專(zhuān)利名稱：：用于探測(cè)吸收性物品內(nèi)出現(xiàn)多次污損的方法及設(shè)備的制作方法用于探測(cè)吸收性物品內(nèi)出現(xiàn)多次污損的方法及設(shè)備
背景技術(shù)：
：本發(fā)明總地涉及一種當(dāng)穿戴者穿戴吸收性物品時(shí)探測(cè)吸收性物品內(nèi)出現(xiàn)污損(insult)的方法，以及用于實(shí)施該方法的監(jiān)測(cè)裝置。作為個(gè)人護(hù)理產(chǎn)品，一次性吸收性物品受到廣泛使用，例如尿布、幼兒如廁訓(xùn)練褲以及其他嬰幼兒護(hù)理產(chǎn)品，成人失禁服以及其他成人護(hù)理產(chǎn)品，衛(wèi)生棉以及其他女性護(hù)理用品等類(lèi)似物，還有手術(shù)墊和繃帶、醫(yī)用服。這些物品吸收并容納身體污損物，以便使用一段有限時(shí)間后即拋棄，即該物品不會(huì)為了重復(fù)使用而進(jìn)行洗滌或恢復(fù)。常規(guī)的一次性吸收性物品包括位于適于接觸穿戴者皮膚的內(nèi)層和用于防止液體污損物從物品泄漏的外層之間的吸收體，所述液體污損物由吸收體吸收。吸收性物品的內(nèi)層一般為液體可滲透的，以便讓身體污損物透過(guò)而被吸收體吸收?！涡晕沼?xùn)練褲，特別地在如廁訓(xùn)練兒童中4艮有用處。一般地，這些一次性內(nèi)衣穿上和穿戴的方式和可洗布內(nèi)衣相似，還提供了類(lèi)似尿布的吸收功能來(lái)保持皮膚健康。訓(xùn)練褲給幼兒經(jīng)歷如廁訓(xùn)練提供了這樣一種內(nèi)衣，使他們從尿布到可洗布內(nèi)褲的轉(zhuǎn)變隨著他們?cè)讵?dú)立使用廁所的能力上變得更有信心而得以輕松容易。為了學(xué)會(huì)獨(dú)立地使用廁所，幼兒必須首先學(xué)會(huì)認(rèn)識(shí)到何時(shí)已經(jīng)發(fā)生了小便。由于小便的發(fā)生經(jīng)常是在活動(dòng)當(dāng)中，幼兒的注意力被分散到無(wú)法察覺(jué)小便的程度，這種察覺(jué)能夠表現(xiàn)為訓(xùn)練過(guò)程中的基本障礙。此外，發(fā)生小便時(shí)，幼兒察覺(jué)到的能力可能受到一次性吸收內(nèi)衣的改進(jìn)性能的阻礙，在污損出現(xiàn)之后，一次性吸收內(nèi)衣迅速吸收尿液并使尿液保持遠(yuǎn)離穿戴者的皮膚?？醋o(hù)者對(duì)如廁訓(xùn)練幼兒的密切監(jiān)視會(huì)有助于在小便發(fā)生時(shí)通過(guò)幼兒和看護(hù)者就其進(jìn)行討論來(lái)加強(qiáng)和提高學(xué)習(xí)經(jīng)驗(yàn)。因此，向看護(hù)者提供發(fā)生了小便的即時(shí)通知和/或證明是有益處的，以便在該事件在幼兒大腦中仍然新鮮時(shí)^f更與幼兒討^淪?！N監(jiān)測(cè)如廁訓(xùn)練幼兒的方法是采用探測(cè)內(nèi)衣中電性質(zhì)變化的裝置，其中所述內(nèi)衣的電性質(zhì)根據(jù)內(nèi)衣的濕度而變化。例如，該電性質(zhì)可以是阻性、傳導(dǎo)性、阻抗、容性或任何其他的隨內(nèi)衣的濕度變化而變化的參數(shù)。例如，可將間隔分開(kāi)的平行導(dǎo)體設(shè)置于內(nèi)衣的吸收材料中。這些導(dǎo)體電接觸于內(nèi)衣的吸收材料，并被連接至感應(yīng)電路用于監(jiān)測(cè)電性質(zhì)，該電^^包括諸如電池的電源。例如，該電^各包括用于探測(cè)導(dǎo)體間電阻的分壓器。電路的輸出為相應(yīng)于電阻值的模擬輸出電壓，當(dāng)內(nèi)衣為干燥時(shí)，導(dǎo)體間的電阻非常高且相對(duì)地?zé)o限大，可看作開(kāi)路。當(dāng)內(nèi)衣潮濕時(shí)，更具體地，當(dāng)導(dǎo)體間的內(nèi)衣吸收材料變潮濕時(shí)，內(nèi)衣的電阻在該區(qū)域內(nèi)下降至相對(duì)較低值，因?yàn)槟蚱饘?dǎo)體的作用。因此，在常規(guī)裝置中，傳感器監(jiān)測(cè)導(dǎo)體間的電阻，并將電阻值和預(yù)確定的閾電阻值比較。如果電阻值小于閾電阻值，則感應(yīng)電^各(此處傳感器)發(fā)送信號(hào)至報(bào)警設(shè)備，該報(bào)警設(shè)備通知看護(hù)者和/或穿戴者穿戴者已經(jīng)小便。例如，該報(bào)警設(shè)備可以是用于產(chǎn)生聽(tīng)覺(jué)信號(hào)(如歌曲)、視覺(jué)信號(hào)(如光)，或觸覺(jué)信號(hào)(如溫度變化)的設(shè)備。這些常規(guī)設(shè)備傾向于提供誤報(bào)，那就是在沒(méi)尿時(shí)通知看護(hù)者和/或穿戴者內(nèi)衣中有尿，這是因?yàn)閷?duì)于尿的出現(xiàn)只有一次"檢查，，或"測(cè)試"(即內(nèi)衣的電阻是否下降至確定的閾值以下)。還有一些情況，比如當(dāng)幼兒坐著或施加其他壓力到之前已經(jīng)污損的內(nèi)衣上，內(nèi)衣的電阻下降至閾值以下時(shí)，即指示發(fā)生了新的污損，而事實(shí)上后一次污損并沒(méi)有發(fā)生(即測(cè)出誤報(bào))。因此，常規(guī)設(shè)備難于適合準(zhǔn)確探測(cè)多次污損和/或避免測(cè)出誤報(bào)。此外，汗液多少會(huì)浸濕內(nèi)衣，典型地在一段相對(duì)長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)，也可能觸發(fā)傳感器。再者，穿戴者第一次尿濕后，內(nèi)衣的電阻值比產(chǎn)品干燥時(shí)的電阻值小很多。然而，閾值并沒(méi)有變化，因此電阻比閾值低，這樣就觸發(fā)報(bào)警，盡管還沒(méi)有發(fā)生下一次污損。
發(fā)明內(nèi)容概括來(lái)講，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的方法包括當(dāng)穿戴者穿戴該物品時(shí)監(jiān)測(cè)該物品的電性質(zhì)，其中該電性質(zhì)相應(yīng)于污損而變化；確定電性質(zhì)的參數(shù)隨時(shí)間的斜率；并比較該斜率于閾值以確定污損的出現(xiàn)。在另一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括當(dāng)穿戴者穿戴該物品時(shí)監(jiān)測(cè)物品的電性質(zhì)，其中該電性質(zhì)相應(yīng)于污損而變化；在預(yù)置時(shí)間段內(nèi)比較該電性質(zhì)于閾值以確定污損的出現(xiàn)。在再一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括當(dāng)穿戴者穿戴該物品時(shí)監(jiān)測(cè)物品的電性質(zhì)，其中該電性質(zhì)相應(yīng)于污損而變化；確定一閾值；并比較該電性質(zhì)于該確定的閾值以確定污損的出現(xiàn)。概括來(lái)講，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的傳感器包括測(cè)量元件，模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及微處理器。當(dāng)穿戴者穿戴該物品時(shí)測(cè)量元件測(cè)量該物品的電性質(zhì)，該測(cè)量元件產(chǎn)生指示該物品的電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器將測(cè)量設(shè)備的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值，且微處理器接收來(lái)自轉(zhuǎn)換器的數(shù)字值。微處理器確定以下其中至少一個(gè)(a)電性質(zhì)的或電性質(zhì)的函數(shù)值的斜率，該斜率與一閾值相比較；(b)在一段時(shí)間內(nèi)該電性質(zhì)與一閾值的比較；和/或(c)該電性質(zhì)與一閾值的比較。所述微處理器根據(jù)(a)，(b)和/或(c)的確定來(lái)判斷物品中污損的出現(xiàn)。概括來(lái)講，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于對(duì)穿戴者進(jìn)行便盆訓(xùn)練的物品的這個(gè)物品中包括適合于與該穿戴者的身體貼近關(guān)系的襯墊。與該襯墊基本上相對(duì)的關(guān)系的外部殼體；布置在該襯墊和該外部殼體之間的吸收體。一種用在探測(cè)該吸收性物品中出現(xiàn)污損的傳感器包括當(dāng)該物品被穿戴者穿戴時(shí)用于測(cè)量該物品的電性質(zhì)的測(cè)量元件，該測(cè)量元件產(chǎn)生指示物品電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換測(cè)量設(shè)備的模擬信號(hào)為數(shù)字值，微處理器接收來(lái)自轉(zhuǎn)換器的數(shù)字值。微處理器確定以下其中至少一個(gè)(a)電性質(zhì)的或電性質(zhì)的函數(shù)值的斜率，該斜率與一闊值相比較；(b)在一段時(shí)間內(nèi)該電性質(zhì)與一閾值的比較；和/或(c)該電性質(zhì)與一閾值的比較；微處理器根據(jù)(a)，(b)和/或(c)的確定來(lái)判斷該物品中污損的出現(xiàn)。用于接收來(lái)自微處理器的電信號(hào)的報(bào)警設(shè)備指示微處理器已經(jīng)確定在物品中污損的出現(xiàn)，報(bào)警設(shè)備通知看護(hù)者和/或穿戴者該物品中污損的出現(xiàn)。其他目的和特征部分為顯而易見(jiàn)的，部分將在以下內(nèi)容中指出。圖1是本發(fā)明的物品的側(cè)面透視圖，顯示出一條訓(xùn)練褲的形狀，其具有在訓(xùn)練褲的———一側(cè)扣緊而在其相對(duì)的一側(cè)未扣緊的機(jī)械搭扣裝置；圖2是圖1的褲的透視圖；圖3是和圖2相同的褲，顯示出監(jiān)測(cè)裝置的殼體的從物品移開(kāi)的透視圖；圖4是圖1的訓(xùn)練褲處于松散、展開(kāi)且平放狀態(tài)下的褲的俯視圖，顯示出穿戴時(shí)面對(duì)穿戴者的訓(xùn)練褲的表面，且其中部分被剪掉以示出下面的特征；圖5是沿包含圖4的線5—5的平面的褲的截面圖；圖6是本發(fā)明的褲以及監(jiān)測(cè)裝置的一個(gè)實(shí)施例的示意圖；圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的框圖，示意用于本發(fā)明的部件/設(shè)備的運(yùn)行順序，包括用于測(cè)量褲的電性質(zhì)的測(cè)量設(shè)備，以及用于將來(lái)自測(cè)量設(shè)備的模擬輸出轉(zhuǎn)換為由微處理器可讀的數(shù)字值的模數(shù)轉(zhuǎn)換器；圖8是本發(fā)明的微處理器的示例性指令的框圖，用于利用褲的測(cè)量電阻值的比例差分來(lái)確定污損的出現(xiàn)；圖9是本發(fā)明的微處理器的示例性指令的框圖，用于利用接續(xù)的阻值來(lái)確定凈庫(kù)的測(cè)量電阻值的比例差分；圖IO是本發(fā)明的微處理器的示例性指令的框圖，用于利用褲的測(cè)量電阻值的變化率來(lái)確定污損的出現(xiàn)；圖11是本發(fā)明的微處理器的示意性指令的框圖，用于利用接續(xù)的阻值來(lái)確定褲的測(cè)量電阻值的變化率；圖12是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的設(shè)備/部件的框圖，用于確定褲電阻值的變化速率，包括響應(yīng)電路和調(diào)理電路；圖13是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的設(shè)備/部件的框圖，用于確定褲的電阻值的變化率，包括響應(yīng)電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換器；圖14是差分器形式的示例性響應(yīng)電路的示意圖；圖15是結(jié)合圖7和圖12描述的實(shí)施例的本發(fā)明的實(shí)施例的框圖，利用比例差分和褲電阻值的變化率來(lái)確定褲中污損的出現(xiàn)；圖16是結(jié)合圖7和圖13描述的實(shí)施例的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的框圖，利用比例差分和褲電阻值的變化率來(lái)確定褲中污損的出現(xiàn)；圖17是微處理器的指令框圖，用于確定測(cè)量電阻是太高還是太低以至于不能作為出現(xiàn)污損的精確指示；圖18是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的微處理器設(shè)備/部件的框圖，用于確定測(cè)量電阻是太高還是太低以至于不能作為出現(xiàn)污損的精確指示，包括誤報(bào)檢查電路；圖19是示例性誤報(bào)檢查電路的示意圖；圖20是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的框圖，示出了用于確定是否褲被浸濕，以及用于使污損后的褲電阻穩(wěn)定的微處理器的指令；圖20A是示出已被污染的褲的示例性電阻曲線圖；圖21是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的框圖，示意用來(lái)確定褲是否為干燥的、還是剛剛污損的，或是被浸透的微處理器的指令；圖22是與圖21的實(shí)施例相近的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的框圖，進(jìn)一步包括計(jì)算剛被污染的褲的平均數(shù)量級(jí)閾值的指令；圖23是與圖22的實(shí)施例相近的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的框圖，并且進(jìn)一步包括用于延遲平均數(shù)量級(jí)閾值的計(jì)算直到電阻值穩(wěn)定的指令；圖24為描述第一次污損的最小電阻值(例如RMIN,第一污損時(shí)測(cè)量的最低電阻值)與絨/超吸收材料比值(FLUFF:SAM)的關(guān)系圖；圖25是描述確定污損的時(shí)間并轉(zhuǎn)到探測(cè)另外的污損的排泄后程序(如圖26A和26B)的一種算法的實(shí)施方式的流程圖；如圖所示，該流程使用默認(rèn)參數(shù)以及閾值，但該參數(shù)和閾值可以用驗(yàn)證軟件改變?yōu)槿我庵?，該流程圖是關(guān)于第一污損的探測(cè)。圖26A和26B是表現(xiàn)第一次污損被識(shí)別之后，對(duì)后續(xù)的污損進(jìn)行識(shí)別的一種算法的流程圖，與圖25相同，該流程圖使用可以在驗(yàn)證軟件中改變的默認(rèn)值。圖27是包括與箔帶電極接觸的同成形貼片的吸收性物品的俯視圖；圖28是包括電極的吸收性物品的示意圖，所述電極位于包括低或無(wú)超吸收材料的區(qū)域中；圖29是示出模擬第一次污損的電阻對(duì)時(shí)間的鹽分布圖；圖30是示出模擬第一污損后面有第二污損的電阻對(duì)時(shí)間的鹽分布圖；圖31是描述圖25、圖26A以及圖26B的流程圖的運(yùn)行邏輯的分布圖；附圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記指示相應(yīng)的元件。具體實(shí)施例方式現(xiàn)參考附圖，特別是圖1，以幼兒如廁訓(xùn)練褲的形式代表性地示出本發(fā)明的吸收性物品并總的以參數(shù)號(hào)20來(lái)指示。該吸收性物品20可以是或不是一次性的，指的是使用一段有限時(shí)間后拋棄的物品，而不經(jīng)洗滌或用其他方式恢復(fù)后再利用。可以理解，本發(fā)明適于與為個(gè)人穿戴而設(shè)計(jì)的各種其它吸收性物品一起使用，包括但不僅限于尿布、女性衛(wèi)生用品、失禁產(chǎn)品、醫(yī)用服、手術(shù)墊和繃帶、其它個(gè)人護(hù)理或健康護(hù)理衣物以及沒(méi)有超出本發(fā)明范圍的類(lèi)似物品。只是出于解說(shuō)目的，在2000年6月29日公開(kāi)的A.Fletcher等人的PCT專(zhuān)利申請(qǐng)WO00/37009、1990年7月10日授權(quán)給VanGompel等人的美國(guó)專(zhuān)利4，940，464、1998年6月16日授權(quán)給Brandon等人的美國(guó)專(zhuān)利5,766,389以及2003年11月11日授權(quán)給Olson等人的美國(guó)專(zhuān)利6，645,190中，公開(kāi)了的多種材料和方法，用于構(gòu)成本發(fā)明的不同方案的諸如褲20的訓(xùn)練褲，皆援引合并于此。圖1描述了訓(xùn)練褲20處于部分扣好的狀態(tài)。如圖4所示，該褲20定義了褲的縱向48以及其垂直于縱向的橫向49。該褲20還定義了一對(duì)縱向端部區(qū)域，或在此另稱為前腰部區(qū)，總地指示為22，和一個(gè)后腰部區(qū)，總地指示為24，以及一個(gè)中央?yún)^(qū)域，或在此另稱為胯部區(qū)域，總地指示為26,該胯部區(qū)域縱向延伸并且連接于前腰部區(qū)域22和后腰部區(qū)域24之間。前腰部區(qū)域22和后腰部區(qū)域24是褲20在穿著時(shí)完全或部分覆蓋或環(huán)繞穿戴者的腰部或中下部軀干的的那些部分?？璨繀^(qū)域26通常是褲20在穿著時(shí)位于穿戴者的兩腿之間并包裹住穿戴者的下軀干和胯部的的那個(gè)區(qū)域。褲20還定義了內(nèi)表面28和相對(duì)于內(nèi)表面的外表面30,當(dāng)褲穿著時(shí)內(nèi)表面28面向穿戴者。再參考圖4，訓(xùn)練褲20有一對(duì)橫向相對(duì)的側(cè)邊緣36和一對(duì)縱向相對(duì)的腰部邊緣(廣義地，縱端)，分別指前腰部邊緣38和后腰部邊緣39。在圖1至4的實(shí)施例中，訓(xùn)練褲20包括基本上矩形的中央吸收組件，總地指示為32,以及分開(kāi)形成并和中央吸收組件相固接的側(cè)片34A、34B。側(cè)片34A、34B沿接縫固定接合于中央吸收部件32的褲20的各個(gè)前腰部區(qū)域22和后腰部區(qū)域24。更具體地，前側(cè)片34A可以被固定接合于前腰部區(qū)域22的吸收部件32的側(cè)邊緣47并橫向向外伸出，且后側(cè)片34B可以被固定接合于后腰部區(qū)域24的吸收部件32的側(cè)邊緣47并橫向向外伸出。側(cè)片34A和34B可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的諸如粘合劑、熱或超聲接合的粘接裝置來(lái)接合于吸收組件32。穿著褲20時(shí)，前側(cè)片34A和后側(cè)片34B包括位于穿戴者臀部上的訓(xùn)練褲20部分。前側(cè)片34A和后側(cè)片34B可以固定接合在一起形成褲20的三維結(jié)構(gòu)，或者可解開(kāi)地彼此相互連接，如通過(guò)所描述方案的搭扣裝置59。如本領(lǐng)域所/>知的，側(cè)片34A和34B可以包括彈性材料或可伸展非彈性材料。如圖1至圖3中所示的吸收組件32具有矩形形狀。然而可以理解的是，吸收組件32可以有其他形狀(例如沙漏，T形，I形及類(lèi)似物)而不脫離本發(fā)明的范圍。還可以理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，側(cè)片34A和34B可以:故替代為和吸收組件32—體制成。最清楚如圖4和圖5所示的，吸收組件32包括一外覆層40和一體側(cè)內(nèi)襯42，體側(cè)內(nèi)襯42以疊合方式通過(guò)粘合劑、超聲波接合、熱接合、壓力接合或其它常規(guī)技術(shù)粘接到外覆層40上。內(nèi)襯42適當(dāng)?shù)匮匮?0的縱向端部至少部分地連結(jié)到外覆層40。另外，內(nèi)襯42適當(dāng)?shù)剡B結(jié)到外覆層40。內(nèi)襯42適當(dāng)?shù)匚挥谘澴哟┲鴷r(shí)，相對(duì)于褲20的其它部位，貼近穿戴者皮膚的位置。吸收組件32還包括設(shè)在外覆層40和體側(cè)內(nèi)襯42d司的用于吸收穿戴者排出的液體身體分泌物的吸收結(jié)構(gòu)44，以及設(shè)在吸收結(jié)構(gòu)和體側(cè)內(nèi)襯之間的涌流控制層45。一對(duì)固定于體側(cè)內(nèi)襯42用于阻止身體分泌物的側(cè)漏的防滲漏片46。如在圖1中部分示意的處于扣搭位置的訓(xùn)練褲20，前腰部區(qū)域和后腰部區(qū)域通過(guò)搭扣裝置48連接在一起，界定出具有腰部開(kāi)口50和一對(duì)腿部開(kāi)口52的三維褲構(gòu)造。訓(xùn)練褲20的前腰邊緣38和后腰邊緣39(例如縱端)被設(shè)計(jì)成圍繞穿戴者腰部界定褲的腰部開(kāi)口50。如圖4所示，片狀彈性件53可#:作地與每個(gè)防滲漏片46以本領(lǐng)域熟知的任意合適方式結(jié)合。用于防滲漏片46的合適的結(jié)構(gòu)和設(shè)置通常是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，在1987年11月3日授權(quán)給Enloe的美國(guó)專(zhuān)利4,704，116中有描述，上述專(zhuān)利援引合并于此。如本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，為了進(jìn)一步增強(qiáng)身體分泌物的防滲漏和/或吸收，訓(xùn)練褲20包括前腰彈性件54(圖1),后腰彈性件56和腿部彈性件58(圖2至圖4)。片狀彈性件53、前腰彈性件54、后腰彈性件56和腿部彈性件58可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任何合適的彈性材料制成。所述實(shí)施例的搭扣裝置80包括橫向相對(duì)的第一搭扣部件60,其適于可重復(fù)搭扣接合到相應(yīng)的橫向相對(duì)的第二搭扣部件62。在一個(gè)實(shí)施例中，每一搭扣部件60和62的前表面或后表面包括多個(gè)接合件。第一搭扣部件60的接合件適合于重復(fù)地接合和脫離相應(yīng)的第二搭扣部件60的接合件，將褲20可解開(kāi)地固定于其三維結(jié)構(gòu)。搭扣部件60和62可以是適于吸收性物品的任何可重復(fù)搭扣的扣件，例如粘扣、粘貼扣、機(jī)械扣件或類(lèi)似物。合適的搭扣裝置在之前已包含于本文的于2000年6月29日公開(kāi)的A.Fletcher等人的PCT專(zhuān)利申請(qǐng)和于2003年11月11授予Olson等人的美國(guó)專(zhuān)利US6,645,190中也有所描述。外覆層40適當(dāng)?shù)匕ɑ旧喜煌敢旱牟牧稀Ｍ飧矊?0可以包括單層不透液材料，或者更適當(dāng)?shù)匕ǘ鄬拥膶訅航Y(jié)構(gòu)，這些層中至少一層是不透液的。雖然外覆層不必要是透液的，提供一種對(duì)于穿戴者來(lái)說(shuō)相對(duì)布類(lèi)織物的質(zhì)地是適合的。可替代地，外覆層40可以包括織造或非織造的纖網(wǎng)層，該纖網(wǎng)層被整體地或部分地構(gòu)造成或處理成所期望程度的對(duì)于貼近或靠近吸收結(jié)構(gòu)的選擇區(qū)域的不透液性。外覆層40還可以為可伸展的，而在一些實(shí)施例中，它可以為彈性體的。關(guān)于適合的外覆層材料的其他信息，可參考授權(quán)給Morffian等人的美國(guó)專(zhuān)利No.5，883，028、授權(quán)給Mor歸n的美國(guó)專(zhuān)利No.5,116,662和:|受4又給Morman的美國(guó)專(zhuān)利No.5,114,781，上述專(zhuān)利援引結(jié)合于此。體側(cè)內(nèi)襯42適宜是柔順、手感軟且對(duì)穿戴者皮膚無(wú)刺激性的。體側(cè)內(nèi)襯42還是充分透液的，以便液態(tài)的身體分泌物容易地滲透其厚度到達(dá)吸收性結(jié)構(gòu)44。體側(cè)內(nèi)襯42還可以為可伸展的，而在一些實(shí)施例中，其可以為彈性體的。關(guān)于體側(cè)內(nèi)襯材料的其他信息，可參考Roessler等人于2000年5月3日提交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.09/563,417和Vukos等人于2000年10月27日提交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.09/698,512,上述專(zhuān)利援引結(jié)合于此。吸收結(jié)構(gòu)44置于外覆蓋層40和體側(cè)內(nèi)襯42之間，其可通過(guò)諸如粘合劑、超聲接合、熱接合或類(lèi)似物的任何適合的裝置結(jié)合在一起。盡管在此示出且描述的所述吸收結(jié)構(gòu)44從胯部區(qū)域26延伸到前腰部區(qū)域22和后腰部區(qū)域24兩個(gè)區(qū)域之中，但在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，可以理解的是吸收結(jié)構(gòu)可以乂人胯部區(qū)域只延伸到前腰部區(qū)域中，或只延伸到后腰部區(qū)域中。吸收結(jié)構(gòu)44適合是可壓縮、舒適貼合，對(duì)穿戴者皮膚無(wú)刺激性的，并能夠吸收和保持液體以及某些身體污損物。例如，吸收結(jié)構(gòu)44可以包括纖維素纖維(例如木漿纖維)、其它天然纖維、合成纖維，織造或非織造片材，稀松布網(wǎng)或者其它穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，超吸收材料，結(jié)合劑材料，表面活性劑，精選疏水材料，顏料，洗劑，氣味控制劑或類(lèi)似物，以及它們的組合。采用本領(lǐng)域已知的多種傳統(tǒng)方法和技術(shù)，可以將材料制成吸收性纖網(wǎng)結(jié)構(gòu)。例如，吸收結(jié)構(gòu)44可以通過(guò)干法成形技術(shù)、空氣成形技術(shù)、濕法成形技術(shù)、泡沫成形技術(shù)或類(lèi)似的，以及它們的組合來(lái)制成。吸收結(jié)構(gòu)44可替代地包括同成形材料，例如在4吏權(quán)給Anderson等人的美國(guó)專(zhuān)利No.4，100，324、授權(quán)給Everhart等人的美國(guó)專(zhuān)利No.5,284,703、授權(quán)給Georger等人的美國(guó)專(zhuān)利No.5，350,624中公開(kāi)的材料，上述專(zhuān)利援引結(jié)合于此。超吸收材料適當(dāng)?shù)卮嬖谟谖战Y(jié)構(gòu)44中的量大約為以吸收結(jié)構(gòu)的總重量為基礎(chǔ)的0至90的重量百分比。吸收結(jié)構(gòu)44所具有的適當(dāng)密度可以在約0.10至約0.35克每立方厘米的范圍內(nèi)。超吸收材料在現(xiàn)有技術(shù)中是熟知的，可以選自天然、合成和改性的天然聚合物和材料。在一個(gè)實(shí)施例中，吸收結(jié)構(gòu)44可以為可伸展而不限制吸收結(jié)構(gòu)可能粘合的諸如外覆層40和體側(cè)內(nèi)襯42的其他部件的伸展性的。例如，吸收結(jié)構(gòu)44可以包括在美國(guó)專(zhuān)利No.5,964,743、No.5,645,542、No.6,231,557、No.6,362,389，和國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)冊(cè)03/051254公開(kāi)的材料,上述每個(gè)專(zhuān)利所公開(kāi)內(nèi)容皆援引結(jié)合于此。以本領(lǐng)域已知的如粘合劑、超聲接合或熱接合的方法，可以將涌流控制層45附著于物品20的不同部件，如吸收結(jié)構(gòu)44和/或體側(cè)內(nèi)襯42。涌流控制層45有助于減緩和分散可被快速引入物品20的吸收結(jié)構(gòu)44內(nèi)的液體的潮涌或涌出。期望的是，在將液體釋放到吸收結(jié)構(gòu)44的存儲(chǔ)或保存部前，涌流控制層可快速接收并暫時(shí)容納液體。合適的涌流控制層的例子在美國(guó)專(zhuān)利No.5，486，166和No.5，490,846中有所描述。其他合適的涌流控制層在美國(guó)專(zhuān)利No.5,820,973中有所描述。上述專(zhuān)利的全部?jī)?nèi)容援引結(jié)合于此?？蛇x地，吸收結(jié)構(gòu)44上可包裹著基本上透液的包裹片(未示出)以幫助保持吸收結(jié)構(gòu)44的整體性。本發(fā)明的訓(xùn)練褲20包括用于探測(cè)褲20中出現(xiàn)尿(廣義上為污損物)的濕度監(jiān)測(cè)裝置。盡管該濕度監(jiān)測(cè)裝置可以采用其他構(gòu)造，此特殊構(gòu)造的裝置監(jiān)測(cè)褲的電性質(zhì)并利用這種電性質(zhì)確定幼兒是否已經(jīng)小便。在探測(cè)到小便后，裝置通過(guò)產(chǎn)生污損報(bào)警通知看護(hù)者和/或幼兒尿的出現(xiàn)。這種報(bào)警可以使，舉例來(lái)說(shuō)，諸如歌曲的聽(tīng)覺(jué)信號(hào)，或諸如溫度變化的觸覺(jué)信號(hào)，或諸如閃光的視覺(jué)信號(hào)?？梢岳斫猓撗b置可以包括用于發(fā)送無(wú)線信號(hào)到遠(yuǎn)處的聽(tīng)覺(jué)、視覺(jué)、觸覺(jué)或其他感官報(bào)警的設(shè)備。在圖2至圖4中顯示最清楚的一個(gè)特別合適的實(shí)施例中，一個(gè)濕度監(jiān)測(cè)裝置的例子總的以參考數(shù)字70來(lái)指示。該監(jiān)測(cè)裝置70包括用于探測(cè)物品的電性質(zhì)(例如電阻R)的傳感器。該傳感器包括設(shè)置在褲20內(nèi)的一對(duì)間隔分開(kāi)的基本上平行的導(dǎo)體Cl，C2，界定了位于兩個(gè)導(dǎo)體之間的褲監(jiān)測(cè)區(qū)域74。導(dǎo)體C1，C2可由通常的電傳導(dǎo)材料構(gòu)成。例如，導(dǎo)體可以由金屬條(例如鋁條)、金屬膜、涂覆的膜、傳導(dǎo)性聚合物、傳導(dǎo)性墨水或傳導(dǎo)性絲所構(gòu)成。其他導(dǎo)體也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。導(dǎo)體Cl,C2從前腰區(qū)域22縱向延伸，穿過(guò)胯部區(qū)域26,到褲的后腰區(qū)域24。盡管在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，導(dǎo)體可以布置在其他位置，但最好如圖5中示出的，導(dǎo)體Cl，C2布置在吸收組件32中，介于吸收結(jié)構(gòu)44和涌流控制層45之間。來(lái)自電流源B的電流i(圖6中示意性描繪的)流經(jīng)傳感器的導(dǎo)體Cl,C2。電流源i可以是諸如電池的直流電流源(如所描繪的)或交流電流源。在所述實(shí)施例中，導(dǎo)體Cl,C2通過(guò)電傳導(dǎo)的按鈕79的方式電連接于電流源。將導(dǎo)體電連接至電流源的其他方式也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。如圖3所示，每個(gè)導(dǎo)體Cl,C2的每個(gè)相應(yīng)端被連接至位于褲20的前腰區(qū)域22的第一按鈕件79A?？商娲?，第一按鈕件79A可以位于后腰區(qū)域24或褲20上的其他位置。覆蓋電流源i的殼體82具有相應(yīng)的第二按鈕元件79B，用于連接第一按鈕79A并將殼體固定于褲20。盡管可以理解殼體中可能還包括一些其它元件或不包括其它元件，本實(shí)施例的殼體82除了電流源i之外還覆蓋著濕度監(jiān)測(cè)裝置70的其它元件，這將在下文中描述。在所述實(shí)施例中，通過(guò)按鈕79，殼體82可解開(kāi)地固定于褲20上，但是也可以理解在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，殼體可以永久地固定于褲。傳感器的測(cè)量設(shè)備85(圖6)測(cè)量褲20的監(jiān)測(cè)區(qū)域74的電性質(zhì)。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)量褲20的監(jiān)測(cè)區(qū)域74的電阻R。因?yàn)閷?dǎo)體C1，C2是間隔分開(kāi)的，來(lái)自電流源i的電流必須穿過(guò)監(jiān)測(cè)區(qū)域74以構(gòu)成電路。如在圖6中示意性示出的，監(jiān)測(cè)區(qū)域74本質(zhì)上如同電阻器，如參考標(biāo)記R所指示。當(dāng)監(jiān)測(cè)區(qū)域74為干燥時(shí)(例如在污損的出現(xiàn)前)，監(jiān)測(cè)區(qū)域的電阻相對(duì)高，例如某些電阻大于200kQ。當(dāng)監(jiān)測(cè)區(qū)域74由于例如污損而潮濕時(shí)，其電阻由于尿的電傳導(dǎo)性而降低，例如某些電阻小于200kQ。在另一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)量#庫(kù)20的監(jiān)測(cè)區(qū)域74的導(dǎo)電性。如上所述的，尿?yàn)殡妼?dǎo)性的，而物品20基本上是不導(dǎo)電的。因此，當(dāng)褲20的監(jiān)測(cè)區(qū)域74潮濕時(shí)，其導(dǎo)電性比它干燥時(shí)候大。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以測(cè)量褲2G的其他電性質(zhì)，包括阻抗。測(cè)量設(shè)備85產(chǎn)生褲20的監(jiān)測(cè)區(qū)域74的電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)(圖6)指示。例如，測(cè)量設(shè)備85能夠測(cè)量穿過(guò)監(jiān)測(cè)區(qū)域74的電壓降，并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于電壓降的模擬輸出信號(hào)。通過(guò)執(zhí)行本領(lǐng)域已知的計(jì)算或使用參考表，可以利用模擬輸出信號(hào)來(lái)確定諸如電阻或電流的其他電性質(zhì)。例如，如本領(lǐng)域所熟知的，當(dāng)電流為常數(shù)時(shí)，電壓降是褲的電阻的指示。這樣，如以下進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明的，利用測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)可以確定褲20的電阻。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在褲20的測(cè)量的電阻上進(jìn)行百分比差異測(cè)試，以確定褲穿在穿戴者身上時(shí)褲中是否出現(xiàn)(或缺少)污損。在該實(shí)施例中，確定褲的監(jiān)測(cè)區(qū)域的測(cè)量電性質(zhì)隨時(shí)間變化的比例差分(即百分比差異)，并且將該比例差分與差異閱值比較以確定褲中是否出現(xiàn)污損。在此所用的閾值可以是任何計(jì)算的、預(yù)置的或隨機(jī)值，包括加權(quán)值、縮放值、可調(diào)值或另一個(gè)值的函數(shù)值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，圖7所示的，模數(shù)轉(zhuǎn)換器89接收來(lái)自測(cè)試設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)，并轉(zhuǎn)換該信號(hào)為數(shù)字輸出信號(hào)。微處理器93接收代表褲20的電性質(zhì)(例如電阻)的數(shù)量級(jí)的數(shù)字輸出信號(hào)，并對(duì)它進(jìn)行分析以確定污損的出現(xiàn)。如果微處理器93探測(cè)到污損的出現(xiàn)，則其啟動(dòng)污損報(bào)警95。模數(shù)轉(zhuǎn)換器89是用于轉(zhuǎn)換模擬信號(hào)為可以被微處理器讀取的數(shù)字信號(hào)的常規(guī)設(shè)備。本發(fā)明的模數(shù)轉(zhuǎn)換器89可以是獨(dú)立的設(shè)備或是微處理器93的部件。盡管出于說(shuō)明的目的，該電性質(zhì)在下文中指為電阻，但它可以是任何反映濕度的不同內(nèi)衣性能。圖8示意性示出用于確定褲20的電阻中的百分比差異并比較該百分比差異和差異閾值以確定污損的出現(xiàn)的微處理器93的指令。在指令100處，微處理器93收集來(lái)自數(shù)字輸出信號(hào)的第一電阻值(Rl)并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。隨后，微處理器93在指令102處延遲采樣一段時(shí)間，再在指令104處收集和存儲(chǔ)第二電阻值U2)。該延遲可以被編程或可以是A/D轉(zhuǎn)換器89和/或微處理器93的采樣速率的函數(shù)。在存儲(chǔ)有第一和第二電阻值(Rl,R2)的情況下，在指令106處微處理器93從第一值(Rl)減去第二值(R2),并用第一值(Rl)除所得差，并以100%乘所得的商。在指令108處將所得值作為差異指示值(DIV)存儲(chǔ)。隨后在指令110處，將所得差異指示值(DIV)與差異閾值(DTV)比較以確定污損是否出現(xiàn)。例如，如果差異指示值(DIV)大于差異閾值(DTV)，則指示污損的出現(xiàn)。舉例來(lái)說(shuō)，差異閾值(DTV)可以是介于10%和20%(指電阻下降10%和20%)之間的值，或更特別地，該差異閣值可以為約15%。如果差異指示值與差異閾值的比較指示污損的出現(xiàn)，那么，如果沒(méi)有其他的指示信息，則由微處理器93在指令108啟動(dòng)污損報(bào)警95，通知看護(hù)者和/或穿戴者污損的出現(xiàn)。然而，如果差異指示值(DTV)與差異閾值(DTV)的比較沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，那么，如果沒(méi)有其他指示信息，則令微處理器93重復(fù)以上步驟，以確定新的差異指示值，并將其與差異閾值進(jìn)行比較直到有一次的污損被指示出。百分比差異測(cè)試意味比常規(guī)數(shù)量級(jí)的閾值測(cè)試更精確(也就是說(shuō)，更好地探測(cè)出污損并且較低頻率地測(cè)出誤報(bào))，因?yàn)榘俜直葴y(cè)試與污損以前褲的電阻數(shù)量級(jí)無(wú)關(guān)。百分比差異測(cè)試關(guān)注于電阻中的變化量，而便于更準(zhǔn)確地探測(cè)出多次排泄。作為例子，如果電阻從200KD變化到50KQ,得出75%的差異指示值，而差異閾值為20%,則污損報(bào)警將被啟動(dòng)。作為另一個(gè)例子，如果電阻從60KQ變化到50KQ，得出17%的差異指示值，而差異閾值為20%，則污損報(bào)警將不被啟動(dòng)。在差異實(shí)施例的另一個(gè)例子中，微處理器93的指令可包括確定前面幾個(gè)接續(xù)的電阻值與一個(gè)當(dāng)前值之間相比較的百分比差異，例如，在第三電阻值(R3)和第二電阻值(R2)之間的，以及第三電阻值(R3)和第一電阻值(Rl)之間的差異。圖9示意性示出該實(shí)施例的微處理器指令。在指令106處，微處理器93第一次收集來(lái)自數(shù)字輸出信號(hào)的第一電阻值(Rl)并存儲(chǔ)在其存儲(chǔ)器中。隨后，微處理器93在指令118處延遲采樣一段時(shí)間，再在指令120處收集和存儲(chǔ)第二電阻值(R2)。在指令122處微處理器93延遲，隨后在指令124處微處理器93收集和存儲(chǔ)第三電阻值(R3)，運(yùn)用這些存儲(chǔ)的值，微處理器93在指令126處從第三電阻值(R3)減去第二電阻值(R2)，并用第二電阻值(R2)除所得差，得到百分比差異。在指令128處將該百分比差異作為第一差異指示值(DIVl)存儲(chǔ)，并在指令130處將其與差異閾值(DTV)比較，以確定是否該比較指示為污損的出現(xiàn)。如果第一差異指示值(DIVl)的比較指示污損的出現(xiàn)的，則在指令132處啟動(dòng)污損報(bào)警95。如果該比較沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，則隨后在134處，微處理器通過(guò)從第三值(R3)減去第一值(Rl)并用第一值(Rl)除該差來(lái)計(jì)算第二差異指示值(DIV2)。在指令136處將該第二百分比差異(DIV2)以第二差異指示值(DIV2)存儲(chǔ)。隨后，在指令138處將第二差異指示值(DIV2)與差異閾值(DTV)比較。如果該第二差異指示值(DIV2)的比較為指示污損出現(xiàn)的，則在指令132處啟動(dòng)污損報(bào)警95。如果該比較沒(méi)有指示污損出現(xiàn)的，則命令微處理器重復(fù)以上步驟，將新的差異指示值和差異閾值進(jìn)行比較直到有一次污寸員凈皮才旨示出。在以上例子中，如果第一差異指示值(DIVl)或第二差異指示值(DIV2)小于差異閾值(DTV),微處理器93啟動(dòng)污損報(bào)警95。還可以理解的是只有當(dāng)?shù)谝恢甘局岛偷诙甘局稻笥陂撝禃r(shí)(即兩個(gè)比較都指示污損的出現(xiàn)時(shí))才指示報(bào)警95。例如，如果第一、第二和第三值分別為85KQ,75KQ和65KQ,則R3-R2和R3-R1的差異指示值分別為13%和24%。假設(shè)差異閾值為20%，將R3-R2與閾值相比較不會(huì)啟動(dòng)污損報(bào)警，但將將R3-R1與閾值相比較則會(huì)啟動(dòng)。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)測(cè)量到的褲20的電性質(zhì)進(jìn)行變化率測(cè)試，以確定污損的出現(xiàn)(或缺乏)。在這個(gè)實(shí)施例中，確定在一段時(shí)間內(nèi)的褲20的監(jiān)測(cè)區(qū)域74所測(cè)得的電性質(zhì)的變化率，并且將該變化率與速率閾值進(jìn)行比較，確定褲中是否出現(xiàn)污損。如以上解釋的以及圖7中所示，在本實(shí)施例的一個(gè)例子中，來(lái)自測(cè)量設(shè)備的輸出信號(hào)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出信號(hào)(例如，通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器89),并由微處理器93所接收。圖10示意性地示出了微處理器93的指令的一個(gè)例子，用于確定褲20的電阻中的變化率并將該變化率與速率閾值相比較確定污損出現(xiàn)。在指令142處，微處理器93第一次收集來(lái)自數(shù)字輸出信號(hào)的第一電阻值(R1)并和存儲(chǔ)在其存儲(chǔ)器中。隨后，微處理器93在指令144處延遲一段時(shí)間，在指令146處收集和存儲(chǔ)第二電阻值(R2)。如以上所解釋的，該延遲由A/D轉(zhuǎn)換器89的采樣周期所確定和/或者也可以通過(guò)孩i處理器93中的指令來(lái)編程。運(yùn)用存儲(chǔ)的第一和第二電阻值(Rl，R2)，在指令148處微處理器93從第一值減去第二值，并用采樣周期除所得差，在指令150處將所得值作為速率指示值(RIV)來(lái)存儲(chǔ)。在指令152處，微處理器93比較所得速率指示值(RIV)和速率閾值(RTV)以確定是否出現(xiàn)污損。例如，如果速率指示值(RIV)大于速率閾值(RTV)，這指示污損出現(xiàn)。如果速率指示值與速率閾值的比較指示污損出現(xiàn)，那么，如果沒(méi)有其他指示信息，則在指令154處由微處理器93啟動(dòng)污損報(bào)警95通知看護(hù)者和/或穿戴者污損的出現(xiàn)。然而，如果速率指示值與速率閾值的比較沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，那么，如果沒(méi)有其他指示信息，則令微處理器93重復(fù)以上步驟以確定新的速率指示值并將它們與速率閾值進(jìn)行比較，直到有一次污損被指示出。和上述討論的百分比差異類(lèi)似，變化率測(cè)試意味著比常規(guī)數(shù)量級(jí)的閾值測(cè)試更精確(也就是說(shuō)，能更好地探測(cè)出污損并且探測(cè)出誤報(bào)比較低)，因?yàn)樽兓蕼y(cè)試與褲電性質(zhì)的數(shù)量級(jí)無(wú)關(guān)而是關(guān)注于性質(zhì)變化多快。例如，如果在0.3秒時(shí)間內(nèi)電阻從200KQ變化到50k，得出450KQ/s的速率指示值，且速率閾值為25KQ/s,則啟動(dòng)污損報(bào)警。又如另一個(gè)例子，如果在0.3秒時(shí)間內(nèi)電阻從75KQ變化到68KQ,得出21KQ/s的速率指示值，且速率閾值為25KQ/s，則不啟動(dòng)污損報(bào)警。后一個(gè)例子的電阻下降可能是由于浸透的褲中的變化而引起的，汗液的出現(xiàn)，或許多污損以外的其他原因。如圖ll所示意，在變化率實(shí)施例的另一個(gè)例子中，微處理器的指令包括確定之前接續(xù)一些值與在當(dāng)前值相比較的變化率(例如在第三值和第二值以及第三值和第一值之間的變化率)。該例子與圖9關(guān)于百分比差異的實(shí)施例所提供的指令類(lèi)似，除了在指令160處確定第三值(R3)和第二值(R2)之間的第一速率指示值(RIV1)，并在指令162處將其與速率閾值(RTV)相比較，以及在指令164處確定第三值(R3)和第一值(R1)之間的第二速率指示值(RIV2)，并在指令166處將其與速率閾值(RTV)相比較。在變化率實(shí)施例的另一個(gè)例子中(圖12和圖13),來(lái)自測(cè)量設(shè)備85的輸出信號(hào)通過(guò)響應(yīng)電路165饋送，該響應(yīng)電路165產(chǎn)生模擬變化率信號(hào)，指示來(lái)自測(cè)量設(shè)備的模擬輸出信號(hào)的變化率。例如，當(dāng)測(cè)量設(shè)備85生成電壓信號(hào)時(shí)，使用諸如微分器的運(yùn)算放大器生成電壓變化率的信號(hào)指示。圖14中示意性示出適用于本發(fā)明的該實(shí)施例的示例性微分器。圖14的微分器167的輸入169是來(lái)自測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)，微分器的輸出170是電阻線型變化率的變化的線性表示。再參考圖12，在本實(shí)施例使用的響應(yīng)電i各165的一個(gè)例子中，調(diào)理電路175接收來(lái)自響應(yīng)電路165的^^莫擬變化率信號(hào)。調(diào)理電路175是一個(gè)閾值探測(cè)器，用于確定模擬變化率信號(hào)的值是否大于對(duì)應(yīng)于速率閾值的值。如果來(lái)自響應(yīng)電路165的輸出信號(hào)所指示的變化率大于速率閾值，則調(diào)理電路175生成正輸出電壓(例如+5伏特)。否則，調(diào)理電路175生成不同的信號(hào)，如無(wú)信號(hào)(比如O伏特)或負(fù)信號(hào)。響應(yīng)于來(lái)自調(diào)理電路175的輸出，微處理器93(廣義地，指示器)將正信號(hào)識(shí)為對(duì)應(yīng)于污損并啟動(dòng)污損報(bào)警95,而無(wú)信號(hào)或負(fù)信號(hào)則被微處理器忽略?？商娲?，也可以將微處理器編程為響應(yīng)于無(wú)信號(hào)(例如0伏特)或負(fù)信號(hào)(例如-5伏特)而啟動(dòng)污損報(bào)警95。參考圖13,可替代地，在使用響應(yīng)電路165的另一個(gè)例子中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器89將來(lái)自響應(yīng)電路的模擬變化率信號(hào)轉(zhuǎn)換為指示褲的電阻變化率的數(shù)字輸出信號(hào)。微處理器93接收數(shù)字輸出信號(hào)以收集和存儲(chǔ)速率指示值。所存儲(chǔ)的數(shù)字值為速率指示值的指示，并且微處理器93將所存儲(chǔ)的值與速率閾值進(jìn)行比較以確定是否有褲中出現(xiàn)污損的指示。在另一個(gè)實(shí)施例中，將百分比差異實(shí)施例和變化率實(shí)施例組合成一個(gè)單獨(dú)的實(shí)施例，這樣只有當(dāng)差異指示值(DIV)與差異閾值(DTV)的比較以及速率指示值(RIV)與速率閾值(RTV)的比較均指示污損的出現(xiàn)時(shí)，才啟動(dòng)污損報(bào)警95?？商娲?，差異指示值(DIV)與差異閾值(DTV)的比較或者速率指示值(RIV)與速率閾值(RTV)的比較指示污損的出現(xiàn)時(shí)，啟動(dòng)污損報(bào)警。該實(shí)施例的一個(gè)例子(未示出)為圖8和圖IO(使用R2-Rl)或圖9和圖ll(使用R3-R2和R3-R1)的例子的組合，其中來(lái)自測(cè)量設(shè)備的模擬輸出信號(hào)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出信號(hào)，且命令微處理器使用數(shù)字輸出信號(hào)來(lái)計(jì)算速率指示值和差異指示值，并將他們與各自的閾值比較以確定污損的出現(xiàn)。圖15中示出另一個(gè)例子。該例子為圖7和圖12的實(shí)施例的方案的組合。來(lái)自測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)被提供給模數(shù)轉(zhuǎn)換器89和響應(yīng)電路165。微處理器93用來(lái)自模數(shù)轉(zhuǎn)換器89的數(shù)字輸出信號(hào)來(lái)計(jì)算差異指示值(可選地第二差異指示值)，并確定(多個(gè))指示值與差異閾值的比較是否為污損出現(xiàn)的指示，如圖8和圖9中所示。如以上所解釋以及圖12所示意的，調(diào)理電路175接收來(lái)自響應(yīng)電路165的模擬變化率信號(hào)，并產(chǎn)生指示污損出現(xiàn)的相應(yīng)輸出信號(hào)送到微處理器93。如以上所解釋的，如果百分比測(cè)試和變化率測(cè)試均指示污損，則命令微處理器93啟動(dòng)污損報(bào)警，或者可替代地，百分比測(cè)試或變化率測(cè)試中的任一個(gè)指示污損的，則命令微處理器啟動(dòng)污損報(bào)警。圖16示出本實(shí)施例的又一個(gè)例子。該例子為圖7和圖13的實(shí)施例的方案的組合。來(lái)自測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)被提供給第一模數(shù)轉(zhuǎn)換器89A和響應(yīng)電路165。微處理器93利用來(lái)自第一模數(shù)轉(zhuǎn)換器89A的數(shù)字輸出信號(hào)來(lái)計(jì)算差異指示值(可選地第二差異指示值)，并確定(多個(gè))指示值與差異閾值的比較是否指示污損的出現(xiàn)，如圖8和圖9所示。如圖13所示意的，來(lái)自響應(yīng)電路165的模擬變化率信號(hào)通過(guò)第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器89B被轉(zhuǎn)換為數(shù)字變化率信號(hào)。然后該數(shù)字變化率信號(hào)被發(fā)送至微處理器93,在此微處理器93將數(shù)字值與速率閾值相比較指示污損的出現(xiàn)。同樣地，根據(jù)微處理器93的指令，當(dāng)變化率測(cè)試和百分比差異測(cè)試均指示出污損，或者當(dāng)其中一個(gè)測(cè)試指示出污損時(shí)，即啟動(dòng)污損報(bào)警95。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中(圖17和圖18),實(shí)施誤報(bào)檢查以確定測(cè)量的電性質(zhì)是否過(guò)高或過(guò)低以至于還不是被污損的出現(xiàn)引起的。例如，如果褲20的電阻非常高(例如在5000KQ以上)，那么這可能表示傳感器不能適當(dāng)?shù)乇唤^緣。而另一個(gè)例子是，如果褲的電阻非常低(例如在O.5KQ以下)，那可能表示褲內(nèi)的導(dǎo)體例如正在接觸而形成短路。該誤以使用該實(shí)施例來(lái)檢查已確定變化率和/或已確定百分比差異是否過(guò)高或過(guò)低以至于并不是出現(xiàn)污損的真實(shí)指示。在一個(gè)例子中，圖17中示意性示出，在微處理器93確定指示值(例如差異指示值，速率指示值或數(shù)量級(jí)指示值)與各自閾值的比較指示污損的出現(xiàn)(指示為參考數(shù)字180)后，在指令182和指令184處分別命令微處理器確定當(dāng)前電阻值(R)是否大于上檢查值(UCV)或小于較下檢查值(LCV)?？尚袝r(shí)，如果當(dāng)前電阻值(R)大于上檢查值(UCV)或小于下檢查值(LCV)，則命令微處理器93用新的電阻值重復(fù)之前的操作。如果當(dāng)前電阻值既不大于上檢查值也不小于下檢查值，只要沒(méi)有其他中間步驟，則在指令188處命令微處理器93啟動(dòng)污損報(bào)警95。在該實(shí)施例的另一個(gè)例子中(圖18)，一誤報(bào)檢查電路190被用來(lái)確定電阻值是否大于或小于各自的上檢查值和下檢查值。如圖18中示意性示出的，來(lái)自測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)被發(fā)送到誤報(bào)檢查電路190。檢查電路190的模擬輸出信號(hào)(廣義地，比較輸出信號(hào))指示當(dāng)前電阻值是否大于或小于各自的上檢查值和下檢查值。在圖18的特定例子中，調(diào)理電路192接收檢查電路190的模擬輸出信號(hào)并產(chǎn)生輸出信號(hào)送到微處理器93，該輸出信號(hào)指示電阻值大于或小于各自的上檢查值和下檢查值。可替代地，在另一個(gè)例子(未示出)中，用模數(shù)轉(zhuǎn)換器將檢查電路的模擬輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出信號(hào)。在該例子中，微處理器接收來(lái)自轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸出信號(hào)，并將該數(shù)字值與上檢查值和下檢查值相比較確定是否存在誤報(bào)。作為例子，檢查電路190包括窗口比較器電路，如圖19所示。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，檢查電路190包括其他類(lèi)型的電路。分別地，檢查電路190的輸入195為測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)，該電路的輸出197為電阻是否為大于或小于各自的上檢查值和下檢查值的指示。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，命令微處理器93確定什么時(shí)候褲20被浸透。典型地，舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)褲20被尿浸透時(shí)，微處理器可以持續(xù)指示有污損(例如持續(xù)啟動(dòng)污損報(bào)警)，即使穿戴者并沒(méi)產(chǎn)生另一次污損。這種誤報(bào)是典型的，當(dāng)出現(xiàn)污損的測(cè)試或指示信息與褲的電阻(或其他電性質(zhì))的數(shù)量級(jí)閾值相比較的時(shí)候，和常規(guī)的監(jiān)測(cè)裝置一樣典型。發(fā)生該誤報(bào)是由于浸透的褲子的電阻，舉例來(lái)說(shuō)，典型地持續(xù)小于數(shù)量級(jí)闊值。因此，根據(jù)這一實(shí)施例，本發(fā)明的監(jiān)視裝置通知看護(hù)者和/或穿戴者褲被浸透并且需要更換褲，而監(jiān)視裝置(或至少殼體中的裝置的部件)應(yīng)被安置到一條新的干燥的褲子上。在本實(shí)施例的一個(gè)例子中，如圖7所示意以及以上所解釋的，來(lái)自測(cè)量設(shè)備85的模擬輸出信號(hào)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出信號(hào)，并發(fā)送到微處理器93。參考圖20，微處理器93在指令200處收集并存儲(chǔ)來(lái)自數(shù)字輸出信號(hào)的電阻值(R1)。盡管所述實(shí)施例采用全數(shù)字方法，正如在本領(lǐng)域技術(shù)人員普遍公知的，應(yīng)該理解在其他例子中也可以部分或完全使用模擬方法。在指令202處，微處理器93將測(cè)量的電阻值(R1)(廣義地，數(shù)量級(jí)指示值)與數(shù)量級(jí)閾值(MTV)相比較，以確定測(cè)量的電阻是否指示污損的出現(xiàn)(廣義地，第一測(cè)試)。例如，命令微處理器93確定電阻是否小于介于約30KQ和90KQ之間，更具體地大約為55KQ的數(shù)量級(jí)閾值。應(yīng)該理解，該第一測(cè)試可以是除了數(shù)量級(jí)閾值測(cè)試外的某種不脫離本發(fā)明的范圍的測(cè)試。如果該比較沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，則命令微處理器93重復(fù)以上步驟并繼續(xù)收集、存儲(chǔ)和比較后續(xù)的電阻值，直到這樣的跟數(shù)量級(jí)閾值的比較指示污損的出現(xiàn)。如果該比較指示污損的出現(xiàn)，則命令微處理器93在206處確定最后一次污損報(bào)警95(如果有一個(gè))先前是否在預(yù)置時(shí)間段內(nèi)被觸發(fā)。在一個(gè)例子中，微處理器將比較出新的污損和之前的污損之間的時(shí)間量，并將該量與時(shí)間閾值進(jìn)行比較。例如，時(shí)間閾值可以介于90秒和300秒之間，更具體地大約為120秒。如果最后一次污損報(bào)警95先前在預(yù)置時(shí)間段內(nèi)被觸發(fā)，那么在指令208處微處理器93啟動(dòng)浸透報(bào)警。除了通知看護(hù)者和/或穿戴者褲20為浸透并需要更換外，浸透報(bào)警和污損報(bào)警95相似。例如，浸透報(bào)警可以播放和污損報(bào)警不同的音樂(lè)曲調(diào)或產(chǎn)生不同的聲音，以通知看護(hù)者和/或穿戴者褲為浸透的。如果最后一次污損報(bào)警沒(méi)有在少于預(yù)置時(shí)間期間觸發(fā)，那么微處理器93在指令210處啟動(dòng)污損報(bào)警95，通知看護(hù)者和/或穿戴者出現(xiàn)了污損。在發(fā)動(dòng)污損報(bào)警95期間，命令微處理器93停止確定污損的出現(xiàn)(例如電阻值與數(shù)量級(jí)閾值的比較)。在指令212處報(bào)警時(shí)間被存儲(chǔ)在微處理器的存儲(chǔ)器中，且污損報(bào)警要發(fā)動(dòng)一段時(shí)間，例如15秒和60秒之間。污損報(bào)警發(fā)動(dòng)的這段時(shí)間可以是設(shè)立在微處理器93和/或報(bào)警中的預(yù)置時(shí)間?？商娲?，監(jiān)測(cè)裝置70包括報(bào)警重置按鈕(未示出)，看護(hù)者和/或穿戴者在報(bào)警發(fā)動(dòng)后的任何時(shí)間可以按壓該按鈕來(lái)解除報(bào)警。a.在污損報(bào)警95的啟動(dòng)一段時(shí)間后，命令微處理器93在指令214處延遲下一步分析(例如，延遲比較電阻值于數(shù)量級(jí)閾值)一段時(shí)間，再重新開(kāi)始其確定污損出現(xiàn)的過(guò)程。該延遲功能便于在污損的出現(xiàn)后穩(wěn)定褲的電阻分布。圖20A中所示的例子示意出延遲的益處。如圖20A中所示，在時(shí)間Tl處(即在約1.5秒處)，由于污損的出現(xiàn)褲的電阻下降至約30KQ。在初始的污損后，由于污損被吸收并與褲的吸收材料混合，電阻隨時(shí)間緩慢地上升。污損報(bào)警95在時(shí)間T2處(即在約20秒處)被解除(或者手動(dòng)地通過(guò)看護(hù)者或使用者，或者通過(guò)微處理器)。在沒(méi)有延遲指令的情況下，在報(bào)警的解除后微處理器93(在時(shí)間20秒處)立即開(kāi)始比較電阻值于閾值。因?yàn)樵跁r(shí)間2Q秒處褲的電阻為50KQ，如果數(shù)量級(jí)閾值為這將導(dǎo)致假污損報(bào)警或假浸透報(bào)警。電阻沒(méi)有充足的時(shí)間來(lái)增加到其穩(wěn)定點(diǎn)(在該例子中為70KQ附近)因此仍然小于數(shù)量級(jí)閾值。然而，在具有本發(fā)明的本時(shí)間延遲的實(shí)施例的情況下，后續(xù)的污損的確定被微處理器延遲，例如在污損警報(bào)的解除后持續(xù)30秒，因此允許褲的電阻增加到在時(shí)間T4處(即50秒)的其穩(wěn)定電阻(70KQ)。該延遲功能減少了微處理器探測(cè)假污損或假浸透的機(jī)會(huì)，因此使監(jiān)測(cè)裝置70在探測(cè)污損時(shí)更精確。b.作為例子，可以命令微處理器93在重新開(kāi)始其確定污損的出現(xiàn)的過(guò)程(例如比較當(dāng)前測(cè)量的電阻于數(shù)量級(jí)閾值)前延遲介于約5秒和600秒之間的預(yù)置時(shí)間段，且更具體地大約IO秒和約60秒之間。該時(shí)間延遲可以根據(jù)報(bào)警啟動(dòng)時(shí)間段的長(zhǎng)度。例如，污損報(bào)警95在1秒后被看護(hù)者和/或穿戴者手動(dòng)地解除(例如通過(guò)按鈕)，該時(shí)間延遲可以大于如果報(bào)警被解除后的30秒。如以上所闡述的，本發(fā)明的該實(shí)施例的這個(gè)方案是出于允許褲的電阻穩(wěn)定的目的而想到的。c.可以理解延遲功能和浸透探測(cè)功能并不是本發(fā)明的監(jiān)測(cè)裝置的共同依附的功能，并且在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例可以在沒(méi)有其他功能的情況下具有其中一個(gè)功能。d.現(xiàn)參考圖21至圖23,本發(fā)明的監(jiān)測(cè)裝置的再一個(gè)實(shí)施例組合了圖9中示意的百分比差異實(shí)施例的方案以及圖11中示意的變化率實(shí)施例的方案作為第二測(cè)試(例如比較第一差異指示值一DIV1和第一速率指示值一RIV1于分別的閾值一DTV和RTV，其中利用第三電阻和第二電阻計(jì)算第一差異指示值一DIV1和第一速率指示值一RIV1)和第三測(cè)試(例如比較第二差異指示值一DIV2和第二速率指示值一RIV2于分別的闊值一DTV和RTV，其中利用第三電阻和第一電阻計(jì)算第二差異指示值一DIV2和第二速率指示值一RIV2)，如分別在指令217和指令219中所具體化的。監(jiān)測(cè)裝置70進(jìn)一步組合了圖20中示意的浸透指示器和延遲功能的實(shí)施例，如分別在指令221和指令223中所具體實(shí)施。e.在該實(shí)施例的一個(gè)例子中，如圖21中示意性示出，在指令226處命令微處理器93比較當(dāng)前電阻值(R3)(即數(shù)量級(jí)指示值)于潮濕/干燥的閾值(W/DTV)來(lái)確定褲是否已經(jīng)在先污損過(guò)且為后面的感應(yīng)做準(zhǔn)備，或者仍為干燥的且沒(méi)有被污損。盡管這個(gè)示意性的實(shí)施例采用全部的數(shù)字方法，然而如在本領(lǐng)域技術(shù)人員普遍公知的，應(yīng)該理解其他例子也可以部分或完全地使用模擬方法。如果當(dāng)前電阻值(R3)于潮濕/干燥閾值(W/DTV)的比較指示褲為干燥的(例如R3大于200KQ),隨后在指令228處命令微處理器93來(lái)確定比較于數(shù)量級(jí)閾值的當(dāng)前電學(xué)值是否為指示污損的出現(xiàn)(廣義地，第一測(cè)試)。例如，微處理器93可以確定電阻的當(dāng)前值是否小于介于約30KQ和90KQ之間的數(shù)量級(jí)閾值，且更特定地約55KQ。如果當(dāng)前電阻值于數(shù)量級(jí)閾值的比較沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，隨后微處理器93繼續(xù)收集、存儲(chǔ)并比較電阻值于數(shù)量級(jí)閾值來(lái)尋找指示為污損的出現(xiàn)的比較。如通過(guò)圖21所示意，微處理器93沒(méi)有再次運(yùn)行潮濕/干燥測(cè)試，盡管這樣做沒(méi)有脫離本發(fā)明的范圍。f.如果在指令226處電阻值(R3)于潮濕/干燥的閾值(W/DTV)的比較為沒(méi)有指示褲為干燥的(即其指示褲為潮濕的)，隨后命令微處理器93跳過(guò)比較當(dāng)前電學(xué)值于數(shù)量級(jí)閾值的第一測(cè)試(在指令228處所具體化的)。典型地，由于在第一次污損后測(cè)試的不精確性，在第一次污損后(即在褲被在先污損后)比較褲20的電阻于閾值(即執(zhí)行該第一測(cè)試)是無(wú)益的。然而，當(dāng)褲為干燥時(shí)該測(cè)試是有益的，這就是為什么當(dāng)其指示出褲為干燥的時(shí)實(shí)施該測(cè)試。g.如果當(dāng)前電阻值于潮濕/干燥的閾值的比較指示為褲在先被污損并且準(zhǔn)備探測(cè)后來(lái)的排泄(例如R3〈W/DTV),或者褲為干燥的(例如R3>W/DTV)并且當(dāng)前值于數(shù)量級(jí)閾值的比較為指示污損的出現(xiàn)的(例如R3<MTV)，隨后微處理器運(yùn)行在指令217處的第二測(cè)試并可能地在指令219處的第三測(cè)試，以確定污損的出現(xiàn)。以上詳細(xì)解釋的該第二和第三測(cè)試包括確定在第三值和第二值之間的百分比差異和變化率是否指示為污損的出現(xiàn)(例如DIV1>DTV且RIV1〉DTV),以及確定在第三值和第一值之間的百分比變化和變化率是否指示為污損的出現(xiàn)(例如DIV2>DTV且RIV2〉DTV)。如果該第二測(cè)試或第三測(cè)試指示為污損的出現(xiàn)，如以上解釋的以及在圖20和當(dāng)前圖中所示意的，隨后命令微處理器93執(zhí)行在指令221處浸透指示測(cè)試以及在指令223處的時(shí)間延遲功能。如果第二測(cè)試和第三測(cè)試均沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，隨后命令微處理器93利用新的當(dāng)前電阻值(例如第四值)再次運(yùn)行第二測(cè)試并可能地第三測(cè)試，直到當(dāng)前值通過(guò)測(cè)試中的一個(gè)。h.該實(shí)施例的另一個(gè)例子(圖22)類(lèi)似于通過(guò)圖21示意的例子。該例子包括如果微處理器93確定褲20已經(jīng)潮濕并正在探測(cè)后來(lái)排泄的用于計(jì)算新的數(shù)量級(jí)閾值以和當(dāng)前電阻值比較的指令。盡管這個(gè)示意性的實(shí)施例采用全部的數(shù)字方法，然而如在本領(lǐng)域技術(shù)人員普遍公知的，應(yīng)該理解其他例子也可以部分或完全地使用模擬方法。如以上解釋的，在褲20已經(jīng)潮濕后，當(dāng)電阻穩(wěn)定時(shí)，褲的電阻不同于當(dāng)褲為干燥時(shí)，且因此，采用不變的數(shù)量級(jí)閾值(例如55KQ)可能無(wú)益，因?yàn)樗赡苠e(cuò)誤地觸發(fā)污損報(bào)警95。例如，在第一污損后，褲的電阻在初始下降至50KQ的電阻后穩(wěn)定。如果微處理器93僅采用和55KQ的數(shù)量級(jí)閾值的測(cè)試，那么盡管后來(lái)的污損還未發(fā)生，微處理器將觸發(fā)污損報(bào)警。在第一次污損后，計(jì)算基于褲的平均電阻值的新的閾值有助于防止這樣的探測(cè)誤報(bào)的發(fā)生。i.圖22示意性示出用于執(zhí)行以上計(jì)算新的數(shù)量級(jí)閾值的功能的微處理器93的指令。盡管這個(gè)示意性的實(shí)施例釆用全部的數(shù)字方法，然而如在本領(lǐng)域技術(shù)人員普遍公知的，應(yīng)該理解其他例子也可以部分或完全地使用模擬方法。在指令231處，微處理器比較當(dāng)前電阻值(即第三值)于潮濕/干燥閾值(W/DTV)(例如200KQ)，以確定褲是否為潮濕或干燥的，如以上參考圖21的例子所解釋。如果該比較指示褲為干燥的(例如第三值大于200KQ),隨后命令微處理器93分別在指令233和指令235處設(shè)置數(shù)量級(jí)閾值到預(yù)定義值(例如55KQ),并比較當(dāng)前電阻值于闊值以確定污損的出現(xiàn)。j.如果該比較指示出褲已經(jīng)潮濕(例如第三電阻值為小于200KQ),那么分別在指令237和指令235處命令微處理器93來(lái)設(shè)置平均數(shù)量級(jí)閾值作為數(shù)量級(jí)閾值，并比較當(dāng)前電阻值于數(shù)量級(jí)閾值。在污損報(bào)警95的啟動(dòng)及延遲周期后通過(guò)微處理器93來(lái)計(jì)算平均電阻值，褲中的電阻穩(wěn)定在該平均電阻值處。在指令237處，該平均電阻值用小于100%的某個(gè)百分比乘，以計(jì)算平均數(shù)量級(jí)閾值。例如，平均電阻值可以用介于50%和95%之間的百分比乘，或更特定地，介于80%和90%之間。k.如果該電阻值與平均的闊值的比較指示為污損的出現(xiàn)，那么用于微處理器的后來(lái)的指令類(lèi)似于圖21中所示意的在先例子的指令，除如果第三測(cè)試(例如在第三值和第一值之間的百分比差異和速率變化的比較)沒(méi)有指示污損的出現(xiàn)，那么命令微處理器返回指令231，并比較新的電阻值(例如第四值)于潮濕/干燥閾值，并比較該新的值于合適的闞值(即不變的數(shù)量級(jí)閾值或平均數(shù)量級(jí)閾值)。1.圖23中示意性示出的再另一個(gè)例子類(lèi)似于圖22中提供的例子以及以上所解釋的。該例子進(jìn)一步包括用于延遲平均數(shù)量級(jí)閾值的確定直到污損后褲20的電阻已經(jīng)基本上穩(wěn)定的指令。如以上所解釋?zhuān)谘?0被污損潮濕后，褲的電阻在發(fā)生污損后一般地繼續(xù)越過(guò)一段時(shí)間。因此，在命令微處理器來(lái)計(jì)算平均數(shù)量級(jí)閾值以便計(jì)算出更精確的電阻的平均值前，命令微處理器93等待直到物品的電阻已經(jīng)基本上穩(wěn)定是有利的。m.在本實(shí)施例中，物品20的電性質(zhì)的變化被監(jiān)測(cè)以確定電性質(zhì)是否已經(jīng)穩(wěn)定。例如，所監(jiān)測(cè)的變化可以是變化率(例如以以上所描述的方式來(lái)確定)、百分比變化或基本上指示為物品的電性質(zhì)的穩(wěn)定的任何其他變化。在圖23所示意的例子中，在污損警報(bào)的啟動(dòng)和延遲后，命令微處理器93在指令242處將褲的電阻的百分比變化與較低的預(yù)置百分比比較(廣義地，較低預(yù)置值)來(lái)確定電阻是否大于較低預(yù)置百分比。較低預(yù)置百分比可以是，例如在-0.1%和-10%之間，或更特定地，約-5%。微處理器以其計(jì)算百分比差異相同的方式計(jì)算電阻的百分比變化，如圖8中示意性示出。也就是說(shuō)，微處理器收集和存儲(chǔ)電阻值，延遲，然后收集和存儲(chǔ)后來(lái)的電阻值。從前者的值中減去后者的值，且用前者的值除該差，以得到百分比變化值。在該計(jì)算中使用在污損報(bào)警的啟動(dòng)后收集的電阻值。計(jì)算百分比變化的其他方式也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。n.如果褲20的電阻沒(méi)有以大于4交^f氐預(yù)置百分比(例如小于-5%)的速率增加，那么命令微處理器93在指令244處延遲預(yù)置時(shí)間段。例如延遲周期可以在60秒和300秒之間，且更特定地約120秒。在該時(shí)間延遲后，命令微處理器93在245處來(lái)比較在指令244的時(shí)間延遲后計(jì)算的新的電阻的百分比變化與較低預(yù)置百分比，以確定電阻是否大于較低預(yù)置百分比。如果電阻仍沒(méi)有以大于較低預(yù)置百分比的速率增加，那么命令微處理器93啟動(dòng)浸透報(bào)警。o.如果在指令244的時(shí)間延遲之前或之后褲20的電阻以大于較低預(yù)置百分比(例如大于-5%)的速率增加，命令微處理器93在指令246處比較電阻的百分比變化與上預(yù)置百分比(廣義地，上預(yù)置值)以確定百分比變化是否小于上預(yù)置值。上預(yù)置百分比可以是，例如介于1%和10%之間，且更特定地約5%。如果百分比變化小于上預(yù)置百分比，那么命令微處理器在指令240處開(kāi)始計(jì)算平均電阻以在平均數(shù)量級(jí)閾值中所使用。也就是說(shuō)，在通過(guò)大于較低預(yù)置百分比且小于上預(yù)置百分比的百分比變化指示出電阻已經(jīng)穩(wěn)定后，命令微處理器93開(kāi)始對(duì)電阻進(jìn)行采樣，并利用采樣的電阻來(lái)計(jì)算平均電阻(例如平均電阻)。如果百分比變化大于上預(yù)置百分比，那么命令微處理器93繼續(xù)測(cè)試用于當(dāng)百分比變化小于上預(yù)置百分比時(shí)，由此象征電阻已經(jīng)基本上穩(wěn)定。該計(jì)算出的平均電阻被存儲(chǔ)并在需要時(shí)使用。如以上所注明的，在一個(gè)實(shí)施例中，在吸收產(chǎn)品內(nèi)的濕度可以為基于電學(xué)測(cè)量來(lái)感應(yīng)，一種典型的外部電路采用簡(jiǎn)單的闊值來(lái)識(shí)別濕度。另一方面，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有多種能夠在單次和多次浸濕時(shí)影響產(chǎn)品電學(xué)圖型的變量。這些變量中的一些包括但不限于產(chǎn)品尺寸、吸收結(jié)構(gòu)、使用者的年齡、尿的成分、性別、設(shè)計(jì)用途以及人口統(tǒng)計(jì)。為了提供跨越至少這些變量中的一些的濕度傳感器，如在圖25至圖32中所示意，發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例包括普遍存在的濕度感應(yīng)算法?？商娲兀缦旅嫠⒚鞯?，一些產(chǎn)品的替代物可用于具體實(shí)施監(jiān)測(cè)和/或優(yōu)化對(duì)產(chǎn)品電學(xué)圖型的影響；起到影響濕度響應(yīng)或?qū)μ囟ㄓ猛?種類(lèi)/年齡/性別進(jìn)行潛在調(diào)整的作用。在以上注明的各種實(shí)施例中，感應(yīng)吸收性物品濕度的模擬和數(shù)字方法是通過(guò)在一些時(shí)間內(nèi)對(duì)某一電學(xué)參數(shù)進(jìn)行采樣，以及監(jiān)測(cè)該參數(shù)通過(guò)特定閾值范圍的下降來(lái)實(shí)現(xiàn)的。由于產(chǎn)品、使用者和環(huán)境中的許多變量，這些方法可能導(dǎo)致較低的可預(yù)測(cè)濕度識(shí)別精確性。以下是這些變量中的一些產(chǎn)品、材料、吸收結(jié)構(gòu)(SAM/絨的比例)、構(gòu)造、尺寸、形狀；使用者、年齡、性別、尿的離子濃度、產(chǎn)品的設(shè)計(jì)用途(遺尿、訓(xùn)練、失禁等)；以及環(huán)境、人口統(tǒng)計(jì)、水離子濃度、典型的民族飲食、氣候等。在一個(gè)實(shí)施例中，可以釆用一種普遍的濕度感應(yīng)算法，在監(jiān)測(cè)設(shè)備運(yùn)行中對(duì)各種不可控的變量"視而不見(jiàn)"。另外，在產(chǎn)品有第一污損之后，可以使用不同的第二算法來(lái)精確探測(cè)后來(lái)的污損。產(chǎn)品差異細(xì)節(jié)和對(duì)電信號(hào)特性的影響均應(yīng)納入考慮中。例如，在吸收內(nèi)衣的兩個(gè)導(dǎo)體之間的電阻的測(cè)量中觀察到，當(dāng)絨/SAM(超吸收材料)的比例根據(jù)性別或產(chǎn)品的設(shè)計(jì)用途而改變時(shí)，產(chǎn)品的電學(xué)響應(yīng)的關(guān)4建特性也發(fā)生變化。特別地，認(rèn)為在受潮期形成的絨/SAM基材將水分在響應(yīng)于不同濃度而效能不同的導(dǎo)體間移動(dòng)。圖24示出了第一次污損的最小電阻值(如第一次污損時(shí)測(cè)量到的電阻的最低值)與被測(cè)產(chǎn)品的絨/SAM比例相關(guān)的圖形。它所體現(xiàn)的相關(guān)性反映了隨著產(chǎn)品中SAM的增加，最小電阻值也相應(yīng)地提高。圖25、圖26A和圖26B的實(shí)施例的算法釆用閾值、變化率、百分比變化和移動(dòng)平均的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)識(shí)別方法，該識(shí)別方法與之前討^r的變量無(wú)關(guān)的，并且可能在某些構(gòu)造中為更精確。由于一旦收到第一次污損，產(chǎn)品的特性可能發(fā)生很可觀的變化，產(chǎn)品的電阻從無(wú)窮大有效下降至某正常值，但只回到初始電阻的很小的百分比。這使得用相近的閾值探測(cè)第二次污損的做法減到最少。一種方法是預(yù)測(cè)最有可能發(fā)生的電阻返回位置，并試圖編出一第二閾值的程序；不幸地，這也是產(chǎn)品、使用者以及環(huán)境改變?nèi)绱酥啵灾戮_感應(yīng)很難實(shí)現(xiàn)的地方。圖25、圖26A和圖26B所描述的算法是通過(guò)在一組時(shí)間內(nèi)對(duì)新電阻值的采樣來(lái)進(jìn)行相應(yīng)地調(diào)整，并將電阻闊值調(diào)到新采樣的移動(dòng)平均值的某個(gè)百分比。在發(fā)生受潮的情況時(shí)，電阻有可觀察到但是不可預(yù)測(cè)的(根據(jù)多大范圍)下降。對(duì)于所有受潮情況，可以用一個(gè)變化率參數(shù)來(lái)觀察一組采樣時(shí)間內(nèi)電阻發(fā)生變化的量，并根據(jù)真實(shí)的受潮情況來(lái)對(duì)閾值做第二次檢查。圖25、圖26A和圖26B示出了具體實(shí)施以上方法確定污損的時(shí)間，以及重置后探測(cè)其它污損的不同算法實(shí)施例的設(shè)計(jì)圖?？梢允褂眠@些單元模塊的替代算法構(gòu)建改變的算法，來(lái)達(dá)到相同的精度和效果的濕度感應(yīng)。在算法之外，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)對(duì)電學(xué)性能的影響可以影響到產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造，以實(shí)行某些標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)可以通過(guò)設(shè)計(jì)用途/人口統(tǒng)計(jì)/使用者性別或與使用者相關(guān)的其他方面來(lái)確定。這對(duì)為設(shè)計(jì)用途而調(diào)整產(chǎn)品是有效的。由于觀察到的SAM與絨相結(jié)合(SAM/絨比例影響)會(huì)改變產(chǎn)品的電阻特征，可以理解的是在一個(gè)實(shí)施例中SAM/絨比例將呈增加或減小梯度分布。這可以在墊的目標(biāo)區(qū)域中發(fā)生，集中于第一次污損的電阻下降，但會(huì)使電信號(hào)對(duì)后面的污損反應(yīng)較差?？梢圆捎幂^低的電響應(yīng)門(mén)限來(lái)判斷產(chǎn)品是否位于或接近浸透水平并需要更換。另外可替代地，從污損區(qū)域移出時(shí)增加梯度，可使產(chǎn)品填充增加的芯吸，以便于產(chǎn)品在后面的污損之后較快實(shí)現(xiàn)電性恢復(fù)。SAM的雙峰或三峰的分布狀態(tài)給出了報(bào)警電極的吸收核心區(qū)域，提高了報(bào)警功能的一致性和可靠性。如以上所提及，在吸收性物品中SAM的級(jí)別越高，報(bào)警看到的在吸收性物品中的電阻值越高。隨著所提供物品的吸收結(jié)構(gòu)中電阻的增加，電阻的可變性也提高。在吸收性物品中的電阻值可以通過(guò)對(duì)吸收結(jié)構(gòu)中的S雄進(jìn)行分區(qū)而被局部保持在低水平從而提高報(bào)警的可靠性以探測(cè)電阻上的變化。圖28是吸收性物品420的示意表示的例子，其中導(dǎo)體被安置在吸收結(jié)構(gòu)中低或無(wú)SAM的區(qū)域424，而不在包括吸收材料426的區(qū)域內(nèi)。吸收材料426代表絨對(duì)SAM的比例的曲線圖。如材料426示意性示出，從中心向邊緣移動(dòng)時(shí)，SAM的濃度增加，且隨后下降。圖28還示意了設(shè)在導(dǎo)體422上的可選的同成形貼片428?？蛇x地或另外，同成形或芯吸材料的任何其他類(lèi)型或涌流控制層45或428可以被安置為與導(dǎo)體相接觸以加強(qiáng)產(chǎn)品中的電信號(hào)。使用同成形的一些優(yōu)點(diǎn)是(1)當(dāng)污損發(fā)生時(shí)電阻的下降更一致，和(2)使產(chǎn)品對(duì)不同使用者的位置更有響應(yīng)。圖27為具有覆蓋在箔導(dǎo)體402和404的同成形貼片400的吸收性物品的例子，其中箔導(dǎo)體402和404覆蓋在流體不透片408上的吸收材料406上。當(dāng)污損發(fā)生時(shí)，同成形400暫時(shí)容納流體直到其被下面的吸收材料406吸收。該流體被同成形400的暫時(shí)容納提供了更一致的電信號(hào)。并且，如果使用者側(cè)躺時(shí)，同成形貼片提供了一種將流體芯吸透過(guò)導(dǎo)體以提供更一致且更敏感的電信號(hào)的方式。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>表A顯示了發(fā)現(xiàn)于尿布中絨對(duì)SAM重量比與各自的所達(dá)到的電阻最小值之間的相互關(guān)系。當(dāng)相對(duì)的絨量增加時(shí)，所達(dá)到的電阻最小值也增加。圖24為表示表A中所提供數(shù)據(jù)的圖，上面的線表示PULL-UPS,較低的線表示GOODNITES。圖25示意根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖。在該實(shí)施例中，監(jiān)測(cè)吸收性物品中的兩個(gè)電極的電阻R。起初，在250處，在睡眠模式中采用諸如3赫茲的采樣速率。該睡眠模式的目的是確定電阻R是否從高閾值移動(dòng)至諸如2MQ的指示污損已經(jīng)發(fā)生的可測(cè)量的值(例如，閾值可以是無(wú)窮大或相對(duì)于其他值接近無(wú)窮大；可以假設(shè)無(wú)窮大基于污損和沒(méi)有污損的電阻之間的數(shù)量級(jí)差異)。這樣在污損時(shí)電阻下降至2MQ以下，該過(guò)程轉(zhuǎn)至256處以退出睡眠模式，并以增加的采樣頻率(例如10個(gè)每秒)開(kāi)始采樣。在該點(diǎn)處，諸如10個(gè)樣品的大量樣品被取樣并存儲(chǔ)以便計(jì)算出指示電阻R的變化率的斜率Sl。在260處確定最后10個(gè)電阻樣品的斜率SI是否少于預(yù)置的閾值(例如-10000)，從而指示污損的出現(xiàn)。如果斜率不滿足260處的該閾值，該過(guò)程返回至252以監(jiān)測(cè)電阻。如果斜率SI少于該閾值，該過(guò)程轉(zhuǎn)至262處以確定是否電阻跌至較低閾值以下(例如大多數(shù)產(chǎn)品的污損的指示)持續(xù)預(yù)置時(shí)間段，指示濕度。變量q使用在增量計(jì)數(shù)器循環(huán)中以計(jì)數(shù)預(yù)置時(shí)間段并確認(rèn)電阻R少于該閾，例如200KQ。通常，在一個(gè)實(shí)施例中，該循環(huán)確定是否在該裝置中有任何噪音或隨機(jī)的電信號(hào)。循環(huán)允許在待感應(yīng)的信號(hào)中忽略快速返回的即時(shí)變化。如果這被確認(rèn)，該過(guò)程轉(zhuǎn)至268處以發(fā)出報(bào)警，指示已經(jīng)發(fā)現(xiàn)污損的。在該點(diǎn)處具體實(shí)施60秒的等待期，在此其間，設(shè)備不響應(yīng)于電阻中任何進(jìn)一步的變化。這允許吸收性物品穩(wěn)定并恢復(fù)，且該過(guò)程在例如60秒的這段期間的結(jié)束處重新開(kāi)始分析。在該點(diǎn)處，為了確定后面的污損過(guò)程而轉(zhuǎn)至圖26A和圖26B以使用不同的分析。另一方面，如果在262處電阻R的值沒(méi)有保持少于閾值(200K)持續(xù)預(yù)置的時(shí)間段(例如0.5秒)，該過(guò)程從262處轉(zhuǎn)至264處再次考察電阻是否跌至闊值以下，例如在決定步驟254處采用的初始閾值。如果為否，這意味污損沒(méi)發(fā)生并且該過(guò)程返回至250處的睡眠才莫式，以監(jiān)測(cè)吸收性物品的電阻。然而，如果在264處確定電阻在閾值以下(例如2M)，這意味污損已經(jīng)發(fā)生并且變量s用在增量計(jì)數(shù)器循環(huán)中計(jì)數(shù)一時(shí)間段，例如3秒(例如10次每秒的30倍頻)以允許電阻降到處于200K的262處的閾值以下。如果在由變量s計(jì)數(shù)的周期內(nèi)電阻不降到閾值以下，在262處計(jì)數(shù)器終止且該過(guò)程轉(zhuǎn)至圖26A,假設(shè)已經(jīng)發(fā)生不可探測(cè)的污損或在吸收性物品中存在某種濕度，從而需要使用不同的方法來(lái)確定進(jìn)一步的污損。圖26A和圖26B示意了初始污損后的過(guò)程用于確定第二次或后面的污損，以及用于確定當(dāng)初始污損未被合適地確定但電阻指示的值小于2MD的第一閾值而大于200KD的第二閾值時(shí)的污損的過(guò)程。如圖25，該過(guò)程在302處以3赫茲的采樣速率開(kāi)始于睡眠模式。在304處登記電阻值R以產(chǎn)生對(duì)于用來(lái)計(jì)算電阻的斜率S2的代表性樣品(例如10個(gè)樣品)的足夠的樣品。在一個(gè)實(shí)施例中，收集多個(gè)點(diǎn)并應(yīng)用曲線擬合以確定斜率值，例如在最后IO個(gè)點(diǎn)的范圍內(nèi)的擬合。在306處確定斜率S2是否小于諸如-75的閾值。如果為是，則探測(cè)到更快的斜率變化且該過(guò)程轉(zhuǎn)至308處退出睡眠模式，并且提高采樣速率來(lái)提高數(shù)據(jù)分辨力以提供吸收性物品的電阻的較接近的估計(jì)。如果在306處斜率S2不小于該閾值，探測(cè)到較慢的或無(wú)斜率變化且該過(guò)程轉(zhuǎn)至310處以確定斜率S2是否在該閾值以下的范圍內(nèi)，例如大于-5且小于6.5。如果為否，則不足的斜率變化意味沒(méi)有污損且該過(guò)程在302處的睡眠模式中重新開(kāi)始。如果斜率S2保持在310處所^:測(cè)的范圍內(nèi)持續(xù)如通過(guò)用在增量計(jì)數(shù)器循環(huán)中的變量c確定的10的計(jì)數(shù)(例如3.3秒)，該過(guò)程轉(zhuǎn)至312以計(jì)算Ravg(R平均；在最后2秒內(nèi)的移動(dòng)平均)。在一個(gè)實(shí)施例中，S2通過(guò)由微處理器的對(duì)R的持續(xù)采樣，隨后通過(guò)曲線擬合來(lái)確定。在一個(gè)實(shí)施例中，Ravg通過(guò)采樣、存儲(chǔ)和計(jì)算在某段時(shí)間內(nèi)的值來(lái)確定。這樣，相同的數(shù)據(jù)可以用于計(jì)算S2和Ravg,借以由使用該相同的數(shù)據(jù)的微處理器待執(zhí)行的不同的計(jì)算方法。如果Ravg具有的斜率S2小于-75，如在314處確定的，則該過(guò)程轉(zhuǎn)至圖26B的316處以退出該睡眠^(guò)t式。如果斜率S2不小于314處的-75，則該過(guò)程轉(zhuǎn)至318處以再次4全查斜率的范圍。如果斜率在諸如在310處的范圍(例如大于-5且小于6.5)的范圍內(nèi)，如318處所確定的，該過(guò)程繼續(xù)在312處直到斜率滿足小于314處的-75。如果在318處斜率S2不在該范圍內(nèi)，則該過(guò)程返回到302處的睡眠模式。在308處退出睡眠才莫式的情況下，該過(guò)程轉(zhuǎn)至圖26B的322處以確定電阻是否小于閾值。在該情況下，可以先于306處斜率S2小于-75的確定，設(shè)定閾值在2秒內(nèi)發(fā)現(xiàn)的最大電阻Rmax值的89%處。如果在322處電阻R小于該閾值，且如果該電阻值小于該閾值持續(xù)一段時(shí)間(例如，如由使用在增量計(jì)數(shù)器循環(huán)中的變量q所確定的IO個(gè)計(jì)數(shù))，則該過(guò)程轉(zhuǎn)至324處以發(fā)出污損已經(jīng)發(fā)生的報(bào)警，且開(kāi)始60秒的等待期。其后，該過(guò)程返回到302處。如果322處確定R不小于該閾值且在326處確定R小于Rmax，則用在增量計(jì)數(shù)器循環(huán)中的變量q(例如30次迭代；60秒)允許R小于322處的閾。如果R未變成小于該閾值或R大于Rmax，則該過(guò)程返回到304的睡眠模式。如果該過(guò)程在316處退出睡眠模式，則在330處該過(guò)程轉(zhuǎn)至比較R于平均電阻的諸如89°/。的百分比。如果R保持該小于閾的值持續(xù)如由計(jì)數(shù)器q確定的10次迭代，該過(guò)程轉(zhuǎn)至324處以發(fā)出報(bào)警并等待60秒。如果在330處R不小于閾，且R小于Ravg(例如，如通過(guò)從前2秒采樣而所確定的)，則該過(guò)程繼續(xù)持續(xù)30迭代，以允許R變成小于該閾。如果在30計(jì)數(shù)內(nèi)R未變成小于該閾或如果R變?yōu)榇笥赗avg,則該過(guò)程返回到302及睡眠模式。圖29為示意電阻對(duì)模仿502處第一次污損的鹽的時(shí)間分布的圖。圖30為示意電阻對(duì)模仿后面有506處第二次污損的504處的第一次污損的鹽的時(shí)間分布的圖。如以上所注釋的，第一次污損和第二次污損具有不同的分布，因此用于探測(cè)第一次污損的閾值508或510無(wú)法探測(cè)到第二次污損。圖31是示意圖25和圖26A和圖26B的流程圖的運(yùn)行的邏輯性的圖30的分布圖，包括作為喚醒閾以退出睡眠才莫式的R〈2M(見(jiàn)圖25的254),用于探測(cè)污損的斜率Sl(見(jiàn)圖25的260)以及閾R〈200K(見(jiàn)圖25的262)，在報(bào)警后的60秒等待期(見(jiàn)圖25的268),移動(dòng)平均(見(jiàn)圖26A的312),斜率S2(見(jiàn)圖26A的306)以及百分比變化(見(jiàn)圖26B的326和330)。可以理解，針對(duì)以上測(cè)試/檢查所提供的示例性的值和值的范圍包括針對(duì)閾值所提供的諸如差異閾值(DTV)，速率閾值(RTV)，較低檢查值(LCV),較高檢查值(UCV),數(shù)量級(jí)閾值(MTV)，用于浸透指示器實(shí)施例的時(shí)間閾值，時(shí)間延遲周期，潮濕/干燥閾值(W/DTV)，以及較高預(yù)置百分比和較低百分比的示例性的值僅為例子，并且根據(jù)如褲的材料特性(尤其在監(jiān)測(cè)區(qū)域)，所使用的傳感器的類(lèi)型，所使用的導(dǎo)體的類(lèi)型，導(dǎo)體在褲中的位置，使用者的喜好，以及影響用在多種測(cè)試中的指示器值及時(shí)間周期的任何其他變量的變量，實(shí)際采用在本發(fā)明中的值和時(shí)間周期可以變化。還可以理解，根據(jù)如褲的材料特性(尤其在監(jiān)測(cè)區(qū)域)，所使用的傳感器的類(lèi)型，所使用的導(dǎo)體的類(lèi)型，導(dǎo)體在褲中的位置，使用者的喜好，以及影響用在多種測(cè)試中的指示器值及時(shí)間周期的任何其他變量的其他變量，針對(duì)以上計(jì)算的變量所提供的示例性的值和值的范圍，例如Rmax和Ravg，以及用于計(jì)算該值的過(guò)程可以變化。當(dāng)介紹本發(fā)明或其實(shí)施例的元件時(shí)，詞語(yǔ)"一"，"一個(gè)"，"該，，和"所述"意味存在一個(gè)或更多元件。術(shù)語(yǔ)"包括"、"包含，，以及"具有"旨在包括性的并意味可能存在非所列出元件的其他元件。鑒于以上可以看出本發(fā)明的多個(gè)目標(biāo)被實(shí)現(xiàn)且得到了其他的有益結(jié)果。由于在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)以上構(gòu)造、產(chǎn)品和方法做多種變化，本發(fā)明旨在將以上描述中所包含的及附圖中所示意的所有內(nèi)容作為示意性的解釋而非具有限制意義。權(quán)利要求1.一種探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的方法，所述方法包括當(dāng)穿戴者穿著該物品時(shí)監(jiān)測(cè)該物品的電性質(zhì)，其中該電性質(zhì)響應(yīng)于污損而變化；確定該電性質(zhì)的參數(shù)隨時(shí)間的斜率；將該斜率與一閾值相比較以確定污損的出現(xiàn)。2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)與該斜率相比較的差異指示值指示污損出現(xiàn)時(shí)，將污損出現(xiàn)的信息發(fā)送給看護(hù)者和/或穿戴者。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述監(jiān)測(cè)包括產(chǎn)生指示物品電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)，其中所述探測(cè)方法還包括將對(duì)應(yīng)各個(gè)時(shí)間間隔的物品電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；用該存儲(chǔ)的數(shù)字值計(jì)算該物品的電性質(zhì)的時(shí)間斜率；以及將該斜率與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器內(nèi)的閾值相比較。4.如權(quán)利要求l所述的方法(1)其中該物品有一個(gè)與兩個(gè)導(dǎo)體相接觸的同成形層，并且其中監(jiān)測(cè)電性質(zhì)包括測(cè)量這兩個(gè)導(dǎo)體之間的電阻值；或(2)其中該產(chǎn)品的一個(gè)區(qū)域具有與兩個(gè)導(dǎo)體相接觸的較低水平的吸收材料，并且其中監(jiān)測(cè)電性質(zhì)包括測(cè)量這兩個(gè)導(dǎo)體之間的電阻值。5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在預(yù)置時(shí)間段內(nèi)比較該電性質(zhì)與閾值以確定污損的出現(xiàn)。6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括確定一閾值并將該電性質(zhì)與該確定的閾值進(jìn)行比較以判斷污損的出現(xiàn)。7.—種探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的方法，所述方法包括當(dāng)穿戴者穿著該物品時(shí)監(jiān)測(cè)該物品的電性質(zhì)，其中該電性質(zhì)響應(yīng)于污損而變化；在預(yù)置時(shí)間段內(nèi)將該電性質(zhì)與一閾值相比較以確定污損的出現(xiàn)。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述監(jiān)測(cè)包括以采樣速率對(duì)該電性質(zhì)進(jìn)行采樣，其中該闊值為該采樣速率的函數(shù)。9.一種探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的方法，所述方法包括當(dāng)穿戴者穿著該物品時(shí)監(jiān)測(cè)該物品的電性質(zhì)，其中該電性質(zhì)響應(yīng)于污損而變化；確定一閾值；將該電性質(zhì)與該確定的閾值進(jìn)行比較以判斷污損的出現(xiàn)。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該閾值以該電性質(zhì)的移動(dòng)平均函數(shù)來(lái)確定，或以預(yù)置時(shí)間段內(nèi)該電性質(zhì)的值的函數(shù)來(lái)確定。11.一種用于探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的傳感器裝置，該傳感器裝置包括當(dāng)穿戴者穿著該物品時(shí)用于測(cè)量該物品的電性質(zhì)的測(cè)量元件，該測(cè)量元件產(chǎn)生指示該物品的電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)；用于轉(zhuǎn)換該測(cè)量設(shè)備的模擬信號(hào)為數(shù)字值的模數(shù)轉(zhuǎn)換器；以及用于接收來(lái)自該轉(zhuǎn)換器的數(shù)字值的微處理器，所述微處理器確定以下至少其中一個(gè)(a)該電性質(zhì)或該電性質(zhì)的函數(shù)值的斜率，該斜率與一閾值相比較；(b)在一段時(shí)間內(nèi)的該電性質(zhì)與一閾值的比較；和/或(c)該電性質(zhì)與一閾值的比較；所述微處理器根據(jù)(a)，(b)和/或(c)的確定來(lái)判斷該物品中是否出現(xiàn)污損。12.如權(quán)利要求11所述的傳感器裝置(1)其中該物品具有一個(gè)與兩個(gè)導(dǎo)體相接觸的同成形層，且其中監(jiān)測(cè)電性質(zhì)包括測(cè)量在該兩個(gè)導(dǎo)體間的電阻值；或(2)其中該物品的一個(gè)區(qū)域具有與兩個(gè)導(dǎo)體相接觸的較低水平的吸收材料，且其中監(jiān)測(cè)電性質(zhì)包括測(cè)量?jī)蓚€(gè)導(dǎo)體間的電阻值。13.—種用于物品穿戴者的便盆訓(xùn)練的物品，該物品包括適于貼近穿戴者身體的村墊；與該襯墊基本上相對(duì)的外部殼體；布置在該襯墊和該外部殼體之間的吸收體；一種用于探測(cè)該吸收性物品中出現(xiàn)污損的傳感器，該傳感器包括當(dāng)穿戴者穿著該物品時(shí)用于測(cè)量該物品的電性質(zhì)的測(cè)量元件，該測(cè)量元件產(chǎn)生指示該物品的電性質(zhì)的模擬輸出信號(hào)；用于將該測(cè)量元件的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字值的模數(shù)轉(zhuǎn)換器；以及用于接收來(lái)自該轉(zhuǎn)換器的數(shù)字值的微處理器，所述微處理器確定以下至少其中一個(gè)(a)該電性質(zhì)或該電性質(zhì)的函數(shù)值的斜率，該斜率與一闊值相比較；(b)在一段時(shí)間內(nèi)該電性質(zhì)與一閾值的比較；和/或(c)該電性質(zhì)與一閾值的比較；所述微處理器根據(jù)確定的(a),(b)和/或(c)來(lái)判斷該物品中污損的出現(xiàn)；以及用于接收來(lái)自該微處理器的指示該微處理器已確定在該物品中出現(xiàn)污損的電信號(hào)的報(bào)警設(shè)備，該報(bào)警設(shè)備通知看護(hù)者和/或穿戴者該物品中有污損出現(xiàn)。14.如權(quán)利要求13所述的物品(1)其中該測(cè)量元件包括一對(duì)間隔分開(kāi)的基本上平行的導(dǎo)體，以及與該導(dǎo)體相接觸的同成形材料的層；或(2)其中該測(cè)量元件包括一對(duì)間隔分開(kāi)的基本上平行的導(dǎo)體，以及與該導(dǎo)體相接觸的較低吸收材料的區(qū)域。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種探測(cè)吸收性物品中出現(xiàn)污損的方法。測(cè)量該物品的電性質(zhì)并將其數(shù)字化。為了探測(cè)到污損，通過(guò)微處理器運(yùn)用這些數(shù)字值來(lái)確定以下至少其中之一(a)該電性質(zhì)與一閾值相比較的斜率；(b)在一段時(shí)間內(nèi)該電性質(zhì)與一閾值的比較；和/或(c)該電性質(zhì)與一確定閾值的比較。文檔編號(hào)A61F13/42GK101668499SQ200780051395公開(kāi)日2010年3月10日申請(qǐng)日期2007年11月14日優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日發(fā)明者C·P·羅特若夫,T·M·阿萊斯三世申請(qǐng)人:金伯利-克拉克環(huán)球有限公司