專利名稱：具有電互連的氣密晶片間結(jié)合的制作方法
具有電互連的氣密晶片間結(jié)合發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明大體涉及在材料間創(chuàng)建電互連，且更具體地，涉及在與低溫氣密晶片間結(jié)合兼容的材料之間創(chuàng)建電互連。此外，此處描述的方法可被應(yīng)用于在晶片之間創(chuàng)建氣密金屬密封。
背景技術(shù)：
很多電子組件使用集合電路或芯片。IC包括形成在半導(dǎo)體材料的薄襯底表面中的半導(dǎo)體器件(如，二極管、晶體管等)和無源組件(如，晶體管、電容器、電阻器等)。
通過晶片間結(jié)合，一個IC可連接至另一個IC或其他晶片。晶片間結(jié)合涉及接合晶片的主要表面。被接合的晶片區(qū)域創(chuàng)建了氣密密封(多個)。
晶片間結(jié)合的一個類型依賴于設(shè)置在每個晶片上的銅板。銅板高于晶片的周圍平面。一個晶片上的銅板與另一個晶片上的銅板對齊?？刹捎脽釅嚎s擴散結(jié)合來接合位于每一個晶片上的銅板。然后IC與靠近獨立芯片的外緣處的銅密封環(huán)或圈軌(race track)密封在一起。銅不是生物穩(wěn)定的且對于可植入醫(yī)療設(shè)備不可在活體內(nèi)提供充足的密封。此外， 與熱氧化物共面的銅板可難以平面化和拋光。例如，銅和熱氧化物可具有不同的拋光率。因此，為了有效且氣密地密封MD中的電子線路，期望開發(fā)新的技術(shù)。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及包括一個或多個集成電路的可植入醫(yī)療設(shè)備(MD)。至少一個集成電路包括結(jié)合至第二襯底的第一襯底。第一襯底具有前側(cè)和后側(cè)。第一通孔被形成在前側(cè)中。 該通孔從底點延伸至位于前側(cè)的表面上的第一高度。第一導(dǎo)電板被形成于第一通孔中。第一導(dǎo)電板具有底部表面和頂部表面。第一導(dǎo)電板具有低于通孔的第一高度的暴露的頂部表面。在一個或多個實施例中，第二襯底具有形成在前側(cè)中的第二通孔。該通孔從底點延伸至位于前側(cè)的表面上的第二高度。第二導(dǎo)電板被形成于第二通孔中。第二導(dǎo)電板具有低于第二高度的暴露的頂部表面。施加熱至第一和第二襯底，作為響應(yīng)，此舉引起第一和第二導(dǎo)電板在第一和第二襯底之間流動并形成單個回流的互連。
在一個或多個實施例中，公開了一種方法,用于為可植入醫(yī)療設(shè)備形成集成電路。 在一個或多個實施例中，第一通孔形成在第一襯底的第一側(cè)中。然后第一導(dǎo)電板被沉積于第一通孔中。第一導(dǎo)電板的暴露的頂部表面低于第一通孔的頂部表面。在一個或多個實施例中，第二通孔形成在第二襯底的第一側(cè)中。第二導(dǎo)電板被沉積于第二通孔中。第二導(dǎo)電板的暴露的頂部表面低于第二通孔的頂部表面。施加熱，此舉使得第一和第二導(dǎo)電板的部分去濕。例如，在其中導(dǎo)電板被沉積在諸如玻璃(也稱為熱氧化物(即，SiO2))之類的絕緣體上的區(qū)域中，第一和第二導(dǎo)電板的部分可去濕。響應(yīng)于使得第一和第二導(dǎo)電板的暴露的表面低于每一個相應(yīng)通孔的高度、且響應(yīng)于熱量，導(dǎo)電塊或單個回流的互連形成在第一和第二導(dǎo)電板之間并將第一和第二導(dǎo)電板接合在一起。形成在第一和第二襯底之間的導(dǎo)電互連可以是拱頂形、沙漏形、或球形的。該導(dǎo)電互連創(chuàng)建第一和第二襯底之間的機械和電互連。以此方式可在第一和第二襯底之間形成多個互連。當(dāng)被冷卻時，可生產(chǎn)出所得的互連的設(shè)備。
在一個或多個其他實施例中，可用上述相同方式、在設(shè)置在第一和第二襯底之間的第一和第二導(dǎo)電板之間、圍繞設(shè)備的外圍形成圈軌。在加熱和冷去后，沿圈軌形成氣密密封。由于圈軌形成的氣密密封，沿圈軌形成的氣密密封消除了在常規(guī)設(shè)備中一般會有的附加封裝的需要。沒有附加封裝允許設(shè)備相比常規(guī)設(shè)備在大小上顯著地減少。
在一個或多個實施例中，由諸如玻璃或硅之類的生物穩(wěn)定晶片形成第一和/或第二襯底。例如，結(jié)合至第二襯底的第一襯底可以是玻璃-玻璃、玻璃-硅、或硅-硅，如下文將所知的，在整個晶片上除包含板結(jié)構(gòu)和圈軌或密封的較小凹入?yún)^(qū)域之外，形成結(jié)合。
在一個或多個實施例中，由底層的粘合或阻擋材料支撐第一和/或第二導(dǎo)電板。 粘合材料可包括諸如鉻和/或鈦之類的過渡金屬元素以及諸如金之類的可濕性材料。諸如金錫(AuSn)之類的第一導(dǎo)電板在可濕性導(dǎo)電板上被沉積為薄層，且AuSn沉積的面積大于可濕性導(dǎo)電板。AuSn金屬化的頂部仍位于晶片的上表面之下，從而不干擾晶片結(jié)合。在晶片結(jié)合后或在晶片結(jié)合過程中，溫度被提升超過AuSn的熔點Γ280°Ο。AuSN從圍繞金板的玻璃中去濕且可在板上形成基本球形或拱頂形。這個焊料凸點或球的高度由板的尺寸以及在板和周圍玻璃上沉積的AuSn的面積與體積所確定。在溶解過程中，AuSn球的頂部接合至類似的AuSn球、或者接合至配對晶片上的可濕性板?？墒褂孟嗤蝾愃频倪^程來創(chuàng)建在設(shè)備的外緣周圍的密封。
圖21示出在圖20中所示光致抗蝕劑上放置的掩模的示意圖。圖22示出從圖21中所示襯底移除的所暴露的光致抗蝕劑的示意圖。圖23示出在圖22中所示襯底的熱氧化物中形成的通孔的示意圖。圖24示出在圖23中所示襯底上的熱氧化物中移除光致抗蝕劑的示意圖。圖25示出由沉積在位于圖24中所示襯底的前側(cè)上的熱氧化物中的通孔中的第 一、第二、和第三導(dǎo)電材料形成的板的示意圖。圖26示出在圖25中所示第三導(dǎo)電材料上沉積的光致抗蝕劑的示意圖。圖27示出在圖26中所示光致抗蝕劑的一部分上放置的掩模的示意圖。圖28示出從圖27中所示第三導(dǎo)電金屬移除的所暴露的光致抗蝕劑的示意圖。圖29示出移除第一、第二、和第三導(dǎo)電材料的一部分的示意圖。圖30示出移除光致抗蝕劑的剩余部分的側(cè)視圖。圖31示出在第一、第二、和第三導(dǎo)電材料上的絕緣層的示意圖。圖32示出在圖31中所示絕緣層上形成的光致抗蝕劑的示意圖。圖33示出在圖32中所示光致抗蝕劑上的掩模的示意圖。圖34示出從在圖33中所示襯底移除的光致抗蝕劑一部分的示意圖。圖35示出從圖34中所示第三導(dǎo)電材料蝕刻掉絕緣層一部分的示意圖。圖36示出從絕緣層移除剩余的光致抗蝕劑的側(cè)視圖。圖37示出從第二導(dǎo)電材料所移除的第三導(dǎo)電材料的一部分的示意圖。圖38示出在第二導(dǎo)電材料和絕緣層上沉積的金錫示意圖。圖39示出在圖38中所示金錫上形成的光致抗蝕劑的示意圖。圖40示出在圖39中所示光致抗蝕劑上的掩模的示意圖。圖41示出從圖40中所示組件移除所暴露的光致抗蝕劑的示意圖。圖42示出從圖41中所示熱氧化物層中蝕刻金錫的一部分的示意圖。圖43示出從圖42中所示金錫層移除光致抗蝕劑一部分的示意圖。圖44示出拋光絕緣層的頂部表面的示意圖。圖44a示出其中導(dǎo)電材料已經(jīng)經(jīng)受回流處理的完成的晶片的示意圖。圖45示出耦合至第二襯底的前側(cè)的第一襯底的前側(cè)的示意圖。圖46示出在第一和第二襯底之間的氣密結(jié)合的示意圖。圖47示出在第一和第二襯底之間延伸從而形成互連的金錫的示意圖。圖48示出穿通襯底形成的通孔的示意圖。圖49示出從圖48中所示襯底之一移除熱氧化物的示意圖。圖50示出用于形成能夠在將經(jīng)受晶片間結(jié)合的晶片之間形成互連的板的方法的 流程圖。圖51示出帶有氧化物交迭的晶片間結(jié)合的示意性側(cè)視圖。圖52示出沒有氧化物交迭的晶片間結(jié)合的示意性側(cè)視圖。圖53示出在回流處理前凸點與板間結(jié)構(gòu)的示意圖。圖54示出在回流處理后圖53中所示凸點與板間結(jié)構(gòu)的示意圖。圖55示出已經(jīng)經(jīng)受清潔操作并在襯底的第一和第二側(cè)上形成熱氧化物后的襯底 的示意圖。
圖56示出在襯底側(cè)邊上形成第一板層的示意圖。
圖57示出其中在襯底的整個表面上形成薄層熱氧化物的示意圖。
圖58示出形成在通孔中的導(dǎo)電金屬的示意圖。
圖59示出移除第一、第二、和第三導(dǎo)電材料的一部分的示意圖。
圖60示出在導(dǎo)電材料上沉積的金錫的示意圖。
圖61示出其中導(dǎo)電材料的一部分被移除的示意圖。
圖62示出在經(jīng)受接觸拋光操作后的熱氧化物層。
圖63示出由圖55-62中所示的處理形成的凸點間結(jié)構(gòu)。
圖64示出在回流處理后凸點與配對金屬板間結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖65示出在回流處理前凸點與板間結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖66示出在回流處理后凸點與板間結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖67示出在襯底的兩側(cè)上形成的熱氧化物。
圖68示出在圖67中所示襯底一側(cè)上的熱氧化物中的通孔的形成。
圖69示出在圖68中所示襯底的整個表面上形成的薄層熱氧化物。
圖70示出沉積到圖69中所示通孔中的導(dǎo)電材料示意圖。
圖71不出被移除的第一、第二、和第三導(dǎo)電材料的部分。
圖72示出在導(dǎo)電材料上化學(xué)氣相沉積氧化物或氮化物或兩者。
圖73示出從圖72中所示結(jié)構(gòu)移除的氧化物或氮化物層的一部分。
圖74示出從圖73中所示襯底移除的導(dǎo)電層的一部分。
圖75示出在圖74所示結(jié)構(gòu)上沉積的金錫。
圖76示出從圖75中所示襯底移除的金錫的一部分。
圖77示出在經(jīng)受光拋光操作后的圖76的結(jié)構(gòu)。
圖78示出耦合至另一個晶片前側(cè)的一個晶片的前側(cè)。
圖79示出從圖78中所示的實施例形成的晶片間結(jié)合。
圖80示出其中晶片之一包括配對金屬板的另一個實施例。
圖81示出在回流后的凸點與配對金屬板。
圖82示出其中實現(xiàn)晶片間互聯(lián)技術(shù)來形成氣密密封中的密封環(huán)的俯視圖。
圖83示出重要的幾何形狀被加以標(biāo)記的凸點結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖84示出在沒有配對凸點的情況下，回流的、拱頂型、單個凸點的SEM。
具體實施方式
圖6-84中所示的本公開以及隨附文本公開了晶片間結(jié)合和電連接的形成，其可被用于

圖1-5中所示的各種可植入醫(yī)療設(shè)備(IMD)，其中期望有較小尺寸、氣密、和多個管芯連接。各種組件可采用此處描述的技術(shù)。傳感器(如，無線傳感器、有線傳感器)、智能引線和/或微型治療設(shè)備代表了可實現(xiàn)本發(fā)明的教導(dǎo)的組件類型。傳感器、智能引線或微型化設(shè)備可被或可不被保護(hù)并封在可植入心律轉(zhuǎn)變除顫器(ICD)鈦罐或殼中。明顯的是，來自一個實施例的元件可被與其他實施例的元件組合使用，且此處說明的使用特征組合的這樣的裝置的可能的實施例不限于附圖中所示和/或此處描述的特定實施例。進(jìn)一步，可理解的是此處描述的實施例可包括并不需要按比例繪制的很多元件。進(jìn)一步，可理解的是此處各元件的大小和形狀可被修改但仍落在本發(fā)明的范圍內(nèi)，雖然一個或多個形狀和/或大小、或元件類型可相比其他有利。
圖I是示出可被用于提供治療至患者14的心臟12的示例性治療系統(tǒng)10的概念示圖。治療系統(tǒng)10包括結(jié)合有此處描述的半導(dǎo)體處理的一個或多個集成電路。患者12通常但不一定是人類。治療系統(tǒng)10包括MD16，其耦合至引線18、20、和22以及編程器24。MD 16可以是，例如，可植入起搏器、復(fù)律器、和/或除顫器，經(jīng)由耦合至一個或多個引線18、20、 和22的電極向心臟12提供電信號。
引線18、20、22延伸至患者16的心臟12內(nèi)來感測心臟12的電活動和/或?qū)㈦姶碳鬟f至心臟12。在圖I所示的示例中，右心室(RV)引線18延伸通過一個或多個靜脈(未示出)、上腔靜脈(未示出)、和右心房26，并進(jìn)入右心室28。左心室(LV)冠狀竇引線20延伸通過一個或多個靜脈、腔靜脈、右心房26、并進(jìn)入冠狀竇30至與心臟12的左心室32的自由壁相鄰的區(qū)域。右心房(RA)引線22延伸通過一個或多個靜脈和腔靜脈、并進(jìn)入心臟12的右心房26。
IMD 16，經(jīng)由耦合至至少一個引線18、20、22的電極(在圖I中未示出)，可感測進(jìn)行心臟12的去極化和復(fù)極化的電信號。在一些示例中，IMD 16基于在心臟12中感測到的電信號，提供起搏脈沖至心臟12。由IMD 16使用的用于感測和起搏的電極的配置可以是單極的或雙極的。頂D 16還可經(jīng)由位于至少一個引線18、20、22上的電極提供去心臟纖顫治療和/或復(fù)律治療。頂D 16可檢測心臟12的心律不齊，諸如心室28和32的心室纖顫，并將去心臟纖顫治療以電脈沖的形式傳遞至心臟12。在一些示例中，可對IMD 16編程以傳遞治療的進(jìn)展，例如具有遞增能級的脈沖，直到心臟12的心室纖顫停止為止。IMD 16利用本領(lǐng)域已知的一種或多種心室纖顫檢測技術(shù)來檢測心室纖顫。
在一些示例中，編程器24可以是手持式計算設(shè)備或計算機工作站。編程器24可包括從用戶處接收輸入的用戶接口。用戶接口可包括例如鍵區(qū)和顯示器，所述顯示器例如可以是陰極射線管(CRT)顯示器、液晶顯示器(LCD)或發(fā)光二極管(LED)顯示器。鍵區(qū)可以采用字母數(shù)字鍵盤或與特定功能相關(guān)聯(lián)的鍵的精簡集。編程器24可附加或替代地包括外圍定點設(shè)備，例如鼠標(biāo)，通過該外圍定點設(shè)備用戶可通過用戶接口形成交互。在一些實施例中，編程器24的顯示器可包括觸摸屏顯示器，并且用戶可經(jīng)由顯示器與編程器24進(jìn)行交互。
例如醫(yī)師、技術(shù)人員、或其它臨床醫(yī)生之類的用戶可與編程器24交互以與MD 16 通信。例如，用戶可與編程器24交互以從MD 16得到生理學(xué)或診斷信息。用戶也可與編程器24交互以對MD 16編程，例如為MD的操作參數(shù)選擇一些值。
例如，用戶可使用編程器24從IMD 16得到有關(guān)心臟12的心律、其隨時間的趨勢、 或快速性心律失常癥狀的信息。作為另一個示例，用戶可使用編程器24從IMD 16獲得有關(guān)病人14的其他所感測到的生理學(xué)參數(shù)(諸如心臟內(nèi)或血管內(nèi)的壓力、活動、姿態(tài)、呼吸、 或胸阻力)有關(guān)的信息。作為另一個示例，用戶可使用編程器24從IMD 16獲得關(guān)于IMD 16 或系統(tǒng)10的其它組件(諸如MD 16的引線18、20和22、或電源)的性能或完整性的信息。
用戶可使用編程器24編程治療進(jìn)展、選擇用于傳遞去纖顫脈沖的電極、選擇去纖顫脈沖的波形、或者選擇或配置頂D 16的去纖顫檢測算法。用戶也可使用編程器24編程由MD 14提供的其它治療的各方面，例如復(fù)律或起搏治療。在一些示例中，用戶可通過經(jīng)由編程器24輸入單個命令，諸如按下鍵盤的單個鍵或多個鍵組合或通過定點設(shè)備的單次點擊和選擇動作，來激活I(lǐng)MD 16的特定特征。
IMD 16和編程器24可使用本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)通過無線通信來通信。通信技術(shù)的示例可包括例如低頻或射頻(RF)遙測，但也可考慮采用其它技術(shù)。在一些示例中，編程器24可包括設(shè)置在靠近MD 16植入點附近的患者身體的編程頭,從而改進(jìn)頂D 16和編程器24之間的通信的質(zhì)量和安全性。
圖2是更詳細(xì)地示出治療系統(tǒng)10的MD 16和引線18、20和22的概念圖。弓丨線 18、20、22可經(jīng)由連接器塊34電耦合至刺激發(fā)生器、感測模塊、或其他模塊MD 16。在一些示例中，引線18、20、22的近端可包括電觸點，其電耦合至連接器塊34中的各對應(yīng)電觸點。 此外，在一些示例中，引線18、20、22可在定位螺絲、連接銷、或另一個合適的機械耦合裝置的幫助下，機械地耦合至連接器塊34。
引線18、20、22中的每一個包括細(xì)長絕緣引線本體，該細(xì)長絕緣引線本體可承載數(shù)根同心繞制的線圈式導(dǎo)體，這些同心繞制的線圈式導(dǎo)體通過管狀絕緣包鞘彼此分隔開。 在圖示示例中，壓力傳感器38和雙極電極40和42位于鄰近引線18的遠(yuǎn)端處。此外，雙極電極44和46位于鄰近引線20的遠(yuǎn)端處，且雙極電極48和50位于鄰近引線22的遠(yuǎn)端處。 在圖2中，壓力傳感器38被配置在右心室28中。壓力傳感器38可響應(yīng)于右心室28內(nèi)的絕對壓力，且可以是，例如，電容性或壓電絕對壓力傳感器。在其他示例中，壓力傳感器38 可被放置在心臟12的其他區(qū)域中，且可監(jiān)測心臟12的一個或多個其他區(qū)域中的壓力，或可被放置在患者14的心血管系統(tǒng)中任何地方或鄰近心血管系統(tǒng)的任何地方,來監(jiān)測與心臟的機械收縮相關(guān)聯(lián)的心血管壓力。
電極40、44和48可采用環(huán)形電極的形式，且電極42、46和50分別可采用可伸縮地安裝在絕緣電極頭52、54和56中的可伸長的螺旋尖端電極的形式。電極40、42、44、46、 48、和50中的每一個可電稱合于其相關(guān)聯(lián)引線18、20、22的引線本體內(nèi)各相應(yīng)的線圈式導(dǎo)體之一，并由此耦合至位于引線18、20、和22的近端上的各相應(yīng)的一個電觸點。
電極40、42、44、46、48、和50可感測進(jìn)行心臟12的去極化和復(fù)極化的電信號。電信號經(jīng)由各相應(yīng)引線18、20、22被傳導(dǎo)至MD 16。在一些示例中，頂D 16還經(jīng)由電極40、 42、44、46、48、和50傳遞起搏脈沖來引起心臟12的心臟組織的去極化。在一些示例中，如圖2中所不，IMD 16包括一個或多個外殼電極,諸如外殼電極58,其可被與IMD 16的氣密外殼60的外表面一體地形成或I禹合至外殼60。在一些不例中，夕卜殼電極58由IMD 16的外殼60的面朝外部分的非絕緣部分限定?？刹捎猛鈿?0的絕緣和非絕緣部分的其他區(qū)分來定義兩個或更多個外殼電極。在一些不例中，外殼電極58包括基本全部的外殼60?？墒褂秒姌O40、42、44、46、48、和50中的任意用于單極感測或與外殼電極58相組合的起搏。
如參看圖4更詳細(xì)地描述地，外殼60可封入產(chǎn)生心臟起搏脈沖和去極化或復(fù)律沖擊的刺激發(fā)生器，還有用于檢測患者心律的感測模塊。
引線18、20、22還各自包括細(xì)長電極62、64、66，它們可采取線圈的形式。MD 16 可經(jīng)由細(xì)長電極62、64、66和外殼電極58的任意組合來將去極化沖擊傳遞至心臟12。還可使用電極58、62、64、66來將復(fù)律脈沖傳遞至心臟12。電極62、64、66可從任何合適的導(dǎo)電材料制成，諸如但不限于，鉬、鉬合金或已知可用在可植入去極化電極中的其他材料。
壓力傳感器38可被耦合至引線18中的一個或多個線圈式導(dǎo)體。在圖2中，壓力傳感器38相比細(xì)長電極62，位于更為遠(yuǎn)離引線18處。在其他示例中，壓力傳感器38相比細(xì)長電極62可被放置為更為靠近、而不是遠(yuǎn)離電極62。進(jìn)一步，在其他示例中，壓力傳感器38可被耦合至引線20、22中的另一個，或者耦合至除攜載刺激的引線18、20、22和感測電極之外的引線。此外，在一些示例中，壓力傳感器38可以是植入在心臟12內(nèi)(諸如在將右心室28與左心室32分離的隔膜中、或在將右心房26與左心房33分離的隔膜中)的自包含設(shè)備。在這樣的示例中，壓力傳感器38可與MD 16無線通信。
圖I和2中示出的治療系統(tǒng)10的配置僅為一個示例。在其他示例中，除了在圖I 中所示的經(jīng)靜脈引線18、20、22之外，或替代其，治療設(shè)備可包括心外膜引線和/或貼片電極。進(jìn)一步，頂D 16不需要被植入在患者14中。在其中MD 16未被植入在患者14體內(nèi)的示例中，MD 16可經(jīng)由經(jīng)皮引線將去極化沖擊和其他治療傳遞至心臟12，該經(jīng)皮引線通過患者14的皮膚延伸到心臟12內(nèi)或外的各個位置。
在提供電刺激治療至心臟12的治療系統(tǒng)的其他示例中，治療系統(tǒng)可包括耦合至 IMD 16的任何合適數(shù)量的引線，且每一個引線可延伸至心臟12內(nèi)或鄰近心臟12的任何位置。例如，治療系統(tǒng)的其他示例可包括如圖I和2中被放置的三個經(jīng)靜脈引線，和置于左心房33或鄰近左心房33的附加引線。作為另一個示例，治療系統(tǒng)的其他示例可包括從頂D 16延伸至右心房26或左心室28的單個引線、或延伸至右心室26和右心房28中的各對應(yīng)一個的兩個引線。這個類型的治療系統(tǒng)的示例被圖示于圖3中。
圖3是示出另一示例治療系統(tǒng)70的概念圖，其類似于圖1-2的治療系統(tǒng)10但包括兩個引線18、22，而不是三個引線。引線18、22分別被植入右心室28和右心房26。圖3 中所示的治療系統(tǒng)70可用于提供去極化和起搏脈沖至心臟12。
圖4是MD 16的一個示例性配置的功能框圖，其包括處理器80、存儲器82、刺激發(fā)生器84、感測模塊86、遙測模塊88、和電源90。存儲器82包括計算機可讀指令，當(dāng)其在處理器80上被執(zhí)行時，引起MD 16和處理器80執(zhí)行歸于此處的MD 16和處理器80的各種功能。存儲器82可包括任何易失性、非易失性、磁、光或電介質(zhì)，例如隨機存取存儲器 (RAM)、只讀存儲器(ROM)、非易失性RAM(NVRAM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存或任何其它數(shù)字介質(zhì)。
處理器80可包括微處理器、控制器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路 (ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或等效的分立或集成邏輯電路中的一個或多個。在一些示例中，處理器80可包括多個組件，例如一個或多個微處理器、一個或多個控制器、一個或多個DSP、一個或多個ASIC或者一個或多個FPGA以及其它分立或集成邏輯電路的任意組合。歸于此處的處理器80的功能可體現(xiàn)為軟件、固件、硬件、或者其任意組合。處理器80， 根據(jù)可存儲在存儲器82內(nèi)的選定的一個或多個治療程序，控制刺激發(fā)生器84來將刺激治療傳遞至心臟12。特定地，處理器44可控制刺激發(fā)生器84以傳遞具有由選定的一個或多個治療程序指定的振幅、脈寬、頻率或電極極性的電脈沖。
刺激發(fā)生器84，如，經(jīng)由各相應(yīng)引線18，20，22、或在外殼電極58的情況下經(jīng)由設(shè)置在IMD 16的外殼60內(nèi)的電導(dǎo)體，電耦合至電極40，42，44，46，48，50，58，62，64，和66。 刺激發(fā)生器84被配置為產(chǎn)生并傳遞電刺激治療至心臟12。例如，刺激發(fā)生器84可經(jīng)由至少兩個電極58，62，64，66傳遞去極化沖擊至心臟12。刺激發(fā)生器84可經(jīng)由耦合至引線18、 20、和22的各環(huán)形電極40、44、48，和/或引線18、20、和22的各螺旋形電極42、46、和50，傳遞起搏脈沖。在一些示例中，刺激發(fā)生器84以電脈沖的形式傳遞起搏、復(fù)律、或去極化刺激。在其它示例中，刺激發(fā)生器可以諸如正弦波、方波或其它基本連續(xù)時間信號之類的其它信號形式傳遞這些類型的刺激中的一種或多種。
刺激發(fā)生器84可包括開關(guān)模塊，且處理器80可使用開關(guān)模塊，例如經(jīng)由數(shù)據(jù)/地址總線，來選擇可用電極中的哪些用來傳遞去極化沖擊或起搏脈沖。開關(guān)模塊可包括開關(guān)陣列、開關(guān)矩陣、多路復(fù)用器或適于有選擇地將刺激能量耦合于所選電極的任意其它類型開關(guān)器件。
感測模塊86監(jiān)測來自電極40，42，44，46，48，50，58，62，64，或66中的至少一個的信號，從而例如，經(jīng)由心電圖(ECG)信號監(jiān)測心臟12的電活動。感測模塊86還可包括開關(guān)模塊來選擇哪些可用電極被用于感測心臟活動。在一些示例中，處理器80可經(jīng)由感測模塊 86中的開關(guān)模塊，例如通過藉由數(shù)據(jù)/地址總線提供信號，來選擇用作感測電極的電極。在一些示例中，感測模塊86包括一個或多個感測通道，每個感測通道可包括一放大器。響應(yīng)來自處理器80的信號，感測模塊86中的開關(guān)模塊可將來自所選電極的輸出耦合至其中一個感測通道。
在一些示例中，感測模塊86的一個通道可包括R-波放大器，其從電極40和42接收信號，該信號被用于起搏并感測心臟12的右心室28。另一個通道可包括另一個R-波放大器，其從電極44和46接收信號，該信號被用于在鄰近心臟12的左心室32之處起搏并感測。在一些示例中，R-波放大器可采用自動增益受控放大器的形式，其提供可調(diào)節(jié)感測閾值，該閾值因變于心律的測得的R-波幅值。
此外，在一些示例中，感測模塊86的一個通道可包括P-波放大器，其從電極48和 50接收信號，該信號被用于在心臟12的右心房26內(nèi)起搏并感測。在一些示例中，P-波放大器可采用自動增益受控放大器的形式，其提供可調(diào)節(jié)感測閾值，該閾值因變于心律的測得的P-波幅值。R波和P波放大器的示例描述在1992年6月2日授權(quán)的名為“APPARATUS FOR MONITORINGELECTRICAL PHYSIOLOGIC SIGNALS” 的 Keimel 等人的美國專利 No. 5，117，824 中，并全文援引納入本文中。也可使用其它放大器。此外，在一些示例中，感測模塊86的一個或多個感測通道可選擇性地稱合至外殼電極58、或細(xì)長電極62、64或66,與一個或多個電極40、42、44、46、48或50 —起或取代一個或多個電極40、42、44、46、48或50，例如用于單極感測心臟12的任意腔26、28或32中的R波或P波。
在一些示例中，感測模塊86包括一通道，該通道包括具有比R波或P波放大器相對更寬通頻帶的放大器。來自被選擇用于耦合至該寬帶放大器的所選感測電極的信號可被提供至多路復(fù)用器，并隨后通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成多位數(shù)字信號用于存儲在存儲器82中作為心電圖(EGM)。在一些示例中，將該EGM存儲在存儲器82中可在直接存儲器存取電路的控制下進(jìn)行。處理器80可采用數(shù)字信號分析技術(shù)來表征存儲在存儲器82中的數(shù)字化信號的特征以從電信號檢測并分類患者的心率。處理器80可通過采用本領(lǐng)域內(nèi)已知的眾多信號處理方法中的任何方法來檢測并分類患者14的心率。
如果MD 16被配置為產(chǎn)生并傳遞起搏脈沖至心臟12，處理器80可包括起搏定時與控制模塊，其可被實現(xiàn)為硬件、固件、軟件、或其組合。起搏器定時與控制模塊可包括與諸如微處理器之類的其他處理器80組件分離的專用硬件電路，例如ASIC、或包括可由處理器 80的組件(可以是微處理器或ASIC)執(zhí)行的軟件模塊。起搏器定時與控制模塊可包括可編程計數(shù)器，其控制與 DDD、WI、DVI、VDD、AAI、DDI、DDDR、WIR、DVIR、VDDR、AAIR、DDIR/ 以及單和雙腔起搏的其他模式，相關(guān)聯(lián)的基本時間間隔。在前面提到的起搏模式中，“D”可指示雙腔，“V”可指示心室，“I”可指示被禁止的起搏(例如無起搏)，而“A”可指示心房。起搏模式中的第一個字母可指示被起搏的腔，第二個字母可指示其中感測到電信號的腔，而第三個字母可指示其中提供對感測的響應(yīng)的腔。
處理器80中的起搏器定時與控制模塊所定義的間隔可包括心房與心室逸搏間隔、不應(yīng)期(其中所感測的P-波和R-波不能有效地重啟逸搏間隔的定時)、和起搏脈沖的脈沖寬度。作為另一個示例，起搏器定時與控制模塊可定義消隱期(blanking period),并提供來自感測模塊86的信號來，在電刺激傳遞至心臟12的過程中或之后，消隱一個或多個通道，如，放大器，達(dá)一段時間。這些間隔的持續(xù)時間可由處理器80響應(yīng)于存儲器82中所存儲的數(shù)據(jù)來確定。處理器80的起搏器定時與控制模塊還可確定心臟起搏脈沖的幅值。
在起搏過程中，一旦感測到R-波或P-波，處理器80的起搏器定時與控制模塊內(nèi)的逸博間隔計數(shù)器可被重設(shè)。刺激生成器84可包括起搏器輸出電路，該電路，如，通過轉(zhuǎn)換模塊被選擇性地耦合至電極40，42，44，46，48，50，58，62，或66的任意組合，該組合適于傳遞單極或雙極起搏脈沖至心臟12的一個腔。一旦刺激生成器84產(chǎn)生起搏脈沖，處理器80 可重置逸博間隔計數(shù)器，且藉此控制心臟起搏功能(包括抗快速性心律 失常起搏)的基本定時。
當(dāng)由所感測到的R-波和P-波重置時逸博間隔計數(shù)器中現(xiàn)有的計數(shù)的值可由處理器80使用來感測R-R間隔、P-P間隔、P-R間隔、和R-P間隔的持續(xù)時間，這是可被存儲于存儲器82中的測量。處理器80可使用間隔計數(shù)器中的計數(shù)來檢測快速性心律失常起搏事件，諸如心室纖顫事件或心室心動過速事件。一旦檢測到閾值數(shù)目的快速性心律失常事件， 處理器80可標(biāo)識快速性心律失常癥狀的存在，諸如心室纖顫癥狀、心室心動過速癥狀、或非持久心動過速(NST)癥狀。
在一些示例中，處理器80可作為中斷驅(qū)動設(shè)備工作，且響應(yīng)于來自起搏器定時與控制模塊92的中斷，其中中斷可對應(yīng)于所感測的P波和R波的發(fā)生以及心臟起搏脈沖的產(chǎn)生。將由處理器80執(zhí)行的任何必要的數(shù)學(xué)計算以及受處理器80的起搏器定時與控制模塊所控制的值或間隔的任何更新可緊隨這些中斷之后發(fā)生。存儲器82的一部分可被配置為多個再循環(huán)緩存，能保持一系列所測得的間隔，處理器80響應(yīng)起搏或感測中斷的發(fā)生來分析這些間隔以確定患者的心臟12目前是否表現(xiàn)出心房或心室快速性心律失常。
在一些示例中，心律失常檢測方法可包括任何合適的快速性心律失常檢測算法。 在一個示例中，處理器80可利用1996年8月13日授權(quán)的名為“PRIORITIZED RULE BASED METHOD AND APPARATUS FORDIAGNOSIS AND TREATMENT OF ARRHYTHMIAS” 的 Olson 等人的美國專利 No. 5，545，186、或 1998 年 5 月 26 日授權(quán)的名為“PRIORITIZED RULE BASEDMETH0D AND APPARATUS FOR DIAGNOSIS AND TREATMENT OFARRHYTHMIAS” 的 Gillberg 等人的美國專利No. 5，755，736中記載的基于規(guī)則的檢測方法的全部或其一部分。Olson等人的美國專利No. 5，545，186和Gillberg等人的美國專利No. 5，755，736通過援引整體并入此處。然而，在其它示例中，其它心律失常檢測方法也可由處理器80采用。
在本文描述的示例中，處理器80可通過檢測指示快速性心律失常的平均速率的一系列快速性心律失常事件(例如具有小于或等于閾值的持續(xù)時間的R-R或P-P間隔)或不間斷的一系列短暫R-R或P-P間隔，來標(biāo)識心房或心室快速性心律失常癥狀的存在。用于確定指示快速性心律失常事件的R-R或P-P間隔的閾值可被存儲于IMD 16的存儲器82 中。此外，被檢測來確認(rèn)快速性心律失常癥狀的存在的快速性心律失常事件的次數(shù)可被存儲為存儲器82中多個的檢測間隔數(shù)(NID)閾值。在一些示例中，處理器80還可通過檢測心臟信號的R-波之間的可變耦合間隔來標(biāo)識快速性心律失常癥狀的存在。例如，如果連續(xù)快速性心律失常事件之間的間隔變化特定百分比或耦合間隔之間的差超過預(yù)定數(shù)量的連續(xù)循環(huán)均高于給定閾值，則處理器80可確定快速性心律失常存在。
如果處理器80基于來自感測模塊86的信號檢測出心房或心室快速性心律失常、 且期望抗快速性心律失常起搏療法(regimen)的狀況下，可通過處理器80，將用于控制信號發(fā)生器84產(chǎn)生抗快速性心律失常起搏治療的時間間隔加載入起搏器定時與控制模塊以控制其中的逸博間隔計時器的操作并定義其中R波和P波的檢測不能有效重啟逸博間隔計時器的不應(yīng)期。
如果MD 16被配置成產(chǎn)生去纖顫脈沖并將其傳遞至心臟12，則刺激發(fā)生器84可包括高壓充電電路和高壓輸出電路。在需要產(chǎn)生復(fù)律或去纖顫沖擊的情況下，處理器80可利用逸博間隔計數(shù)器來控制這樣的復(fù)律和去纖顫沖擊的定時、以及相關(guān)聯(lián)的不應(yīng)期。響應(yīng)于心房或心室纖顫或要求復(fù)律脈沖的快速性心律失常的檢測，處理器80可激活復(fù)律/去纖顫控制模塊，其可以，同起搏器定時與控制模塊一樣，是處理器80的硬件組件和/或固件或由處理器80的一個或多個硬件組件所執(zhí)行的軟件模塊。在高壓充電控制線的控制下，復(fù)律 /去纖顫控制模塊可初始化刺激生成器84的高壓充電電路的高壓電容的充電。
處理器80可例如經(jīng)由電壓充電與電位(VCAP)線監(jiān)測高壓電容器上的電壓。響應(yīng)于高壓電容器上的電壓達(dá)到由處理器80設(shè)定的預(yù)定值，處理器80可產(chǎn)生終止充電的邏輯信號。此后，刺激生成器84的對于去纖顫或復(fù)律脈沖的傳遞受控于處理器80的復(fù)律/去纖顫控制模塊。在纖顫或心動過速的治療傳遞之后，處理器80可將刺激生成器84恢復(fù)至心臟起搏功能并等待由于起搏或所感測到的心房或心室去極化的發(fā)生引起的下一個連續(xù)的中斷。
刺激生成器84可借助輸出電路傳遞復(fù)律或去纖顫沖擊，該輸出電路確定是傳遞單相還是雙相脈沖、外殼電極58用作陰極還是陽極、以及傳遞復(fù)律或去纖顫脈沖涉及哪些電極。此功能可由刺激生成器84的一個或多個開關(guān)或開關(guān)模塊提供。
遙測模塊88包括任何合適的硬件、固件、軟件或其任意組合，從而與例如編程器 24(圖I)的另一設(shè)備通信。在處理器80的控制下，遙測模塊88可在天線(可以是內(nèi)部天線和/或外部天線)的幫助下從編程器24接收下行鏈路遙測并將上行鏈路遙測送至編程器 24。處理器80可例如經(jīng)由地址/數(shù)據(jù)總線提供將被上行鏈路至編程器24的數(shù)據(jù)以及遙測模塊88中的遙測電路的控制信號。在一些示例中，遙測模塊88可經(jīng)由多路復(fù)用器將所接收的數(shù)據(jù)提供至處理器80。
在一些示例中，處理器80可將由感測模塊86中的心房和心室感測放大電路產(chǎn)生的心房和心室心臟信號(如，心電圖信號)傳輸至編程器24。編程器24可詢查MD 16來接收心臟信號。處理器80可將心臟信號存儲在存儲器82中、并從存儲器82中獲得所存儲的心臟信號。處理器80還可產(chǎn)生并存儲指示感測模塊86檢測的不同心臟癥狀的標(biāo)記代碼， 并將這些標(biāo)記代碼傳輸至編程器24。具有標(biāo)記通道能力的示例性起搏器在1983年2月15日授權(quán)的名為“MARKER CHANNEL TELEMETRY SYSTEM FOR A MEDICAL DEVICEI^Markowitz 的美國專利No. 4，374，382中有所描述，該專利通過援引全部并入此。
IMKD 16的各組件耦合至電源90，電源90可包括可充電和不可充電電池?？蛇x擇不可充電電池來維持?jǐn)?shù)年，但是可再充電電池可從外部設(shè)備例如以每日或每周地電感性地充電。
圖5是示例性編程器24的框圖。如圖5所示，編程器24包括處理器100、存儲器 102、用戶界面104、遙測模塊106、以及電源108。編程器24可以是帶有用于編程MD 16的專用軟件的專用硬件設(shè)備?？蛇x地，編程器24可以是運行能使編程器24對于MD 16編程的應(yīng)用的現(xiàn)成計算設(shè)備。
用戶可使用編程器24選擇治療程序(例如各組刺激參數(shù))、生成新的治療程序、通過個別或全局調(diào)整修改治療程序、或?qū)⑿鲁绦騻鬏斨玲t(yī)療設(shè)備，例如IMD 16(圖I)。臨床醫(yī)生經(jīng)由用戶界面104與編程器24交互，該界面104可包括向用戶顯示圖形用戶接口的顯示器以及從用戶處接收輸入的鍵盤或另一機構(gòu)。
處理器100可采用一個或多個微處理器、DSP、ASIC、FPGA、可編程邏輯電路等的形式，并且此處分配給處理器100的功能可被實現(xiàn)為硬件、固件、軟件或其任意組合。存儲器 102可存儲指令。例如，只讀存儲器(ROM)存儲計算機指令。處理器80被配置為從ROM處獲取計算機指令，然后處理器80執(zhí)行該計算機指令。處理器80的計算機指令的執(zhí)行可導(dǎo)致處理器100來生成控制信號至MD 16的組件或電和/或機械地耦合至MD 16的組件。 處理器80可提供歸屬于此處編程器24的功能、并提供由處理器100所使用的信息來提供歸屬于此處編程器24的功能。存儲器102可包括任何固定或可移動的磁、光或電學(xué)介質(zhì)， 例如RAM、ROM、CD-ROM、硬盤或軟磁盤、EEPROM等。存儲器102也可包括可用于提供存儲器容量的存儲器升級或增加的可移動存儲器部分?？梢苿哟鎯ζ鬟€可允許將患者數(shù)據(jù)容易地轉(zhuǎn)移到另一計算設(shè)備，或者在使用編程器24對另一患者的進(jìn)行治療編程之前去除該患者數(shù)據(jù)。存儲器102也可存儲控制MD 16的治療傳遞的信息，例如刺激參數(shù)值。
編程器24可無線地與MD 16通信，例如使用RF通信或近側(cè)電感性交互。該無線通信可能通過使用遙測模塊102實現(xiàn)，遙測模塊106可耦合于內(nèi)部天線或外部天線。耦合至編程器24的外部天線可對應(yīng)于可被置于心臟12上的編程頭，如參考圖I所描述的。遙測模塊102可類似于MD 16的遙測模塊88 (圖4)。
遙測模塊102也可配置成經(jīng)由無線通信技術(shù)與另一計算設(shè)備通信，或通過有線連接直接通信。可利用以促成編程器24和另一計算設(shè)備之間的通信的本地?zé)o線通信技術(shù)的示例，包括根據(jù)802. 11或藍(lán)牙規(guī)范集的RF通信、紅外通信，例如根據(jù)IrDA標(biāo)準(zhǔn)、或其它標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ眠b測協(xié)議。以此方式，其他外部設(shè)備能夠與編程器24通信，而無需建立安全的無線連接。
電源108將操作功率傳送到編程器24的組件。電源108可包括電池以及產(chǎn)生操作功率的功率生成電路。在一些實施例中，電池可以是可充電的以允許延長的操作。充電可通過將電源108電耦合到連接至交流(AC)出口的支架或插頭來完成。另外或可選地，充電可通過外部充電器與編程器24內(nèi)的電感充電線圈之間的近側(cè)電感性交互來完成。在其他實施例中，可使用常規(guī)電池(例如，鎘鎳或鋰離子電池)。此外，編程器24可直接將交流出口耦合至電源編程器24。電源104可包括監(jiān)測保留在電池內(nèi)的電力的電路。以此方式，用戶界面104可提供當(dāng)前電池水平指示符、或者當(dāng)需要更換電池或?qū)﹄姵爻潆姇r的低電池水平指示符。在一些情況下，電源108能夠估計使用當(dāng)前電池剩余的操作時間。
再次參看圖4，IMD 16的處理器80，基于經(jīng)由感測模塊86監(jiān)測的心臟12的電心動描記活動，可檢測快速性心律失常癥狀，諸如心室纖顫、心室心動過速、快速心室快速性心律失常癥狀、或NST癥狀。例如，感測模塊86，在電極40，42，44，46，48，50, 58，62，64，和 66 (如圖1-2中所示)的至少一些的幫助下,可產(chǎn)生表示電心動描記活動的心電圖(ECG)或電描記圖(EGM)信號?？蛇x地，感測模塊86可被耦合至與傳遞電刺激至心臟12的刺激電極不同的感測電極(如圖1-3中所示)、且可被耦合至不同于引線18、20、22的一個或多個引線(如圖1-2中所示)。ECG信號可表示心臟12的去極化。
例如，如上所述，在一些示例中，處理器80，通過檢測閾值數(shù)量的快速性心律失常事件(如，具有小于或等于閾值的R-R或P-P間隔)，可標(biāo)識快速性心律失常癥狀的存在。在一些示例中，處理器80還可通過檢測心臟信號的R-波之間的可變耦合間隔來標(biāo)識快速性心律失常癥狀的存在。
本公開中描述的技術(shù)，包括歸于MD 16、編程器24、或各構(gòu)成組件的那些技術(shù)，可至少部分地以硬件、軟件、固件或其任意組合來實現(xiàn)。例如，這些技術(shù)的各方面可實現(xiàn)在包括一個或多個微處理器、DSP、ASIC、FPGA或任何其他等效的集成或分立邏輯電路以及這些組件的任意組合的一個或多個處理器中，體現(xiàn)在諸如醫(yī)生或患者的編程器、刺激器、圖像處理設(shè)備或其他設(shè)備之類的編程器中。術(shù)語“處理器”或“處理電路”一般可以指單獨或結(jié)合其他邏輯電路組合的任一前述邏輯電路、或者任何其他等效電路。
這些硬件、軟件、固件可在同一設(shè)備或單獨的設(shè)備內(nèi)實現(xiàn)，以支持本公開中所描述的各種操作和功能。另外，任一所述單元、模塊或組件可一起或者作為分立但可互操作的邏輯設(shè)備單獨實現(xiàn)。將不同特征描繪為模塊或單元旨在強調(diào)不同的功能方面，并且不一定暗示這些模塊或單元必須通過單獨的硬件或軟件組件來實現(xiàn)。相反，與一個或多個模塊或單元相關(guān)聯(lián)的功能可由單獨的硬件或軟件組件執(zhí)行，或者集成在共同或單獨的硬件或軟件組件內(nèi)。
當(dāng)以軟件實現(xiàn)時，對于本公開中所描述的系統(tǒng)、設(shè)備和技術(shù)的功能可體現(xiàn)為諸如 RAM、ROM、NVRAM、EEPROM、FLASH存儲器、磁性數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)、光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)等計算機可讀介質(zhì)上的指令?？捎梢粋€或多個處理器執(zhí)行這些指令以支持本公開中所描述的功能的一個或多個方面。
圖6-50和相應(yīng)文本中呈現(xiàn)的是在晶片上執(zhí)行的一系列操作從而形成為晶片間互連以及氣密密封來形成氣密設(shè)備。下列的表I簡短地匯總了相對于每一個附圖的每一個操作。
參看圖6，襯底300，也被稱為晶片，被獲得并被放置在位置上，來經(jīng)受多個順序的處理操作，其中一些可以是自動化的。襯底300 —般包括硅晶體，通常被稱為單晶硅或玻璃復(fù)合物。示例性玻璃復(fù)合物可包括硼硅玻璃(BSG)，從位于德國、Elsoff的Plan Optik商業(yè)地可獲得。襯底300包括前側(cè)302a (第一側(cè)或頂側(cè))和后側(cè)302b (第二側(cè)或底側(cè))。后側(cè)302b被圖示為水平地沿著X-軸，而頂側(cè)302a被圖示為沿y-軸比后側(cè)302b垂直地更高并平行于后側(cè)302b。在用于圖案化前側(cè)和后側(cè)302a、b的準(zhǔn)備中，前和后側(cè)302a、b經(jīng)受一系列操作。
硅襯底300的后側(cè)302b被圖示為已經(jīng)經(jīng)受了研磨和拋光操作，從而后側(cè)302b可接收刻線，其標(biāo)識晶片為特定批次晶片中的個別晶片。優(yōu)選地，在研磨操作過程中從后側(cè) 302b上移除硅的約Ay(y2-yl)，約為I. 5mil ;然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員了解被移除的硅的量可被調(diào)節(jié)。例如，取決于經(jīng)受研磨操作的后側(cè)302η的最終期望特性，可移除增加量或減少量的硅。由位于日本的disco制造的研磨裝置可被用于從后側(cè)302b上研磨一部分硅。
在研磨操作完成后，然后襯底300可被裝載在襯底移動器(也被稱為TEFLON K.· 舟皿)中，從而襯底可被移動到位用于清潔操作。該襯底移動器被配置為在清潔操作過程中持有并沿X-軸和/或y_軸方向移動襯底300。例如，在操作2，襯底300被放置在襯底移動器中，襯底移動器然后被置于清潔裝置中。清潔裝置包括清潔噴霧301，其中如圖7中所示復(fù)合物(多個)被噴灑在襯底300上，同時襯底300被圍繞X-軸旋轉(zhuǎn)。清潔裝置從位于明尼蘇達(dá)Chaska的FSI裝置商業(yè)地可獲得，商標(biāo)名Mercury。過氧化氫(H2O2) /氫氧化銨 (NH4OH)和/或H2O2/鹽酸(HCl)可被用作用清潔噴霧301或清潔噴霧301的一部分，用于清潔襯底300。一旦特定物質(zhì)，有機、離子的、和/或金屬雜質(zhì)被從襯底300的表面302a、b 移除，則認(rèn)為襯底300被充分地清潔。
在襯底300被清潔后，阻擋層308a (或諸如氧化物、氮化物等的熱氧化物)被形成在襯底300上，如圖8中所示，從而保護(hù)硅300，同時在后側(cè)302b上放置刻線。可理解的是， 可使用其他阻擋材料，諸如Silox、TE0S、氮化硅、或各種聚酰亞胺。為了形成阻擋層308a， 襯底300被放置在諸如被配置為耐受高溫的氮化硅舟皿之類的襯底移動器中。碳化硅舟皿，攜載著襯底300，被推入臥式擴散爐，此時氣體(氧氣O2 (4slm)和/或H2)被引入熱處理腔中。擴散爐的熱處理腔處于大氣壓力和約10000C的溫度下。擴散爐從位于CA、Sonora 的MRL企業(yè)商業(yè)地可獲得。在一部分硅已經(jīng)被氧化來形成阻擋層308a之后，氣體(氧氣 O2 (4slm)和/或H2)被關(guān)掉且氮化硅舟皿從熱處理腔中被移出。阻擋層308a，也被稱為熱氧化物層，諸如二氧化硅，被形成在襯底300的頂側(cè)302a和后側(cè)302b上，從而在經(jīng)受操作 4的刻線時保護(hù)晶片。如圖所示，阻擋層308a具有約5000埃(A)的厚度。阻擋層308a的厚度可在約4，000 A到約30，000 A范圍內(nèi)。在一個或多個實施例中，阻擋層308a的厚度優(yōu)選地約為15000埃(A)。
在操作4，硅襯底300 —般在后側(cè)302b上接收刻線306，如圖9中所示。對襯底300 進(jìn)行刻線允許晶片在剩余的處理步驟中被追蹤?？叹€306優(yōu)選地被用在后側(cè)302b上避免顆粒和污染物在例如襯底步驟過程中被收集在經(jīng)刻線的區(qū)域中，此后在之后的處理步驟過程中被擴散至晶片的其他區(qū)域。此外，簡短地參看圖45，由于第一襯底300a的前側(cè)402被結(jié)合至第二襯底300b的前側(cè)402，可視地檢測每一個刻線306的唯一方法是確?？叹€306 被放置在每一個晶片的后側(cè)302b上。
在如圖10中所示的操作5，通過剝離操作，阻擋層308被從襯底300移除。為了將阻擋層308從襯底300移除，襯底300被放置在諸如TEFLON 舟皿之類的另一個襯底移動器中。TEFLON 舟皿穩(wěn)固地持有并移動襯底300通過剝離器的容器，直到阻擋層308 被移除，且硅被暴露在前和后側(cè)302a、b的表面處。例如，TEFLON 舟皿可被放置在諸如氫氟酸(HF)之類的剝離溶劑的容器中達(dá)約一分鐘來移除阻擋層308。
在如圖11中所示的操作6處，襯底300的第一和第二側(cè)302a、b通過濕法化學(xué)清潔操作被清潔，諸如之前相對操作2而描述的那樣。包括Η202/ΝΗ40Η和/或h2o2/hci的清潔噴霧301被用于清潔第一和第二側(cè)302a、b。襯底300然后被從TEFLON 舟皿移除并被放置為氮化硅移動器或舟皿中，準(zhǔn)備用于將襯底300移動至擴散爐的熱處理腔中。
在如圖12中所示的操作7，第一和第二阻擋層308b (也被稱為熱氧化物層)被形成在襯底300的第一和第二側(cè)302a、b上、通過如上文所述的濕法熱氧化處理，第一和第二阻擋層308b在第一和第二側(cè)302a、b上生長。濕法熱氧化在例如12000C執(zhí)行達(dá)約三小時， 此時O2和H2被持續(xù)地引入擴散爐的熱腔中。如圖12中所示，阻擋層308b具有約15，000 A 的厚度。
在操作8，如圖13中所示，過量的光致抗蝕劑310a被引入或放置在阻擋層308b 上。例如，可使用被稱為旋涂的技術(shù)來在襯底300的第一側(cè)302a上形成光致抗蝕劑310a 的薄的均勻?qū)?。襯底300被固定在旋涂器內(nèi)，旋涂器然后被以高速旋轉(zhuǎn)從而通過離心力涂布液體。旋轉(zhuǎn)被繼續(xù)，同時過量光致抗蝕劑310a被旋出襯底300的邊緣且直到實現(xiàn)了期望厚度的膜。光致抗蝕劑310a的厚度可取決于光致抗蝕劑310a的速度、光致抗蝕劑310a的揮發(fā)性、和/或在旋涂器中旋轉(zhuǎn)襯底300的角速度。光致抗蝕劑310a厚度標(biāo)稱約為I. 5微米。
在這個示例中，采用了正性光致抗蝕劑310a。示例性正性光致抗蝕劑是從位于 Philadelphia, PA的Rohm和Hass (且現(xiàn)在是陶氏化學(xué)公司的全資子公司)商業(yè)可獲得的 SPR3010光致抗蝕劑。
在如圖14所示的操作9，掩模312a被放置在正性光致抗蝕劑310a上并在其上被對齊。被手動地裝載至其固定裝置(fixture)中的掩模312a，包括阻擋或覆蓋光致抗蝕劑 310a的預(yù)定區(qū)域的連續(xù)暗區(qū)和允許光致抗蝕劑310a暴露于通過UV光孔(未示出)的紫外 (UV)光316的孔314。UV光316接觸光致抗蝕劑310b，此舉使得光致抗蝕劑310b可溶于水性顯影液。示例性水性顯影液可以是MF26A顯影劑,可從羅門哈斯(Rohmand Hass)商業(yè)地獲得。在如圖15中所示的操作10，顯影液(未示出)被引入在被暴露于UV光316的光致抗蝕劑310b之上。例如，通過上述的旋涂技術(shù)，顯影液被旋轉(zhuǎn)噴在襯底300上。在顯影液洗刷暴露于UV光316的光致抗蝕劑310a之后，被暴露的光致抗蝕劑310b被移除。特定地，當(dāng)襯底300在旋涂器中連續(xù)地圍繞y_軸(這是相對地面的垂直軸)旋轉(zhuǎn)，由于施加至襯底300的離心力，被暴露的光致抗蝕劑310b旋落。然后襯底300被移動至蝕刻處理腔，被稱為Rainbow模型蝕刻器,從位于加州Fremont的Lam Research公司商業(yè)地可獲得。
在如圖16中所示的操作11，通過等離子體活性離子蝕刻(RIE)，一部分的阻擋層 308被蝕刻掉，藉此形成通孔318。通孔是平板開口或凹入。通孔318—般直徑約5到20微米且具有約O. I到I微米的高度。干法蝕刻涉及施加或引入等離子體至襯底300的表面， 從而等離子體撞擊并蝕刻襯底300的表面。等離子體包括諸如四氟化碳(CF4)之類的反應(yīng)氣體添加諸如氮、氬、和/或氦或其他合適的氣體之類的離子化氣體。
在如圖17中所示的操作12，通過使用離子化氧等離子體剝離操作直到被暴露的光致抗蝕劑310b被移除，剩余的光致抗蝕劑310b被從襯底300的頂部表面302a剝離。氧等離子體撞擊并蝕刻掉有機材料(如，光致抗蝕劑)但不影響無機材料(如，硅等)。剝離處理腔，在低壓真空(如，I. 5托)下，持續(xù)地將被蝕刻下來的揮發(fā)性顆粒移除。剝離裝置中的剝離處理腔從位于加州Richmond的Matrix可商業(yè)地獲得。在光致抗蝕劑310b已經(jīng)被移除后，分別通過第一、和第二表面327a-b形成通孔318。
此后，襯底300被移動至TEFLON 襯底300移動器，從而襯底300可經(jīng)受又一個清潔操作。在如圖18所示的操作13，使用濕法化學(xué)劑317來清潔襯底300，類似于相對操作2和6所描述地那樣。操作13的示例性清潔化合物包括Η202/ΝΗ40Η和/或H202/HC1。
在如圖19中所示的操作14，阻擋層308c被形成在襯底300的第一和第二側(cè)302a、 b上，如上文相對操作3和7所描述地，區(qū)別在于處理條件不同。為了說明，干法熱氧化在例如1，0000C執(zhí)行達(dá)約三十分鐘，此時O2和H2被持續(xù)地引入擴散爐的熱腔中。阻擋層308c、d 相對較薄且具有約2，000 \的厚度。一般而言，阻擋層308c用于增加通孔層308d的厚度。
圖20-24中所示的，任選的操作15-19，在襯底300的后側(cè)302b中形成通孔324、 314，從而形成對齊特征來在第一和第二晶片之間的結(jié)合操作前,將第一和第二晶片(也被分別稱為第一和第二襯底300a、b)對齊在一起。在如圖20中所示的操作15，通過旋涂，光致抗蝕劑310c被施加在襯底300的后側(cè)302b。示例性正性光致抗蝕劑是從位于 Philadelphia, PA的Rohm and Hass (且是陶氏化學(xué)公司的全資子公司)商業(yè)可獲得的 SPR3010光致抗蝕劑。襯底300被放置在熱板上，依靠熱板，襯底300被暴露于較短的軟烤來硬化光致抗蝕劑310c并逐出揮發(fā)性組分。
軟烤可發(fā)生在約95攝氏度達(dá)約60秒。軟烤有助于照片成像且從光致抗蝕劑310c 移除任何殘余的溶劑。
在如圖21中所示的操作16，掩模312b被放置在光致抗蝕劑310c上。類似于操作 9，光致抗蝕劑310c的區(qū)域通過掩模312b被暴露從而允許UV光穿過掩模312b中的孔。在如圖22中所示的操作17，在旋涂器中，通過襯底300的旋轉(zhuǎn)，顯影劑移除被暴露的光致抗蝕劑310c。在被暴露的光致抗蝕劑310c被移除后，在光致抗蝕劑310c中形成通孔314、324。 在如圖23中所示的操作18，在Lam 4520干法蝕刻器中，后側(cè)302b被干法蝕刻。具有四氟化碳(CF4)的等離子體被用于蝕刻熱氧化物308d。具有三氟化氮(NF3)的等離子體被用于蝕刻熱氧化物308d。在圖24中所示的操作19，通過如上所述的氧化物等離子體RIE剝離操作，光致抗蝕劑310c從熱氧化物308d被移除。
在如圖25中所示的操作20，導(dǎo)電板320 (也被稱為導(dǎo)電板、可焊接板、或金屬疊層)，包括粘合材料，通過金屬和/或合金沉積被形成。金屬和/或合金沉積在通孔318中并沿?zé)嵫趸?08d的表面發(fā)生。粘合材料可以是多層的且包括過渡金屬元素，諸如鉻和/ 或鈦(Ti)，還有任選的阻擋金屬，諸如鉬(Pt)和/或鎳(Ni)，和諸如金之類的可濕性層。
可采用各種方法來將金屬或合金沉積到通孔318中。濺射沉積是可被使用的示例性方法。例如，諸如Ti之類的第一導(dǎo)電材料322a可被沉積在通孔318中。諸如Ti之類的第一導(dǎo)電材料322a可具有約300 A的厚度。
此后，諸如金(Au)之類的第二導(dǎo)電材料322b可被引入或沉積在第一導(dǎo)電材料 322a上。諸如Au之類的第二導(dǎo)電材料322b可具有約5，000 A的厚度。
由多于一層導(dǎo)電材料形成的典型的金屬疊層，可以是Ti/Au/Ti (300/5000/300 Λ )或Cr/Au/Ti (300/5000/300 A )。在一個或多個實施例中，粘合層總是被放置在阻擋材料 308d上。典型的粘合層可以是Ti或Cr，因為金與下層材料無法良好粘合。此后，金被放置在粘合層上。最終，Ti層被放置在第二層的頂部，從而后續(xù)氧化層將粘貼或粘合至金屬疊層。一般而言，氧化物不與Au良好地粘貼或粘合。此后，在AuSn被期望凝聚之處，頂部鈦層被移除，但是在期望氧化物繼續(xù)覆蓋的區(qū)域中，Ti留存，如附圖中所示。
諸如鉻(Cr)之類的第三導(dǎo)電材料322c可被引入在第二導(dǎo)電材料322b上。例如， 在第二導(dǎo)電材料322b上，Cr可被沉積至約300 A的厚度。在一個或多個實施例中，通過其中采用氬的濺射，Cr被沉積在第二導(dǎo)電材料322b上。濺射處理可在高達(dá)300°C的溫度下在晶片上發(fā)生。在濺射開始前，真空腔壓力一般被泵浦至1χ10_7托，且在氬處理過程中，壓力一般是3到10毫托。在一個或多個其他實施例中，第二導(dǎo)電材料322b (如，金等)的更薄的層可被形成。例如，金材料可以約1000 A厚。在一個或多個其他實施例中，第一、第二、和第三導(dǎo)電材料322a-c可各自包括鈦、鉬、和鈦(Ti/Pt/Ti)材料。在一個或多個實施例中， 優(yōu)選的厚度為約300 A Ti、約2000 4 Pt、和300 A Ti。
在一個或多個其他實施例中，板320 (也被稱為導(dǎo)電板、可焊接板、或金屬疊層)各自可采用礬化鎳(NiV) /Au/Ti作為第三導(dǎo)電材料322c、第二導(dǎo)電材料322b、第一導(dǎo)電材料 322a。
在一個或多個其他實施例中，可理解的是，板320可由四個或更多個導(dǎo)電材料形成。例如，板320可包括Ti/Pt/Au/Ti，其中第四導(dǎo)電材料(圖25中未示出)是沉積在第三導(dǎo)電材料322c上的Ti。第三導(dǎo)電材料322c是Ni。第二導(dǎo)電材料322b是Au。第一導(dǎo)電材料 322a 是 Ti。
在一個或多個其他實施例中，可理解的是，板320可由四個或更多個導(dǎo)電材料形成。例如，板320可包括Ti/Ni/Au/Ti，其中第四導(dǎo)電材料(圖25中未示出)是沉積在第三導(dǎo)電材料322c上的Ti。第三導(dǎo)電材料322c是Ni。第二導(dǎo)電材料322b是Au。第一導(dǎo)電材料 322a 是 Ti。
在如圖26中所示的操作21中，使用旋涂操作，光致抗蝕劑310d被施加至第三導(dǎo)電金屬322c。例如，正性光致抗蝕劑被旋涂在后側(cè)302b上。示例性正性光致抗蝕劑是從 Rohmand Hass商業(yè)可獲得的SPR3010抗蝕劑。
使用短時軟烤來硬化光致抗蝕劑310d并從光致抗蝕劑中逐出揮發(fā)性組分。軟烤可發(fā)生在約95攝氏度達(dá)約60秒。
在如圖27中所示的操作22，掩模312c部分地覆蓋光致抗蝕劑310d。然后光致抗蝕劑310d被暴露于UV光316，藉此使得該光致抗蝕劑可溶于顯影液。用于該光致抗蝕劑 310d的特定波長的UV光316通過孔(多個)接觸光致抗蝕劑310d。
在圖28所示的操作23，暴露于UV光316的光致抗蝕劑3IOd然后通過使用水性顯影劑被移除。如上文所述，顯影液在光致抗蝕劑310d上沖刷，這有助于將被暴露的光致抗蝕劑3IOd從第三導(dǎo)電金屬322c上釋放掉。
在圖29所示的操作24，第一、第二、和第三導(dǎo)電材料322a_c (如，Cr/Au/Ti金屬)被蝕刻。氯氣被引入Lam蝕刻器的反應(yīng)腔且之后被離子化為等離子體。然后，等離子體蝕刻鈦。反之，使用濕法蝕刻處理來蝕刻第一和第二導(dǎo)電金屬322a、b。晶片被放置在 TEFLON 舟皿中，且然后，對于被蝕刻的特定材料，被放置在濕法蝕刻劑中。例如，濕法蝕刻碘化鉀(KI)和/或碘(I2)被用在第二導(dǎo)電材料322b上。特定地，晶片被置于KI或I2 的容器中。在第二導(dǎo)電材料322b被充分地蝕刻后，晶片然后在去離子化的水中沖洗。然后晶片被移動至下一個蝕刻操作。例如，晶片然后被移動至蝕刻劑。使用標(biāo)準(zhǔn)的Cr蝕刻劑。 例如，鉻蝕刻可包括硝酸高鋪銨和硝酸的混合物。示例性鉻蝕刻可從Rhode Island、North Kingstown 的 Fujifilm Electronic Materials 商業(yè)可獲得。
在圖30中所示的操作25，通過例如，氧化物等離子體RIE剝離操作，從第三導(dǎo)電材料322c移除光致抗蝕劑310d。
在圖31中所示的操作26，使用化學(xué)蒸鍍(CVD)來在阻擋材料308d和光致抗蝕劑 310d上沉積絕緣材料326 (如，氧化物、氮化物等)，從而在例如，第二導(dǎo)電材料322b和導(dǎo)電材料340 (之后被用于形成晶片間互連)(如，金錫)之間創(chuàng)建阻擋件。絕緣材料326位于各處，除了之后在操作30所創(chuàng)建的通孔中。
在圖32中所示的操作27，光致抗蝕劑310e被施加至絕緣材料326(也被稱為阻擋材料)。例如，使用旋涂器，正性光致抗蝕劑310e被旋涂在頂部側(cè)302b上。示例性正性光致抗蝕劑是從位于Philadelphia, PA的Rohm和Hass商業(yè)可獲得的SPR3010光致抗蝕劑。使用短時軟烤來硬化光致抗蝕劑310e并逐出揮發(fā)性組分。在如圖33中所示的操作28，掩模 312d被放置在光致抗蝕劑310e上，這允許光致抗蝕劑310e的一部分通過掩模312d暴露于 UV光316。然后，被暴露的光致抗蝕劑310e可溶于顯影液。在圖34中所示的操作29，通過在所暴露的光致抗蝕劑310e上放置基于水性的顯影劑來移除所暴露的光致抗蝕劑310e。 在圖35中所示的操作30，使用包括CF4的等離子體反應(yīng)離子從所暴露的區(qū)域中蝕刻掉絕緣材料326 (如，氧化物、氮化物等)。在圖36中所示的操作31，使用氧等離子體RIE剝離來移除所暴露的光致抗蝕劑310e。在圖37中所示的操作32，通過其中等離子體包括氯的等離子體蝕刻處理，從第二導(dǎo)電材料322b，移除諸如鈦之類的第三導(dǎo)電材料322c的一部分。
在圖38中所示的操作33，在絕緣材料326的頂部表面和第二導(dǎo)電材料322b (如， 金)的一部分上沉積典型厚度為O. 5微米的諸如金錫(AuSn)(按重量80%/20%)合金之類的導(dǎo)電材料340a。特定地，AuSn可被濺射沉積或電鍍?yōu)榧s5000 A的厚度。在一個或多個其他實施例中，可使用不同厚度的AuSn。在一個或多個實施例中,可使用另一個合金,諸如 AuSn 78%/22%。
在圖39-43中所示的操作34_38涉及光刻處理。在圖39所示的操作34，光致抗蝕劑310f被施加在導(dǎo)電材料340a上。例如，正性光致抗蝕劑310f被旋涂在導(dǎo)電材料340a 上。使用短時軟烤來硬化光致抗蝕劑并逐出揮發(fā)性組分。在如圖40中所示的操作35，掩模 312e被放置在光致抗蝕劑3IOf上，這允許光致抗蝕劑310f的一部分通過掩模312e暴露于 UV光。然后，被暴露的光致抗蝕劑310f可溶于顯影液。在圖41中所示的操作36，通過在所暴露的光致抗蝕劑310f上放置基于水性的顯影劑來移除所暴露的光致抗蝕劑310f。在圖 42所示的操作37，從所暴露的區(qū)域蝕刻掉導(dǎo)電材料340a (如，AuSn)。例如，可使用溴化氫 (HBr)的等離子體蝕刻蝕刻掉Sn，而使用濕性蝕刻KI或12蝕刻Au。可使用HBr等離子體進(jìn)一步蝕刻掉殘余的錫。示例性等離子體蝕刻工具是從位于Freemont CA的Lam Research 商業(yè)可獲得的Lam 9400TCP蝕刻器。
在如圖43中所示的操作38，使用氧化物等離子體RIE剝離移除所暴露的光致抗蝕劑310f，接著是常規(guī)的溶劑抗蝕劑剝離操作。
在圖44所示的操作39，使用化學(xué)機械拋光(CMP)來拋光絕緣材料326的頂部表面，其被部分地從阻擋材料308d的頂部表面移除。在完成CMP后，形成了完成后的晶片400。 完成后的晶片400具有前側(cè)402 (頂部側(cè))和底側(cè)404。圖44示出在導(dǎo)電材料340a經(jīng)受回流處理前，晶片的一個實施例的細(xì)節(jié)?；亓魈幚硎侵竿瓿珊蟮木?00、402 (也被稱為第一和第二襯底)被暴露于熱，直到第一和第二導(dǎo)電材料340a的至少一部分回流并形成互連340b (也被稱為導(dǎo)電板)。
圖44a示出在導(dǎo)電材料340a經(jīng)受回流處理后從而形成導(dǎo)電板340b，晶片的一個實施例的細(xì)節(jié)。
板開口、AuSn直徑和AuSn厚度、以及阻擋材料308d (如，玻璃)厚度直徑的關(guān)系可相對圖83被示出，且被表達(dá)如下。
權(quán)利要求
1.一種用于形成集成電路的方法，包括 提供第一襯底； 形成第一導(dǎo)電材料，所述第一導(dǎo)電材料相對于所述第一襯底的表面是完全凹入的； 提供第二襯底； 形成第二導(dǎo)電材料，所述第二導(dǎo)電材料相對于所述第二襯底的表面是完全凹入的；且 回流所述第一和第二導(dǎo)電材料中的至少一個來在所述第一和第二襯底之間形成單個經(jīng)回流的互連。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二襯底之間形成氣密密封。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述單個經(jīng)回流的互連是沙漏形的。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料是向著直徑上正相對的板凝聚的可回流板。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料是金-錫(AuSn)。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電材料是可回流板和不可回流板中的一個，所述不可回流板不回流。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料不是銅。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述第一襯底和第二襯底是如下中的一個硅和玻璃、玻璃對玻璃、玻璃對硅、硅對硅、硅對蘭寶石、蘭寶石對蘭寶石、和玻璃對蘭寶石。
9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，Au被呈現(xiàn)為AuSn的約80重量百分比的量，且Sn被呈現(xiàn)為AuSn的約20重量百分比的量。
10.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，Au被呈現(xiàn)為AuSn的約78重量百分比的量，且Sn被呈現(xiàn)為AuSn的約22重量百分比的量。
11.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板中的一個包括鈕、銅、鎳、錯、錫、鉬、或金。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一個制成的可植入醫(yī)療設(shè)備。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一個制成的起搏引線。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一個制成的傳感器。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一個制成的通信設(shè)備。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一個制成的開關(guān)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可植入醫(yī)療設(shè)備(IMD)。該IMD包括第一襯底，第一襯底具有前側(cè)和后側(cè)。在前側(cè)中形成第一通孔，該通孔從位于前側(cè)的底部點延伸至位于前側(cè)的表面處的第一高度。在第一通孔中形成第一導(dǎo)電板，且第一導(dǎo)電板具有低于第一高度的暴露的頂部表面。第二襯底耦合至第一襯底，第二襯底具有形成在前側(cè)中的第二通孔，該通孔從前側(cè)的底部點延伸至位于前側(cè)表面的第二高度。在第二通孔中形成第二導(dǎo)電板，且第二導(dǎo)電板具有低于第二高度的暴露的頂部表面。被耦合的襯底被加熱，直到一個或兩個導(dǎo)電板的一部分回流、去濕、凝聚、并合并來形成互連、氣密密封、或兩者，這取決于設(shè)備的要求。
文檔編號A61N1/375GK102986013SQ201180032510
公開日2013年3月20日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日
發(fā)明者D·A·魯本, M·F·馬特斯, J·R·史密斯 申請人:美敦力公司