專利名稱：：用電場治療寄生物的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及選擇性破壞局部區(qū)域內的快速分裂的細胞，并且尤其涉及通過在體外或者活的患者區(qū)域施加具有特定特性的電場選擇性破壞靶細胞而不會破壞附近的非靶細胞。
背景技術：
：真核寄生物是許多疾病的病因，例如，瘧疾、非洲昏睡病、賈第蟲病、利什曼病等，并且造成全球數以百萬計的人死亡。寄生物還感染許多家畜。不幸的是，抗藥性和低治療指數限制了現有治療方法的有效性。所有的活體都通過細胞分裂增殖，包括細胞培養(yǎng)物、微生物(如細菌、支原體、酵母、原生動物以及其它單細胞生物)、真菌、藻類、植物細胞等等。通過基于這些有機體的分裂細胞對某些藥劑的敏感性的方法，可以破壞有機體的分裂細胞或者控制它們的增殖。例如，某些抗生素阻止細菌的增殖過程。真核細胞分裂的過程被稱為“有絲分裂”，其包含細微的截然不同的時期(參見Darnell等人，MolecularCellBiology,NewYork-ScientificAmericanBooks，1986，p.149)。在分裂間期，細胞復制染色體DNA，染色體DNA在早前期開始凝集。這時，中心粒(每個細胞含2個)開始移向細胞相反的兩極。在中前期，每個染色體由重復染色單體組成。微管紡錘體從鄰近中心粒的區(qū)域呈輻射狀，中心?？克鼈兊臉O點越來越近。到晚前期，中心粒到達極點，并且一些紡錘絲延伸到細胞的中心，而另外的紡錘絲從極點延伸到染色單體。然后細胞進入中期，此時染色體移向細胞中緯線并排列在赤道面上。隨后是早后期，在此期間子染色單體通過沿紡錘絲向相反的兩極處的著絲點移動而在中緯線處相互分離。細胞開始沿極軸拉長；極至極的紡錘體也拉長。當每個子染色體(此時這么稱呼它們)分別到達它們各自的相反的極時，晚后期出現。此時，隨著在細胞中緯線處開始形成卵裂溝，胞質分裂開始。換言之，晚后期是細胞膜開始縊縮的時刻。在末期期間，胞質分裂基本上已完成并且紡錘體消失。僅有相對較窄的膜連接使兩個細胞質連接在一起。最后，膜完全分離，胞質分裂完成并且細胞回到分裂間期。在減數分裂中，細胞進行了第二次分裂，這包括姐妹染色體沿紡錘絲向細胞相反兩極的分離，隨后是卵裂溝的形成和細胞分裂。然而，這種分裂之前并沒有染色體復制，因而產生單倍體生殖細胞。細菌還通過染色體復制分裂，隨后進行細胞分離。然而，由于子染色體是通過附著到膜組分上分離的，沒有可視設備可用于如真核細胞分裂那樣的細胞分m農。眾所周知，腫瘤，特別是惡性腫瘤或癌性腫瘤，與正常組織相比不受控制地增長。這種迅速增長使得腫瘤占據不斷增長的空間并損害或破壞與之相鄰的組織。此外，某些癌癥還以具有將癌性“種子”轉移到新的位置的能力為特征，癌性“種子”包括單個細胞或小的細胞群(轉移癌)，在該新的位置，轉移癌細胞生長為另外的腫瘤。如上所述，通常腫瘤的快速增長、特別是惡性腫瘤的快速增長與正常組織細胞相比，是這些細胞相對頻繁的細胞分裂或增殖的結果。癌細胞非常頻繁的細胞分裂是現存癌癥治療的有效性基礎，例如放射治療和使用各種各樣的化療藥劑。此類治療基于正在進行分裂的細胞比非分裂期的細胞對輻射和化療藥劑更為敏感的事實。因為腫瘤細胞比正常細胞分裂更為頻繁，在一定程度上就可能通過放射治療和/或化療選擇性地損害或破壞腫瘤細胞。細胞對輻射、治療藥劑等的實際敏感性還依賴于不同類型的正?；驉盒约毎愋偷木唧w特性。由此，不幸的是，腫瘤細胞的敏感性并不顯著地高于許多類型的正常組織。這就使得區(qū)別腫瘤細胞和正常細胞的能力減弱，因此，現有癌癥治療通常對正常細胞造成顯著損害，由此限制了此類治療方法的治療效果。此外，對其它組織的不可避免的損害使得治療對患者非常有損傷性，并且患者經常不能從似乎是成功的治療中恢復過來。并且，某些類型的腫瘤對現有治療方法根本就不敏感。還存在用于破壞細胞的不單獨依賴于放射治療或化療的其它方法。例如，可另外或替代常規(guī)治療方法，使用用于破壞腫瘤細胞的超聲波或電的方法。電場和電流被用于醫(yī)學目的已經有許多年了。最為常見的是借助于一對導電電極施加電場在人或動物的體內產生電流，其中在導電電極之間維持一個電位差。這些電流用于發(fā)揮其特殊效果，即刺激易興奮的組織，或者由于身體充當電阻用于通過在體內流動產生熱。第一種類型應用的例子包括心臟除纖顫器、外周神經和肌肉刺激器、大腦刺激器等。電流用于產生熱的例子如在以下設備中腫瘤切除、功能失常的心臟或腦組織的切除、燒灼、減輕肌肉風濕痛或其它疼痛等等。電場用于醫(yī)學目的的其它用途包括利用從發(fā)射電波(如RF波)的源或定向到感興趣的身體部位(即，目標)的微波源發(fā)射的高頻振蕩場。在這些實例中，在源和身體之間沒有電能傳導；相反，能量通過輻射或感應傳送到身體。更具體地，由源產生的電能經由導體到達身體附近，并從該位置通過空氣或某些其它電絕緣材料傳送到人體。在常規(guī)電方法中，電流是通過與患者身體接觸放置的電極輸送到靶組織區(qū)域的。所施加的電流基本上破壞靶組織附近的所有細胞。因此，這種類型的電方法并不區(qū)分靶組織范圍內的不同類型細胞，因而既破壞了腫瘤細胞又破壞了正常細胞。因而，可用于醫(yī)學應用的電場通常被分為兩種不同的模式。在第一種模式中，通過導電電極將電場應用到身體或組織。這些電場可分為兩種類型，即(1)穩(wěn)態(tài)場，即以相對較低速率變化的場，以及在身體或組織內感應相應電流的低頻交變場，以及(2)借助于導電電極應用到身體的高頻交變場(IMHz以上)。在第二種模式中，電場是借助于絕緣電極應用到身體的高頻交變場。第一種類型的電場用于例如刺激神經和肌肉、心臟起搏(pacetheheart)等。實際上，這種場本質用于在神經和肌肉纖維、中樞神經系統(tǒng)(CNS)、心臟等中傳播信號。這種天然場的記錄是ECG、EEG、EMG、ERG等的基礎。假定是均勻電特性的介質，這些應用中的場強簡單地就是施加到刺激/記錄電極的電壓除以電極之間的距離。這些電流可通過歐姆定律計算，并可能對心臟和CNS具有危險的刺激效果，并可引起可能有害的離子濃度改變。同樣，如果電流足夠強，可在組織內引起過熱。這種加熱可通過組織內的功率耗散(電壓和電流的乘積)來計算。當這種電場和電流交變時，它們對神經、肌肉等的激勵功率是與頻率成反比的函數。在I-IOKHz以上的頻率下，電場的激勵功率接近零。這種限制是由于由電激勵導致的刺激通常是通過膜勢能改變傳遞的，膜勢能改變速率受膜的RC特性限制(時間常數級別為Ims)ο不考慮頻率，當應用這種電流感應場時，它們與由電流導致的有害副作用有關。例如，一個負面效果是系統(tǒng)內各個“區(qū)室”中離子濃度的改變，以及在電極或組織在其中被埋入的介質處進行的電解的有害產物。只要系統(tǒng)包括兩個或更多個區(qū)室，且各個區(qū)室之間有機體具有離子濃度差，就會發(fā)生離子濃度的改變。例如，對于大多數組織，細胞外液中的[Ca++]約為2X10_3M，而在一般細胞的細胞質中其濃度可能低至10_7M。通過一對電極在這種系統(tǒng)中感應的電流，部分從細胞外液流入細胞并再次流出進入細胞外介質。大約2%的流入細胞的電流是由Ca++離子攜帶的。相反，因為胞內Ca++的濃度要低得多，僅有微不足道的一小部分流出細胞的電流是由這些離子攜帶的。由此，Ca++離子在細胞內積聚使得它們在細胞內的濃度增大，而胞外區(qū)室中的濃度可能降低。DC和交流電(AC)均發(fā)現了這種效應。離子積聚的速率依賴于電流強度、離子遷移率、膜離子電導率等。[Ca++]的增大對大多數細胞是有害的，如果足夠高的話將導致細胞被破壞。對其它的離子也有類似考慮?？紤]到上面觀點，對活的有機體或組織長期施加電流可導致顯著損害。另一個與這種電場有關的主要問題是由于在電極表面發(fā)生的電解過程。在此電荷在金屬(電子)和電解溶液(離子)之間轉換，從而形成帶電的活性基。這些活性基可對有機分子特別是大分子造成顯著損害，并由此損害活的細胞和組織。相反，當通過絕緣電極在組織內感應高于IMHz并且通常在實踐中為GHz范圍內的高頻電場時，則情形大為不同。這些類型的電場僅產生電容性電流或位移電流，而不是常規(guī)的電荷傳導電流。在這種類型的場的效應下，活的組織主要是根據它們的介電特性而不是它們的導電特性運轉。因此，主要的場效應由介電損耗和發(fā)熱引起。因此，實踐中廣泛接受的觀點是，這種場對活體的有意義的影響僅僅是其發(fā)熱效果引起的，即由介電損耗引起。在Mangano的美國專利No.6，043，066(‘066)中提出了一種方法和設備，這種方法和設備通過使用電場不可逆地擊穿具有由介電薄膜包圍的導電內核的離散對象的介電薄膜，使它們被選擇性地滅活。這種方法和裝置的一個可能應用是選擇和清除懸浮液中的某些生物細胞。根據'066專利，針對靶向選擇的細胞施加電場以破壞這些腫瘤細胞的介電薄膜，據稱同時不會對其它期望的細胞亞群產生不利影響。細胞是基于特有的電穿孔閾值的固有差異或感應差異選擇的。這個閾值的差異可取決于許多參數，包括細胞大小差異。因此，‘066專利的方法基于腫瘤細胞的電穿孔閾值因為細胞大小差異以及細胞膜介電特性的差異而與正常細胞的電穿孔閾值有顯著區(qū)別這一假定。基于這個假定，許多類型的腫瘤細胞的較大尺寸使得這些細胞更易受電穿孔的影響，并由此可能通過施加一個合適的電場僅選擇性地破壞較大的腫瘤細胞膜。這種方法的一個缺點是區(qū)分能力高度依賴于細胞類型，例如，正常細胞和腫瘤細胞之間的大小差異僅對某些類型的細胞是顯著的。這種方法的另一個缺點是所應用的電壓可損害某些正常細胞，并且可能沒有破壞所有的腫瘤細胞，這是因為大小和膜介電特性的差異很大程度上是統(tǒng)計的，并且實際的細胞幾何形狀和介電特性可能顯著不同。本領域內所需的并且迄今尚不可用的是一種用于破壞分裂細胞的設備，其中該設備較好地區(qū)分分裂期細胞(包括單細胞有機體)和非分裂期細胞，并且能夠基本上不影響非分裂期細胞或有機體而選擇性地破壞分裂細胞或有機體。
發(fā)明內容細胞在分裂時易受到具有特定頻率和電場強度特性的AC電場的破壞。因此可以通過在目標區(qū)域內持續(xù)施加AC電場一段時間而實現快速分裂細胞的選擇性破壞。當施加該場時一些分裂的細胞將被破壞，而沒有分裂的細胞將不會受到損害。這就選擇性地破壞了類似腫瘤細胞的快速分裂細胞，而不會損害沒有分裂的正常細胞。由于分裂期細胞的易損性與其長軸和電力線之間的一致強烈相關，通過在不同方向上順序施加電場獲得改進的結果。本設備的一個主要用途是在通過選擇性破壞腫瘤細胞治療腫瘤的同時基本上不影響正常組織細胞，由此，下面在選擇性破壞腫瘤細胞的情況下描述本示例性設備。然而，應當理解的是，為了下述描述的目的，術語“細胞”還可能也指單細胞生物(真細菌、細菌、酵母、原生動物)、多細胞生物(真菌、藻類、霉菌)以及通常沒有歸類為“細胞”的植物或植物的各部分。該示例性設備能夠以比現有方法更加有效和更加精確(例如，更適于瞄準特定目標)的方式選擇性地破壞正在進行分裂的細胞。此外，如果造成損害的話，本設備對正常組織造成最小的損害，并由此減小或消除了與諸如放射治療和化療的現有選擇性破壞方法相關的許多副作用。利用本設備選擇性破壞分裂細胞不依賴于細胞對化學藥劑或輻射的敏感性。相反，對分裂細胞的選擇性破壞基于正進行分裂的細胞和非分裂期細胞相比具有可區(qū)分的幾何形狀特征，而不考慮正在處理的細胞類型的細胞幾何形狀。根據本發(fā)明的一個示例性實施例，依賴細胞幾何形狀選擇性破壞活組織是通過利用一個電子設備在細胞中感應一個非均勻電場進行的。本申請發(fā)明人已經觀察到，雖然不同細胞在它們的非分裂狀態(tài)可能具有不同的形狀，例如球形、橢球形、圓柱形、“類扁平形狀”等等，但是，基本上所有細胞的分裂過程都是以在晚后期和末期出現“卵裂溝”為特征。這個卵裂溝是細胞膜的緩慢縊縮(在兩組子染色體之間)，在顯微鏡下表現為將細胞逐步分離為兩個新的細胞的增長裂縫(例如，溝或槽)。在分裂過程期間，存在一個短暫時期(末期)，在此期間細胞結構基本上是通過由細胞物質形成的窄的“橋”相互連接的兩個子細胞。當這兩個子細胞之間的“橋”斷裂時分裂過程完成。使用本電子設備選擇性破壞腫瘤細胞利用了分裂細胞的這個獨特幾何形狀特征。當一個細胞或一組細胞處于自然條件或環(huán)境下時，即為活組織的一部分時，它們被主要由電解的細胞間液組成的導電環(huán)境以及主要由電解的細胞內液組成的其他細胞所環(huán)繞。當通過在組織上施加電位在活組織內感應電場時，在組織內形成電場，電場線的具體分布和結構限定電荷位移的方向，或者，如果電流事實上是在組織內感應的話，則限定了組織內電流的路徑。電場的分布和結構依賴于組織的各種參數，包括不同組織成分的幾何形狀和電特性，以及組織成分的相對傳導率、電容和介電常數(其可能為頻率依賴性)。與非分裂期細胞相比，正進行分裂的細胞的電流分布圖非常不同且唯一獨特。這種細胞包括第一和第二子細胞，即“原始”細胞和新形成的細胞，它們通過細胞質“橋”或“狹頸”相連。電流通過部分膜(“電流源極”)穿透第一子細胞；然而，電流并不通過靠近相反極(“電流宿極”)的部分膜穿出第一子細胞。相反，電流線在狹頸或細胞質橋會聚，由此電流線的密度大大增大。第二子細胞內發(fā)生相應的“鏡像”過程，由此隨著它們離開橋，電流線發(fā)散到較低密度結構，并且最終從其靠近電流宿的部分膜穿出第二子細胞。當將可極化物體放入不均勻會聚或發(fā)散場時，電力對其起作用并將其向更高密度的電場線牽引。對于分裂期細胞，在兩個細胞之間的細胞質橋的方向上施加電力。由于所有的細胞間細胞器和大分子都是可極化的，它們都被強制向兩個細胞之間的橋移動。場的極性與力的方向無關，因此，具有特定特性的交變電場可用于產生基本上相同的效應。還應當理解的是，在其自身內的橋或狹頸部分內或附近出現的集中和不均勻的電場對電荷和自然偶極子施加強作用力，可導致與這些元件相關的結構的破壞。細胞的細胞器向橋的移動破壞了細胞結構并導致連接橋膜附近的壓力增大。預期橋膜上的細胞器的壓力將斷開橋膜，并由此預期分裂期細胞將響應于這個壓力而“爆炸”。通過施加頻率從大約50KHz到大約500KHz的脈動交變電場可增強斷開膜和破壞其它細胞結構的能力。向組織施加這種類型的電場時，施加到細胞間細胞器的力具有“錘擊”效應，由此，每秒多次向細胞器施加力脈沖(或節(jié)拍)，增強了不同大小和質量的細胞器從兩個子細胞向橋(或狹頸)部分的移動，由此提高了在橋部分斷開細胞膜的可能性。施加到細胞間細胞器的力還影響細胞器自身并可能萎縮或斷開細胞器。根據一個示例性實施方案，用于施加電場的該設備為生成具有所期望的波形形狀或脈沖系列的電信號的電子設備。該電子設備包括發(fā)生器，發(fā)生器生成頻率在大約50KHz到大約500KHZ范圍內的交流電壓波形。該發(fā)生器可操作性連接到導電導線，導電導線在其另一端連接到被所生成的波形激活的絕緣導體/電極(也稱為絕緣電極(isolects))。該絕緣電極由與電介質(絕緣層)接觸的導體組成，電介質與導電組織接觸，由此形成一個電容器。根據準確的治療應用，可以幾種不同的方式施加由本設備生成的電場。在一個示例性實施方案中，電場是通過外部絕緣電極施加的，外部絕緣電極被結合到衣物內，并且其構造使得所施加的局部類型的電場靶向組織(例如，腫瘤)的特定、局部區(qū)域。這個實施方案被設計用于通過在靶組織上穿上衣物以使由絕緣電極生成的電場被定向到腫瘤(病灶等)以治療在皮膚表面或其下的腫瘤和病灶。根據另一個實施方案，該設備被用于在內部類型的應用中，因為絕緣電極為探針或導管等的形式，其通過諸如尿道或陰道的自然通道進入身體，或者被配置為刺入活組織，直到絕緣電極被放置到內部目標區(qū)域(例如，內部腫瘤)的附近。因此，本設備利用的電場相對于之前較高和較低頻率的應用屬于特定的中間類另IJ，這是因為，本電場為無意義的刺激效應并且無熱效應的生物效應場。有利地，當非分裂期細胞遭受這些電場時，對該細胞沒有影響；然而，當分裂期細胞遭受本電場時情形卻大為不同。由此，本電子設備和所產生的電場靶向諸如腫瘤等的分裂細胞，并且不會靶向圍繞該目標區(qū)域的健康組織周圍發(fā)現的非分裂期細胞。此外，由于本設備利用了絕緣電極，不會在本設備中出現上述的使用導電電極所得到的負面效應，即細胞內離子濃度的改變以及由電解形成有害物質。這是因為電極和介質之間一般不會發(fā)生實際電荷轉移，在電流為電容性的介質內沒有電荷流動。應當理解的是，本電子設備也可用于除了活體內的腫瘤治療之外的應用。事實上，利用本設備選擇性破壞可與任何通過分裂增殖的有機體結合使用，例如組織培養(yǎng)物、微生物，諸如細菌、支原體、原生動物、真菌、藻類、植物細胞等等。這種有機體通過如上所述形成的溝或槽分裂。隨著溝或槽加深，在有機體的兩部分之間形成一個窄的橋，類似于在分裂期動物細胞的子細胞之間形成的橋。由于這種有機體被具有相對較低的電導率的膜覆蓋，這類似于上述的動物細胞膜，分裂期有機體內的電場線在連接該分裂期有機體的兩部分的橋處會聚。會聚場線引起的電力使分裂期有機體內可極化的元件和電荷位移。通過結合附圖閱讀下面的說明書，本設備的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點將變得明顯，附圖中相同的附圖標記指示相同的元件。圖1A-1E是細胞分裂過程各個階段的簡化的截面示意圖；圖2A和2B是遭受電場的非分裂期細胞的示意圖；圖3A、3B和3C是根據一個示例性實施方案遭受電場的一個分裂期細胞，根據一個示例性實施例導致細胞被破壞(圖3C)的示意圖；圖4是分裂期細胞在一個階段遭受電場的示意圖；圖5是根據用于選擇性破壞細胞的一個示例性實施方案用于施加電場的設備的方框圖；圖6是圖5的設備的絕緣電極的等效電路的簡化示意圖；圖7是結合了圖5的設備并且用于放置在皮膚表面以治療腫瘤等的皮膚貼片的截面示意圖；圖8是植入體內用于治療腫瘤等的絕緣電極的截面示意圖；圖9是植入體內用于治療腫瘤等的絕緣電極的截面示意圖；圖10A-10D是圖5的設備的絕緣電極的各種構造的截面示意圖；圖11是圍繞人體軀干放置用于治療體內的腫瘤容器(container)-例如與肺癌有關的腫瘤_的兩個絕緣電極的部分截面內的主視圖；圖12A-12C是具備或不具備形成作為其構造的一部分的保護性元件的各種絕緣電極的截面示意圖；圖13是將電場聚焦于在期望的目標處同時使其它區(qū)域保持較低場密度(S卩，受保護的區(qū)域)的絕緣電極的示意圖；圖14是根據第一個實施方案結合到帽子中用于戴在頭上以治療顱內腫瘤等的絕緣電極的截面視圖；圖15是根據一個示例性實施方案具有用于容納一個或多個絕緣電極的槽式部分的帽子的局部圖；圖16是圖15所示帽子置于頭部的截面視圖，并示出用于將力施加到絕緣電極以確保絕緣電極保持與頭部接觸的偏置機構；圖17是用于治療腫瘤等的在其內結合有絕緣電極的衣物的截面俯視圖；圖18是圖17所示衣物的部分的截面視圖，示出了用于在某方向上偏置絕緣電極以確保絕緣電極被放置在最接近期望治療的皮膚表面的偏置機構；圖19是根據一個實施方案用于放置在體內治療腫瘤等的探針的截面視圖20是根據一個示例性實施方案用于圍繞脖子放置以在領子包圍脖子時治療這個區(qū)域內的腫瘤等的解開的領子的正視圖；圖21是圍繞身體布置的具有導電凝膠構件的兩個絕緣電極的截面視圖，同時示出了電場線；圖22是圖21的布置的截面視圖，示出了一個絕緣電極內的絕緣擊穿點；圖23是圍繞身體放置用于治療腫瘤等的具有導電凝膠構件的至少兩個絕緣電極的布置的截面視圖，其中每個導電凝膠構件具有最小化絕緣電極內的絕緣擊穿作用的特性；圖24是圍繞身體放置用于治療腫瘤等的具有導電凝膠構件的至少兩個絕緣電極的另一種布置的截面視圖，其中導電構件被放置在腫瘤附近的體內以產生場密度增大的區(qū)域；圖25是相對于身體放置的大小可變的兩個絕緣電極的布置的截面視圖；圖26是圍繞身體放置用于治療腫瘤等的具有導電凝膠構件的至少兩個絕緣電極的布置的截面視圖，其中每個導電凝膠構件具有最小化絕緣電極內的絕緣擊穿作用的特性；圖27A-C示出了有利于在不同方向上施加電場的電極的配置；圖28示出了圍繞身體部分的電極的三維布置，該電極有助于在不同方向施加電場；圖29A和29B分別是細胞破壞過程的效率作為針對黑素瘤和膠質瘤的場強的函數的圖；圖30A和30B分別顯示細胞破壞效率如何是針對黑素瘤和膠質瘤施加的場的頻率的函數的圖；圖31A是在多個方向順序施加多個頻率的圖形；圖31B是在多個方向順序施加掃描頻率的圖形；圖32A示出對寄生物進行的實驗中使用的電極的結構。圖32B示出對寄生物進行的實驗中使用的測試腔。圖32C示出用于在測試腔內感應電場的設備。圖33示出用不同頻率的電場處理寄生物的效果。圖34示出用不同場強的電場處理寄生物的效果。優(yōu)選實施方案詳述參考圖1A-1E，其示意性示出了細胞分裂過程的各個階段。圖IA示出正常幾何形狀的細胞10，形狀通常為球形(如圖所示)、橢球形、圓柱形、“類扁平形狀”或任何其它本領域已知的細胞幾何形狀。圖1B-1D示出細胞10分裂過程的不同階段，分裂導致形成兩個新的細胞18和20，如圖IE所示。如圖1B-1D所示，細胞10的分裂過程以逐漸增長的裂縫12為特征，其逐步將細胞10分離為兩個單元，即子細胞14和16，子細胞14和16最終變成新的細胞18和20(圖1E)。如圖ID具體所示，分裂過程以一個短暫時期為特征，在該時期內細胞10的結構基本上為由一個包含細胞物質(由細胞膜圍繞的細胞質)的窄“橋”22互相連接的兩個子細胞14禾口16。現在參考圖2A和2B，其中示意性示出了非分裂期細胞10正遭受通過分別以相對較低的頻率和相對較高的頻率施加交變電位產生的電場。細胞10包括胞內細胞器，例如核30。交變電位被施加于電極28和32上，可將電極28和32從外部連接到患者的預定區(qū)域，例如被治療的腫瘤附近。當細胞10處于自然條件下時，即活組織的一部分，其處于一個主要由電解的細胞間液組成的導電環(huán)境中(下文中稱為“容積導體”)。當在電極28和32上施加電位時，所得電場(或響應于該電場在組織內感應的電流)的一部分場線穿透細胞10，同時其余的場線(或感應電流)流入環(huán)繞的介質中。電場線的具體分布在這種情況下基本上與電流的方向一致，依賴于可能與頻率相關的系統(tǒng)成分的幾何形狀和電特性，例如系統(tǒng)成分的相對電導率和介電常數。對于低頻，例如低于IOKHz的頻率，成分的電導特性完全支配著電流和場分布，并且場分布通常如圖2A所示。在較高頻率，例如IOKhz和IMHz之間的頻率，成分的介電特性變得更為顯著并最終支配場分布，使得場分布線通常如圖2B所示。對于恒定(即，直流)電場或相對較低頻率的交變電場，例如，IOKHz以下的頻率，各種成分的介電特性對于確定和計算場分布并不重要。因此，作為關于電場分布的初步近似，系統(tǒng)可以合理地用其各種成分的相對阻抗表示。利用這種近似，細胞間(即，細胞外的)液和細胞內液各自都具有相對低的阻抗，而細胞膜11具有相對高的阻抗。由此，在低頻條件下，僅有一小部分的電場線(或通過電場感應的電流)穿透細胞10的膜11。相反，在相對高頻率(例如ΙΟΚΗζ-ΙΜΗζ)之下，膜11的阻抗相對細胞間液和細胞內液降低，由此穿透細胞的電流部分顯著增強。應注意的是，在非常高的頻率下，即IMHz以上，膜電容可能短路膜阻抗，因此整個膜阻抗可能變得可忽略不計。在上述任何一個實施方案中，電場線(或感應電流)從最靠近生成該電流的一個電極的部分膜11穿透細胞10，例如從最靠近正電極28(在此也稱為“源”)的部分。細胞10上的電流分布通常是均勻的，這是因為在上述近似下，細胞內感應的場基本上是均勻的。電流通過最靠近相反電極的部分膜11穿出細胞10，例如從負電極32(在此也稱為“宿”)穿出ο場線和電流之間的區(qū)分可取決于許多因素，例如取決于所施加的電位的頻率以及取決于電極28和32是否為電絕緣的。對于施加DC或低頻交變電壓的絕緣電極，沿電場線實際上沒有電流。在高頻下，由于電極絕緣和細胞膜(在某種程度上充當電容)的充電和放電，在組織內感應有位移電流，并且這種電流沿著該電場線。相反，由非絕緣電極產生的場總是產生某種形式的電流，具體而言，DC或低頻交變場沿場線產生傳導電流，而高頻交變場沿場線既產生傳導電流又產生位移電流。然而，應理解的是，根據本發(fā)明可極化的細胞內細胞器的移動(如下所述)不取決于實際的電流流動，因此既可有效地使用絕緣電極，又可有效地使用非絕緣電極。絕緣電極的優(yōu)點包括較低的功耗、在治療區(qū)域產生更少的熱、以及提高的患者安全性。根據本發(fā)明的一個示例性實施方案，所使用的電場為頻率范圍從大約50KHz到大約500KHz的交變場，并且優(yōu)選為從大約IOOKHz到大約300KHz。由于這些電場落入具有生物有效的場特性同時不具備有意刺激和熱效果的中間類別(在高頻和低頻范圍之間)，為了便于討論，這些類型的電場在下面也稱為“TC場”，這是“腫瘤治療(TumorCuring)電場”的縮寫。這些頻率足夠的低使得系統(tǒng)行為由系統(tǒng)的歐姆(傳導)特性決定，然而又足夠的高以對易興奮組織沒有任何刺激作用。此系統(tǒng)由兩類元件組成，即細胞間液即細胞外液，或介質，以及單個細胞。細胞間液主要為電阻率大約40-100歐姆*cm的電解質。如上面所述，細胞的特征在于三種元件，即(1)包裹細胞的薄的、高電阻的膜；(2)主要為包含大量大分子和微細胞器(包括核)的電解質的內部細胞質；以及(3)覆蓋微細胞器的膜，其電特性類似于細胞膜。當這種類型的系統(tǒng)遭受本TC場(例如，頻率范圍在100KHz-300KHz間的交變電場)，由于高電阻細胞膜的緣故，大多數電場線和電流趨于遠離細胞，并因此該線保持在細胞外傳導介質中。在上述列舉的頻率范圍內，實際穿透細胞的小部分電場或電流與頻率關系很大。圖2示意性描述了該系統(tǒng)中生成的場分布。如圖所示，場力線大部分與無變形的場力線(電場的主要方向)平行地流過細胞體積，場力線還描述了可能的電流線。換言之，細胞內部的場大部分是均勻的。實際上，穿透細胞的小部分場或電流由相對于細胞外液的細胞膜阻抗值確定。由于細胞膜的等價電路為電阻和電容的并聯，阻抗是頻率的函數。頻率越高，則阻抗越低，穿透電流的部分越大，場失真越小(RotshenkerS.&Y.Palti,Changesinfractionofcurrentpenetratinganaxonasafunctionofdurationofstimulatingpulse,J.Theor.Biol.41；401-407(1973))。如前所述，當細胞遭受相對較弱的以高頻交變的電場和電流時，如頻率范圍為50KHz-500KHz的本TC場，它們對非分裂期細胞沒有影響。雖然本TC場對這種系統(tǒng)沒有可檢測的影響，但是在出現分裂期細胞時則情形則變得不同。現在參考圖3A-3C，圖3A-3C示意性示出了在根據一個示例性實施方案，在頻率范圍從大約IOOKHz到大約300KHz的交變場(TC場)的影響之下，在其分裂過程中，細胞10內的電流分布圖。場線或感應電流通過靠近電極28的子細胞16的部分膜穿透細胞10。然而，場線并未經過連接子細胞16與新形成的仍然附著的子細胞14的細胞質橋22穿出，或者經過橋22附近的部分膜穿出。反之，電場或電流線——在子細胞16內相對廣泛地分開——隨著它們接近橋22(也稱為“狹頸”22)而會聚到一起，并且由此狹頸22內的電流/場線密度顯著地增大。在子細胞14內發(fā)生一個“鏡像”過程，隨著場線接近子細胞14的穿出區(qū)域，橋22中會聚的場線發(fā)散。本領域的技術人員應當理解，均勻電場不會對電中性物體，即凈電荷基本上為零的物體施加力，盡管此類物體可以變成極化的。然而，如圖3A-3C所示，在非均勻、會聚的電場的作用下，對極化的物體施以電力，將它們向較高密度電場線方向移動。應理解的是，狹頸或橋區(qū)域內出現的集中電場本身對電荷和自然偶極子施以強力并且可破壞與之相關的結構。同樣將理解，類似的凈力再次在較高強度的場方向上作用于交變場的電荷上。在圖3A和3B的結構中，極化且?guī)щ娢矬w的移動方向朝向較高密度的電場線，即朝向子細胞14和16之間的細胞質橋22。本領域眾所周知的是，所有細胞內細胞器，例如子細胞14和16的核24和26，分別被極化，由此這種細胞內細胞器被電力向橋22的方向推動。由于無論場的極性如何，該移動總是從較低密度電流到較高密度電流，由交變電場對諸如核24和26的細胞器所施加的力總是在橋22的方向。全面描述這種力和所造成的細胞內細胞器的大分子的移動，被稱為“雙向電泳”現象，在例如文獻C.L.Asbury&G.vandenEngh,Biophys.J.74，1024-1030，1998中已進行了詳盡描述，其全部公開內容在此引入作為參考。細胞器24和26朝向橋22的移動破壞了分裂期細胞的結構，改變了各種細胞組分的濃度，最終橋膜22上會聚的細胞器的壓力導致細胞膜11在橋22附近斷裂，如圖3C所示?？赏ㄟ^施加脈沖AC電場而不是穩(wěn)定AC電場來增強在橋22處使膜11斷裂并且還破壞細胞結構和組織的能力。當施加脈沖場時，作用在細胞器24和26上的力具有“錘擊”效果，借此脈沖力將細胞內細胞器從子細胞14和16向狹頸22敲擊，由此增大了在狹頸22附近斷裂細胞膜11的可能性。一個非常重要的對該特殊場非常敏感的在分裂期細胞內出現的元件是微管紡錘體，微管紡錘體在分裂過程中發(fā)揮主要作用。圖4中示出與圖3A和3B相比處于較早階段的分裂期細胞10，細胞10處于通常用線100指示的外部TC場(例如，頻率范圍大約IOOKHz到大約300KHz的交變場)的影響下，細胞10具有通常用120指示的相應紡錘體構造。線120是已知具有非常強的偶極矩的微管。這種強烈的極化使得細管以及其它的極性大分子、特別是那些在細胞內或其周圍具有特定方向的極性大分子易受電場影響。它們的正電荷位于兩個中心粒上，而兩組負極位于分裂期細胞的中心，并且另一對位于微管附著在細胞膜的點處，該點通常用130指示。這個結構形成雙偶極子組，因此它們易受不同方向的場影響。應理解的是，TC場對偶極子的作用并不取決于橋(狹頸)的形成，并且由此偶極子在橋(狹頸)形成之前就受TC場的影響。由于本設備(如下面將更為詳細的描述)利用了絕緣電極，使用本設備時不會出現上述使用導電電極時出處的副作用，即細胞內的離子濃度改變和由于電解形成有害物質。這是因為通常在電極和介質之間不會發(fā)生實際的電荷轉移，并且在電流為容性的介質內(即電流僅用電荷等的旋轉表示)沒有電荷流動。現在參看圖5，上述有利于破壞腫瘤細胞的TC場由電子設備200產生。圖5是示出該電子設備200的主要組件的簡化示意圖。電子設備200產生波形形狀或脈沖系列的期望電信號(TC信號)。設備200包括發(fā)生器210和一端連接到發(fā)生器210的一對導電引線220。引線220的相反一端連接到由電信號(即，波形)激勵的絕緣導體230。下文中也將絕緣導體230稱為絕緣電極230。任選地，根據另一個示例性實施方案，設備200包括溫度傳感器240和控制箱250，增加它們都是用于控制生成的電場的振幅，以便不會在治療的區(qū)域內產生過熱。發(fā)生器210產生頻率范圍從大約50KHz到大約500KHz(優(yōu)選從大約IOOKHz到大約300KHz)的交變電壓波形(即，TC場)。所需的電壓為使得要治療的組織內的電場強度范圍為大約0.lV/cm到大約lOV/cm。如下所述，為了實現這個場，絕緣電極230中的兩個導體之間的實際電位差由系統(tǒng)成分的相對阻抗確定。當包括控制箱250時，其控制發(fā)生器210的輸出，使得發(fā)生器輸出保持在用戶預設的恒定值，或者控制箱250將輸出設置為不會引起過熱的最大值，或者當溫度(由溫度傳感器240感應)超過預定限度時控制箱250發(fā)出警告等。引線220為標準的具有柔性金屬屏蔽的隔離導線，優(yōu)選地，導線接地，以防止引線220產生的電場擴散。絕緣電極230具有特定的外形和位置使得在目標容積且僅在那生成具有所期望結構、方向和強度的電場，以集中治療。設備200作為整體及其單個組件的技術指標很大程度上由如下事實影響在當前TC場(50KHZ-500KHZ)頻率下，生命系統(tǒng)是根據它們的“歐姆定律”特性而不是它們的介電特性運轉的。設備200中唯一表現不同的元件是絕緣電極230的絕緣體(參見圖7-9)。絕緣電極230由與電介質接觸的導體組成，電介質與導電組織接觸由此形成電容器。絕緣電極230的詳細構造基于它們的電學行為，當絕緣電極與組織接觸時根據通常如圖6所示簡化的電路可以理解上述電學行為。在所示結構中，不同組件之間的電位降或電場分布由它們的相對電阻抗確定，即每個組件上的小部分場由其阻抗值除以總的電路阻抗給出。例如，元件上的電位降ΔVa=A/(A+B+C+D+E)。因此，對于DC或低頻AC，實際上所有電位降都在電容器(其充當絕緣體)上。對于相對非常高的頻率，電容器實際上被短路，因此實際上所有場都分布在組織內。在本TC場的頻率(例如，50ΚΗζ到500ΚΗζ)，這些頻率為中間頻率，電容器的電容的阻抗是支配性的，且其決定了場分布。因此，為了增大組織上的有效電壓降(場強度)，應降低電容器的阻抗(即，增大它們的電容)。這可通過增大電容器“板”的有效面積、減小電介質的厚度或者使用具有較高介電常數的電介質來實現。為了優(yōu)化場分布，根據要使用絕緣電極230的應用對絕緣電極230進行不同配置。有兩種施加本電場(TC電場)的主要模式。第一種，可通過外部絕緣電極施加TC場，第二種，可通過內部絕緣電極施加TC場。通過外部絕緣電極施加的電場(TC場)可以是局部類型或廣泛分布的類型。第一種類型包括例如皮膚瘤的治療和靠近皮膚表面的病灶的治療。圖7示出了其中絕緣電極230被結合到皮膚貼片300中的示例性實施方案。貼片300可以是自粘的柔性貼片，帶有一對或多對絕緣電極230。貼片300包括內部絕緣體310(由介電材料形成)和外部絕緣體260，并且貼到皮膚表面301或者稍微在皮膚表面310之下包含腫瘤303的皮膚表面301。組織通常用305指示。為了防止內部絕緣體310上的電位降支配該系統(tǒng)，內部絕緣體310必須具有相對高的電容。這可通過大的表面積實現；然而，這可能是不希望的，因為這會導致場在較大面積上(例如，大于所需治療的腫瘤的面積)擴散?？蛇x地，內部絕緣體310可以被制得非常薄和/或內部絕緣體310可以具有高介電常數。由于電極(圖6中標記為A和Ε)之間的皮膚電阻通常顯著高于其下面的組織(圖6中標記為C)的電阻(1-10ΚΩ對0.1-1ΚΩ)，在絕緣電極之外的大部分電位降發(fā)生在電極間的皮膚組織。為了適應這些阻抗(Z)，內部絕緣體310(圖6中標記為B和D)的特性應當使得它們在本TC場(例如50ΚΗΖ到500ΚΗζ)的頻率下阻抗優(yōu)選小于100ΚΩ。例如，如果希望阻抗為大約IOK歐姆或更小，這樣所施加電壓的以上落在組織上，則對于表面積為IOmm2的絕緣電極，在200ΚΗζ頻率下，電容應當為ΙΟ—’級別，其意味著使用介電常數為2-3的標準絕緣體，絕緣層310的厚度應當為大約50-100微米。使用介電常數為大約20-50的絕緣體將獲得10倍強度的內部場。利用具有高介電常數的絕緣材料增大電極的電容，導致電極對通過發(fā)生器1(圖5所示)施加的AC信號的阻抗減小。如圖6所示，因為電極Α、Ε與靶組織C串聯連接，這種阻抗的減小降低了電極內的電壓降，使得施加AC電壓的更大部分出現在組織C上。由于施加AC電壓的更大部分出現在組織上，對于組織內的給定場強，可有利地降低通過發(fā)生器1施加的電壓。被治療的組織內所期望的場強優(yōu)選在大約0.lV/cm和大約lOV/cm之間，并且更優(yōu)選在大約2V/cm和3V/cm之間，或者在大約lV/cm和5V/cm之間。如果電極中使用的介電常數足夠高，那么電極A、E的阻抗下降到如皮膚和組織B、C、D的串聯組合的同一大小級另|J。具有極高介電常數的適當材料的一個例子是CaCu3Ti4O12，其介電常數為大約11，000(在IOOkHz測量的)。當介電常數如此之高時，則可使用幾十伏特級別的生成器電壓就可獲得有用的場。由于薄的絕緣層可能非常易受損壞等，可以用介電常數非常高的絕緣材料如二氧化鈦(例如，金紅石)替代絕緣體，該介電常數可達到大約200。存在許多不同的適合用于預期應用中并且具有高介電常數的材料。例如，一些材料包括鈮酸鋰(LiNbO3),其為一種鐵電晶體，并且在光學、熱電和壓電器件中有許多應用；釔鐵石榴石(YIG)為一種鐵磁晶體，并且可以用這種材料實現例如光頻隔離器的磁光裝置；鈦酸鋇(BaTiO3)為一種具有高電光效應的鐵磁晶體；鉭酸鉀(KTaO3)為一種介電晶體(低溫時為鐵電)，并且在低溫下具有非常低的微波損耗和介電常數的可調諧性；以及鉭酸鋰(LiTaO3),—種特性類似鈮酸鋰的鐵電晶體，并且在電光、熱電和壓電器件中使用。還可以使用具有高介電常數的絕緣陶瓷，諸如由鉛鈮酸鎂和鈦酸鉛組合制成的陶瓷。應理解的是，當本設備期望使用具有高介電常數的材料時，前述的示例性材料可與本設備組合使用。還應當考慮到影響絕緣電極230的有效電容的另一個因素，即絕緣電極230和皮膚之間存在空氣。這種不易防止的存在引入了介電常數為1.0的絕緣體層，這個因素顯著降低絕緣電極230的有效電容并且抵消了二氧化鈦(金紅石)等的優(yōu)點。為了克服這個問題，絕緣電極230可以做成符合身體結構的形狀和/或(2)可向該結構中加入具有高電導率和高有效介電常數的居間填充物270，如凝膠(如圖IOC所示)?？梢灶A先構造(參見圖10A)形狀，或者系統(tǒng)可以做得足夠柔韌使得絕緣電極230的定形更易實現。凝膠可以被包含于如圖IOC和IOC'描述的具有升高邊緣的位置。凝膠可以由水凝膠、明膠、瓊脂等制成，并且其內溶解有鹽以增大其傳導率。圖10A-10C'示出絕緣電極230的各種示例性構造。凝膠的準確厚度并不重要，只要其足夠厚使得在治療期間凝膠層不會變干。在一個示例性實施方案中，凝膠的厚度為大約0.5mm到大約2mm。優(yōu)選地，凝膠具有高傳導率，有些粘，并且在延長時間內是生物相容的。一種適合的凝膠為AG603水凝膠，可從AmGelTechnologies,1667S.MissionRoad，Fallbrook，CA92028-4115，USA購得。為了實現絕緣電極230的期望特性，各介電涂層應當非常的薄，例如在1-50微米之間。由于涂層是如此的薄，絕緣電極230易被機械損壞或遭受介電擊穿。這個問題可以通過給絕緣電極的結構增加保護性功能來克服，以對此類損害提供期望的保護。例如，可以使用相對松散的網340覆蓋絕緣電極230，該網防止接近表面且對絕緣電極230的有效表面積(即絕緣電極230的電容)有較小影響(圖12B中示出的橫截面)。松散的網340不會影響電容并且確保與皮膚等的良好接觸。松散的網340可由許多不同的材料形成；然而，在一個示例性實施方案中，網340由尼龍、聚酯、棉花等形成?？蛇x擇地，可以在絕緣電極230的介電部分(絕緣層)涂敷非常薄的導電涂層350。一個示例性導電涂層由金屬形成，更具體地，由金形成。涂層350的厚度依賴于具體的應用，并且依賴于用于形成涂層350的材料類型；然而，當使用金時，涂層的厚度為大約0.1微米到大約0.1毫米。此外，圖10所示的邊緣也能夠提供一定程度的機械保護。然而，電容并不是唯一考慮的因素。下列兩種因素也影響絕緣電極230如何被構造。內部絕緣層310的介電強度，以及當其遭受TC場時發(fā)生的介電損耗，即產生的熱量。內部絕緣體310的介電強度決定了在什么場強下絕緣體將會被“短路”并且不再是完好的絕緣體。一般地，諸如塑料的絕緣體具有每微米大約IOOV或更高的介電強度值。因為高介電常數降低了內部絕緣體310中的場，高介電常數和高介電強度的組合提供了重要的優(yōu)勢。這可通過使用具有期望特性的一種材料來實現，或者通過具有正確的參數和厚度的雙層來實現。此外，為了進一步降低絕緣層310失效的可能性，使用常規(guī)技術如圖IOD所示，通過使邊角變圓等消除絕緣層310的所有銳利邊緣。圖8和9示出了使用絕緣電極230的第二種治療類型，即通過內部絕緣電極230的電場生成。絕緣電極230所植入的身體通常用311指示，包括皮膚表面313和腫瘤315。在這個實施方案中，絕緣電極230的形狀可以為板、線或可被皮下插入或插入至身體311內更深位置的其它形狀，以在目標區(qū)(腫瘤315)產生適當的場。同樣應理解的是，絕緣電極應用的方式并不限定于上述的描述。就內部器官例如肝臟、肺等中的腫瘤而言，絕緣電極對230的每個構件之間的距離可能較遠。電極對甚至可以置于軀干410的相反側，如圖11所示。圖11中絕緣電極230的布置對治療與肺癌或胃腸腫瘤有關的腫瘤415特別有用。在這個實施方案中，電場(TC場)散布在身體的較寬范圍內。為了避免過熱所治療的組織，需要選擇材料和場參數。在治療過程中，絕緣電極的絕緣材料應當在被使用的頻率范圍內具有最小的介電損耗。當針對治療選擇特定的頻率時可以考慮這個因素。組織的直接加熱最有可能受由電流引起的發(fā)熱控制(由I*R給表示)。此外，絕緣電極230及其圍繞物應當由有利于熱損耗的材料制成，并且其一般結構應當也有利于熱損耗，即阻止熱耗散到環(huán)境(空氣)的最小結構以及高熱傳導性。使用較大的電極同樣使發(fā)熱的局部感知最小化，因為其通過一個更大的表面積傳播將轉移到患者的能量。優(yōu)選地，使加熱最小化在患者的皮膚溫度絕不超過大約39°C。降低加熱的另一種方式是，通過施加占空比在大約20%和大約50%之間的場而不是使用連續(xù)場，間歇性地將該場施加到被治療的組織。例如，為了實現33%的占空比，該場應當重復接通1秒，然后斷開2秒。初步試驗已經顯示使用占空比為33%的場的治療療效大體上與占空比為100%的場相同。在可選的實施方案中，可將場接通1小時然后斷開1小時以實現50%的占空比。當然，以每小時開關一次的速率對最小化短時間產熱是沒有用的。另一方面，這可以給患者提供受歡迎的治療休息。可以通過在期望的目標區(qū)域聚焦場，同時使其它敏感區(qū)域處于低的場密度(即，受保護區(qū)域)的絕緣電極230的布置來加強治療效果?？梢岳迷S多不同技術保持絕緣電極230適當放置于身體上，包括使用將絕緣電極保持在適當位置的合適衣物。圖13示出了這樣的布置，其中標記為“P”的區(qū)域表示受保護的區(qū)域。場力線不會穿透這個受保護的區(qū)域，并且此處的場比絕緣電極230附近的場要小很多，在絕緣電極附近，可對目標區(qū)域進行良好定位和治療。相反，四極處的場強非常高。下面的實例用于說明本設備的示例性應用和TC場的應用；然而，此實例是非限制性的，并且不以任何方式限制本發(fā)明的范圍。實例1為了證明具有上述特性(例如，頻率在50KHz到500KHz之間)的電場在破壞腫瘤細胞中的有效性，將該電場用于治療患惡性黑色素瘤的小鼠。兩對絕緣電極230被放置在相應的一對惡性黑色素瘤上。只有一對連接到發(fā)生器210，向腫瘤施加200KHz的交變電場(TC場)為期6天。一個惡性黑色素瘤未進行治療，以比較經治療的腫瘤和未治療的腫瘤。在治療6天之后，在小鼠的未治療一側，染色的惡性黑色素瘤保持清晰可見，相反，在小鼠的治療側看不到腫瘤。在皮膚上唯一可見的可辨別的區(qū)域是代表絕緣電極230插入點的標記。通過切開和反轉皮膚暴露其內表面進一步證明治療側腫瘤被消除的事實。這個過程顯示，在小鼠的治療側，腫瘤已經基本上-如果不是完全地-被消除。還進一步通過組織病理學檢查證實了治療的成功。因此，本發(fā)明人發(fā)現，使用電子設備施加電場時，具有特定特性的電場可以用于破壞分裂期細胞或腫瘤。更特別地，這些電場落入特殊的中間類別，即具有無意義的刺激和無熱效應的生物有效場，并因此克服了與向身體施加常規(guī)電場相關的缺點。還應理解的是，本設備可進一步包括用于相對活組織旋轉TC場的設備。例如，根據一個實施方案，使用常規(guī)設備，諸如開啟時旋轉本系統(tǒng)的各種組件的機械設備，可相對于組織旋轉施加到被治療的組織的交變電場。另外，根據另一個實施方案，以連續(xù)方式將TC場施加到絕緣電極230的不同電極對。換言之，可以布置發(fā)生器210及它的控制系統(tǒng)，從而以周期性間隔向選擇的絕緣電極對230發(fā)送信號，由此使得通過這些絕緣電極230生成不同方向的TC場。因為信號是在選擇時間從發(fā)生器發(fā)送到絕緣電極230的，通過不同的絕緣電極230連續(xù)地生成方向變化的TC場。這種布置具有許多優(yōu)點，并且由于當TC場與細胞分裂軸平行時具有最大影響的事實而被提供。由于細胞分裂的方向在大多數情形下是隨機的，僅有小部分分裂期細胞受到任何給定場的影響。由此，使用兩個或多個方向的場提高了效果，這是因為其增大了更多分裂期細胞受給定TC場影響的機會。體外試驗已表明，當場力線方向通常平行于有絲分裂中的沙漏形狀的細胞的長軸(如圖3A-3C所示)時，該電場具有最大的殺滅作用。在一個試驗中，更高比例的受損害細胞的分裂軸方向沿著該場56%的方向相對于該場為0°或接近0°的細胞受損害，相比之下，長軸相對于該場超過22°的細胞平均15%受損害。發(fā)明人已經認識到，以不同方向順序施加場將提高整體的殺滅能力，因為這樣可以向更多部分的分裂期細胞施加殺死分裂期細胞最為有效的場方向。下面討論以不同方向施加場的若干例子。圖27A、27B和27C示出了一組6個電極E1-E6，以及如何通過在不同電極對上施加來自生成器1(圖1所示)的AC信號改變通過靶組織1510的場的方向。例如，如果在電極El和E4上施加AC信號，則場線F將為垂直的(如圖27A所示)，而如果在電極E2和E5或者電極E3和E6上施加該信號，則場線F將為斜的(如分別在圖27B和27C中所示)。通過在其它電極對上施加AC信號可獲得另外的場方向。例如，通過在電極E2和E6上施加信號可得到大體上水平的場。在一個實施方案中，在不同的電極對之間順序應用AC信號。這種方案的一個實例是，在電極El和E4上施加AC信號一秒鐘，然后在電極E2和E5上施加AC信號一秒鐘，接著在電極E3和E6上施加AC信號一秒鐘。然后將該三部分的順序重復一段期望的治療時間。因為細胞被破壞的效果強烈取決于細胞的方向，在不同方向之間循環(huán)場增大了至少在部分時間內場朝向有利于破壞細胞的方向的機會。當然，圖27A-C所示的6個電極配置僅僅是多個電極的許多可能方案中的一種，基于相同的原理可以使用三個或更多電極的許多其它配置。在不同方向順序施加場并不局限于二維實施方案，圖28示出如何將在不同電極組上順序施加信號擴展到三維。圍繞身體部分1500放置第一電極陣列A1-A9，將最后一個電極陣列W-N9與第一陣列間隔距離W放置在身體部分1500周圍。可選地，可將其他電極陣列添加到第一陣列和最后一個陣列之間，但是，清楚起見，并沒有示出這些其他陣列(以不掩蓋身體部分1500背后的電極A5-A9和B5-B8)。如圖27中的實施方案，可以通過在不同的電極對之間施加來自發(fā)生器1(圖1中所示)的AC信號改變穿過靶組織的場的方向。例如，在電極A2和A7之間施加AC信號就得到在這兩個電極之間由前至后方向的場，而在電極A5和A9之間施加AC信號就得到這兩個電極之間大致垂直的場。類似的，在電極A2和N7之間施加AC信號能產生以一個方向穿過身體部分1500的斜向場線；在電極A2和B7之間施加AC信號就產生以另一個方向穿過身體部分的斜向場線。使用三維電極陣列還使得可能同時激勵多對電極以在期望的方向上感應場。例如，如果提供了適當的開關使得電極A2到N2全部都連接到發(fā)生器的一個端子，并且使得電極A7到N7全部連接到發(fā)生器的另一個端子，由此得到的場是在整個寬度W內由前至后方向上延伸的一片。在維持由前至后的場一段適當的時間之后(例如，1秒)，重新設置開關系統(tǒng)(未示出)，將電極A3到N3連接到發(fā)生器的一個端子，并將電極A8到N8連接到發(fā)生器的另一個端子。這樣得到相對于初始場方向圍繞Z軸旋轉了大約40°的片狀場。當場在這個方向上維持了一段適當的時間之后(例如，1秒)，啟動下一組電極，以將該場旋轉另外40°至下一位置。這將持續(xù)直到場回到其初始位置，在該點重復整個過程。可選地，可將旋轉的片狀場添加(以時間順序)到上述斜向場，以更好地靶向沿斜向軸方向的細胞。因為電場是矢量，為形成期望的合成矢量，可選同時將信號施加到電極的組合。例如，可以通過將電極A2到N2和A3到N3都切換到發(fā)生器的一個端子，并且將A7到N7和A8到N8都切換到發(fā)生器的另一個端子獲得相對于初始位置圍繞X軸旋轉20°的場。如相關領域的技術人員將理解的，將信號施加到電極的其它組合將得到其它方向上的場。如果對電壓實現適當的計算機控制，與上述逐步方式相比，場的方向甚至可以連續(xù)(即，平滑)方式掃描空間。圖29A和29B描述了體外試驗的結果，其顯示了所施加場殺滅分裂期細胞的能力如何是場強的函數。在圖29A的試驗中，B16F1黑素瘤細胞遭受不同場強的200KHz的AC場，每個強度持續(xù)24小時。在圖29B的試驗中，F-98神經膠質瘤細胞遭受不同場強的200KHz的AC場，每個強度持續(xù)24小時。在這兩幅圖中，場強(EF)以V/cm度量。殺滅作用的大小以術語TER表示，其為與對照細胞(GRc)的增長速率相比，被治療細胞(GRt)增長速率的降低比率。TER=GRC-GRT/GRC試驗結果顯示，對于黑素瘤和神經膠質瘤細胞，所施加場對增殖的抑制作用都隨強度增大。黑素瘤和神經膠質瘤細胞的完全增殖抑制(TER=1)分別出現在1.35和2.25V/cm處。圖30A和30B描述了體外試驗的結果，其顯示了所施加場的殺滅能力如何是場頻率的函數。在該試驗中，B16F1黑素瘤細胞(圖30A)和F-98神經膠質瘤細胞(圖30B)遭受不同頻率的場，每個頻率為24小時。圖30A和30B顯示了生長速率的變化，歸一化為場強(TER/EF)。數據顯示為均值+SE。在圖30A中，可以看到窗口效應，黑素瘤細胞的最大抑制位于120kHz。在圖30B中，在170和250kHz看到兩個峰。由此，如果在整個治療過程期間只有一個頻率可用，則頻率為大約120kHz的場適用于破壞黑素瘤細胞，而具有200kHz級別頻率的場適用于破壞神經膠質瘤細胞。并非任何給定類型的所有細胞都有完全相同的大小。反之，細胞有大小分布，其中一些細胞更小而一些細胞更大。認為用于損害特定細胞的最佳頻率與該特定細胞的物理特性(即，大小)有關。由此，為了最好地損害具有大小分布的細胞群，對該群體施加不同頻率的分布是有利的，根據靶細胞的期望大小分布優(yōu)化頻率選擇。例如，圖30B的數據顯示利用兩個頻率170kHz和250kHz破壞神經膠質瘤細胞群將比利用單一頻率200kHz更為有效。注意，在此討論的優(yōu)化場強和頻率是基于體外試驗獲得的，并且針對體內應用的相應參數可通過進行類似的體內試驗獲得。有可能的是，對于體內應用，細胞自身的相關特性(諸如大小和/或形狀)或與細胞環(huán)境的相互作用可能導致不同的優(yōu)化頻率和/或場強集。當使用一個以上的頻率時，可以按時間順序施加各個頻率。例如，就神經膠質瘤而言，可以在治療的第一、第二、第三、第四、第五和第六分鐘分別施加頻率為100、150、170、200、250和300kHz的場。然后在治療的各連續(xù)6分鐘期間重復頻率循環(huán)。可選擇地，場的頻率可以以無級方式從100到300kHz掃描。任選地，這種頻率循環(huán)可以與上述的方向循環(huán)相結合。圖31A是利用3個方向(D1、D2和D3)和3個頻率(F1、F2和F3)的這種結合的實例。當然，同樣的方案可擴展到任何其他數目的方向和/或頻率。圖31B是利用3個方向(D1、D2和D3)，掃過從IOOkHz到300kHz的頻率的結合的實例。注意，tl和t2之間時間軸上的停頓提供了使掃描頻率上升到剛剛低于300kHz所需的時間。如圖31A所示，頻率掃描(或步進)可以與方向的改變同步?？蛇x擇地，如圖31B所示，頻率掃描(或步進)可以與方向改變非同步。在一個可選實施方案中，向電極施加同時包含兩個或多個頻率分量(例如，170kHz和250kHz)的信號以治療具有大小分布的細胞群。通過疊加增加各種信號以產生包括所有施加頻率分量的場。現在參見圖14，其中示出根據一個示例性實施方案的衣物500。具體而言，衣物500為有邊帽或無邊帽或其它類型的衣物設計用于放到人頭部的形式。為了示意目的，頭部502顯示為在其上放置帽子500，帽子緊靠頭部502的皮膚表面504。顱內腫瘤等510示為形成在頭部502內的皮膚表面504下。因此，帽子500意在置于具有如腫瘤510等的人的頭部502之上。與圖1-13中示出的各種實施方案不同，在這些實施例中，由于絕緣電極230放置在皮膚表面或者植入到其下方的體內，這些絕緣電極或多或少排列成平面布置，這個實施方案中的絕緣電極230是針對具體應用進行了特殊外形化和排列的。治療顱內腫瘤或其它損傷等通常需要相對較長的治療周期，例如幾天到幾周，因此，期望盡可能的使患者感到舒適。帽子500特別設計以在長時間的治療過程中提供舒適性，同時不會妨害治療效果。根據一個示例性實施方案，帽子500包括預定數量的絕緣電極230，優(yōu)選地，絕緣電極230的位置使得可在腫瘤510處產生最優(yōu)TC場。TC場的場力線通常用520指示。如可從圖14看出，腫瘤510位于這些場力線520內。如下文中將更詳細的描述，絕緣電極230放置在帽子500內，使其一部分或表面能夠自由接觸頭部502的皮膚表面504。換言之，當患者戴上帽子500時，絕緣電極230被放置于與頭部502的皮膚表面504接觸的位置，選擇該位置使得由此產生的TC場聚焦在腫瘤510處，同時使周圍區(qū)域保持較低密度。一般地，剃掉頭部502選擇區(qū)域的頭發(fā)，以使絕緣電極230和皮膚表面504之間的接觸更好；然而，這不是關鍵性的。優(yōu)選地，帽子500包括向絕緣電極230施加力使得絕緣電極向皮膚表面502壓緊的裝置530。例如，裝置530可以是偏置類型的，其向絕緣電極230施加偏置力以使絕緣電極230從帽子500朝向外。由此，當患者將帽子500戴到他/她的頭部502時，通過裝置530使絕緣電極230向皮膚表面504壓緊。裝置530可輕微回縮以提供在絕緣電極230和頭部502之間的舒適配合。在一個示例性實施方案中，裝置530為設置在帽子500內的基于彈簧的裝置，并且有一部分連接到絕緣電極230且對絕緣電極230施加力。如同之前的實施方案的情況一樣，絕緣電極230通過導體220連接到發(fā)生器210。發(fā)生器210可以設置在帽子500本身內，以便提供緊湊的、自給自足的、獨立的系統(tǒng)，或者發(fā)生器210可置于帽子500外部，用導體220通過開口等穿出帽子500，然后連接到發(fā)生器210。當發(fā)生器210放置到帽子500的外部時，應理解的是，發(fā)生器210可以位于許多不同的位置，其中一些位置可以在帽子500本身附近，而其它一些位置可以遠離帽子500。例如，發(fā)生器210可以被置于手提袋等內(例如，繞患者腰部延伸的袋子)，手提袋由患者穿戴，或者可以用帶子捆在末端或環(huán)繞患者軀干。發(fā)生器210還可以被置于保護盒內，保護盒固定到患者穿戴的另一件衣物上或者通過另一件衣物攜帶。例如，可將保護盒插入至運動衫等的衣袋內。圖14示出了發(fā)生器210直接結合到帽子500的實施方案?，F在參見圖15和16，在一個示例性實施方案中，優(yōu)選地，將許多絕緣電極230與裝置530共同形成獨立裝置，通常用540指示該裝置，可將該裝置插入帽子500并經由導體(未示出)與發(fā)生器(未示出)電連接。通過提供獨立裝置形式的這些元件，當需要進行清洗、維修和/或替換時，患者可以輕松地從帽子500插入和/或拔下裝置540。在這個實施方案中，將帽子500構造為包括選擇區(qū)域550，選擇區(qū)域形成于帽子500中，用于接受和保持裝置540。例如，如圖15所示，每個區(qū)域550是在帽子500內形成的開口(小孔)的形式。裝置540有主體542，并包括機構530和一個或多個絕緣電極230。機構530設置在裝置540之內，使其一部分(例如，一個末端)與各絕緣電極230的表面接觸，這樣機構530向絕緣電極230面施加偏置力。一旦在開口550中放入了裝置540，就可以用許多常規(guī)技術將其牢固地保持在其中，包括使用粘附材料或通過利用機械方法。例如，帽子500可以包括樞軸夾持(pivotableclip)部件，該部件在打開位置和閉合位置之間轉動，在打開位置開口550是自由的，在閉合位置，樞軸夾持部件嚙合部分絕緣電極(例如，外圍邊緣)，以將絕緣電極230保持和固定到位。為了取下絕緣電極230，將樞軸夾持部件移到打開位置。在圖16所示的實施方案中，通過粘附元件560將絕緣電極230保持在開口550內，在一個實施方案中，粘附元件560為圍繞絕緣電極230的外圍延伸的雙面自粘邊緣構件。換言之，揭下粘附邊緣560—側的保護覆層，并將粘附邊緣560粘在絕緣電極230暴露面的外圍周圍，由此將粘附邊緣560牢固地附著到帽子500，然后，揭下粘附邊緣560的另一側，以粘著期望位置的皮膚表面504，用于定位并固定絕緣電極230于頭部502，使腫瘤相對于絕緣電極230的位置為最優(yōu)的TC場。由于粘附邊緣560的一側與皮膚表面接觸并固定在皮膚表面上，這就是為什么希望剃掉頭部502頭發(fā)的原因，這樣，可將粘附邊緣560直接緊靠皮膚表面540放置。粘附邊緣560設計為，需要時可容易地將裝置540從帽子500中取出來，然后用另一個裝置540或同一裝置540代替的方式將裝置540牢固地連接在開口550內。如前所述，裝置540包括偏置機構530，穿戴上帽子500時，偏置機構將絕緣電極230壓著緊靠皮膚表面504?？蓪⒀b置540構造為使得與絕緣電極230相對的一側是支撐面，由如塑料的剛性材料形成，這樣，在施加力時可用支撐面壓縮偏置機構530(例如，彈簧)，并且當彈簧530為松弛狀態(tài)時，彈簧530保持與支撐面接觸并且在其另一端相對絕緣電極230施加偏置力。偏置機構530(例如，彈簧)優(yōu)選地具有對應于皮膚表面504的外形，使得絕緣電極230有一個作用于其上的力，以使絕緣電極230具有和皮膚表面504互補的外形，由此使二者相互直接彼此靠緊放置。雖然機構530可以是一個彈簧，然而有許多其它的實施例可用于替代彈簧。例如，機構530可以為彈性材料的形式，如泡沫橡膠、泡沫塑料或包含氣泡的層。裝置540有一個電連接器570，可將電連接器570鉤住到放置在帽子500內的相應的電連接器，如導體220。導體220的一端連接到裝置540，另一端連接到發(fā)生器210。發(fā)生器210可以直接結合到帽子500內，或者發(fā)生器210可以被單獨(遠程)放在患者身上或床邊支架等上面。如之前所討論的，優(yōu)選地，使用諸如導電凝膠的耦合劑以確保在絕緣電極230和皮膚表面504之間提供有效的導電環(huán)境。在前面實施方案的討論中已經公開了合適的凝膠材料。耦合劑放置在絕緣電極230之上，優(yōu)選地，沿電極230的表面提供均勻的耦合劑層。需要周期性更換裝置540的一個原因是需要替換和/或補充耦合劑。換言之，在經過一段預定時間之后或在使用一定次數之后，患者取下裝置540，從而可以再次對電極230應用耦合劑。圖17和18示出了具有作為其一部分結合到其中的絕緣電極230的另一種衣物。更具體地，示出了胸罩等700，胸罩700包括由常規(guī)胸罩材料加工成形的主體，通常用705指示，用于為穿戴者提供外形、支撐和舒適感。胸罩700在其一側還包括織物支撐層710。優(yōu)選地，支撐層710由構造用于為胸罩700提供必要和期望的支撐的適當的織物材料形成。類似于其它的實施方案，胸罩700包括放置在胸罩材料705內的一個或多個絕緣電極230。該一個或多個絕緣電極沿與支撐710相反的胸罩700內表面放置，意在被放置于最接近位于一個乳房或緊鄰周圍區(qū)域內的腫瘤等。如同前述實施方案的情況一樣，這個實施方案中的絕緣電極是特別構造和配置用于作用于乳房或緊鄰區(qū)域的。由此，這個應用中所使用的絕緣電極230沒有平面表面結構，而是有一個與一般乳房的常見曲率互補的弓形外形。內襯720置于絕緣電極230上，以助于沿內表面將絕緣電極保持在它們期望的位置，用于緊靠乳房自身放置?？梢允褂迷S多適于緊貼皮膚穿戴的薄的材料形成內襯720，一個示例性實施方案中，內襯720由織物材料形成。優(yōu)選地，胸罩700還包括如一些前述實施方案中的偏置機構800。偏置機構800放置在胸罩材料705內，從支撐710延伸到絕緣電極230，向絕緣電極230施加偏置力使電極230壓向乳房。這確保絕緣電極230與皮膚表面保持接觸，防止從皮膚表面抬起從而形成間隙致使治療效果較差，這是因為間隙減小了TC場的有效性。偏置機構800可以是彈簧裝置的形式，或者可以是向絕緣電極230施加期望的偏置力以便將絕緣電極230壓向乳房的彈性材料。在松弛位置，偏置機構800對絕緣電極230施加力，當患者將胸罩700穿在身體上時，絕緣電極230靠著乳房放置，乳房本身施加與該偏置力相反的力，由此使得絕緣電極230被壓向患者的乳房。在所示的示例性實施方案中，偏置機構800為置于胸罩材料705內的彈簧的形式?？梢栽陔姌O和內襯720之間在絕緣電極230上提供導電凝膠810。導電凝膠層810由用于執(zhí)行上述功能的上述材料形成。作為絕緣電極230—部分提供的電連接器820電連接到導體220的一端，導體220的另一端電連接到發(fā)生器210。在這個實施方案中，導體220在胸罩材料705內延伸到在胸罩700中形成開口的位置。導體220延伸通過該開口并連接到發(fā)生器210，在這個實施方案中，發(fā)生器210置于遠離胸罩700的位置。還應該理解的是，另一個實施方案中，發(fā)生器210可置于胸罩700本身之內。例如，胸罩700可在其內形成隔間，隔間用于在患者戴上胸罩700時容納發(fā)生器210并將其保持到位。在這個方案中，可用可打開和關閉的可釋放的帶子覆蓋隔間，以插入發(fā)生器210或將其取出?？梢允褂门c構成胸罩700相同的材料形成帶子，或者用一些其它類型的材料形成?？梢酝ㄟ^諸如鉤子和環(huán)的固定方法將帶子可釋放地附連到周圍的胸罩體中，從而使患者通過打開鉤子和環(huán)元件輕松打開隔間，以接觸隔間來插入或者取出發(fā)生器210。發(fā)生器210還具有用于電連接到導體220的連接器211，這使得可將發(fā)生器210電連接到絕緣電極230。如同其它的實施方案一樣，將絕緣電極230放置在胸罩700內，以將電場(TC場)聚焦到期望的目標(例如，腫瘤)。應理解的是，絕緣電極230在胸罩700內的位置將根據腫瘤的位置而變化。換言之，在確定了腫瘤的位置之后，醫(yī)生就設計一個絕緣電極230的布置方案，并且根據這一方案構建胸罩700，以使TC場對目標區(qū)域(腫瘤)的效果最佳。因而，絕緣電極230的數量和位置將取決于被治療的腫瘤的精確位置或者被治療的其它目標區(qū)域。因為絕緣電極230在胸罩700上的位置可能根據確切應用變化，所以絕緣電極230的具體大小和形狀同樣可能變化。例如，如果將絕緣電極230放置在胸罩700的底部區(qū)域而不是更中間的位置，則由于乳房(以及胸罩)的外形在這些區(qū)域的不同，絕緣電極230將具有不同的形狀。圖19還示出了另一個實施方案，其中絕緣電極230為內部電極的形式，將內部電極結合到探針或導管600的形式中，被構造用于通過諸如尿道、陰道等自然通道進入身體。在這個實施方案中，絕緣電極230沿探針600的長度放置在探針600的外表面上。導體220電連接到電極230并在探針600的內部延伸到發(fā)生器210，發(fā)生器210可置于探針內部，或者發(fā)生器210可獨立于探針600位于遠程位置，如在患者身上或靠近患者的某個其它位置?？蛇x擇地，探針600可構造成穿透皮膚表面或其它組織，以到達位于體內的內部目標。例如，探針600可以穿透皮膚表面然后定位于鄰近或接近位于體內的腫瘤。在這些實施方案中，通過自然通道插入探針600，然后被定位于期望的位置，使得絕緣電極230接近目標區(qū)域(S卩，腫瘤)設置。然后，啟動發(fā)生器210以使絕緣電極230產生TC場，按預定時間長度將TC場施加到腫瘤。應該理解，所示意的探針600本質上僅僅為示意性的，探針600可以有其它的形狀和構造，只要探針能夠執(zhí)行預期的功能。優(yōu)選地，從絕緣電極230到發(fā)生器210的導體(例如，金屬絲)引線被扭曲或屏蔽，使得不會沿軸產生場。還應當理解的是，探針可以僅包含一個絕緣電極，而將另一個電極置于身體表面。這個外置電極可以更大或由多個電極組成，以得到較低場線-電流密度，從而不影響非治療區(qū)域。事實上，電極的位置應當設計為使?jié)撛诘拿舾袇^(qū)域處的場最小。任選地，可以通過真空力(例如，吸力)使外部電極緊靠皮膚表面固定。圖20還示出了另一個實施方案，其中高立領構件900(或項鏈型結構)可用于治療甲狀腺、副甲狀腺、喉部病變等。圖20示出處于打開的、基本上平坦狀態(tài)下的領子構件900。在這個實施方案中，將絕緣電極230結合到領子構件900的主體910內，并且構造用于緊靠穿戴者的頸部區(qū)域放置。根據上文描述的任何方式將絕緣電極230連接到發(fā)生器210，并且應理解，可將發(fā)生器210置于主體910內，或者置于主體910外部的位置。領子主體910可以用傳統(tǒng)用于形成圍繞人的頸部放置的領子的許多材料形成。同樣地，領子900優(yōu)選地包括用于調整領子900相對于頸部的裝置。例如，可在領子900的末端設置互補的緊固件(鉤子和環(huán)緊固件、按鈕等)，以調整領子的直徑。由此，本設備的結構特別適合于將設備結合到衣物中的應用，以使患者易于穿戴常規(guī)衣物，同時對患者進行治療。換言之，通過將部分或全部設備組件結合到衣物內，可以為患者提供額外的舒適度并提高治療效果。顯而易見，結合該組件的具體衣物將隨存在腫瘤、病變等的活組織的目標區(qū)域而變化。例如，如果目標區(qū)域位于男性患者的睪丸區(qū)域，那么可以提供類似短襪結構或包裹形式的衣物，該衣物構造成圍繞患者的睪丸區(qū)域穿著，以這種方式使絕緣電極相對于腫瘤放置，使TC場對準靶組織。由于可將設備組件結合到大多數類型的衣物，衣物的確切特性和形式可能變化很大，并因此可以被用于治療的患者身體可能出現癥狀的許多不同區(qū)域?，F在參見圖21-22，其中示出了本設備的另一個方面。圖21中示出了身體1000，諸如人或動物體的許多部分。如同之前的實施方案，如同已經在前述的其它實施方案的描述中詳細描述的情況一樣，將兩個或多個絕緣電極120靠近身體1000放置利用TC場用于治療腫瘤等(未示出)。絕緣電極230有一個導電部件，以及圍繞導電部件的外部絕緣體260。優(yōu)選地，每個絕緣電極230通過引線220連接到發(fā)生器(未示出)。在每個絕緣電極230和身體1000之間放置導電填充材料(例如，導電凝膠構件270)。絕緣電極230相互之間間隔開，在啟動發(fā)生器時，絕緣電極230產生之前已經詳細描述過的TC場。電場(TC場)的場線通常用1010指示。如圖所示，電場線1010在絕緣電極230之間延伸并穿過導電凝膠部件270。隨著時間或者作為某種類型的事件的結果，絕緣電極230的外部絕緣體260可能在任何給定位置開始擊穿。僅僅用于示意，圖22示出了一個絕緣電極230的外部絕緣體260在鄰近導電凝膠270的表面經歷擊穿1020。應當理解的是，外部絕緣體260的擊穿1020導致在這個點(即，在擊穿1020處)形成強電流-電流密度。通過增多的電場線1010和相鄰電場線1010的相對位置和距離描述增大的電流密度。發(fā)生擊穿1020的一個副作用是在該點存在電流，電流會產生熱，并且可能灼傷帶有阻抗的組織/皮膚。在圖22中，示出了過熱的區(qū)域1030，該區(qū)域是由于外部絕緣體260的擊穿1020而使增大的電流密度穿出之處的組織/皮膚部位或區(qū)域。由于在該區(qū)域存在強電流并且區(qū)域1030內存在增大的熱量以及可能的灼傷感覺，使得患者可能感覺此區(qū)域1030不舒適和痛苦。圖23還示出了另一個實施例，其中示出絕緣電極230的另一種的應用。在這個實施方案中，設置在絕緣電極230和身體1000之間的導電凝膠構件270包括導體1100，導體1100浮接在完全包圍導體1100的凝膠材料形成構件270內。在一個示例性實施方案中，導體1100為放置在導體1100內的薄金屬板。如應理解的，如果將諸如板1100的導體垂直于電場線放置在均勻電場中，則導體1100實際上對該場沒有作用(除了導體1100的兩個相對面是等電位的并且相應的等電位稍有偏移)。相反地，如果導體1100與電場平行放置，則電場有顯著的畸變。和不存在導體1100的狀況相比，最為接近導體1100的區(qū)域不是等電位的。當導體1100被放置在凝膠構件270內時，由于上述討論的原因，導體1100通常對電場(TC場)沒有作用，即導體1100垂直于電場線。如果絕緣電極230的外部絕緣體260出現擊穿，如前所述，在擊穿點處有強的電流-電流密度；然而，導體1100的存在使得電流貫穿導體1100擴散，然后從導體1100的整個表面流出，因而，電流以既不高又不低的電流密度到達身體1000。由此，即使是在絕緣電極230的絕緣體260中已經出現了擊穿，到達皮膚的電流也不會使患者不舒適。導體1100沒有接地是非常重要的，因為這將導致其徹底破壞越過導體1100的電場。由此，導體1100在凝膠構件270內是“浮接的”。如果將導體1100引入身體組織1000并且沒有與電場平行放置，則導體1100將引起電場畸變。根據插入物的特定幾何結構及其環(huán)境，該畸變可導致場力線的發(fā)散(低場密度-強度)或電場場線的集中(較高的密度)，因而，導體1100可以表現出例如屏蔽效果。由此，例如，如果導體1100完全圍繞器官1101，由于這種類型的結構是法拉第籠，則器官本身的電場將為零。然而，因為將導體完全圍繞器官放置是不切實際的，可以使用導電網或類似結構完全或部分覆蓋該器官，從而使該器官本身的電場為零或大約為零。例如，可以使用相對彼此排列成網的一些導線做成網，或者，可將一組導線排列成基本上圍繞或相反覆蓋器官1101。相反地，沒有用具有法拉第籠效應的構件覆蓋要治療的器官1103(靶器官)，而是將該器官置于電場(TC場)1010中。圖24示出的實施方案中，導體1100被置于體內(即，皮膚下面)并且其位于目標(例如，靶器官)附近。通過將導體1100放在目標的附近，在該目標處實現高的(TC場的)場密度。同時，通過在附近的器官周圍放置上述保護性導電網等可以保護鄰近的另一個器官，從而使這個器官不受場影響。通過將導體1100放置得非常接近目標，可以在該目標處或其附近提供高場密度條件。換言之，導體1100使TC場聚焦在特定區(qū)域(即，目標)。還將理解的是，在圖24的實施方案中，每個凝膠構件260可以包括如上參考圖23描述的導體。在這樣的方案中，如果發(fā)生絕緣電極230的絕緣擊穿，凝膠構件260中的導體保護皮膚表面(組織)免受可能出現的任何副作用。同時，導體1100在目標附近產生高場密度。通過以不同形式構造電極和/或通過將電極相互之間放在關鍵之處，有許多不同的方式可設計電場的場密度。例如，在圖25中，提供第一絕緣電極1200和第二絕緣電極1210并將它們放在身體1300周圍。優(yōu)選地，每個絕緣電極包括被絕緣材料環(huán)繞的導體，由此稱之為“絕緣電極”。在每個第一和第二電極1200、1210與身體1300之間提供導電凝膠構件270。對于這種類型的排列，通常用1220指示電場線。在這個實施方案中，第一絕緣電極1200的尺寸比第二絕緣電極1210的尺寸顯著大(第二絕緣電極1210的導電凝膠構件同樣較小)。通過改變絕緣電極的尺寸，可以改變電場線1220的分布。具體而言，由于第二絕緣電極1210的尺寸較小，電場內朝向第二絕緣電極1210逐漸變窄。在與第二絕緣電極1210相關的凝膠構件270和皮膚表面之間的界面附近形成高場密度區(qū)域，通常用1230指示。操縱系統(tǒng)的各個組件使得皮膚內或皮膚上的腫瘤處于這個高場密度內，從而要治療的區(qū)域(目標)暴露于較高場密度的電場線中。圖26還示出在每個導電凝膠構件270內設置導體1400(例如導電板)時的逐漸變窄的TC場。在這個實施方案中，盡管絕緣電極1200、1210的大小不同，凝膠構件270的大小和導體1400的大小相同或差不多相同。由于各導體1400被形成凝膠構件270的材料所圍繞，因此導體1400同樣可具有“浮接板”的特征。如圖26所示，一個導體1400放置在絕緣電極1210附近，絕緣電極1210小于另一個絕緣電極1200，并且也小于導體1400本身，而另一個絕緣電極1200與之間隔一段距離放置，一個導體1400使得設置在導體1400和絕緣電極1200之間的組織內的場密度降低。場密度的降低通常用1410指示。同時，在導體1400和絕緣電極1210之間形成非常不均勻的變窄的場(通常用1420指示)，該場從非常低的密度向非常高的密度變化。這個示例性配置的一個益處是，其允許減小絕緣電極的尺寸而不會導致附近的場密度增大。由于具有非常高的介電常數的電極可能非常昂貴，所以這可能很重要。例如，某些絕緣電極可能價值$500.00或更多；此外，價格易受具體治療區(qū)域的影響。由此，減小絕緣電極的尺寸直接降低了成本。這里所用的術語“腫瘤”，是指包括不受控制地生長的轉化細胞的惡性組織。腫瘤包括白血病、淋巴瘤、骨髓瘤、漿細胞瘤等；以及實體瘤?？梢愿鶕景l(fā)明治療的實體瘤的例子包括肉瘤和癌，例如但不限于纖維肉瘤、黏液肉瘤、脂肪肉瘤、軟骨肉瘤、骨源性肉瘤、脊索瘤、血管肉瘤、內皮肉瘤、淋巴管肉瘤、淋巴管內皮細胞肉瘤、滑膜瘤、間皮瘤、尤文(Ewing)腫瘤、平滑肌肉瘤、橫紋肌肉瘤、結腸癌、胰腺癌、乳腺癌、卵巢癌、前列腺癌、鱗狀細胞癌、基底細胞癌、腺癌、汗腺癌、皮脂腺癌、乳頭狀癌、乳頭腺癌、囊腺癌、髓樣癌、支氣管癌、腎細胞癌、肝癌、膽管癌、絨毛膜癌、精原細胞瘤、胚胎癌、威爾姆氏(Wilms)腫瘤、宮頸癌、睪丸腫瘤、肺癌、小細胞肺癌、膀胱癌、上皮癌、神經膠質瘤、星細胞瘤、成神經管細胞瘤、顱咽管瘤、室管膜瘤、松果體瘤、成血管細胞瘤、聽神經瘤、少突神經膠質瘤、脊膜瘤、黑素瘤、成神經細胞瘤、以及成視網膜細胞瘤。因為這些腫瘤各個都會經歷快速增長，所以可以使用本發(fā)明治療它們中的任何一個。本發(fā)明對治療難于通過外科和輻射來治療，并且化學療法和基因療法通常難以接近的腦腫瘤特別有優(yōu)勢。此外，由于本發(fā)明易于提供局部治療，所以本發(fā)明適用于治療皮膚和乳腺腫瘤。此外，本發(fā)明可以通過向非正常增長的組織施加根據本發(fā)明的電場來控制與非惡性或早期惡性癥狀和涉及非正常細胞或組織增長的其他機能失調。例如，可考慮將本發(fā)明用于治療動靜脈(AV)畸形，特別是顱內位置。本發(fā)明還可以用于治療牛皮癬，一種以發(fā)炎和血管增生為特征的皮膚病癥；以及與發(fā)炎和可能的血管增生有關的良性前列腺增生病癥。其它過度增生紊亂的治療也在預期之內。此外，通過施加根據本發(fā)明的電場，可以抑制與傷口愈合有關的不期望出現的成纖維細胞和內皮細胞增生，這在外科手術和損傷后會引起疤痕和瘢痕疙瘩，還可抑制血管成形術或冠狀動脈支架放置之后的再狹窄。本發(fā)明的非入侵特性使其特別適用于這些類型的癥狀，特別是用于預防內部創(chuàng)傷和粘連，或者用于抑制冠狀、頸動脈、和其它重要動脈的再狹窄。除了治療已經檢測到的腫瘤之外，上述的實施方案還可先用于預防性地防止腫瘤達到可檢測到的大小。例如，上面結合圖17和18描述的胸罩的實施方案可以由一名婦女每天8個小時穿戴一周，幾個月重復一次一周時間的療程以殺滅已經癌變并開始增生的任何細胞。這種使用模式特別適合于對特定類型的癌癥有高風險的人群(例如，在她們的家族中有嚴重乳腺癌史的婦女，或者經歷過一次癌癥并處于復發(fā)風險下的人)?？梢曰谀繕税┌Y的類型和/或為滿足患者方便來設計預防性治療的過程。例如，一周治療期間治療4次16小時對某些患者來說可能比7次8小時更為方便，而且可以有相同的療效。實例2還對法氏短膜蟲(Crithidiafusciculata)進行了實驗。法氏短膜蟲是一種非病原性的昆蟲腸內寄生物，通常用作其它諸如利什曼蟲(Leishmania)的病原性錐蟲的模式生物。法氏短膜蟲世代時間相對較短(2小時)，易于在已確定的培養(yǎng)基中生長。圖32A示出實驗中使用的電極1610的結構。每個電極長15mm，高5mm。電極包括電導體1611，電導體1611的外表面用一層鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(PMN-PT)陶瓷絕緣層1612進行涂敷，這種材料具有高介電常數(ε>5000)，因而其電容值為約lOnF。用5mm的353ND醫(yī)用級別的環(huán)氧樹脂(EpoxyTechnology,Billerica,MA,USA)層1614絕緣導體1611的后部，并將導線1613連接到導體1611。當然，根據想要的應用可以適當改變電極的尺寸。圖32B示出包括成對排列的四個電極1610的測試腔，電極位于50mm的培養(yǎng)皿1626內。用聚碳酸酯固定器1624將電極固定到位。通過以交替順序在一對相對電極之間施加AC電壓、然后在另一對相對電極之間施加AC電壓而在測試腔內產生電場，在培養(yǎng)基中產生的電場方向彼此成90°。電極間的距離為23mm。在培養(yǎng)皿中，電極與培養(yǎng)基通過電極1610面上的陶瓷絕緣層1614完全絕緣，這樣，電場通過層1614電容性地耦合到目標區(qū)域。圖32C示出用于在測試腔1620內感應場的設備。將正弦波發(fā)生器1632(Model662，OR-X,Israel)的輸出傳送給RF放大器1634(75A250,ARworldwide,Souderton,PA,USA)，將RF放大器1634的輸出傳送給場方向切換繼電器1636，切換繼電器1636將放大的正弦波加在上電極和下電極之間，或者加在右電極和左電極之間。切換繼電器用于在兩個狀態(tài)之間周期性地前后切換，從而以期望的間隔切換電場方向。使用絕緣的T型熱電偶(Omega，Stamford,CT)連續(xù)測量溫度，熱電偶的尖端位于腔1620的中央。熱電偶連接到TC-08熱電偶數據記錄器(PicoTechnologies，UK)，熱電偶數據記錄器的輸出連接到計算機1630。由于電場與熱的產生相關，通過在功率放大器輸出處用計算機對波形幅度進行反饋控制將腔內的溫度保持在期望的值。使用屏蔽的同軸探針測量培養(yǎng)基中的電場強度，同軸探針具有兩個相距Icm固定的暴露的尖端。通過同軸線纜將探針連接到190B浮點(floating)示波表(Fluke，TheNetherlands)0每次處理后，通過將探針浸入培養(yǎng)基測量場強，這樣，兩個測量點與電場線平行。用每厘米距離峰與峰之間的電壓(V/cm)表示場強。對于上述實驗，在包含0.0025%(w/v)氯化血紅素(Hemin,Sigma)和0.8%(ν/ν)青霉素-鏈霉素(03-031-1,Biologicalindustries,BeitHaemek,Israel)的BHI培養(yǎng)基中培養(yǎng)法氏短膜蟲寄生物。新鮮寄生物的肉湯培養(yǎng)基置于軌道搖瓶(200RPM)內3ml液體培養(yǎng)基在28°C下培養(yǎng)15小時，然后在新鮮BHI肉湯培養(yǎng)基中稀釋到預定的595nm吸光度(BiowaveCellDensityMeter，WPA，UK)，這樣得到期望的CFU/毫升。通過向軟瓊脂平板上的寄生物施加不同頻率的電場進行頻率相關性實驗。在新鮮的BHI培養(yǎng)液中將過夜的寄生物培養(yǎng)物稀釋到細胞計數相當于IXIO8個菌落形成單位(CFU)/ml的0D。在包含0.34%瓊脂(Difco)的BHI中將培養(yǎng)物進一步稀釋到最終的濃度1XIO7CFU,瓊脂在加入寄生物之前先融化并保持在42°C的溫水浴中。加入生長指示劑阿爾瑪藍(AlamarBlue,AbDSerotec,Oxford,UK)至終濃度為10%。攪動培養(yǎng)物，然后將7ml培養(yǎng)物立即注入包括電場腔的培養(yǎng)皿中(參看圖32B)。瓊脂凝固后，將Iml包括10%Alamarblue的未感染BHI放在瓊脂上面。將培養(yǎng)皿放在預冷設置到10°C的培養(yǎng)器(F0C2251，VelpScientifica)中。在所測試的每個頻率，施加電場6個小時，用以上與圖32A-C相關的描述設置每300ms改變一次電場方向。測試過程中，場強在2到lOV/cm之間變化，以保持期望的溫度。對照組中，培養(yǎng)皿放在沒有施加任何電場的類似腔中，腔位于預熱的溫控培養(yǎng)器內，設置用于保持與處理組相同的溫度。在實驗的前15分鐘內，處理組和對照組中的腔溫度都達到28.0士0.2°C。處理結束時，將培養(yǎng)皿置入酶標儀(Infinite200,Tecan,Austria)中，在550和595nm確定電極之間的瓊脂的0D。使用下式計算細胞增長量(處理孔的OD595nm-處理孔的OD55tlJ-(處理前孔的OD595nm-處理前孔的OD55tlJ。通過用實驗孔的Alamarblue結果除以對照組的Alamarblue結果來計算每個孔的增長百分比。在IOOkHz和20MHz之間測試對法氏短膜蟲增長的場作用的頻率相關性。由于實驗限制，未測試更高的場頻率。在圖33中以％示出了基于Alamarblue法的結果。這些結果顯示最大效力出現在IOMHz。通過向液體肉湯培養(yǎng)基中的寄生物施加不同頻率的電場進行強度相關性實驗。在新鮮的BHI培養(yǎng)液中將過夜的寄生物培養(yǎng)物稀釋到細胞計數相當于IXlO7個菌落形成單位(CFU)/ml的0D。加入生長指示劑AlamarBlue(AbDSerotec,Oxford,UK)至終濃度為10%。將7.5ml稀釋的培養(yǎng)物注入包括場腔(參看圖32B)的培養(yǎng)皿，并放入預冷設置到10°C的培養(yǎng)器(F0C2251,VelpScientifica)中。將來自實驗皿和對照皿的兩等份250μ1試樣分到96微孔盤中(NuncIonΔ,Nunc,Denmark)，用酶標儀(Infinite200，Tecan,Austria)通過分光光譜測定法在550，595nm測定0D。在每個測試的強度，施加電場17小時，用以上與圖32A-C相關的描述設置每300ms改變一次電場方向。由于較高的場強向樣品增加更多熱能，所以改變環(huán)境溫度以使樣品溫度保持在期望的水平。對照組中，培養(yǎng)皿放在沒有施加任何電場的類似腔中，腔位于預熱的溫控培養(yǎng)器內，設置用于保持與處理組相同的溫度。在實驗的前5分鐘內，處理組和對照組中的腔溫度都達到28.0士0.2°C。處理結束時，用細胞刮器刮皿底并用上下吸排攪動培養(yǎng)物幾次。將四等分250μ1試樣分到96微孔盤中(Nunc)，用酶標儀通過分光光譜測定法在750nm測定0D。用受感染皿的光密度(OD)減去由未感染的BHI組成的空白皿的0D。通過用孔的OD除以對照孔的OD來計算每個孔的增長百分比(處理孔OD75tlnm/對照孔OD75tlJX100。對于Alamarblue法，用如上方法計算增長百分比。圖34示出了基于Alamarblue法的結果，以百分比(％)表示。這些結果顯示增長抑制與場強相關，對于IOMHz場，在強度約2V/cm時達到正好大于50%抑制的穩(wěn)定狀態(tài)。施加0.IMHz的場可獲得類似抑制，但是需要的場強要大得多(9-lOV/cm)。注意，圖34中最左側數據點偏離整單位是由于施加了很小的場(0.01V)而不是零電場這一事實。對于體內應用，可以單獨施加電場，或者結合抗寄生物治療藥劑施加電場。將電場實際用于抑制人類、動物或體外的寄生物可用各種方法實現，這些方法包括但不限于(a)通過將電極置于期望區(qū)域(例如，由利什曼病引起的創(chuàng)傷周圍)，向確定的局部區(qū)域施加電場；(b)通過將電極局部圍繞器官放置，向器官施加電場(例如，通過將電極放在腹部和背部皮膚上治療腸內寄生物)；(c)通過將電極植入體內施加電場；(d)透析時向體外的血液寄生物施加電場；(e)在寄生物生長/繁殖處施加電場；以及(f)向包括靶生物的水庫施加電場。其它可能的應用包括，向食物或水施加電場，以防止寄生物生長，例如，通過將電極放在水庫或容器內部，并向水施加電場。根據目標區(qū)域在身體內的位置，可將電極放在患者身體上或者植入患者體內。注意，已發(fā)現對寄生物有效的兆赫茲范圍的頻率對真核細胞基本上沒有影響，因而特異性極好，不利的副作用并不是主要關心的。任選地，如與以上所討論的其他實施方案相聯系，可向目標區(qū)域同時或順序地施加不同頻率，以靶向可能存在的一種或多種類型的寄生物。如與以上描述的圖27A-C和圖28相聯系，也可在兩個或多個不同方向上施加電場。還可在體外使用在此描述的方法，例如，用于殺滅食品、培養(yǎng)基、細胞培養(yǎng)物等中的寄生物。由此，本發(fā)明提供了一種有效、簡單的方法，這種方法通過在既包括分裂期細胞或有機體又包括非分裂期細胞或有機體的活組織上使用該方法，選擇性地破壞或抑制分裂期細胞，例如腫瘤細胞、細菌或寄生生物的生長，而非分裂期的細胞或有機體基本不受影響。雖然參考優(yōu)選實施方案具體示出并描述了本發(fā)明，本領域的技術人員應理解的是，可以在形式和細節(jié)上作各種各樣的改變而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。權利要求一種選擇性破壞或抑制位于患者的目標區(qū)域內的寄生物生長的方法，其包括如下步驟向所述患者給藥靶向所述寄生物的治療藥劑，使得治療有效劑量到達所述目標區(qū)域；在所述目標區(qū)域內存在所述治療有效劑量時，將AC電場電容性地耦合到所述患者的目標區(qū)域內，其中所述電場具有對應于所述寄生物的易損性的頻率特性，所述電場足夠強以損害或破壞絕大部分所述寄生物，并且其中所述電場基本上不損害位于所述目標區(qū)域內的非分裂期細胞；以及重復所述耦合步驟，直到絕大部分所述寄生物治療性地死亡。2.根據權利要求1的方法，其中所述電場的頻率為約10MHz，并且所述電場的強度在所述目標區(qū)域的至少一部分內在0.5V/cm和10V/cm之間。3.根據權利要求2的方法，其中所述電場的強度為約2V/cm。4.根據權利要求1的方法，其中所述電場在第一時間段內具有第一方向且在第二時間段內具有第二方向，其中所述第一時間段和第二時間段的至少一部分是相互排斥的。5.根據權利要求4的方法，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。6.根據權利要求5的方法，其中所述第一時間段為約300毫秒，所述第二時間段為約300毫秒。7.一種選擇性破壞或抑制位于目標區(qū)域內寄生物生長的方法，其包括如下步驟將AC電場電容性地耦合到所述目標區(qū)域內，其中所述電場的頻率為約10MHz，其中所述電場的強度在所述目標區(qū)域的至少一部分內為0.5V/cm和lOV/cm之間，其中所述電場具有對應于所述寄生物的易損性的頻率特性，所述電場足夠強以損害或破壞絕大部分所述寄生物，并且其中所述電場基本上不傷害位于所述目標區(qū)域內的非分裂期細胞；以及重復所述耦合步驟，直到絕大部分所述寄生物治療性地死亡。8.根據權利要求7的方法，其中所述電場的強度為約2V/cm。9.根據權利要求7的方法，其中所述電場在第一時間段內具有第一方向且在第二時間段內具有第二方向，其中所述第一時間段和第二時間段的至少一部分是相互排斥的。10.根據權利要求9的方法，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。11.根據權利要求10的方法，其中所述第一時間段為約300毫秒，所述第二時間段為約300毫秒。12.根據權利要求7的方法，其還包括如下步驟向所述目標區(qū)域給藥治療藥劑，使得在進行所述耦合步驟時所述目標區(qū)域內存在具有治療有效劑量的所述藥劑。13.一種用于選擇性破壞或抑制位于患者的目標區(qū)域內的寄生物生長的裝置，所述裝置包括第一對絕緣電極，其中每個所述電極具有構造為便于將電場電容性耦合到所述患者身體的表面；以及與所述電極可操作地連接的AC電壓源；其中所述AC電壓源和所述電極配置為使得當將所述電極靠著所述患者身體放置且所述AC電壓源啟動時，通過所述電極將AC電場電容性地耦合到所述患者的目標區(qū)域；其中所述電場的頻率為約10MHz，其中所述電場的強度在所述目標區(qū)域的至少一部分內在0.5V/cm和lOV/cm之間，其中所施加電場具有對應于所述寄生物的易損性的頻率特性，所述電場足夠強以損害或破壞絕大部分所述寄生物，并且其中所述電場基本上不傷害位于所述目標區(qū)域內的非分裂期細胞。14.根據權利要求13的裝置，其中所述電場的強度為約2V/cm。15.根據權利要求13的裝置，其中所述各電極的表面通過具有非常高介電常數的介電涂層與所述AC電壓源相絕緣。16.根據權利要求13的裝置，其還包括第二對絕緣電極，每個所述電極具有構造為便于將電場電容性耦合到所述患者身體的表面；以及切換裝置，其交替地將所述AC電壓源的輸出施加到(a)所述第一對電極或者(b)所述第二對電極。17.根據權利要求16的裝置，其中所述第一對電極相對于所述第二對電極取向使得將AC電壓施加到所述第一對電極時耦合到所述患者的場大體上垂直于將AC電壓施加到所述第二對電極時耦合到所述患者的場。18.根據權利要求16的裝置，其中所述各電極的表面通過具有非常高介電常數的介電涂層與AC電壓源相絕緣。全文摘要處于分裂過程中的細胞易受具有特定頻率和場強特性的AC電場破壞。因此可以通過在目標區(qū)域內施加AC電場一段時間實現選擇性破壞快速分裂的細胞。當施加該場時一些分裂的細胞將被破壞，但沒有分裂的細胞將不會受到傷害。這就選擇性損害或破壞了例如寄生物的快速分裂的細胞，但不傷害沒有分裂的正常細胞。文檔編號A61N1/40GK101820947SQ200880111479公開日2010年9月1日申請日期2008年8月13日優(yōu)先權日2007年8月14日發(fā)明者M·吉拉第,Y·帕爾蒂申請人:諾沃庫勒有限公司