專利名稱：適用于體外除顫器的高壓脈沖發(fā)生電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于醫(yī)療設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適用于體外除顫器的高壓脈沖發(fā)生 電路，尤其適用于由電池供電的體外除顫設(shè)備。
背景技術(shù)：
心室纖顫是一種嚴(yán)重的心臟病癥狀，等同于心臟停搏，嚴(yán)重威脅著人類生命，而有效 的制止心室纖顫的措施就是電擊除顫。電擊除顫分為體內(nèi)除顫、體外除顫，體外除顫是目 前常用的急救手段，但通常要求很高的電能量， 一般釋放出的電能需要達(dá)到200-400焦耳。 同時為了保證除顫成功率，除顫的放電波形也至關(guān)重要，而為了放出合理的除顫波形，通 常將電能經(jīng)充電電路以高壓的形式儲存在大容量儲能電容上，在必要的時候，在單片機(jī)的 控制下經(jīng)由放電電路按照一定的波形釋放于人體，實(shí)施除顫。
高能量對應(yīng)的除顫電壓很高，常常要達(dá)到1400V甚至以上，通常采用大容量的儲能電 容儲存高壓，在短時間內(nèi)(小于8S)對儲能電容充電至額定儲能，可見脈沖發(fā)生電路中大 功率的充電電路是除顫器研究中的一個關(guān)鍵。
急救用除顫器應(yīng)采用電池供電，因此高壓充電部分可以看作是采用直流-直流(DC-DC) 電壓變換技術(shù)將電源電壓升到需要的高壓，并且將能量迅速儲存在耐高壓的大容量電容 上。DC-DC變換目前常用電源變換技術(shù)不能達(dá)到所需要的高壓大電流的充電要求，而且充 電效率很低，只能達(dá)到大約45-60%的充電效率，損耗大。由于電池容量有限，這樣的充電 效率使得儀器的使用壽命大打折扣。而且儲能電容容值大，意味著容抗很小，電路負(fù)載小， 因此對電路的帶負(fù)載能力提出了很高的要求。
另外，經(jīng)研究雙相指數(shù)截尾波能夠有效的提高除顫成功率，因此除顫器脈沖發(fā)生器放 電電路必須實(shí)現(xiàn)雙相指數(shù)截尾波。雙相指數(shù)截尾波(BET)是目前常用的有效的除顫放電 波形。按照除顫的要求，在5-10ms內(nèi)要輸出1400V以上，15-30A的雙相脈沖電流波形。 這就要求放電電路必須等效電阻小，同時耐高壓，更要開關(guān)迅速靈活，便于控制。
目前使用的放電電路多采用晶閘管組成開關(guān)橋路，所用的電路元件很多，整個電路顯 得復(fù)雜而龐大。[參考專利申請?zhí)?8803080.2]
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種充電效率高、設(shè)備體積小、輸出穩(wěn)定的用于體外除顫 器的脈沖發(fā)生電路，使除顫器能在較短時間內(nèi)以高于60%的充電效率使大容量儲能電容上儲存1400V的高壓并準(zhǔn)確的按特定波形將這一大能量釋放于人體。
本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案總體可以表述為 一種由電池直接供電的除顫器高壓脈沖 發(fā)生電路，包括單片機(jī)MCU、充電電路、放電電路、儲能電容和自放電電路；單片機(jī)MCU 直接與充電電路、放電電路、自放電電路相連，控制這三部分電路；其中充電電路、儲能 電容、放電電路相互連接，構(gòu)成一個回路；充電電路、儲能電容、自放電電路相互連接構(gòu) 成另一個回路。在儲能電容后連接有電壓檢測電路，該電路與單片機(jī)MCU相連；；充電電 路部分采用反激式開關(guān)電路進(jìn)行充電；放電部分采用雙相橋路實(shí)現(xiàn)電壓的兩路放電；自放 電電路采用手動或自動方式開啟放電電路中的絕緣柵雙極型晶體管，釋放電容上的電壓； 單片機(jī)MCU控制充電電路中的電流型脈沖寬度調(diào)制器，電流型脈沖寬度調(diào)制器直接與充電 電路中的開關(guān)功率管、反激式變壓器、整流管相連，并最終連接儲能電容。儲能電容則分 別與放電電路和自放電電路相連。放電電路將高壓能量通過接觸良好的電極釋放到人體 上。
其中充電電路和放電電路是該高壓脈沖發(fā)生電路的兩個主體部分，以下將分兩部分具 體闡述這兩部分的技術(shù)方案。
第一部分，充電電路，完成能量從電池輸出儲存于大容量的儲能電容上。該電路包括
(1) 一個電流型脈沖寬度調(diào)制器，用于產(chǎn)生脈沖寬度調(diào)制信號，隔離單片機(jī)與高壓部 分的接觸；
(2) —個與電流型脈沖寬度調(diào)制器連接的開關(guān)功率管作為開關(guān)元件，并在大功率的源 極提供小電阻采樣電源輸出的電流；
(3) —個串聯(lián)在功率開關(guān)管漏級的反激式變壓器，作為能量儲存和轉(zhuǎn)換元件，其原邊 副邊同名端位置相反；
(4) 一個超快恢復(fù)的整流二極管，連接于反激式變壓器的副邊，在脈沖寬度調(diào)制器輸 出的脈沖寬度正相階段阻止變壓器副邊電流流通，在脈沖寬度調(diào)制反相階段快速恢復(fù)導(dǎo) 通；
(5) —個超快恢復(fù)的整流管，置于反激式變壓器的原邊，作為阻塞二極管和穩(wěn)壓管對 接，對經(jīng)反激式變壓器耦合回來的電壓加以限制，保護(hù)初級的電路；
(6) 利用電阻對于電壓進(jìn)行分壓，保證電壓在模數(shù)轉(zhuǎn)換器能夠承受的范圍內(nèi)，并同時 將分壓后的電壓反饋到電流型脈沖寬度調(diào)制器的電壓比較端，控制電壓在設(shè)定的范圍不過 充。
該部分以反激式開關(guān)電源技術(shù)為基礎(chǔ)，加以改進(jìn)。在功率開關(guān)管導(dǎo)通的時候，反激式 變壓器副邊由于整流二極管關(guān)斷無電流通過，電能被轉(zhuǎn)化為磁能儲存在反激式變壓器的原
邊，在功率開關(guān)管關(guān)斷時，反激式變壓器將儲存的能量傳送到大容量的儲能電容上，并最 終在儲能電容上形成高壓。同時，通過分壓的方式測量儲能電容上的電壓并經(jīng)必要的隔離 后，反饋到電流型脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器的電壓比較端，與電流型脈沖調(diào)寬控制器 的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，在反饋電壓超過這一基準(zhǔn)電壓時關(guān)斷電流型脈沖調(diào)寬控制器， 停止往儲能電容上繼續(xù)充電，保證電壓在設(shè)定的范圍內(nèi)。電流型脈沖寬度調(diào)制(PWM)控 制器同時提供電流檢測的方式，采樣開關(guān)功率管上的電流，根據(jù)電壓的情況調(diào)節(jié)開關(guān)方波 的占空比，以防止過充，保護(hù)整個電路的安全。
第二部分，放電電路。采用雙相橋式電路實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的雙相放電。該電路包括
(1) 采用光耦進(jìn)行隔離，阻止單片機(jī)與高壓部分的接觸，并對絕緣柵雙極型晶體管提 供前級驅(qū)動；
(2) —個推挽式的驅(qū)動電路，用于驅(qū)動絕緣柵雙極型晶體管；
(3) 四個絕緣柵雙極型晶體管，形成橋路，其中兩個絕緣柵雙極型晶體管構(gòu)成一路放 電橋路，為高壓電提供一路通路，在二者之間連接兩個實(shí)施除顫的電極板；另兩個絕緣柵 雙極型晶體管構(gòu)成另一路放電橋路，二者之間連接兩個實(shí)施除顫的電極板，為高壓電提供 另一路通路；在兩路橋路中電流流過兩個實(shí)施除顫的電極板先后順序相反；同一通路上的 絕緣柵雙極型晶體管的橋路驅(qū)動信號一致，兩路通路輪流開放。
具體來說，放電電路的其主體部分是兩個放電橋路，由光藕和晶體管組成的驅(qū)動電路 連接絕緣柵雙極型晶體管IGBT，兩個這種結(jié)構(gòu)的絕緣柵雙極型晶體管IGBT構(gòu)成一路橋 路，其中一個絕緣柵雙極型晶體管IGBT的集電極直接與儲能電容高壓端相連，發(fā)射極和 實(shí)施除顫的一個電極板相連，另一個絕緣柵雙極型晶體管IGBT集電極連接實(shí)施除顫的另 一個電極板。另外一路放電橋路的兩個絕緣柵雙極型晶體管IGBT連接方式與上面兩個基 本類似，只是集電極連接高壓的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的發(fā)射極與上述兩個實(shí)施除顫 的電極板的后者相連，另外一個絕緣柵雙極型晶體管IGBT與前者相連。這樣兩路放電橋 路構(gòu)成兩路放電通路，各自獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)靈活的控制，兩路放電橋路導(dǎo)通時電流通過兩 個實(shí)施放電的電極板的先后順序正好相反，實(shí)現(xiàn)了雙相放電。
另外，設(shè)計(jì)自放電電路，在突然掉電、充電過高、病人恢復(fù)正常無需電擊的情況下， 通過絕緣柵雙極型功率管IGBT將儲存在大容量儲能電容上的能量放掉。該電路包括
(1) 一個光耦，用以隔離單片機(jī)和高壓部分，對絕緣柵雙極型晶體管提供驅(qū)動。
(2) —個小容量的電容，在掉電或關(guān)機(jī)時，利用電容上的電壓使絕緣柵雙極型晶體管 迅速導(dǎo)通。
本實(shí)用新型的有益效果是在較高的充電效率下很短的時間內(nèi)達(dá)到產(chǎn)生高壓的要求，并
能以靈活簡單的控制方式在需要時將高壓按照設(shè)定參數(shù)迅速發(fā)放出去，使醫(yī)生能夠迅速有 效的對病人實(shí)施除顫，同時設(shè)計(jì)相應(yīng)的靈活簡單的自放電電路，克服在掉電時高壓的不安 全、充電過高或病人不再需要電擊的問題。本實(shí)用新型可在8秒內(nèi)以高于60%的效率使容 量120uF的電解電容上存儲1400V的高壓，在得到事先設(shè)定的這一高壓后，充電電路能夠 迅速關(guān)閉，減少不必要的能量損失。放電時，可以方便的通過單片機(jī)控制放電的波形、脈 沖寬度、以及正負(fù)相時間間隔，設(shè)定這些參數(shù)后，只需要簡單的命令就可以迅速的將原來 儲存在大容量電容上的高壓電，以要求的放電波形釋放到人體上。


圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例脈沖發(fā)生器的基本連接框圖2為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的充電部分電路圖3為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的放電部分電路圖4為本實(shí)用新型一種實(shí)施例的自放電部分電路圖。
圖中標(biāo)號，1為單片機(jī)MCU， 2為充電電路，3為儲能電容，4為放電電路，5為電壓 檢測電路，6為自放電電路，7為人體。
下面將針對除顫器脈沖發(fā)生電路的主要部分加以說明。
具體實(shí)施方式
圖1給出了脈沖發(fā)生電路的總體框圖。單片機(jī)MCU1直接與充電電路、放電電路、自 放電電路相連，控制這三部分電路。充電電路連接儲能電容3，當(dāng)單片機(jī)MCU1發(fā)放充電 命令給充電電路2時，充電電路2開始工作將電池能量轉(zhuǎn)化為高壓儲存在儲能電容3上。 同時為了保證充電電壓在要求的數(shù)值，在儲能電容3之后設(shè)置電壓檢測電路5，檢測儲能 電容3上的電壓，電壓檢測電路5的另一端連接單片機(jī)MCU 1以便將監(jiān)測到的數(shù)值反饋 給單片機(jī)MCU1。在儲能電容3上電壓過高時，單片機(jī)MCU1控制自放電電路6放掉部 分的電壓。當(dāng)電壓在合適的范圍，并且操作者按下相應(yīng)的按鈕或除顫器自動識別的部分判 別可以放電的時候，單片機(jī)MCU1控制啟動放電電路4，將儲存的能量按照雙相指數(shù)截尾 波實(shí)施于人體7。
當(dāng)?shù)綦姇r，自放電電路也會自動開通，將高壓電放出，防止擊傷操作者和病人。
圖2所示，為充電部分電路原理圖。脈沖寬度調(diào)制控制芯片U1通過功率開關(guān)管Q3與反激式變壓器TRANS1相連，并通過能夠控制次級電流流向的整流二極管D3后與儲能電容相連。
與單片機(jī)相連的輸入端Charge為0，電路開始工作，為1電路關(guān)閉。為了防止上電瞬 間，單片機(jī)默認(rèn)設(shè)定該管腳為0，引起誤充電，在Charge端接上拉電阻R1。為了防止輸入的電流過高，超過脈沖寬度調(diào)制PWM控制器1腳的電流承受范圍，輸入端Charge經(jīng)限 流電阻R2在接入到電路中來。
晶體管Q1、 Q2和電阻R3、 R4通過正反饋連接形成速度較快的開關(guān)。當(dāng)Charge為0 時，該開關(guān)開啟，脈沖寬度調(diào)制PWM控制器U1按照電阻R5、電容C2決定的工作頻率 開始工作，并在6腳輸出對應(yīng)頻率的方波。在方波的正相脈沖期間，開關(guān)功率管Q3開啟， 于是在反激式變壓器TRANS1的初級、開關(guān)功率管Q3和電流采樣電阻R7上有電流通過。
采樣電阻R7采樣電流的大小，將電流的測量轉(zhuǎn)化成電壓，脈沖寬度調(diào)制PWM控制器 Ul的8膽口 Vref值由R8、 R6和R7分壓，在R6上形成一定電壓。R7上采樣后的電壓與 R6的電壓疊加，接入脈沖寬度調(diào)制PWM控制器U1的3腳Isense端，在此電壓超過一定 范圍時(相當(dāng)于開關(guān)功率管的電流超過一定范圍)，將脈沖寬度調(diào)制PWM控制器U1關(guān)斷， 進(jìn)而調(diào)節(jié)輸出方波的占空比，防止過充。
此時變壓器TRANS1的初級電壓上正下負(fù)，大小基本等于電源電壓+VCC，相應(yīng)的會 在次級感應(yīng)出一定的電壓，由于初次級的同名端位置，變壓器的次級電壓上負(fù)下正，由于 整流管D3的存在，次級沒有電流通過，因此能量只能儲存在變壓器TRANS1中。
當(dāng)脈沖寬度調(diào)制PWM控制器Ul的6腳輸出方波的0電平時，開關(guān)功率管Q3關(guān)斷， 變壓器TRANS1的初級不再有電壓，次級由于電磁感應(yīng)的作用，將產(chǎn)生由原來相反方向的 電壓，于是整流管D3開啟，原來儲存的能量轉(zhuǎn)化成電能充至大容量儲能電容C上，在儲 能電容C的正極有高壓HighVoltage產(chǎn)生。
電容C1起到續(xù)流作用，在電池供電不能放出瞬間大電流時，提供續(xù)流。
電容C3、 C4起到電源退藕作用。
為了防止次級的高壓在整流管D3導(dǎo)通時反饋到初級的電壓將開關(guān)功率管Q3擊穿，使 用穩(wěn)壓管Dl和整流管D2作為保護(hù)。
電阻R9、 R10對高壓進(jìn)行分壓產(chǎn)生出適合于脈沖寬度調(diào)制PWM控制器Ul的2腳電 壓比較端的電壓范圍，反饋到脈沖寬度調(diào)制PWM控制器U1的2腳，在電壓過高時，將 脈沖寬度調(diào)制PWM控制器Ul關(guān)斷。
圖3則介紹了一種使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)作 為大電流通路的雙相橋式放電電路。
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型 復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好驅(qū)動電路簡單、通態(tài)電壓低、耐壓 高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，尤其適合于我們這樣一個高壓大電流的電路要求。高壓電容上的 高壓直接加在IGBT上。
為了實(shí)現(xiàn)IGBT的正常工作，本實(shí)用新型選用合理的柵極驅(qū)動電路。光藕Q4、 二極管 D4、電阻R15、 二極管Q8、 Q9和電阻R17、 R18構(gòu)成IGBT1的驅(qū)動電路，光藕Q6、 二 極管D6、電阻R25、 二極管Q12、 Q13和電阻R21、 R22構(gòu)成IGBT2的驅(qū)動電路，光藕 Q5、 二極管D5、電阻R16、 二極管QIO、 Q11和電阻R19、 R20構(gòu)成IGBT3的驅(qū)動電路， 光藕Q7、 二極管D7、電阻R26和二極管Q14、 Q15構(gòu)成IGBT4的驅(qū)動電路。
GND1、 GND2分別接兩個電極板。
當(dāng)控制絕緣柵雙極型晶體管IGBT1和IGBT4的信號Bridgel、 BridgelDriver同時有效 且電極與人體接觸良好時，有IGBT1和IGBT4所組成的橋路開放，高壓電Highvoltage沿 著IGBT1的漏極、源極、GND1、 GND2及IGBT4的漏極、源極放出，這樣在兩電極上就 形成了從電極GND1到GND2的電流。
而當(dāng)控制絕緣柵雙極型晶體管IGBT2和IGBT3的信號Bridge2、 Bridge2Driver同時有 效且電極與人體接觸良好時，有IGBT2和IGBT3所組成的橋路開放，高壓電Highvoltage 沿著IGBT2的漏極、源極、GND2、 GND1及IGBT3的漏極、源極放出，這樣在兩電極上 就形成了從電極GND2到GND1的電流，即實(shí)現(xiàn)波形與前面一個通路的放電波形反相。
圖4介紹了自放電的部分。其基本原理和圖2相同。
反相器U5起到反相的作用，在上電的瞬間，與單片機(jī)相連的輸入管腳DimHighVoltage 初始化為0，反相器U5的輸出端14腳為高電平，則光藕U6關(guān)斷，+15￥一3使整流管08 導(dǎo)通，絕緣柵雙極型晶體管IGBT5的柵、源兩極之間有電壓差產(chǎn)生，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT5開放，HighVoltage即使原來有電也會被放掉。
工作穩(wěn)定以后，當(dāng)電壓過高或者不需要電擊時，將DimHighVoltage置為0，則與前面 同樣道理HighVoltage將通過絕緣柵雙極型晶體管IGBT5被放掉。
突然掉電時，光藕U6不再工作，它的兩個輸出端呈斷路，原來儲存在續(xù)流電容C20 上的同樣會使絕緣柵雙極型晶體管IGBT5導(dǎo)通而將高壓電放掉。
因此手動或自動的實(shí)現(xiàn)自放電，保證操作簡單和電路的安全性。
電阻R28起到限流作用，保護(hù)光藕。
電阻R30、 R31為絕緣柵雙極型晶體管IGBT5提供合理的靜態(tài)工作點(diǎn)。
電阻R29控制續(xù)流電容C20的充電時間。
各圖中引線上相同的標(biāo)識連接在一起，完成了各部分的具體連接。例如，圖2的 Highvoltage處直接和圖4標(biāo)有Highvoltage的位置連接在一起。
權(quán)利要求1.適用于體外除顫器的高壓脈沖發(fā)生電路，其特征在于包括單片機(jī)MCU、充電電路、放電電路儲能電容和自放電電路；單片機(jī)MCU直接與充電電路、放電電路和自放電電路相連，控制這三部分電路；其中充電電路、儲能電容、放電電路依次連接，構(gòu)成一個回路；充電電路、儲能電容、自放電電路依次連接構(gòu)成另一個回路；在儲能電容后連接有電壓檢測電路，該電路與單片機(jī)MCU相連；充電電路部分采用反激式開關(guān)電路進(jìn)行充電；放電電路部分采用雙相橋路實(shí)現(xiàn)電壓的兩路雙相放電；自放電電路采用手動或自動方式開啟放電電路中的絕緣柵雙極型晶體管，釋放電容上的電壓；單片機(jī)MCU控制充電電路中電流型脈沖寬度調(diào)制器，電流型脈沖寬度調(diào)制器直接與充電電路中的開關(guān)功率管、反激式變壓器、整流二極管相連，并最終連接儲能電容；儲能電容分別與放電電路和自放電電路相連，放電電路將高壓能量通過接觸良好的電極釋放到人體上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的脈沖發(fā)生電路，其特征在于所述充電電路部分包括(1) 一個電流型脈沖寬度調(diào)制器，用于產(chǎn)生脈沖寬度調(diào)制信號，隔離單片機(jī)與高壓部 分的接觸；(2) —個與電流型脈沖寬度調(diào)制器連接的開關(guān)功率管作為開關(guān)元件，并在大功率的源 極提供小電阻采樣電源輸出的電流；(3) —個串聯(lián)在功率開關(guān)管漏級的反激式變壓器，作為能量儲存和轉(zhuǎn)換元件，其原邊 副邊同名端位置相反；(4) 一個超快恢復(fù)的整流二極管，連接于反激式變壓器的副邊，在脈沖寬度調(diào)制器輸 出的脈沖寬度正相階段阻止變壓器副邊電流流通，在脈沖寬度調(diào)制反相階段快速恢復(fù)導(dǎo) 通；(5) —個超快恢復(fù)的整流管，置于反激式變壓器的原邊，作為阻塞二極管和穩(wěn)壓管對 接，對經(jīng)反激式變壓器耦合回來的電壓加以限制，保護(hù)初級的電路；(6) 利用電阻對于電壓進(jìn)行分壓，保證電壓在模數(shù)轉(zhuǎn)換器能夠承受的范圍內(nèi)，并同時 將分壓后的電壓反饋到電流型脈沖寬度調(diào)制器的電壓比較端，控制電壓在設(shè)定的范圍不過 充。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖發(fā)生電路，其特征在于所述的放電電路包括(1) 采用光耦進(jìn)行隔離，阻止單片機(jī)與高壓部分的接觸，并對絕緣柵雙極型晶體管提 供前級驅(qū)動；(2) —個推挽式的驅(qū)動電路，用于驅(qū)動絕緣柵雙極型晶體管；(3)四個絕緣柵雙極型晶體管，形成橋路，其中兩個絕緣柵雙極型晶體管構(gòu)成一路放 電橋路，為高壓電提供一路通路，在二者之間連接兩個實(shí)施除顫的電極板；另兩個絕緣柵 雙極型晶體管構(gòu)成另一路放電橋路，二者之間連接兩個實(shí)施除顫的電極板，為高壓電提供 另一路通路；在兩路橋路中電流流過兩個實(shí)施除顫的電極板先后順序相反；同一通路上的 絕緣柵雙極型晶體管的橋路驅(qū)動信號一致，兩路通路輪流開放。
4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的脈沖發(fā)生電路，其特征在于所述的自放電電路包括(1) 一個光耦，用以隔離單片機(jī)和高壓部分，對絕緣柵雙極型晶體管提供驅(qū)動。(2) —個小容量的電容，在掉電或關(guān)機(jī)時，利用電容上的電壓使絕緣柵雙極型晶體管 迅速導(dǎo)通。
專利摘要本實(shí)用新型屬于醫(yī)療設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種用于體外除顫器的高壓脈沖發(fā)生電路，主要由充電電路、放電電路兩部分組成。其中，充電電路基于反激式開關(guān)電源，由電流型脈沖寬度調(diào)制控制器控制，通過采樣電流和電壓適時的關(guān)斷充電電路，使高壓保持在所設(shè)定的范圍以內(nèi)。放電電路由光耦和絕緣柵雙極型晶體管IGBT構(gòu)成的雙相橋路組成。光耦控制絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開關(guān)，同時隔離高壓和單片機(jī)，保護(hù)電路的其他低壓部分。絕緣柵雙極型晶體管IGBT組成開關(guān)電路，將由充電電路存儲在大容量的儲能電容上的高壓，按照設(shè)定參數(shù)的雙相指數(shù)截尾波釋放出來，實(shí)施于人體，完成除顫動作。
文檔編號A61N1/39GK201073510SQ20072007462
公開日2008年6月18日 申請日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月13日
發(fā)明者宇 周, 宋海浪, 方祖祥, 李維姣, 鑫 葛, 陸海峰 申請人:復(fù)旦大學(xué)