專利名稱：粒子線治療裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過將粒子線束向被檢體照射而進(jìn)行治療的粒子線治療裝置，特別是涉及在治療中能夠監(jiān)視粒子線束的照射區(qū)域的粒子線治療裝置。
背景技術(shù)：
在癌癥治療等中，有時(shí)對(duì)被檢體的病變部照射放射線。在這種放射線治療中，正在開發(fā)使用粒子線束的粒子線治療裝置(例如參照非專利文獻(xiàn)1)。對(duì)這種粒子線治療裝置進(jìn)行說明?，F(xiàn)有的粒子線治療裝置51如圖15所示，具有載置被檢體M的臺(tái)板52、照射粒子線束的粒子線源53、檢測(cè)從被檢體M的體內(nèi)發(fā)出的湮滅 (消減)Y射線對(duì)的第一檢測(cè)器環(huán)M、及第二檢測(cè)器環(huán)陽。粒子線源53配置于被兩檢測(cè)器環(huán)M、55夾持的位置。而且，粒子線源53可以以被檢體M的體軸為中心繞被檢體M—周。 即，設(shè)于兩檢測(cè)器環(huán)54、55之間的間隙成為粒子線束的通路。對(duì)兩檢測(cè)器環(huán)M、55的構(gòu)成進(jìn)行說明。第一檢測(cè)器環(huán)M環(huán)狀地排列塊狀的放射線檢測(cè)器61而構(gòu)成。該放射線檢測(cè)器61如圖16所示，具備將放射線變化成熒光的閃爍體 62、和檢測(cè)熒光的光電子增倍管(以下稱為光檢測(cè)器)63。閃爍體(〉> 一夕)62為三維排列長(zhǎng)方體狀的閃爍晶體C而成的結(jié)構(gòu)，光檢測(cè)器63能夠特定熒光從哪一閃爍晶體C發(fā)出。即，放射線檢測(cè)器61能夠特定放射線從哪一閃爍體62入射。另外，為便于說明，將閃爍體62所具有的面中距光檢測(cè)器63最遠(yuǎn)的面稱為入射面62a。接下來，表示現(xiàn)有的粒子線治療裝置51的剖面圖。如圖17所示，現(xiàn)有的粒子線治療裝置51的兩檢測(cè)器環(huán)M、55為將放射線檢測(cè)器61單純排列而成的構(gòu)成。S卩，為閃爍體 62朝向兩檢測(cè)器環(huán)M、55的內(nèi)側(cè)的構(gòu)成。具體而言，閃爍體62成為朝向被檢體M的體軸方向A的同一位置的構(gòu)成。在使用粒子線治療裝置51進(jìn)行放射線治療時(shí)，從粒子線源53對(duì)載置于臺(tái)板52的被檢體M照射粒子線束。粒子線源53 —邊照射粒子線束一邊繞被檢體M的體軸一周，且一邊變更照射角度一邊對(duì)被檢體M持續(xù)照射粒子線束。粒子線在被檢體M的體內(nèi)失去能量。 此時(shí)，位于粒子線失去能量的地點(diǎn)的原子核被變換成引起β +衰變的核種。該原子核引起 β +衰變，放出陽電子。所生成的陽電子與其附近存在的電子碰撞(當(dāng)6 )、湮滅。此時(shí)， 產(chǎn)生彼此向180°相反方向前進(jìn)的一對(duì)湮滅Y射線對(duì)。該湮滅Y射線對(duì)貫通被檢體M由兩檢測(cè)器環(huán)M、55檢測(cè)?，F(xiàn)有的粒子線治療裝置51通過對(duì)產(chǎn)生了該湮滅γ射線對(duì)的部位進(jìn)行特定，而推測(cè)粒子線束失去能量的地點(diǎn)。在粒子線束失去的地點(diǎn)，其附近的細(xì)胞被破壞。這樣，得知粒子線束是否正確地捕獲了被檢體M的病變部。湮滅γ射線對(duì)為來源于粒子線束的放射線之一例。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)生了湮滅Y射線對(duì)的場(chǎng)所進(jìn)行特定的目的，必須要檢測(cè)湮滅Y射線對(duì)兩方。通過求出將檢測(cè)到湮滅Y射線對(duì)的兩個(gè)地點(diǎn)連結(jié)的線(激光反射以下適宜稱為L(zhǎng)0R)，而特定湮滅γ射線對(duì)的產(chǎn)生地點(diǎn)。非專禾Ij文獻(xiàn)1 “ 7 -I1 ·卜D 7° A 4 — 二工一夕D 了 ·寸4工> 7 ·〉>水。夕々
3工一卜'，，(核科學(xué)討論會(huì)會(huì)議記錄)(Nuclear Science Symposium
Conference Record)(美國(guó))，2007 年 11 月，第 5 號(hào)，p3688_3690但是，根據(jù)現(xiàn)有的構(gòu)成，存在以下的問題點(diǎn)。S卩，根據(jù)現(xiàn)有的構(gòu)成，由于必須設(shè)置使粒子線源53通過的通路，所以存在湮滅Y 射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度不充分的問題點(diǎn)。即，存在必須將被檢體M的病變部的體軸方向A的位置和粒子線源53總是設(shè)為同一位置的制約，所以犧牲了湮滅γ射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度。具體而言，檢測(cè)器環(huán)所具有的湮滅Y射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度主要依賴于湮滅Y射線對(duì)向檢測(cè)器環(huán)入射的方向。假如對(duì)于被檢體M的體軸方向A第一檢測(cè)器環(huán)M和湮滅Y射線對(duì)所產(chǎn)生的湮滅點(diǎn)的位置相同，則湮滅、射線對(duì)關(guān)于體軸方向A以大致直角的角度進(jìn)入第一檢測(cè)器環(huán)M。 于是，如圖18(a)所示，構(gòu)成湮滅Y射線對(duì)的對(duì)的一 Y射線內(nèi)的一方從閃爍體62的入射面6 入射，朝向光檢測(cè)器63。于是，由于使壁厚的閃爍體62通過直至γ射線朝向光檢測(cè)器63，因此，γ射線被可靠地變換成熒光，Y射線的檢測(cè)靈敏度變高。另一方面，粒子線治療裝置51所具有的兩檢測(cè)器環(huán)M、55避開粒子線源53通過的通路設(shè)置。被檢體M的病變部的體軸方向A的位置和粒子線源53必須與粒子線源53的旋轉(zhuǎn)無關(guān)地總是處于同一位置，因此，被檢體M的體軸方向A的粒子線束失去能量的地點(diǎn)和兩檢測(cè)器環(huán)M、55的位置彼此不同。S卩，湮滅Y射線對(duì)在體軸方向A從傾斜方向進(jìn)入第一檢測(cè)器環(huán)M。于是，如圖18(b)所示，γ射線不限于從閃爍體62的入射面6 朝向光檢測(cè)器63，呈現(xiàn)出朝向閃爍體62的側(cè)面。于是，發(fā)現(xiàn)在構(gòu)成湮滅、射線對(duì)的、射線中迂回過閃爍體62的中央部從閃爍體62的側(cè)面射出。這樣的γ射線由于未變換成熒光，所以結(jié)果不能由放射線檢測(cè)器61進(jìn)行檢測(cè)。S卩，湮滅γ射線對(duì)在體軸方向A從傾斜方向進(jìn)入第一檢測(cè)器環(huán)討時(shí)，在閃爍體62 所具有的體軸方向A的側(cè)端部，Y射線的進(jìn)路上的閃爍體62的厚度不足。這是因?yàn)閺拈W爍體62的入射面6 入射的γ射線迂回過閃爍體62的中央部直接朝向閃爍體62的側(cè)面的緣故。從粒子線治療裝置51的被檢體M放出的γ射線，與將放出湮滅Y射線對(duì)的放射性藥劑給藥到被檢體M并對(duì)其分布進(jìn)行成像的PET (Positoron Emission Tomography)裝置相比，為極少量，其線量例如為PET裝置的1/1000 1/100程度。即，在粒子線治療裝置51中提高湮滅Y射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度，與在被檢體的病變部正確地確認(rèn)產(chǎn)生了湮滅Y射線對(duì)一起，在開發(fā)能夠進(jìn)行有效的治療的粒子線治療裝置 51方面成為重大的課題。另外，根據(jù)現(xiàn)有的構(gòu)成，為具備兩個(gè)檢測(cè)器環(huán)M、55的構(gòu)成。由于具有兩個(gè)檢測(cè)器環(huán)，所以粒子線治療裝置51的制造成本增大，這樣，當(dāng)將檢測(cè)器環(huán)設(shè)為單一的構(gòu)成時(shí)，不能檢測(cè)湮滅Y射線對(duì)的兩方的Y射線。S卩，在粒子線治療裝置51中，只要能夠如圖19所示對(duì)在保持被檢體M的體軸方向 A的位置G的狀態(tài)下行進(jìn)的湮滅γ射線進(jìn)行測(cè)定，則檢測(cè)器環(huán)就可以是單一的。但是，在粒子線治療裝置51中，由于需要設(shè)置粒子線的通路，所以不能在位置G配置放射線檢測(cè)器。 即，不能對(duì)在保持位置G的狀態(tài)下行進(jìn)的湮滅γ射線進(jìn)行檢測(cè)。取而代之的是，對(duì)行進(jìn)方向不沿上述位置G的湮滅γ射線對(duì)進(jìn)行檢測(cè)。如圖19所示，這種湮滅γ射線對(duì)的Y射線的一方朝向被檢體M的體軸方向A的前方行進(jìn)，Y射線的另一方朝向被檢體M的體軸方向A的后方行進(jìn)。不能通過單一的檢測(cè)器環(huán)檢測(cè)這樣的湮滅Y射線對(duì)。檢測(cè)器環(huán)上備置的放射線檢測(cè)器的位置關(guān)于被檢體M的體軸方向A在同一位置。結(jié)果是，根據(jù)現(xiàn)有的構(gòu)成， 不能將檢測(cè)器環(huán)設(shè)為單一的構(gòu)成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而提出的，其目的在于，提供一種具有使粒子線束通過的通路的粒子線治療裝置，即使粒子線束失去能量的地點(diǎn)和檢測(cè)器環(huán)的位置在被檢體M的體軸方向A彼此不同，湮滅放射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度也高。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)這樣的目的而采用如下構(gòu)成。S卩，本發(fā)明提供一種粒子線治療裝置，其具有檢測(cè)器環(huán)，該檢測(cè)器環(huán)通過將具有將放射線轉(zhuǎn)換成熒光并同時(shí)入射放射線的入射面的閃爍體、授受熒光的光導(dǎo)、檢測(cè)熒光的光檢測(cè)器沿同一方向?qū)盈B構(gòu)成放射線檢測(cè)器，并將這些放射線檢測(cè)器環(huán)狀排列而構(gòu)成，而且， 具備插入檢測(cè)器環(huán)所具有的開口的細(xì)長(zhǎng)狀的臺(tái)板和照射粒子線束的粒子線照射機(jī)構(gòu)，其特征在于，還具備使檢測(cè)器環(huán)相對(duì)于臺(tái)板反轉(zhuǎn)自如地傾斜的檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)，通過檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)，使檢測(cè)器環(huán)的上端朝向臺(tái)板的延伸方向的一方向傾斜，同時(shí)，使檢測(cè)器環(huán)的下端朝向臺(tái)板的延伸方向的一方向的相反方向傾斜。[作用·效果]根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)成，具備使檢測(cè)器環(huán)反轉(zhuǎn)自如地傾斜的檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)。由此，檢測(cè)器環(huán)相對(duì)于臺(tái)板傾斜。更具體而言，檢測(cè)器環(huán)的上端朝向臺(tái)板的延伸方向的一方向傾斜。另外，檢測(cè)器環(huán)的下端朝向臺(tái)板的延伸方向的一方向的相反方向傾斜。 粒子線源朝向臺(tái)板照射粒子線束。因此，檢測(cè)器環(huán)不能設(shè)于對(duì)該粒子線束的行進(jìn)造成影響的位置。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)成，可以使檢測(cè)器環(huán)相對(duì)于臺(tái)板傾斜。這也意味著檢測(cè)器環(huán)和粒子線束的位置關(guān)系可進(jìn)行變更。因此，根據(jù)本發(fā)明，通過使檢測(cè)器環(huán)傾斜，可以使檢測(cè)器環(huán)避開粒子線束，因此，可以提供能夠邊照射粒子線束邊檢測(cè)湮滅放射線的粒子線治療裝置。而且，湮滅放射線對(duì)由單一的檢測(cè)器環(huán)進(jìn)行檢測(cè)。于是，檢測(cè)器環(huán)能夠檢測(cè)在其內(nèi)部產(chǎn)生的湮滅放射線對(duì)。換言之，湮滅放射線對(duì)的任一個(gè)以大致直角的角度向檢測(cè)器環(huán)入射。因此，抑制了圖18所說明的檢測(cè)靈敏度的降低。另外，根據(jù)本發(fā)明，檢測(cè)器環(huán)的上端和下端以彼此為反方向的方式傾斜。由此，能夠與檢測(cè)器環(huán)的傾斜無關(guān)地使規(guī)定的區(qū)域(被檢體的病變部區(qū)域)總是位于檢測(cè)器環(huán)的開口的內(nèi)部。粒子線治療裝置可以在檢測(cè)器環(huán)的開口的內(nèi)部生成湮滅放射線對(duì)的發(fā)生分布的圖。與檢測(cè)器環(huán)的傾斜無關(guān)地使被檢體的病變部區(qū)域位于檢測(cè)器環(huán)的開口的內(nèi)部時(shí)，在照射粒子線時(shí)也能夠取得被檢體的病變部區(qū)域的湮滅放射線對(duì)的發(fā)生分布。即，根據(jù)本發(fā)明， 不需要如目前那樣設(shè)置兩個(gè)檢測(cè)器環(huán)，僅設(shè)置單一的檢測(cè)器環(huán)即可充分地檢測(cè)湮滅放射線對(duì)。由于粒子線治療裝置的制造成本主要依賴于檢測(cè)器環(huán)上搭載的放射線檢測(cè)器的個(gè)數(shù)， 所以可以提供制造成本相比目前大幅湮滅了的粒子線治療裝置。另外，所述檢測(cè)器環(huán)形成橢圓形狀，在檢測(cè)器環(huán)傾斜至規(guī)定的傾斜角度時(shí)，檢測(cè)器環(huán)所具有的放射線檢測(cè)器沿著伸出方向與所述臺(tái)板相一致的假設(shè)的圓筒，這樣是更理想的。另外，換言之，檢測(cè)器環(huán)如果在垂直方向?yàn)榭v長(zhǎng)則更理想。
[作用·效果]根據(jù)上述構(gòu)成，檢測(cè)器環(huán)形成在垂直方向?yàn)榭v長(zhǎng)的橢圓形狀。而且，在所定的傾斜角度下，檢測(cè)器環(huán)所具有的放射線檢測(cè)器具有特征上的排列。即，放射線檢測(cè)器沿著假設(shè)的圓筒。這為伸出的方向與臺(tái)板相一致的圓筒，將該圓筒傾斜切斷時(shí)的形狀與檢測(cè)器環(huán)的橢圓形狀相一致。而且，檢測(cè)器環(huán)上備置的放射線檢測(cè)器的排列也沿著該假設(shè)的圓筒。隨著使檢測(cè)器環(huán)傾斜，檢測(cè)器環(huán)的上部和下部接近臺(tái)板。但是，根據(jù)所述構(gòu)成， 檢測(cè)器環(huán)由于在垂直方向?yàn)榭v長(zhǎng)，所以能夠可靠地使檢測(cè)器環(huán)不與被檢體發(fā)生干涉。另外，所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)以成為橢圓形狀的所述檢測(cè)器環(huán)的短軸為中心軸使所述檢測(cè)器環(huán)傾斜，與所述檢測(cè)器環(huán)的傾斜無關(guān)，檢測(cè)器環(huán)的短軸的位置為一定，這樣是更理想的。[作用 效果]根據(jù)上述構(gòu)成，可提供不僅使被檢體的病變部和檢測(cè)器環(huán)的短軸相一致，而且能夠可靠地對(duì)被檢體的病變部進(jìn)行成像的粒子線治療裝置。即，根據(jù)上述構(gòu)成， 與檢測(cè)器環(huán)的傾斜無關(guān)，檢測(cè)器環(huán)的短軸的位置為一定，因此，檢測(cè)器環(huán)的短軸與傾斜無關(guān)地總是位于檢測(cè)器環(huán)的開口的內(nèi)部。因此，根據(jù)上述構(gòu)成，可以提供能夠更簡(jiǎn)單且可靠地對(duì)被檢體的病變部進(jìn)行成像的粒子線治療裝置。另外，也可以為下述構(gòu)成，所述檢測(cè)器環(huán)邊通過所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)傾斜移動(dòng)邊檢測(cè)來源于粒子線束的放射線。另外，也可以為下述構(gòu)成，所述檢測(cè)器環(huán)在通過所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)傾斜后，以保持其傾斜角度的狀態(tài)檢測(cè)來源于粒子線束的放射線。[作用·效果]根據(jù)上述構(gòu)成，可以提供湮滅放射線的檢測(cè)靈敏度高的粒子線治療裝置。在被檢體的體內(nèi)，在粒子線失去能量的地點(diǎn)，預(yù)想生成各種核種。它們衰變而放出的放射線的能量和特性各種各樣。其中，也可能放出不是湮滅Y射線對(duì)的單一光子。這樣的單一光子可通過檢測(cè)器環(huán)進(jìn)行檢測(cè)。這成為使用湮滅Y射線對(duì)對(duì)粒子線的作用位置進(jìn)行成像時(shí)的噪聲的原因。但是，根據(jù)上述構(gòu)成，可以設(shè)為檢測(cè)器環(huán)的傾斜也包含方向是適合的。具體而言，為了決定檢測(cè)器環(huán)的傾斜，也可以設(shè)為邊使檢測(cè)器環(huán)傾斜移動(dòng)邊照射粒子線的構(gòu)成，在確定了適合的檢測(cè)器環(huán)的傾斜的情況下，也可以設(shè)為以保持傾斜角度的狀態(tài)照射粒子線束的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)成，具備使檢測(cè)器環(huán)反轉(zhuǎn)自如地傾斜的檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)。由此， 檢測(cè)器環(huán)相對(duì)于臺(tái)板傾斜。粒子線源朝向臺(tái)板照射粒子線束。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)成，可以使檢測(cè)器環(huán)相對(duì)于臺(tái)板傾斜。因此，根據(jù)本發(fā)明，通過使檢測(cè)器環(huán)傾斜，可以使檢測(cè)器環(huán)避開粒子線束，因此，可以提供能夠一邊照射粒子線束一邊檢測(cè)湮滅放射線的粒子線治療裝置。另外，可以在檢測(cè)器環(huán)的開口的內(nèi)部生成湮滅放射線對(duì)的發(fā)生分布的圖。通過使檢測(cè)器環(huán)傾斜，即使在照射粒子線束時(shí)，也能夠使被檢體的病變部位于檢測(cè)器環(huán)的開口的內(nèi)側(cè)。根據(jù)本發(fā)明，不需要如目前那樣設(shè)置兩個(gè)檢測(cè)器環(huán)，只要設(shè)置單一的檢測(cè)器環(huán)即可充分檢測(cè)湮滅放射線對(duì)。


圖1是實(shí)施例1的放射線檢測(cè)器的立體圖。圖2說明實(shí)施例1的粒子線治療裝置的構(gòu)成的功能框圖。圖3是說明實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)的構(gòu)成的平面圖。
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圖4是說明實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)的構(gòu)成的剖面圖。圖5是說明實(shí)施例1的構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖6是說明實(shí)施例1的構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖7是說明實(shí)施例1的構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖8是對(duì)實(shí)施例1的粒子線源的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行說明的剖面圖。圖9是對(duì)實(shí)施例1的龍門架(力’ > 卜U )的構(gòu)成進(jìn)行說明的立體圖。圖10是對(duì)實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)進(jìn)行說明的立體圖。圖11是對(duì)實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)進(jìn)行說明的立體圖。圖12是對(duì)實(shí)施例1的粒子線治療裝置的動(dòng)作進(jìn)行說明的流程圖。圖13是對(duì)本發(fā)明1變形例的龍門架的構(gòu)成進(jìn)行說明的立體圖。圖14是對(duì)本發(fā)明1變形例的臺(tái)板的構(gòu)成進(jìn)行說明的立體圖。圖15是對(duì)現(xiàn)有構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明的立體圖。圖16是對(duì)現(xiàn)有構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明的立體圖。圖17是對(duì)現(xiàn)有構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明的剖面圖。圖18是對(duì)現(xiàn)有構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明的剖面圖。圖19是對(duì)現(xiàn)有構(gòu)成的粒子線治療裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明的剖面圖。符號(hào)說明1放射線檢測(cè)器2閃爍體3光檢測(cè)器4 光導(dǎo)9粒子線治療裝置10 臺(tái)板12橢圓檢測(cè)器環(huán)(檢測(cè)器環(huán))13粒子線源(粒子線照射機(jī)構(gòu))15傾斜控制部(檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu))
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的粒子線治療裝置的最佳方式進(jìn)行說明。另外，以下的說明中的Y射線為本發(fā)明的放射線之一例。實(shí)施例1首先，在說明實(shí)施例1的粒子線治療裝置之前，對(duì)實(shí)施例1的放射線檢測(cè)器1的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是實(shí)施例1的放射線檢測(cè)器的立體圖。如圖1所示，實(shí)施例1的放射線檢測(cè)器1具備以閃爍晶體層2D、閃爍晶體層2C、閃爍晶體層2B、及閃爍晶體層2A的順序?qū)㈤W爍晶體層分別在ζ方向?qū)盈B形成的閃爍體2 ；設(shè)于閃爍體2的下面且具備對(duì)從閃爍體 2發(fā)出的熒光進(jìn)行檢測(cè)的位置特定功能的光電子增倍管(以下稱為光檢測(cè)器)3 ；在介設(shè)于閃爍體2和光檢測(cè)器3之間的位置對(duì)熒光進(jìn)行發(fā)送接收的光導(dǎo)4。因此，閃爍晶體層分別在朝向光檢測(cè)器3的方向?qū)盈B而構(gòu)成。另外，閃爍晶體層2A成為閃爍體2的放射線的入射面 14。換言之，閃爍體2所具有的面中與光檢測(cè)器3相面對(duì)的面成為入射面。另外，各閃爍晶體層2A、2B、2C、2D光學(xué)性耦合，在各層間設(shè)有透過材料t。作為該透過材料t的材料，可使用由硅樹脂構(gòu)成的熱固化性樹脂。閃爍晶體層2A成為從放射性線源放射的γ射線的受光部，為塊狀的閃爍晶體以閃爍晶體a(l、l)為基準(zhǔn)在χ方向矩陣狀地二維配置有32個(gè)、在y 方向矩陣狀地二維配置有32個(gè)而成的構(gòu)成。即，閃爍晶體a(l、l) 閃爍晶體a(l、32)在 y方向排列，形成閃爍晶體陣列，將該閃爍晶體陣列在χ方向排列32個(gè)而形成閃爍晶體層 2A。另外，對(duì)于閃爍晶體層2B、2C、及2D，也為閃爍晶體以閃爍晶體b(l、l)、c(l、l)、及d(l、 1)的每個(gè)為基準(zhǔn)在χ方向矩陣狀地二維配置有32個(gè)、在y方向矩陣狀地二維配置有32個(gè)而成的構(gòu)成。另外，各閃爍晶體層2A、2B、2C、2D中，在彼此鄰接的閃爍晶體間也設(shè)有透過材料t。因此，閃爍晶體分別被透過材料t包圍。該透過材料t的厚度為25 μ m程度。另外， Y射線相當(dāng)于本發(fā)明的放射線。另外，在備置于閃爍體2的閃爍晶體層2A、2B、2C、2D設(shè)有沿χ方向延伸的第一反射板r和沿y方向延伸的第二反射板S。該兩反射板r、s被插入在排列好的閃爍晶體的間隙。閃爍體2將適用于Y射線的檢測(cè)的閃爍晶體三維排列而構(gòu)成。即，閃爍晶體由擴(kuò)散有Ce的Lu2(1_xj2xsi05(以下稱為L(zhǎng)YS0)構(gòu)成。各閃爍晶體與閃爍晶體層無關(guān)，例如形成 χ方向的長(zhǎng)度為1. 45mm、y方向的寬度為1. 45mm、ζ方向的高度為4. 5mm的長(zhǎng)方體。另外， 閃爍體2所具有的面中與光導(dǎo)4相接的4側(cè)面由未圖示的反射膜被覆。另外，光檢測(cè)器3 為多陽極型，能夠?qū)﹃P(guān)于入射的熒光的χ及y的位置進(jìn)行特定。光導(dǎo)4為將由閃爍體2發(fā)出的熒光導(dǎo)入光檢測(cè)器3而設(shè)置。因此，光導(dǎo)4與閃爍體2和光檢測(cè)器3光學(xué)耦合。另外，在光檢測(cè)器3的背離閃爍體2的底面設(shè)有多個(gè)連接端子3p。該連接端子3p與后述的分壓器單元16連接。其次，對(duì)實(shí)施例1的粒子線治療裝置9進(jìn)行說明。圖2是說明實(shí)施例1的粒子線治療裝置的構(gòu)成的功能框圖。如圖2所示，實(shí)施例1的粒子線治療裝置9具備載置被檢體 M的臺(tái)板10、龍門架11、設(shè)于龍門架11的內(nèi)部的橢圓檢測(cè)器環(huán)12。另外，橢圓檢測(cè)器環(huán)12 相當(dāng)于本發(fā)明的檢測(cè)器環(huán)。在龍門架11上，為確保粒子線束的通路而設(shè)有狹縫11a。該狹縫Ila的詳細(xì)后述。另外，粒子線治療裝置9進(jìn)一步還設(shè)有用于取得被檢體M的斷層圖像的各部。具體而言，粒子線治療裝置9具備同時(shí)計(jì)數(shù)部24，其對(duì)表示來自橢圓檢測(cè)器環(huán)12的γ射線的檢測(cè)位置、檢測(cè)強(qiáng)度、檢測(cè)時(shí)間的Y射線檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行接收，并對(duì)湮滅Y射線對(duì)進(jìn)行同時(shí)計(jì)數(shù)；LOR特定部25，其通過由同時(shí)計(jì)數(shù)部M判斷為湮滅γ射線對(duì)的兩個(gè)Y射線檢測(cè)數(shù)據(jù)，特定后述的LOR ；LOR校正部沈，其對(duì)LOR實(shí)施校正；圖像形成部27，其形成關(guān)心部位的放射線斷層圖像。而且，實(shí)施例1的粒子線治療裝置9具備照射粒子線束的粒子線源13。粒子線源 13所照射的粒子例如為質(zhì)子、碳核，但不限于此。該粒子線源13由粒子線源驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)31驅(qū)動(dòng)，以沿被檢體M的體軸方向A的基軸C為中心可旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。具體來說，該粒子線源驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)31由粒子線源驅(qū)動(dòng)控制部32控制。另外，粒子線源13的粒子的照射由粒子線源照射控制部33控制。而且，粒子線源13的粒子的照射方向變更的同時(shí)，粒子線源13繞被檢體M 的體軸旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。具體而言，粒子線源13與旋轉(zhuǎn)移動(dòng)無關(guān)向朝向基軸C的方向照射粒子線束。即，粒子線源13與旋轉(zhuǎn)移動(dòng)無關(guān)地朝向?qū)儆诨SC的1點(diǎn)照射粒子線束。從粒子線源13照射的粒子線束通過上述的狹縫11a，由此被導(dǎo)入龍門架11的內(nèi)部。而且，實(shí)施例1的粒子線治療裝置9具備使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜的傾斜機(jī)構(gòu)14、 和對(duì)該傾斜機(jī)構(gòu)14進(jìn)行控制的傾斜控制部15。另外，傾斜控制部相當(dāng)于本發(fā)明的檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)。而且，實(shí)施例1的粒子線治療裝置9具備統(tǒng)一控制各種控制部的主控制部35、和顯示放射線斷層圖像的顯示部36。該主控制部35由CPU構(gòu)成，通過執(zhí)行各種程序而實(shí)現(xiàn)同時(shí)計(jì)數(shù)部24、LOR特定部25、LOR校正部26、圖像形成部27、粒子線源驅(qū)動(dòng)控制部32、及粒子線源照射控制部33。接下來，對(duì)實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的構(gòu)成進(jìn)行說明。橢圓檢測(cè)器環(huán)12如圖 3所示，橢圓檢測(cè)器環(huán)12具有在中心設(shè)有橢圓型的貫通孔的橢圓型的橢圓板12a。放射線檢測(cè)器1沿該橢圓板1 環(huán)狀地排列，形成橢圓檢測(cè)器環(huán)12。因此，橢圓檢測(cè)器環(huán)12在中央具有橢圓型的開口 12b。而且，各放射線檢測(cè)器1所具有的入射面全部以朝向橢圓檢測(cè)器環(huán)12所具有的開口 12b的方式配置。另外，橢圓檢測(cè)器環(huán)12形成在垂直方向縱長(zhǎng)的橢圓形狀，圖中的P表示形成橢圓形狀的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的短軸。圖4是實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的剖面圖。該剖面圖為將橢圓檢測(cè)器環(huán)12沿其開口的伸長(zhǎng)方向切斷時(shí)的剖面圖。如圖4所示，在放射線檢測(cè)器1上附設(shè)對(duì)其供給電力的分壓器單元(寸U —夕'-二 7卜)16，第一放射線檢測(cè)器和分壓器單元16 —體地由L型的保持件20保持。保持件20具有用于固定分壓器單元16的主板20a、和用于將保持件20 自身固定于橢圓板12a的副板20b。分壓器單元16經(jīng)由保持件20固定于橢圓板1 上。其次，對(duì)實(shí)施例1的構(gòu)成的粒子線治療裝置9的最大的特征即橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜變更進(jìn)行說明。橢圓檢測(cè)器環(huán)12可變更傾斜角度。圖5表示使用實(shí)施例1的構(gòu)成的粒子線治療裝置9前的初始狀態(tài)。此時(shí)，橢圓檢測(cè)器環(huán)12不傾斜，而橢圓檢測(cè)器環(huán)12所具備的放射線檢測(cè)器1的被檢體M的體軸方向A的位置完全同一。未傾斜的狀態(tài)的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的位置例如正好與粒子線源13照射的粒子線束B的前進(jìn)路徑相一致。S卩，初始狀態(tài)下，不從粒子線源13照射粒子線束B。從該初始狀態(tài)，根據(jù)傾斜控制部15的控制，橢圓檢測(cè)器環(huán)12如圖6所示使橢圓檢測(cè)器環(huán)12的上端12p朝向被檢體M的體軸方向A的前方傾斜。而且，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的下端12q朝向被檢體M的體軸方向A的后方傾斜。另外，被檢體M的體軸方向A與實(shí)施例1 的臺(tái)板10的延伸方向一致。如果為該狀態(tài)，則粒子線源13和橢圓檢測(cè)器環(huán)12的位置關(guān)系從初始狀態(tài)變更，在粒子線源13照射的粒子線束B的前進(jìn)路徑上不存在橢圓檢測(cè)器環(huán)12。 如果為這種狀態(tài)，則從粒子線源13照射的粒子線束B繞過橢圓檢測(cè)器環(huán)12到達(dá)被檢體M。 另外，此時(shí)的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的上端12p朝向被檢體M的體軸方向A的前方傾斜。為方便說明，將該方向的傾斜稱為順方向的傾斜。粒子線束在被檢體M的體內(nèi)變換為湮滅γ射線對(duì)r。構(gòu)成該湮滅Y射線對(duì)的Y 射線各自的行進(jìn)方向成180°相反方向，因此，例如有時(shí)Y射線的一方行進(jìn)至臺(tái)板10的前方、且上側(cè)，Y射線的另一方行進(jìn)至臺(tái)板10的后方、且下側(cè)。這樣，若為實(shí)施例1的構(gòu)成， 則成為橢圓檢測(cè)器環(huán)12相對(duì)于粒子線束傾斜的狀態(tài)，因此，即使不像現(xiàn)有構(gòu)成那樣準(zhǔn)備兩個(gè)檢測(cè)器環(huán)，也能夠檢測(cè)到湮滅Y射線對(duì)。而且，如將圖6和現(xiàn)有構(gòu)成的圖17比較可知，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，湮滅Y射線對(duì)r以接近直角的角度向檢測(cè)器環(huán)入射。由于為這樣的構(gòu)成，所以向檢測(cè)器環(huán)入射的湮滅 Y射線對(duì)r可靠地通過放射線檢測(cè)器1所具有的閃爍體2的中央部，因此，相比以往構(gòu)成， 實(shí)施例1的構(gòu)成其Y射線的檢測(cè)靈敏度高。另外，橢圓檢測(cè)器環(huán)12如圖7所示，根據(jù)傾斜控制部15的控制，橢圓檢測(cè)器環(huán)12 的上端12p可以朝向被檢體M的體軸方向A的后方傾斜。該情況下，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的下端12q朝向被檢體M的體軸方向A的前方傾斜。這樣，傾斜控制部15也可以為朝向逆方向的傾斜。在被檢體M的體內(nèi)，在粒子線失去能量的地點(diǎn)，預(yù)想到生成各種核種。因它們衰變而放出的放射線的能量和特性多種多樣。其中，也可能引起不是湮滅Y射線對(duì)的單一光子的放出。這種單一光子能夠由橢圓檢測(cè)器環(huán)12進(jìn)行檢測(cè)。這種單一光子成為使用湮滅Y 射線對(duì)繪制粒子線的作用位置時(shí)的噪聲的原因。但是，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，橢圓檢測(cè)器環(huán) 12的傾斜能夠也包含傾斜方向自如變更，因此，根據(jù)治療的方式，能夠以S/N比為最良好的方式變更橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜角度。例如，圖6所示的傾斜一方與圖7所示的傾斜相比， 有可能S/N比良好。另外，可以說也有圖6的狀態(tài)和圖7的狀態(tài)的中間的狀態(tài)S/N比良好的可能性。另外，例如也可能有傾斜角度在初始狀態(tài)較為良好的情況。如果傾斜角度在初始狀態(tài)，則如圖 5所示，粒子線束B不到達(dá)被檢體。但是，即使傾斜角度為初始狀態(tài)，也能夠檢測(cè)湮滅Y射線對(duì)。即，能夠使得成為如下構(gòu)成即在從粒子線源13照射粒子線束B之前，使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜，在該狀態(tài)下照射粒子線束B，在停止粒子線束B的照射后，橢圓檢測(cè)器環(huán)12返回初始狀態(tài)的位置。由此，可以一邊對(duì)被檢體M照射粒子線束B—邊檢測(cè)湮滅γ射線對(duì)。 在粒子線失去能量的地點(diǎn)，生成放出湮滅、射線的核種。但是，不能馬上放射湮滅、射線對(duì)。因此，如果在放出湮滅Y射線對(duì)的核種殘存時(shí)使橢圓檢測(cè)器環(huán)12返回初始狀態(tài)的位置而開始湮滅Y射線對(duì)的檢測(cè)，則有時(shí)也能夠以S/N比良好的狀態(tài)檢測(cè)湮滅Y射線對(duì)。在上述的說明中，是使橢圓檢測(cè)器環(huán)12移動(dòng)到規(guī)定的位置而檢測(cè)湮滅Y射線對(duì)的構(gòu)成，但實(shí)施例1的構(gòu)成不限于此。即，也可以為一邊使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜移動(dòng)一邊照射粒子線束B，而檢測(cè)湮滅γ射線對(duì)的構(gòu)成。實(shí)施例1的粒子線治療裝置9中，當(dāng)橢圓檢測(cè)器環(huán)12達(dá)到規(guī)定的禁止角度時(shí)，禁止粒子線束B從粒子線源13的照射。由此，也可以設(shè)為一邊使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜移動(dòng)一邊照射粒子線束B，而檢測(cè)湮滅、射線對(duì)的構(gòu)成。另外，圖3表示橢圓檢測(cè)器環(huán)12的短軸P。該短軸P成為橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜的中心軸。即，在維持短軸P的位置的同時(shí)使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜。附帶說明一下，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的長(zhǎng)軸追隨橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜而傾斜。其次，對(duì)粒子線源13的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)進(jìn)行說明。圖8是對(duì)實(shí)施例1的粒子線源的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行說明的剖面圖。如圖8所示，粒子線源13通過從橢圓檢測(cè)器環(huán)12的垂直向上的位置開始旋轉(zhuǎn)，可以繞被檢體M的體軸旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。粒子線源13可以繞被檢體M的體軸一周。但是，在旋轉(zhuǎn)移動(dòng)的期間中，不能持續(xù)照射粒子線束。當(dāng)使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜時(shí)，隨之橢圓檢測(cè)器環(huán)12的上端12p、下端12q移動(dòng)長(zhǎng)的距離。但是，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的被檢體M的體側(cè)方向A上的兩側(cè)端12ι 僅進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而不移動(dòng)。即，通過使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜而變更橢圓檢測(cè)器環(huán)12的位置的效果隨著接近被檢體M的體側(cè)方向A的兩側(cè)端12r而減小。當(dāng)使粒子線源13旋轉(zhuǎn)移動(dòng)至橢圓檢測(cè)器環(huán)12的短軸P的附近時(shí)，粒子線源13照射的粒子線束B幾乎與橢圓檢測(cè)器環(huán)12發(fā)生干涉。因此，粒子線源13成為旋轉(zhuǎn)到橢圓檢測(cè)器環(huán)12的長(zhǎng)軸附近時(shí)照射粒子線的構(gòu)成。伴隨該粒子線束B的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，在龍門架11上設(shè)有狹縫11a。即，如圖9所示，在龍門架11上設(shè)有以繞被檢體M的體軸的方式延伸的狹縫11a。該狹縫Ila的形狀與進(jìn)行旋轉(zhuǎn)移動(dòng)的粒子線束B的軌跡相一致。另外，橢圓檢測(cè)器環(huán)12成為滿足規(guī)定條件的形狀。接下來，對(duì)橢圓檢測(cè)器環(huán)12所采用的橢圓的條件進(jìn)行說明。圖10是對(duì)實(shí)施例1的橢圓檢測(cè)器環(huán)進(jìn)行說明的立體圖。圖 10中表示橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜至最大的角度的狀態(tài)。此時(shí)，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的側(cè)緣包含于伸出方向與被檢體M的體軸方向A相一致的假想的圓筒40的表面。此時(shí)，從圓筒40的正面觀察橢圓檢測(cè)器環(huán)12時(shí)，如圖11所示，橢圓檢測(cè)器環(huán)12成為正圓的形狀。配備于橢圓檢測(cè)器環(huán)12上的放射線檢測(cè)器1沿橢圓檢測(cè)器環(huán)12的形狀排列，因此，在使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜至最大的角度時(shí)，配備于橢圓檢測(cè)器環(huán)12的放射線檢測(cè)器1 分別沿著上述的圓筒40。通過設(shè)為這種構(gòu)成，即使在使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜至最大的傾斜角度時(shí)，橢圓檢測(cè)器環(huán)12也不會(huì)與被檢體M發(fā)生干涉。當(dāng)使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜時(shí)，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的上部下降，接近被檢體M。但是，如上所述，即使在使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜至最大的傾斜角度的情況下，如上所述，也能夠以假設(shè)的圓筒40為基準(zhǔn)，只要設(shè)定橢圓檢測(cè)器環(huán)12的形狀或最大傾斜角度，則橢圓檢測(cè)器環(huán)12就不會(huì)與被檢體M發(fā)生干涉。接下來，對(duì)這樣構(gòu)成的粒子線治療裝置9的操作進(jìn)行說明。如圖12所示，粒子線治療裝置9的操作具備與如下步驟相聯(lián)系的各步驟即，將被檢體M載置于臺(tái)板10上的載置步驟Si、使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜的傾斜步驟S2、從粒子線源13向被檢體M照射粒子線束B的照射步驟S3、檢測(cè)粒子線束由來的湮滅γ射線的檢測(cè)步驟S4相關(guān)的各步驟。之后， 按順序?qū)@些各步驟的詳細(xì)進(jìn)行說明。首先，將被檢體M載置于臺(tái)板10上(載置步驟Si)。而且，操作員以被檢體M的病變部成為從粒子線源13發(fā)出的粒子線束B的通過位置的方式使臺(tái)板10沿被檢體M的體軸方向A進(jìn)退移動(dòng)。接著，操作員進(jìn)行橢圓檢測(cè)器環(huán)12的指示，使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜至按操作員的指示的傾斜角度和傾斜方向(傾斜步驟S2)。在粒子線治療裝置9中，使橢圓檢測(cè)器環(huán)12成為規(guī)定的傾斜角度，許可粒子線束B的照射，待機(jī)直至有操作員的指示。而且，當(dāng)操作員指示粒子線束的照射時(shí)，粒子線束B從粒子線源13進(jìn)行照射(照射步驟S3)。而且， 來源于粒子線束B的湮滅γ射線對(duì)被橢圓檢測(cè)器環(huán)12所檢測(cè)(檢測(cè)步驟S4)。圖像形成部27基于由橢圓檢測(cè)器環(huán)12送出的檢測(cè)數(shù)據(jù)生成從被檢體M檢測(cè)到的湮滅γ射線的分布圖。將其在顯示部36進(jìn)行顯示，操作員能夠確認(rèn)粒子線束B是否可靠地到達(dá)病變部。這樣，實(shí)施例1的粒子線治療裝置9的操作結(jié)束。另外，也可以同時(shí)進(jìn)行上述的傾斜步驟S2、 照射步驟S3。即，橢圓檢測(cè)器環(huán)12也可以成為一邊傾斜移動(dòng)一邊照射粒子線束B的構(gòu)成。接下來，參照?qǐng)D2對(duì)實(shí)施例1的粒子線治療裝置9的數(shù)據(jù)處理進(jìn)行說明。在被檢體M的內(nèi)部產(chǎn)生的湮滅γ射線對(duì)通過橢圓檢測(cè)器環(huán)12所具備的放射線檢測(cè)器1的任一個(gè)進(jìn)行檢測(cè)。橢圓檢測(cè)器環(huán)12將檢測(cè)到γ射線的所謂的檢測(cè)數(shù)據(jù)發(fā)送到同時(shí)計(jì)數(shù)部M。在同時(shí)計(jì)數(shù)部24，在具有規(guī)定的時(shí)間幅度的選通信號(hào)顯示窗口(夕4 A々4 > K々)中存在從不同的兩個(gè)閃爍晶體由來的檢測(cè)數(shù)據(jù)的情況下，其取決于湮滅Y射線對(duì)，對(duì)其轉(zhuǎn)速進(jìn)行
11計(jì)數(shù)。這為計(jì)數(shù)值。在LOR特定部25，計(jì)算射出湮滅、射線對(duì)的方向。即，在通過同時(shí)計(jì)數(shù)部M同時(shí)看到的檢測(cè)數(shù)據(jù)中也包含哪一閃爍晶體發(fā)出熒光的位置的信息。在LOR特定部25，計(jì)算將該兩個(gè)閃爍晶體連結(jié)的線段LOR(Lineof Response)，將LOR和與其對(duì)應(yīng)的計(jì)數(shù)值發(fā)送到 LOR校正部26。作為實(shí)施例1的構(gòu)成的特征性構(gòu)成，列舉在橢圓檢測(cè)器環(huán)12發(fā)送的檢測(cè)數(shù)據(jù)中包含橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜方向和傾斜角度的信息。在LOR校正部沈，對(duì)LOR增加除去橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜的影響的校正。根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，在使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜時(shí)， 橢圓檢測(cè)器環(huán)12和被檢體M的相對(duì)的位置關(guān)系發(fā)生變動(dòng)。而且，LOR僅表示橢圓檢測(cè)器環(huán) 12的湮滅γ射線對(duì)的發(fā)生位置的相對(duì)的位置。如果設(shè)為這種構(gòu)成，則LOR顯示的方向因橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜角度而發(fā)生變化，因此，結(jié)果是不能夠特定湮滅γ射線在哪產(chǎn)生。但是，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，基于檢測(cè)數(shù)據(jù)中包含的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜方向和傾斜角度的信息進(jìn)行使LOR假想地傾斜的校正，因此，在從LOR校正部沈送出的數(shù)據(jù)中除去了橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜變更帶來的影響。因此，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，即使橢圓檢測(cè)器環(huán)12發(fā)生傾斜，也能夠特定湮滅Y射線對(duì)的發(fā)生位置。該校正后的LOR和與其相對(duì)應(yīng)的計(jì)數(shù)值被送到圖像形成部27。圖像形成部27基于校正后的LOR和與其對(duì)應(yīng)的計(jì)數(shù)值繪制被檢體M的斷層面的湮滅Y射線對(duì)的發(fā)生分布。這樣形成的斷層圖像由顯示部36進(jìn)行顯示。如果顯示湮滅Y 射線對(duì)的發(fā)生分布，則能夠監(jiān)視被檢體M的斷層面的粒子線束失去能量的部位。這樣，能夠確認(rèn)粒子線治療裝置9的粒子線束是否確實(shí)在被檢體M的病變部發(fā)生作用。如上，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，具備使橢圓檢測(cè)器環(huán)12反轉(zhuǎn)自如地傾斜的傾斜控制部15。由此，橢圓檢測(cè)器環(huán)12相對(duì)于臺(tái)板10傾斜。更具體而言，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的上端 12p朝向臺(tái)板10的延伸方向的一方向傾斜。另外，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的下端12q朝向與臺(tái)板 10的延伸方向的一方向相反的方向傾斜。粒子線源13使粒子線束B向臺(tái)板10照射。因此，橢圓檢測(cè)器環(huán)12不能設(shè)置在妨礙該粒子線束B的行進(jìn)的位置。根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成， 能夠使橢圓檢測(cè)器環(huán)12相對(duì)于臺(tái)板10傾斜。這意味著橢圓檢測(cè)器環(huán)12和粒子線束B的位置關(guān)系可變更。因此，根據(jù)實(shí)施例1，通過使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜，能夠使橢圓檢測(cè)器環(huán) 12避開粒子線束B，因此，可以提供能夠一邊照射粒子線束B —邊檢測(cè)湮滅放射線的粒子線治療裝置9。而且，湮滅Y射線對(duì)由單一的橢圓檢測(cè)器環(huán)12檢測(cè)。于是，能夠檢測(cè)在橢圓檢測(cè)器環(huán)12的內(nèi)部產(chǎn)生的湮滅γ射線對(duì)。這樣，湮滅Y射線對(duì)的任一個(gè)可以以大致直角的角度向單一的橢圓檢測(cè)器環(huán)12入射。因此，抑制了使用圖18說明的檢測(cè)靈敏度的降低。另外，根據(jù)實(shí)施例1，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的上端12p和下端12q以彼此朝向反方向的方式傾斜。由此，與橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜無關(guān)，能夠使規(guī)定區(qū)域(被檢體M的病變部區(qū)域)總是位于橢圓檢測(cè)器環(huán)12的開口的內(nèi)部。粒子線治療裝置9可以在橢圓檢測(cè)器環(huán)12 的開口的內(nèi)部生成湮滅Y射線對(duì)的發(fā)生分布的圖(77^)。與橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜無關(guān)，使被檢體M的病變部區(qū)域位于橢圓檢測(cè)器環(huán)12的開口的內(nèi)部，可以在照射粒子線時(shí)也取得被檢體M的病變部區(qū)域的湮滅γ射線對(duì)的發(fā)生分布。即，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，不需要如以往那樣設(shè)置兩個(gè)檢測(cè)器環(huán)，僅設(shè)置單一的橢圓檢測(cè)器環(huán)12即可充分地檢測(cè)湮滅Y射線對(duì)。由于粒子線治療裝置9的制造成本主要依賴于橢圓檢測(cè)器環(huán)12上搭載的放射線檢測(cè)器1的個(gè)數(shù)，所以可以提供制造成本相比于以往大幅湮滅的粒子線治療裝置9。另外，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，橢圓檢測(cè)器環(huán)12形成為在垂直方向縱長(zhǎng)的橢圓形狀。 而且，在規(guī)定的傾斜角度，橢圓檢測(cè)器環(huán)12所具有的放射線檢測(cè)器1具有特征性排列。即， 放射線檢測(cè)器1沿著假想的圓筒40。這是將伸出方向與臺(tái)板10—致的圓筒40傾斜切斷時(shí)的形狀與橢圓檢測(cè)器環(huán)12的橢圓形狀一致。而且，橢圓檢測(cè)器環(huán)12上備置的放射線檢測(cè)器1的排列也沿著該假想的圓筒40排列。隨著使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜，橢圓檢測(cè)器環(huán)12 的上部和下部接近臺(tái)板10。但是，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，橢圓檢測(cè)器環(huán)12成為垂直方向?yàn)榭v長(zhǎng)，因此，不使橢圓檢測(cè)器環(huán)12可靠地與被檢體M發(fā)生干涉。另外，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，可提供一種僅使被檢體M的病變部和橢圓檢測(cè)器環(huán)12 的短軸P相一致即可可靠地對(duì)被檢體M的病變部成像的粒子線治療裝置9。即，根據(jù)實(shí)施例 1的構(gòu)成，與橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜無關(guān)，橢圓檢測(cè)器環(huán)12的短軸P的位置為一定，因此， 橢圓檢測(cè)器環(huán)12的短軸與傾斜無關(guān)地總是位于橢圓檢測(cè)器環(huán)12的開口的內(nèi)部。因此，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，可提供能夠更簡(jiǎn)單且可靠地對(duì)被檢體M的病變部進(jìn)行成像的粒子線治療裝置9。而且，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，可提供湮滅Y射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度高的粒子線治療裝置9。在被檢體M的體內(nèi)，在粒子線失去能量的地點(diǎn)，預(yù)想生成各種核種。它們衰變而放出的放射線的能量和特性是各種各樣的。其中，也可能引起不是湮滅Y射線對(duì)的單一光子的放出?？赡苓@種單一光子由橢圓檢測(cè)器環(huán)12進(jìn)行檢測(cè)。這成為想要使用湮滅Y射線對(duì)對(duì)粒子線的作用位置成像時(shí)的噪聲的原因。但是，根據(jù)實(shí)施例1的構(gòu)成，適合的是橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜也包含方向。具體而言，為了決定橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜，也可以為一邊使橢圓檢測(cè)器環(huán)12傾斜移動(dòng)一邊照射粒子線的構(gòu)成，在確定了合適的橢圓檢測(cè)器環(huán)12的傾斜的情況下，也可以為在保持著傾斜角度的狀態(tài)下照射粒子線束B的構(gòu)成。本發(fā)明不限于上述構(gòu)成，可如下變形實(shí)施。(1)上述的實(shí)施例1的構(gòu)成是關(guān)于向被檢體M照射粒子線的粒子線治療的構(gòu)成，但本發(fā)明的粒子線治療裝置9也可以作為通常的PET(Positoron Emission Tomography)裝置使用。即，可以對(duì)被檢體M注射給藥由陽電子放出型的放射性同位素標(biāo)記的放射性藥劑， 而對(duì)該被檢體M的內(nèi)部的分布進(jìn)行成像。(2)上述的實(shí)施例中所說的閃爍晶體由LYSO構(gòu)成，但本發(fā)明中，也可以代替其由 GSO(Gd2SiO5)等之外的材料構(gòu)成閃爍晶體。根據(jù)本變形例，能夠提供一種放射線檢測(cè)器的制造方法，其能夠制造更廉價(jià)的放射線檢測(cè)器。(3)在上述的實(shí)施例中，在閃爍體上設(shè)有四層閃爍晶體層，但本發(fā)明不限于此。例如也可以將由一層閃爍晶體層構(gòu)成的閃爍體適用于本發(fā)明。另外，可以根據(jù)放射線檢測(cè)器的用途自如調(diào)節(jié)閃爍晶體層的層數(shù)。(4)在上述的實(shí)施例中，熒光檢測(cè)器由光電子增倍管構(gòu)成，但本發(fā)明不限于此。代替光電子增倍管也可以使用光敏二極管或雪崩光敏二極管等。(5)在上述的實(shí)施例中，龍門架11具有單一的狹縫，但本發(fā)明不限于此。例如圖 13所示，可以設(shè)為在龍門架11的上下具備兩個(gè)狹縫Ila的構(gòu)成。由此，即使在粒子線源13 移動(dòng)到臺(tái)板10的下側(cè)的情況下，也可以向被檢體M照射粒子線。另外，該情況下，如圖14所示，也可以設(shè)為在臺(tái)板10上設(shè)置粒子線通過的孔IOa的構(gòu)成。另外，也可以將臺(tái)板10對(duì)分，設(shè)置第一斷片10b、第二斷片10c，且在第一斷片10b、及第二斷片IOc之間設(shè)置粒子線通過的狹縫10d。通過這樣構(gòu)成，粒子線不通過臺(tái)板10而可靠地對(duì)被檢體M進(jìn)行照射。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上，本發(fā)明適用于醫(yī)用的放射線攝影裝置。
權(quán)利要求
1.一種粒子線治療裝置，其具有檢測(cè)器環(huán)，所述檢測(cè)器環(huán)通過將多個(gè)放射線檢測(cè)器排列為環(huán)狀而構(gòu)成，所述放射線檢測(cè)器通過把將放射線轉(zhuǎn)換成熒光并具有入射放射線的入射面的閃爍體、發(fā)送接收所述熒光的光導(dǎo)、和檢測(cè)所述熒光的光檢測(cè)器在同一方向上層疊而構(gòu)成，并且所述粒子線治療裝置具備插入所述檢測(cè)器環(huán)所具有的開口的細(xì)長(zhǎng)狀的臺(tái)板和照射粒子線束的粒子線照射機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述粒子線治療裝置還具備使所述檢測(cè)器環(huán)相對(duì)于所述臺(tái)板翻轉(zhuǎn)自如地傾斜的檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)，通過所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)，使所述檢測(cè)器環(huán)的上端朝向所述臺(tái)板的延伸方向的一方向傾斜，并且使所述檢測(cè)器環(huán)的下端朝向所述臺(tái)板的延伸方向的與一方向相反的方向傾斜。
2.如權(quán)利要求1所述的粒子線治療裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器環(huán)呈橢圓形狀，在所述檢測(cè)器環(huán)傾斜至規(guī)定的傾斜角度時(shí)，所述檢測(cè)器環(huán)所具有的所述放射線檢測(cè)器沿著延伸方向與所述臺(tái)板相一致的假想的圓筒。
3.如權(quán)利要求1或2所述的粒子線治療裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器環(huán)在垂直方向?yàn)榭v長(zhǎng)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的粒子線治療裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)以成為橢圓形狀的所述檢測(cè)器環(huán)的短軸為中心軸使所述檢測(cè)器環(huán)傾斜，所述檢測(cè)器環(huán)的短軸的位置與所述檢測(cè)器環(huán)的傾斜無關(guān)而為一定。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的粒子線治療裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器環(huán)一邊被所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)所傾斜移動(dòng)，一邊檢測(cè)來源于所述粒子線束的放射線。
6.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的粒子線治療裝置，其特征在于，所述檢測(cè)器環(huán)在被所述檢測(cè)器環(huán)傾斜機(jī)構(gòu)傾斜后，以保持其傾斜角度的狀態(tài)檢測(cè)來源于所述粒子線束的放射線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有使粒子線束通過的通路的粒子線治療裝置，即使粒子線束失去能量的地點(diǎn)和檢測(cè)器環(huán)的位置在被檢體(M)的體軸方向(A)彼此不同，湮滅放射線對(duì)的檢測(cè)靈敏度也高。為解決這樣的課題，本發(fā)明的粒子線治療裝置(9)具有能夠反轉(zhuǎn)自如地傾斜，并且在垂直方向?yàn)榭v長(zhǎng)的橢圓檢測(cè)器環(huán)(12)。由此，湮滅γ射線對(duì)通過單一的橢圓檢測(cè)器環(huán)(12)進(jìn)行檢測(cè)。于是，能夠檢測(cè)在橢圓檢測(cè)器環(huán)(12)的內(nèi)部產(chǎn)生的湮滅γ射線對(duì)。換言之，湮滅γ射線對(duì)的任一個(gè)均以大致直角的角度入射到單一的橢圓檢測(cè)器環(huán)(12)。因此，抑制的檢測(cè)靈敏度的降低。
文檔編號(hào)A61N5/10GK102164635SQ20088013133
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2008年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月23日
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