得到的沉淀物中添加lml的70X酒精，洗凈以后，在4'C下以12000Xg離心5分鐘。在干燥器內把沉淀物真空干燥15分鐘以后，增加經(jīng)DEPC處理的Tris-HCl/EDTA液，充分溶解，制成RNA溶液。(5)由RT-PCR法進行RNA的擴增把上述RNA溶液、10!iM引物和超純水放入到PCR管中，在72。C下反應了2分鐘。接著，添力BlOmM的dNTP(deoxynucleotidetriphosphate)液、100mM的DTT(dithiothreitol)液，200unit/pl逆轉錄酶液，在42'C下進行了60分鐘的逆轉錄反應。接著，添加Tris-HCl/EDTA液，在72'C下加熱處理7分鐘，得到單鏈cDNA液。在該單鏈cDNA液中，添加超純水、PCRbuffer、25mM—MgCl2、2.5mM—dNTPmix、各10nM兩種引物、Taq聚合酶，放入到PCR管中，在94'C下反應3分鐘。然后，將94-C下進行30秒的變性、45"C下進行1分種的退火、72'C下進行45秒鐘的鏈延長的反應作為一個循環(huán)，在40分鐘內反復進行該循環(huán)。進而，在72i:下反應5分鐘，結束鏈延長反應。(6)RNA的分離、檢測(電泳)上述鏈延長反應結束后，添加上樣緩沖液，在含有溴化乙錠的2(w/v)瓊脂糖凝膠上進行電泳，分離不同大小的RNA。(7)RNA的定量上述電泳后，使分離的RNA熒光顯色，用"MolecularImagingFX(BIORAD公司制)"選取圖像，使用軟件"ImageJ"定量化mRNA。對于未施加磁刺激的非刺激組的MB8細胞，也與上述磁刺激組的細胞相同，定量細胞內的mRNA的表達增加。而且，用磁刺激組的mRNA量除以磁刺激組的mRNA量，求出mRNA的增加度(倍)。分別對BDNF的mRNA和NGF的mRNA各求出兩次該mRNA的增加度。以上說明了實驗2的實驗條件以及實驗順序。接著，說明該實驗2的試驗結果。圖9表示該實驗2的實驗結果。如圖9所示，關于BDNF的mRNA，觀察到磁刺激組的細胞的表達在第1次實驗中是非剌激組的2.78倍，在第2次實驗中是非刺激組的2.06倍(平均2.42倍)(即，BDNF的mRNA的增加)。另夕卜，關于NGF的mRNA，觀察到磁刺激組的細胞的表達在第1次實驗中是非刺激組的2,20倍，在第2次實驗中是非剌激組的1.52倍(平均1.86倍)(即，NGF的mRNA的增加)。依據(jù)該實驗結果，可以說證實了通過使用上述磁療器10產生的135MHz的高頻交變磁場的磁刺激，在神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞內，與非刺激組相比較，用于產生的BDNF和NGF的mRNA大量增加。由此，可以說通過上述磁療器10產生的磁刺激，在神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞內，通過mRNA的增加而大量合成BDNF和NGF等神經(jīng)營養(yǎng)因子，并釋放到該細胞外。<實驗3>接著，對實驗3進行說明，該實驗3是為了驗證通過上述磁療器IO產生的磁刺激，在細胞內產生胞吐作用。胞吐作用在細胞內鈣離子濃度上升以后，在幾分鐘內開始開口釋放并結束。與此不同，mRNA通過磁刺激增加，向承擔營養(yǎng)因子群產生的器官傳遞神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生命令，產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群(合成以及向細胞外的釋放)所需要的時間是大約2小時。通過利用兩者的時間差，能夠確認關于細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生是否存在由胞吐作用產生的過程(上述圖6的S20—S30)和與mRNA有關的過程(S40S44)。因此，在本實驗3中，與上述實驗l相同，進行了(l)細胞培養(yǎng)、(2)磁刺激、(4)PC12細胞的培養(yǎng)、(5)神經(jīng)突起的伸展度的判定。其中，在實驗3中的(3)磁剌激后的MB8細胞的培養(yǎng)中，分為放置磁刺激后的MB8細胞的時間(神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生時間)為10分鐘的組(IO分鐘放置組)和該時間為3小時的組(3小時放置組)。在IO分鐘這樣的短時間中，在MB8細胞中產生胞吐作用，然而不發(fā)生伴隨mRNA增加的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成。因此，如果該實驗3的結果為在10分鐘放置組中，PC12細胞的神經(jīng)突起伸展，則能夠證明在MB8細胞中產生胞吐作用而釋放神經(jīng)營養(yǎng)因子群。首先，說明本實驗3中的實驗條件及其順序(1)(5)。(1)細胞的培養(yǎng)與上述實驗l的(1)相同，分別將作為磁刺激對象細胞(神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞)的MB8細胞和作為神經(jīng)突起伸展確認用細胞的PC12細胞培養(yǎng)了24個小時。(2)磁刺激使用與上述實驗1的磁刺激相同的磁刺激裝置(參照圖7)，對上述培養(yǎng)板內的MB8細胞施加30分鐘磁刺激以后，培養(yǎng)30分鐘(培養(yǎng)過程中沒有磁刺激)，進而再施加30每分鐘的磁刺激。這時，作用于MB8細胞的高頻交變磁場的頻率為120MHz。(3)磁刺激后的細胞的靜置把上述磁刺激后的MB8細胞的培養(yǎng)板在溫度37t:、二氧化碳濃度5%的二氧化碳培養(yǎng)裝置中靜止了IO分鐘的情況作為IO分鐘放置組，另一方面，把放置了3小時的情況作為3小時放置組。由此，在10分鐘放置組中，神經(jīng)營養(yǎng)因子群通過胞吐作用向培養(yǎng)基中釋放。另一方面，在3小時放置組中，發(fā)生由胞吐作用引起的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的釋放和由胞吐作用以外的過程引起的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生和釋放(由mRNA的增加引起的合成和釋放)。該神經(jīng)營養(yǎng)因子群產生以后，吸引上述10分鐘放置組和3個小時放置組的MB8細胞的全部培養(yǎng)基，用微過濾器過濾該培養(yǎng)基，得到用于在PC12細胞中添加的培養(yǎng)基。(4)PC12細胞的培養(yǎng)吸引并去除在上述(1)中培養(yǎng)的PC12細胞的培養(yǎng)基，分別添加在(3)中得到的10分鐘放置組的培養(yǎng)基和3個小時放置組的培養(yǎng)基。然后，在溫度37'C、二氧化碳濃度5%的二氧化碳培養(yǎng)裝置中，把添加有各培養(yǎng)基的PC12細胞分別培養(yǎng)了24個小時。(5)PC12細胞中的神經(jīng)突起的伸展度的判定在上述(4)中，在PC12細胞中添加了在(3)中得到的各培養(yǎng)基時起24個小時以后，與上述實驗1相同，計數(shù)使神經(jīng)突起伸展的PC12細胞的陽性細胞數(shù)，計算出了神經(jīng)突起的伸展率(陽性細胞率)。以上說明了實驗3的實驗條件以及實驗順序。接著，參照表2說明該實驗3的實驗結果。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>如表2所示，在未施加磁刺激的非刺激組(對照)中，PC12細胞的伸展神經(jīng)突起的伸展率是7.4%。與此相對，在磁刺激后IO分鐘放置組中，伸展率是的15.5%，是非刺激組的2.1倍。由此，可以說能夠證明在磁刺激后的MB8細胞中，在10分鐘這樣短的時間內，引起胞吐作用，產生神經(jīng)營養(yǎng)因子群。另外，在磁刺激后3個小時放置組中，PC12細胞的神經(jīng)突起的伸展率是27.9%，是非剌激組的3.8倍，是10分鐘放置群的1.8倍。由此可以說能夠證明在磁刺激后的MB8細胞內，發(fā)生了由胞吐作用以外的過程引起的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生。<實驗4>接著，對實驗4進行說明，該實驗4是為了驗證通過由上述磁療器10產生的磁刺激，在細胞內鈣離子濃度上升。在該實驗4中，從牛腦的各部位采取細胞，對該各細胞施加83.3MHz、2kHz、7.8Hz的磁刺激，驗證了確認細胞內鈣離子濃度上升的腦內細胞的部位及其反應陽性率。首先，說明本實驗4中的實驗條件及其順序(1)(5)。(1)細胞的采取、培養(yǎng)從牛腦的各部位(大腦皮質額葉區(qū)、大腦皮質顳葉區(qū)、小腦以及延髓區(qū)、海馬)解剖采取腦片，按照腦細胞的一般培養(yǎng)方法進行原代培養(yǎng)，作為被檢測細胞。(2)鈣熒光指示劑的加載為了測定細胞內的鈣離子濃度，使用了鈣熒光指示劑Fluo-3(同仁化學公司制)。在用玻璃底培養(yǎng)皿培養(yǎng)的上述被檢測細胞中，添加鈣熒光探針(Fluo-3)，使其最終濃度為4pM，在溫度37'C下加載30分鐘以后，用標準溶液清洗三次，供測定使用。該標準溶液的組成為135mMNaCl、2.8mMKC1、1.8mMMgCl2、10mMD-葡萄糖、10mMHEPES(pH=7.3)。(3)磁刺激把加入有上述(2)中加載后的細胞的玻璃底培養(yǎng)皿放置在倒置顯微鏡下。在該玻璃底培養(yǎng)皿的蓋子上面，放置上述圖7所示的振蕩線圈50，向細胞提供10分鐘的磁剌激。在該磁刺激中，以7.8Hz間歇地向細胞照射圖4中表示的83.3MHz的高頻交變磁場和2kHz的低頻交變磁場。(4)細胞內熒光強度分布的測定使用倒置顯微鏡，在室溫(25'C)下觀察以上述熒光色素加載染色了的磁刺激后的細胞。使用2040倍的物鏡，使得能夠同時測定大于或等于10個細胞的熒光強度。用數(shù)字CCD照相機(產品名HiSCA，HamamatsuPhotonics公司制)檢測由激發(fā)光的照射產生的熒光。用timeplussystem(產品名AQUACOSMOS，HamamatsuPhotonics公司審廿)分析細胞的熒光強度。在施加上述(3)的磁刺激之前，確認5分鐘以上細胞的熒光強度的變化在1±0.05以內。然后，在施加10分鐘上述(3)的磁刺激以后，在30分鐘期間觀察了細胞內鈣離子濃度的變化。進而，僅以玻璃底培養(yǎng)皿內的液體量的十分之一的量添加600mM的氯化鉀。測定觀察了在磁刺激前、磁刺激中、磁刺激后、氯化鉀添加以后，連續(xù)進行一連串的反應，細胞內熒光強度分布。(5)實驗成否的判斷僅在細胞對于上述氯化鉀添加，呈現(xiàn)鈣離子濃度急劇上升的情況下，采用其細胞的實驗數(shù)據(jù)。沒有觀察到對于氯化鉀添加，鈣離子濃度急劇上升這樣的正常反應的細胞，沒有表現(xiàn)出正常的鈣反應，因此不采用作為實驗數(shù)據(jù)。(6)判定在磁刺激后，細胞內的熒光強度比刺激前上升了大于或等于10%的細胞大于或等于1個的情況下，判斷為反應陽性(即，通過磁刺激，細胞內的鈣離子濃度上升了)。以上說明了實驗4的實驗條件以及實驗順序。接著，參照表3說明該實驗4的實驗結果。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>如表3所示，由磁刺激引起的細胞內鈣離子濃度的上升度(反應陽性率)在大腦皮質額葉區(qū)中為57.5%，在大腦皮質顳葉區(qū)中為45.4%，比較高。因此，可以說證明了在這些腦內部位的細胞中，通過磁刺激，細胞內的鈣離子濃度上升。這意味著通過磁刺激，細胞內鈣離子濃度上升，由此誘發(fā)該細胞中的胞吐作用，從而能夠促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的釋放。另一方面，鈣離子濃度的上升度(反應陽性率)在小腦以及延髓區(qū)中為15.3%，在海馬中為5.2%，比較低。依據(jù)這一點，可以說判明了由磁刺激引起的細胞內的鈣離子濃度的上升度根據(jù)采取細胞的腦內部位而不同。<實驗5〉其次，對實驗5進行說明，該實驗5用于驗證通過由上述磁療器10產生的磁刺激，產生神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的具有神經(jīng)突起伸展作用的物質(即，神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質)。作為具有使神經(jīng)系統(tǒng)細胞的神經(jīng)突起伸展的作用的物質，除了上述各種神經(jīng)營養(yǎng)因子以外，還已知有腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、錳離子、京尼平(Genipin)、溶血磷脂酰乙醇胺(lysophosphatidylethanolamine)、Rho激酶等。在本實驗5中，進行了確認通過對MB8細胞的磁刺激，是否產生神經(jīng)營養(yǎng)因子和神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的具有神經(jīng)突起伸展作用的物質(神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質)的實驗。由于神經(jīng)營養(yǎng)因子是蛋白質，因此容易因加熱而變性，喪失神經(jīng)突起伸展作用。在神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質中，有蛋白質性的成分和非蛋白質性的成分。非蛋白質性的成分不會因加熱喪失神經(jīng)突起伸展作用。因此，在本實驗5中，分別在PC12細胞中添加把磁剌激后的MB8細胞的培養(yǎng)基加熱的和沒有加熱的物質，通過把添加了經(jīng)過加熱的培養(yǎng)基的PC12細胞(加熱組)的神經(jīng)突起伸展度與添加沒有被加熱的培養(yǎng)基的PC12細胞(非加熱組)的神經(jīng)突起伸展度進行比較，確認神經(jīng)營養(yǎng)因子、神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的存在。如果添加了經(jīng)過加熱的培養(yǎng)基的PC12細胞伸展神經(jīng)突起，則成為存在神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的證明。(1)MB8細胞的培養(yǎng)抽取與上述實驗1同樣培養(yǎng)的MB8細胞的培養(yǎng)基，添加400pl無血清的RPMI。(2)對MB8細胞的磁刺激使用與上述實驗l相同的磁刺激裝置(參照圖7)，對上述(1)的MB8細胞施加了30分鐘的高頻交變磁場(135MHz)的磁刺激以后，在溫度37'C、二氧化碳濃度5%的環(huán)境下培養(yǎng)30分鐘(培養(yǎng)過程中沒有磁刺激)，進而再次施加30分鐘的磁刺激。(3)磁刺激后的MB8細胞的培養(yǎng)、神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生把受到了上述(2)的各頻率下的磁刺激的磁刺激組的各MB8細胞(神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生細胞)在溫度37'C、二氧化碳濃度5%的環(huán)境下培養(yǎng)3小時。(4)培養(yǎng)基的加熱上述(3)的培養(yǎng)以后，把MB8細胞的培養(yǎng)基(含有MB8細胞產生的神經(jīng)營養(yǎng)因子群)的全部量取入微量管中，在9(TC的油浴中加熱2分鐘。在該2分鐘的加熱以后，取出微量管，在冰水中迅速冷卻1分鐘。通過該加熱處理，喪失了培養(yǎng)基中所含有的神經(jīng)營養(yǎng)因子(蛋白質)的神經(jīng)突起伸展作用。(5)培養(yǎng)基的過濾在上述(4)中得到的培養(yǎng)劑中添加FBS(胎牛血清)，使其濃度為1%，用過濾器過濾培養(yǎng)基，去除凝固物。(6)向PC12細胞供給神經(jīng)營養(yǎng)因子群、神經(jīng)突起的伸展與上述實驗l相同，吸引所培養(yǎng)的PC12細胞的培養(yǎng)基，在PC12細胞中添加了在(5)中過濾得到的培養(yǎng)基。然后，在溫度37。C、二氧化碳濃度5%的環(huán)境下培養(yǎng)PC12細胞24小時。如以上那樣，在磁刺激組中，制作了把經(jīng)過加熱的MB8細胞的培養(yǎng)基添加到PC12細胞中的加熱組樣品。另外，對于沒有向MB8細胞施加磁刺激的非刺激組樣品、磁刺激組中沒有進行上述(4)的加熱的非加熱組樣品，與上述實驗l同樣制作。(7)PC12細胞中的神經(jīng)突起的伸展度的判定分別對于上述非刺激組、加熱組、非加熱組，采用與上述實驗1同樣的方法計數(shù)了使神經(jīng)突起伸展的PC12細胞的陽性細胞數(shù)，計算神經(jīng)突起的伸展率(陽性細胞率)。以上說明了實驗5的實驗條件以及實驗順序。其次，參照圖10說明該實驗5的實驗結果。圖IO是分別表示非刺激組、非加熱組、加熱組的神經(jīng)突起的伸展率的圖。如圖10所示，非刺激組、非加熱組、加熱組的神經(jīng)突起的伸展率分別是11.1%、34.4%、21.3%。首先，把非剌激組與加熱組進行比較。根據(jù)上述實驗結果，即使是神經(jīng)營養(yǎng)因子由于加熱而變質的加熱組，神經(jīng)突起的伸展率也是非刺激組的大約1.9倍(=21.3%/11.1%)左右，確認比較高。進而，在加熱組中，還觀察了PC12細胞的形態(tài)變化成神經(jīng)細胞狀的情況。根據(jù)該實驗結果，可以說明確地證明了神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的具有神經(jīng)突起伸展作用的物質的存在。因此，MB8細胞通過磁刺激，不僅產生作為蛋白質的神經(jīng)營養(yǎng)因子(易熱性成分)，還產生神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的具有神經(jīng)突起伸展作用的物質(即，神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質含有耐熱性成分)，可以說PC12細胞由于該神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質而伸展神經(jīng)突起。其次，如果把非加熱組與加熱組進行比較，則加熱組的伸展率是非加熱組的伸展率的大約62%(=21.3%/34.4%)。由此，如果把由磁刺激產生的神經(jīng)突起伸展的效果(非加熱組的伸展率)作為100%，則可以說，通過加熱，由易熱性成分(即，神經(jīng)營養(yǎng)因子和蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質)產生的神經(jīng)突起伸展的效果減少了大約38%。換言之，可以說由不因加熱而變性的成分(耐熱性成分的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質)產生的神經(jīng)突起伸展的效果是大約62%。從而，根據(jù)上述實驗結果，可以說能夠證明除了蛋白質性成分(神經(jīng)營養(yǎng)因子和蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質)的非蛋白質成分(例如，神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質)的存在。但是，由于通過加熱，不僅是神經(jīng)營養(yǎng)因子，而且神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的蛋白質性的物質或者作為神經(jīng)突起形成阻斷劑的蛋白質分解酶也發(fā)生變性，因此不能斷言加熱組中的所有神經(jīng)突起伸展效果都是由非蛋白質性成分產生的效果。由于蛋白質性的神經(jīng)營養(yǎng)因子以外的物質或者蛋白質分解酶多種多樣，因此定量它們的效果并反映到效果的計算中是非常困難的。根據(jù)以上的實驗結果，可以說MB8細胞通過磁刺激，不僅產生作為蛋白質的神經(jīng)營養(yǎng)因子，而且還產生神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質，通過該神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的作用，PC12細胞能夠伸展神經(jīng)突起。從而，可以說證明了神經(jīng)膠質細胞等產生神經(jīng)營養(yǎng)因子的細胞通過接受磁刺激，除了產生神經(jīng)營養(yǎng)因子以外，還產生具有中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞的神經(jīng)突起伸展作用的神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質。以上說明了本發(fā)明實施例的實驗15。依據(jù)以上的實驗結果，實際證明了通過使用本實施方式的磁療器IO對患部的細胞作用適當頻率的高頻交變磁場，使細胞內的鈣離子濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營養(yǎng)因子群的胞吐作用，同時增加細胞內神經(jīng)營養(yǎng)因子群的mRNA，促進細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成和釋放。進而，實際證明了通過這樣促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生，促進中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生，能夠促進該細胞的修復、生長、分化、繁殖，治療腦疾病等各種疾病。以上，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。顯然，如果是本領域技術人員，則在權利要求中所記載的范疇內，可以想到各種變更例或者修正例，并且知道關于這些變更例或者修正例當然也屬于本發(fā)明的技術范圍。例如，在上述各實施方式中，高頻以及低頻電磁波發(fā)生單元具有高頻用線圈30或者低頻用線圈40等線圈作為發(fā)射電磁波的天線，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。發(fā)射電磁波的天線例如除了線圈等環(huán)形天線以外，還可以用棒形天線、赫茲偶極子天線、短天線、半波長偶極子天線、螺旋天線、單極天線、菱形天線、陣列電線、漏斗形天線、拋物面天線或者批量天線等各種天線構成。另外，作為該天線所使用的線圈，能夠用螺線管線圈、亥姆霍茲天線、旋轉線圈、劈分線對線圈、墊片線圈或者鞍型線圈等構成。另外，高頻用線圈30以及低頻用線圈40的材質、形狀、大小、匝數(shù)、有無軸心、配置等也不限于上述實施方式的例子(圖2A、圖2B)，能夠適當進行設計變更。另外，在上述實施方式中，作為向高頻用線圈30或者低頻用線圈40施加高頻電流或者低頻電流的高頻振蕩單元以及低頻振蕩單元，采用了圖3表示的控制塊20的電路結構，但本發(fā)明并不限于這樣的例子?？刂茐K20的電路結構例如只要能夠產生預定的產生促進用頻率范圍內的高頻r則能夠采用多種多樣的設計。例如，可以不設置由微機等構成的主控制電路，而可以具備能夠產生上述高頻的高頻振蕩單元24和能夠產生預定的低頻(例如，2.0kHz、7.81Hz等)的低頻振蕩單元25。另外，在上述實施方式以及實施例中，作為高頻電磁波(高頻交變磁場)的產生促進用高頻，主要舉出83.3MHz和135MHz的例子進行了說明，而本發(fā)明并不限于這樣的例子，產生促進用高頻可以是20180MHz、280600MHz、7001000MHz范圍(第4適宜范圍)內的預定頻率。另夕卜，作為低頻電磁波的產生促進用低頻，例如舉出2.0kHz的例子進行了說明，但并不限于這樣的例子，產生促進用低頻既可以是大約2.0土10^kHz范圍內的預定頻率，也可以是除此以外的范圍的任意頻率。另外，在上述實施方式中，高頻電磁波是近似正弦波，但不限于這樣的例子，例如，還可以是近似矩形波、鋸齒波等。另外，低頻電磁波是大致矩形波，但不限于這樣的例子，例如，也可以是近似正弦波、鋸齒波等。另外，上述低頻電磁波是取正的預定值和零值的二值的近似矩形波，但該二值不限于這樣的例子，例如，也可以是均為正值、均為負值、或者一方為正值另一方為負值等。另夕卜，在上述實施方式中，高頻電磁波發(fā)生單元以大約2.0kHz以及大約7.81Hz這兩個頻率復合地間歇發(fā)生高頻電磁波，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。高頻電磁波發(fā)生單元例如既可以僅以大約2.0±10%kHz的頻率或者大約7.81±10%Hz的任一個頻率間歇發(fā)生高頻電磁波，另外也可以例如以上述頻率以外的1個或2個以上的頻率間歇發(fā)生高頻電磁波。另外，高頻電磁波發(fā)生單元也可以不間歇地連續(xù)發(fā)生高頻電磁波。另外，高頻電磁波發(fā)生單元也可以不像上述那樣完全間歇地發(fā)生高頻電磁波，而是例如以預定的1個或者2個以上的頻率(例如，大約2.0士10XkHz以及大約7.81士10Q/^Hz等)例如按近似正弦波增減電磁波強度的方式發(fā)生高頻電磁波。由此，能夠周期性地增減作用于被治療體的高頻交變磁場的強度，改變交變磁場刺激，因此磁療效果高。進而，與這種高頻電磁波強度的周期性增減同步，例如，可以周期性增減或者中斷低頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生的低頻電磁波。另外，在上述實施方式中，低頻電磁波發(fā)生單元以大約7.81Hz的周期間歇發(fā)生低頻電磁波，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。低頻電磁波發(fā)生單元例如也可以以上述頻率以外的1個或者2個以上的頻率間歇發(fā)生低頻電磁波。另外，低頻電磁波發(fā)生單元也可以不間歇地連續(xù)發(fā)生低頻電磁波。另外，上述實施方式的磁療器10同時具備高頻振蕩單元24以及低頻振蕩單元25，因而能夠同時發(fā)生高頻電磁波以及低頻電磁波，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。磁療器IO也可以是不具備上述低頻振蕩單元25，而僅發(fā)生上述高頻電磁波的結構。另外，除了上述高頻振蕩單元24和/或低頻振蕩單元25以外，磁療器10還可以追加別的1個或者2個以上的電磁波發(fā)生單元(例如其它的線圈等)。進而，該追加的電磁波發(fā)生單元發(fā)生的電磁波可以是例如長波、中波、短波、超短波、微波等任一頻率的電磁波。另外，磁療器10除了上述的構成要素以外，還可以適當設置例如用于對被治療體提供振動的振動發(fā)生單元、計測所作用的電磁波(交變磁場)的頻率或者強度、室溫、體溫、電池余量等的各種計測裝置、計測以及控制交變磁場的照射持續(xù)時間(動作時間)，進行動作的自動接通/斷開等的定時裝置、用于通過聲音對使用者通知預定治療時間結束或者電池消耗等的蜂鳴裝置等發(fā)聲裝置、用于把治療器本體裝載在患部上的皮帶或者粘接劑等的裝載單元等。另外，上述實施方式的磁療器10產生從20180MHz、280600MHz、7001OOOMHz范圍選擇出的產生促進用高頻的高頻電磁波，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。例如，也可以把磁療器IO構成為產生將上述產生促進用高頻的范圍內任意頻率除以任意正整數(shù)得到的頻率(例如，將150MHz除以正整數(shù)2、3、4、5、......得到的大約75MHz、50MHz、37.5MHz、30MHz、......等)，還可以構成為使用在發(fā)生該頻率的電磁波時伴隨產生的高次諧波，發(fā)生上述產生促進用高頻的高頻電磁波。艮P，一般所發(fā)生的高頻電磁波的基本波形如果不是完全的正弦波，則必然發(fā)生其基波整數(shù)倍頻率的高次諧波。圖11是測定了在上述實施方式的磁療器10中，當把所發(fā)生的高頻電磁波的頻率設定為80MHz時，從磁療器IO實際發(fā)生的頻率分布的曲線圖。如該圖11所示，在設定為80MHz的磁療器10中，作為高次諧波發(fā)生該80MHz的整數(shù)倍(2倍、3倍、4倍、……)頻率的高頻電磁波(160MHz、240MHz、320MHz、400麗z、480MHz、......)。只要這樣發(fā)生的高次諧波的頻率處在上述本實施方式的理想的產生促進用高頻的范圍，例如，20180MHz、280600MHz、700lOOOMHz(第4適宜范圍內)內，則可以認為將該高次諧波作用到被治療體上可產生磁療效果。因此，發(fā)生成為該高次諧波的發(fā)生源的基波的磁療器以及神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置也包含在本申請發(fā)明的技術范圍中。另外，磁療器10也可以以上述第14適宜范圍內的頻率間歇產生比上述第14適宜范圍大的頻率(比lOOOMHz大)的高頻電磁波，從而產生上述第14適宜范圍內的產生促進用高頻的高頻電磁波。艮P，人體等的機體細胞即使過多地受到高頻頻帶的電磁波照射，有時也不對該高頻的交變磁場的變化發(fā)生反應。利用這種機體細胞的遲鈍感覺，把比上述第14適宜范圍大的頻率的高頻電磁波(例如1GHz)作為載波，以與作為上述產生促進用高頻的上述第14適宜范圍(例如150MHz)內的頻率相對應的周期接通/斷開該載波并輸出，使生物體細胞猶如僅照射該產生促進用高頻的電磁波那樣反應。因此，間歇發(fā)生成為該高頻的發(fā)生源的載波的磁療器以及神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置也包含在本申請發(fā)明的技術范圍內。另外，上述產生促進用高頻也可以是上述第14適宜范圍內的固定值。然而，當對于患部的細胞連續(xù)作用同一個產生促進用高頻的高頻交變磁場時，患部的細胞有可能習慣該頻率，而使磁療效果降低。因此，在使用上述磁療器10的治療過程中(對患部照射高頻交變磁場的過程中)，也可以在上述第14適宜范圍內改變上述產生促進用高頻。由此，在磁療過程中，由于能夠對患部的細胞作用不同的產生促進用高頻的高頻交變磁場，因此能夠改變患部的細胞接受的磁刺激，從而提高磁療效果。另外，這種產生促進用高頻的變化例如能夠通過使施加到高頻用線圈30上的高頻電流的頻率在上述范圍內變化而實現(xiàn)。另外，在上述實施方式中，對利用神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置作為用于向機體的患部提供磁刺的激磁療器10的例子進行了說明，但本發(fā)明并不限于這樣的例子。本發(fā)明的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置只要是對細胞提供磁刺激并促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群產生的裝置，則也能夠適用例如向從被治療體(人體、動物等)分離的細胞施加磁刺激的試驗裝置等各種裝置。另外，作為神經(jīng)營養(yǎng)因子以及神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質，并不限定在上述實施方式中例示的物質，本發(fā)明的神經(jīng)營養(yǎng)因子以及神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質只要是有助于在中樞神經(jīng)系統(tǒng)細胞或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)細胞等的修復、生長、分化或者增殖的物質，則除了上述物質以外，還包括現(xiàn)在已知的物質以及將來可能發(fā)現(xiàn)的全部物質。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠適用于細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的產生促進裝置，特別是能夠適用于用于治療阿爾茨海默病性癡呆等神經(jīng)變性疾病或者抑郁癥等的磁療器。權利要求1.一種神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，該神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置通過對細胞施加磁刺激，促進神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生，其特征在于具備高頻電磁波發(fā)生單元，為了使選自20～180MHz、280～600MHz、700～1000MHz的范圍的產生促進用高頻的高頻交變磁場在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下對所述細胞發(fā)生作用，所述高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生所述產生促進用高頻的高頻電磁波，通過由所述產生促進用高頻的高頻交變磁場產生的磁刺激，使所述細胞內的鈣離子濃度上升，誘發(fā)所述神經(jīng)營養(yǎng)因子或者所述神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的胞吐作用，并通過所述磁刺激，增加所述細胞內的所述神經(jīng)營養(yǎng)因子或者所述神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的轉錄因子(mRNA)，促進所述神經(jīng)營養(yǎng)因子或者所述神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的合成以及向細胞外的釋放。2.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述細胞是能夠產生所述神經(jīng)營養(yǎng)因子和/或所述神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的細胞，包括神經(jīng)膠質細胞、神經(jīng)細胞、成纖維細胞、血管內皮細胞、表皮細胞、角化細胞、免疫細胞或者肌肉細胞。3.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述神經(jīng)營養(yǎng)因子包括神經(jīng)生長因子(NGF)、腦源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(BDNF)、堿性成纖維細胞增殖因子(FGF-2)或者神經(jīng)膠質細胞株源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(GDNF)中的至少任一種。4.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質包括腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、錳離子、京尼平、溶血磷脂酰乙醇胺、神經(jīng)節(jié)苷脂或者Rho激酶中的至少任一種。5.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于:所述神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置是用于治療以中樞神經(jīng)系統(tǒng)或者腦脊髓神經(jīng)系統(tǒng)的細胞的脆弱化、損傷或者細胞數(shù)減少為原因發(fā)生的疾病而使用的治療器。6.如權利要求5所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于:所述疾病包括神經(jīng)變性疾病、抑郁癥、腦血管疾病或者脊髓損傷中的至少任一種。7.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于:所述產生促進用高頻選自60180MHz、280300MHz、450550MHz或者900950MHz的范圍。8.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述產生促進用高頻選自100160MHz的范圍。9.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述產生促進用高頻選自120160MHz的范圍。10.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于，所述高頻電磁波發(fā)生單元具備輸出高頻電流的高頻振蕩單元、和通過從所述高頻振蕩單元施加高頻電流，發(fā)生所述產生促進用高頻的高頻電磁波的高頻用天線。11.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述高頻電磁波發(fā)生單元按照預定的周期反復發(fā)生所述高頻電磁波的接通期間和不發(fā)生所述高頻電磁波的斷開期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波。12.如權利要求11所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述高頻電磁波發(fā)生單元按照與2.0±10%kHz相對應的周期反復發(fā)生所述高頻電磁波的第1接通期間和不發(fā)生所述高頻電磁波的第1斷開期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波。13.如權利要求11所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述高頻電磁波發(fā)生單元按照與7.8±10%Hz相對應的周期反復發(fā)生所述高頻電磁波的第2接通期間和不發(fā)生所述高頻電磁波的第2斷開期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波。14.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于具備低頻電磁波發(fā)生單元，為了使選自2.0士10^kHz的范圍的產生促進用低頻的低頻交變磁場對所述細胞發(fā)生作用，所述低頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生所述產生促進用低頻的低頻電磁波。15.如權利要求14所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于，所述低頻電磁波發(fā)生單元具備-輸出低頻電流的低頻振蕩單元、和通過從所述低頻振蕩單元施加低頻電流，發(fā)生所述產生促進用低頻的低頻電磁波的低頻用天線。16.如權利要求15所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于施加到所述低頻用天線的所述低頻電流的上升沿時間小于或等于O.ln秒。17.如權利要求14所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述低頻電磁波發(fā)生單元按照預定的周期反復發(fā)生所述低頻電磁波的接通期間和不發(fā)生所述低頻電磁波的斷開期間，間歇發(fā)生所述低頻電磁波。18.如權利要求17所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述低頻電磁波發(fā)生單元按照與7.8±10%Hz相對應的周期反復發(fā)生所述低頻電磁波的第3接通期間和不發(fā)生所述低頻電磁波的第3斷開期間，間歇發(fā)生所述低頻電磁波。19.如權利要求17所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述高頻電磁波發(fā)生單元按照預定的周期反復發(fā)生所述高頻電磁波的接通期間和不發(fā)生所述高頻電磁波的斷開期間，間歇發(fā)生所述高頻電磁波，所述高頻電磁波的接通期間與所述低頻電磁波的接通期間同步。20.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述高頻電磁波發(fā)生單元通過按照與所述產生促進用高頻相對應的周期間歇發(fā)生比所述產生促進用高頻高的頻率的高頻電磁波，發(fā)生所述產生促進用高頻的高頻電磁波。21.如權利要求1所述的神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，其特征在于所述高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生的所述產生促進用高頻的高頻電磁波包括發(fā)生小于所述產生促進用高頻的高頻電磁波時產生的高次諧波。全文摘要本發(fā)明提供一種神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置，為了治療或者預防腦疾病等各種疾病，該神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置不向患部實施細胞移植或者注射，而是通過與治療場所無關的簡易方法，促進患部中的神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的產生。神經(jīng)營養(yǎng)因子產生促進裝置具備高頻電磁波發(fā)生單元，為了使20～180MHz、280～600MHz、700～1000MHz的范圍的高頻交變磁場在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下對細胞發(fā)生作用，該高頻電磁波發(fā)生單元發(fā)生該頻率的高頻電磁波，通過由該高頻的高頻交變磁場產生的磁刺激，使細胞內的鈣離子濃度上升，誘發(fā)神經(jīng)營養(yǎng)因子或者神經(jīng)營養(yǎng)因子樣物質的胞吐作用，并通過磁刺激，增加細胞內的神經(jīng)營養(yǎng)因子群的轉錄因子(mRNA)，促進神經(jīng)營養(yǎng)因子群的合成以及向細胞外的釋放。文檔編號A61N2/00GK101534903SQ20068005633公開日2009年9月16日申請日期2006年11月8日優(yōu)先權日2006年11月8日發(fā)明者木下嚴,西光晴申請人:株式會社醫(yī)療器械