專利名稱：防污、抗微生物、抗血栓形成的接出型組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體涉及具有防污表面的制品，諸如醫(yī)療裝置，所述防污表面包含從制品接出的聚合物材料。該表面抗生物材料的粘附。
背景技術(shù)：
已研究了許多不同的材料以抗非特異性蛋白吸附?？捎糜谠撃康牡幕瘜W(xué)物質(zhì)包括但不限于聚醚(例如聚乙二醇)；多糖，諸如葡聚糖；親水聚合物，諸如聚乙烯吡咯烷酮或甲基丙烯酸羥乙酯、肝素、分子內(nèi)兩性離子或混合的帶電材料；以及氫鍵接受基團(tuán)，諸如美國(guó)專利No. 7，276，286中所述的那些。這些材料在阻止蛋白質(zhì)吸附中的能力在化學(xué)物質(zhì)之間差異巨大。在這些材料中，只有極少的能夠耐沾污到短期體內(nèi)應(yīng)用所需的程度。然而，這些適于短期應(yīng)用的少數(shù)材料當(dāng)長(zhǎng)期用于復(fù)雜介質(zhì)或體內(nèi)時(shí)，表現(xiàn)出顯著的沾污或其它降解，使得它們不適于長(zhǎng)期應(yīng)用。此外，涂布了耐體內(nèi)降解的材料的表面常常易于出現(xiàn)抗污性隨著時(shí)間而顯著降低的情況。W02007/02493描述了采用原子轉(zhuǎn)移自由基聚合反應(yīng)(ATRP)，從金底物上的自組裝單層或從玻璃底物上的甲硅烷基來(lái)接枝磺基甜菜堿和羧基甜菜堿。對(duì)于許多用于體內(nèi)的醫(yī)療裝置而言，金和玻璃都不是適宜的底物。自組裝單層諸如基于硫醇的單層可能不穩(wěn)定，因?yàn)榱虼蓟鶊F(tuán)不能與底物穩(wěn)定地結(jié)合。授予Wang等人的美國(guó)專利No. 6，358，557描述了底物表面的接枝聚合反應(yīng),但不是接枝高密度、高度防污的聚合物材料。熱引發(fā)劑用于引發(fā)聚合反應(yīng)，通常在高于85°C的溫度下進(jìn)行。此類溫度通常不適合許多醫(yī)療裝置，諸如薄壁聚氨酯導(dǎo)管。此外，所述的“鹽析”方法通常不適于接枝聚合物，諸如兩性離子聚合物。

Jian 等，Colloids and Surfaces B:Biointerfaces28, 1-9(2003)描述了通過(guò)接枝磺基甜菜堿兩性離子單體對(duì)鏈段聚醚氨酯進(jìn)行的表面改性，但不是接上高密度的防污材料。所得材料的防污程度不足以用于醫(yī)療裝置應(yīng)用。發(fā)明概述在本發(fā)明的各方面中提供具有從其接出的防污聚合物材料的醫(yī)療裝置和其它制品。有利的是，該聚合物材料可具有一系列的聚合物主鏈和取代基同時(shí)為制品提供高度有效、生物相容且防污的表面。在另一個(gè)實(shí)施方案中，將生物活性組合物附連到改性表面。本發(fā)明的一個(gè)方面提供用于各種底物(諸如聚合物和金屬氧化物)的防污聚合物材料，其在存在血液蛋白的情況下和/或在體內(nèi)因改善的分子結(jié)構(gòu)而保持活性。在一個(gè)實(shí)施方案中，將生物活性組合物附連到防污材料。本發(fā)明的另一方面提供包含高密度防污聚合物材料的防污組合物和/或其中防污聚合物材料的聚合物間鏈距離減少沾污分子滲入防污聚合物層。本發(fā)明的進(jìn)一步方面提供用于醫(yī)療裝置或其它制品的接枝聚合物層，其為親水的，但在水中具有在一定程度上受限的溶脹能力。本發(fā)明的進(jìn)一步方面提供用于對(duì)制品表面改性的接出方法，其中從制品本身引發(fā)接枝以便為制品提供聚合物接枝聚合物層，其為相對(duì)厚的并在制品表面上相對(duì)均勻地分配。一般來(lái)講，所得的聚合物接枝聚合物層通常厚于自組裝單層引發(fā)的涂層，并因此更全面地覆蓋商業(yè)生物材料(包括聚合物和金屬)中的缺陷和不規(guī)則性，使得防污接枝聚合物層在復(fù)雜介質(zhì)和/或體內(nèi)有效。簡(jiǎn)而言之，因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是包括聚合物底物的制品，所述底物具有表面以及底物表面上的聚合物層。該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在一個(gè)實(shí)施方案中，該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)實(shí)施方案中，該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約70ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)實(shí)施方案中，該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及( )當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括聚合物底物的制品，所述底物具有表面以及底物表面上的接出型聚合物層。底物表面和接出型聚合物一起構(gòu)成靜態(tài)接觸角小于25度的改性表面。優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括底物的制品，所述 底物具有表面以及底物表面上的聚合物層。該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約70ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自含1. 4μ g/mL1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括底物的制品，所述底物具有表面以及底物表面上的聚合物層。該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。制品進(jìn)一步包含溶劑可萃取的聚合反應(yīng)引發(fā)劑或其降解產(chǎn)物。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約70ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自含1. 4μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括底物的制品，所述底物具有表面以及底物表面上的聚合物層。該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。聚合物層具有至少等于底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均干厚。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約70ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自含1. 4μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括底物的制品，所述底物具有表面以及底物表面上的聚合物層。該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物層具有小于底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的300%的總體平均Rmis表面粗糙度。在一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物層具有小于底物表面的總體平均Rniis表面粗糙度的200%的總體平均Rms表面粗糙度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物層具有小于底物表面的總體平均Rhds表面粗糙度的150%的總體平均Rms表面粗糙度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物層具有小于底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均Rmis表面粗糙度。在前述實(shí)施方案的每一個(gè)中，底物表面和聚合物層一起可構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在前述實(shí)施方案的每一個(gè)中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約70ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在前述實(shí)施方案的每一個(gè)中，底物表面和聚合物層一起可構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘，并且聚合物層具有小于底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均Rniis表面粗糙度。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及包括底物的制品，所述底物具有表面以及底物表面上的聚合物層。該底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。聚合物層 具有總體平均干厚，其中聚合物層的總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)聚合物層的總體平均干厚的100%。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約70ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的溶液中孵育60分鐘。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面和聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在該纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及從制品接枝聚合物的方法，所述制品包括具有表面的底物、表面下的主體以及位于表面與主體之間的近表面區(qū)。該方法包括將聚合反應(yīng)引發(fā)劑摻入近表面區(qū)并從制品接枝聚合聚合物。優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及從制品接枝聚合物的方法，所述制品包括具有表面的底物、表面下的主體以及位于表面與主體之間的近表面區(qū)。該方法包括將聚合反應(yīng)引發(fā)劑摻入近表面區(qū)并從制品接枝聚合聚合物，其中底物表面具有至少200nm的總體平均Rniis表面粗糙度，并且使接枝聚合反應(yīng)繼續(xù)直到聚合物具有超過(guò)底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均干厚。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面具有至少150nm的總體平均! _表面粗糙度，并且使接枝聚合反應(yīng)繼續(xù)直到聚合物具有超過(guò)底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均干厚。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面具有至少IOOnm的總體平均Rniis表面粗糙度，并且使接枝聚合反應(yīng)繼續(xù)直到聚合物具有超過(guò)底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均干厚。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，底物表面具有至少50nm的總體平均Rnns表面粗糙度，并且使接枝聚合反應(yīng)繼續(xù)直到聚合物具有超過(guò)底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均干厚。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。
對(duì)于設(shè)計(jì)為具有尺寸(如，直徑或?qū)挾?在IOOnm至I毫米范圍內(nèi)的通道或孔的制品諸如微流體裝置和編織網(wǎng)而言，可能期望接枝聚合物層的總體平均干厚小于裝置的通道或孔尺寸的10%。不希望受任何理論的束縛，使總體平均干厚基本上小于通道或孔尺寸可減小對(duì)裝置功能的影響。在某些實(shí)施方案中，期望接枝聚合物層的總體平均干厚小于裝置的通道或孔尺寸的5%。在某些實(shí)施方案中，期望接枝聚合物層的總體平均干厚小于裝置的通道或孔尺寸的3%。在某些實(shí)施方案中，期望接枝聚合物層的總體平均干厚小于裝置的通道或孔尺寸的1%。在某些實(shí)施方案中，期望接枝聚合物層的總體平均干厚小于裝置的通道或孔尺寸的O. 1%。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。本發(fā)明進(jìn)一步涉及從制品接枝聚合物的方法，所述制品包括具有表面的底物、表面下的主體以及位于表面與主體之間的近表面區(qū)。該方法包括將聚合反應(yīng)引發(fā)劑摻入近表面區(qū)并從底物表面接枝聚合聚合物，以形成包含接枝聚合物的聚合物層，該聚合物層具有至少約200nm的總體平均干厚。通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，聚合物層具有至少約150nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，聚合物層具有至少約IOOnm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。在本發(fā)明前述方面和實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及從制品接枝聚合物的方法，所述制品包括具有表面的底物、表面下的主體以及位于表面與主體之間的近表面區(qū)。該方法包括將聚合反應(yīng)引發(fā)劑和任選的其它物質(zhì)諸如配體和/或催化劑摻入近表面區(qū)并從底物表面接枝聚合聚合物，以形成包含接枝聚合物的聚合物層，該聚合物層具有至少等于底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的總體平均干厚。優(yōu)選的是，制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿，以及(ii)當(dāng)制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。其它對(duì)象和特征在下文將在某種程度上明顯并在某種程度上被指出?？s寫與定義提供以下定義和方法以更好地限定本發(fā)明并為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在實(shí)踐本發(fā)明時(shí)提供指導(dǎo)。除非另外指出，否則術(shù)語(yǔ)均應(yīng)由相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)常規(guī)用法加以理解。當(dāng)介紹本發(fā)明的要素或其優(yōu)選實(shí)施方案時(shí)，“一”、“一種”、“該”和“所述”旨在表示存在一個(gè)或多個(gè)該要素。術(shù)語(yǔ)“包含”、“包括”和“具有”旨在為包括性的，并表示可以存在所列要素之外的附加要素。 脂族除非另外指明，否則“脂族”或“脂族基團(tuán)”表示任選取代的非芳族烴部分。該部分可以為例如直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的(如，單環(huán)或多環(huán)的，諸如稠合的、橋接的或螺稠合的多環(huán))或它們的組合。除非另外規(guī)定，否則脂族基團(tuán)包含1-20個(gè)碳原子。烷基除非另外指明，否則本文所述的烷基基團(tuán)優(yōu)選地為在主鏈中含有一至八個(gè)碳原子并最多20個(gè)碳原子的低級(jí)烷基。它們可以為直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的并包括甲基、乙基、丙基、丁基、己基等。氨基除非另外指明，否則如本文單獨(dú)使用或作為另一基團(tuán)一部分使用的術(shù)語(yǔ)“氨基”表示-NR1R2部分，其中R1和R2獨(dú)立地為氫、烴基、取代的烴基或雜環(huán)。銨除非另外指明，否則如本文單獨(dú)使用或作為另一基團(tuán)一部分使用的術(shù)語(yǔ)“銨”表示-N+R1R2R3部分，其中R1、R2和R3獨(dú)立地為氫、烴基、取代的烴基或雜環(huán)。酰胺或酰氨基除非另外指明，否則“酰胺”或“酰氨基”部分表示式-CONR1R2的基團(tuán)，其中R1和R2如結(jié)合術(shù)語(yǔ)“氨基”所定義?！叭〈孽０贰崩缡侵甘?CONR1R2的基團(tuán)，其中R1和R2的至少一者不是氫?！拔慈〈孽０被崩缡侵甘?CONR1R2的基團(tuán)，其中R1和R2均為氫。陰離子單體、陰離子單體單元或陰離子重復(fù)單元除非另外指明，否則“陰離子單體”、“陰離子單體單元”或“陰離子重復(fù)單元”是具有陰離子或其它陰離子物質(zhì)的單體或單體單元，所述其它陰離子物質(zhì)為例如，以帶負(fù)電狀態(tài)或不帶電狀態(tài)存在的基團(tuán)，但是以不帶電狀態(tài)存在時(shí)能夠變成帶負(fù)電的，例如，除去親電體(如，質(zhì)子(H+)，例如以pH依賴性方式)或保護(hù)基團(tuán)(例如，羧酸酯)或添加親核體時(shí)。在某些情況下，該基團(tuán)在大約生理PH下為基本上帶負(fù)電的，但在弱酸性PH下會(huì)經(jīng)歷質(zhì)子化并變?yōu)榛旧铣手行缘?。此類基團(tuán)的非限制性實(shí)例包括羧基基團(tuán)、巴比妥酸及其衍生物、黃嘌呤及其衍生物、硼酸、次膦酸、膦酸、亞磺酸、磺酸、磷酸根和磺酰胺。陰離子物質(zhì)或陰離子部分除非另外指明，否則“陰離子物質(zhì)”或“陰離子部分”是以帶負(fù)電或不帶電狀態(tài)存在的基團(tuán)、殘基或分子，但是以不帶電狀態(tài)存在時(shí)能夠變成帶負(fù)電的，例如，除去親電體(如，質(zhì)子(H+)，例如以pH依賴性方式)或其它保護(hù)基團(tuán)(例如，羧酸酯)或添加親核體時(shí)。在某些情況下，該基團(tuán)、殘基或分子在大約生理PH下為基本上帶負(fù)電的，但在弱酸性pH下會(huì)經(jīng)歷質(zhì)子化并變?yōu)榛旧现行缘?。抗生物膜活性除非另外指明，否則“抗生物膜活性”可例如使用標(biāo)準(zhǔn)連續(xù)流測(cè)定法進(jìn)行定量。在一個(gè)這樣的測(cè)定法中，可將樣品與50%的肽牛血清在120RPM和37°C下預(yù)孵育18-20小時(shí)。在預(yù)孵育后，隨后將樣品通過(guò)改良⑶C(mCDC)暴露于細(xì)菌傳代培養(yǎng)，以在IXPBS中制備106Cfu/mL的細(xì)菌懸液。將反應(yīng)器在37°C和攪拌下以成批模式運(yùn)行2小時(shí)。之后，將樣品轉(zhuǎn)移到容納合適生長(zhǎng)培養(yǎng)基的新反應(yīng)器中，其中無(wú)菌培養(yǎng)基的液流(8mL/min)在攪拌下運(yùn)行20-23小時(shí)。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，細(xì)菌菌株為表皮葡萄球菌(Staphylococcus epidermidis) (S. epidermidis, ATCC35984),并且所用的生長(zhǎng)培養(yǎng)基為1:10胰酶大豆肉湯(TSB)+0. 25重量％葡萄糖。在可供選擇的優(yōu)選實(shí)施方案中，細(xì)菌菌株為大腸桿菌(Escherichia coli) (Ε· coli，ATCC25922)，并且生長(zhǎng)培養(yǎng)基為補(bǔ)充了 ImM MgSO4,
O.2%葡萄糖和O. 5%酪蛋白氨基酸的M63培養(yǎng)基。孵育后，將樣品在IOOmL的IXPBS中漂洗五次，以除去未緊密貼附的細(xì)菌。然后，對(duì)材料上蓄積的細(xì)菌進(jìn)行生物膜表面覆蓋率的宏觀評(píng)定，然后在新的PBS溶液中通過(guò)超聲而除去，并通過(guò)稀釋平板技術(shù)定量細(xì)菌細(xì)胞的總數(shù)。優(yōu)選地，在具有防污聚合物層的制品上發(fā)現(xiàn)細(xì)菌計(jì)數(shù)相對(duì)于參考底物減少至少1、2、3或41og，參考底物即為不存在防污聚合物層的相同的或換句話講功能等同的底物。相對(duì)于參考底物而目粘附細(xì)菌減少Ilog的制品被稱為具有Ilog的抗生物I吳活性。相對(duì)于參考底物而言粘附細(xì)菌減少21og的制品被稱為具有21og的抗生物膜活性，以此類推。抗微生物的除非另外指明，否則“抗微生物的”是指殺滅微生物(即，“殺微生物的”)、抑制微生物生長(zhǎng)(即，抑菌的)和/或防止微生物沾污的分子和/或組合物，所述微生物包括細(xì)菌、酵母、真菌、支原體、病毒或病毒感染細(xì)胞和/或原生動(dòng)物。相對(duì)于細(xì)菌的抗微生物活性可例如使用能夠標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定法進(jìn)行定量。在一個(gè)這樣的測(cè)定法中，可將樣品與50%的肽牛血清在120RPM和37°C下預(yù)孵育18-20小時(shí)。預(yù)孵育后，將樣品置于金黃色葡萄球菌(Staphylococcus aureus) (S. aureus,ATCC25923)中，其已由過(guò)夜培養(yǎng)物在稀釋到 IXPBS的1%胰蛋白胨大豆肉湯(TSB)中或其它合適的培養(yǎng)基中稀釋到1-3X 105CFU/mL的浮游濃度。將樣品與細(xì)菌在攪拌(120rpm)和37°C下孵育24-26小時(shí)。TSB或其它培養(yǎng)基的濃度可隨所用的生物體而變化。孵育后，將樣品置于240RPM和37°C條件下的3mL PBS中5min，以除去未緊密貼附到材料上的細(xì)菌。然后，將材料上蓄積的細(xì)菌在新的PBS溶液中通過(guò)超聲而除去，并通過(guò)稀釋平板技術(shù)定量細(xì)菌細(xì)胞的總數(shù)。優(yōu)選地，細(xì)菌計(jì)數(shù)相對(duì)于參考底物上的定植減少至少1、2、3或41og，參考底物即為不存在防污聚合物層的相同的或換句話講功能等同的底物。與參考底物相比其上具有較低細(xì)菌計(jì)數(shù)的表面可稱為減少微生物定植?？刮⑸镫?AmP):除非另外指明，否則“抗微生物肽”(或“AmP”)是指殺滅微生物(即，“殺微生物的”)、抑制微生物生長(zhǎng)(即，抑菌的)的寡肽、多肽或擬肽，所述微生物包括細(xì)菌、酵母、真菌、支原體、病毒或病毒感染細(xì)胞和/或原生動(dòng)物。抗血栓形成除非另外指明，否則“抗血栓形成”是指組合物耐血栓形成的能力?？寡ㄐ纬苫钚钥墒褂醚ㄐ纬傻南润w外后體內(nèi)(ex-vivo)流動(dòng)回路模型而評(píng)估。簡(jiǎn)而言之，從單只動(dòng)物(牛)采集最多10升新鮮血液。將該血液肝素化以防止凝固，過(guò)濾以除去顆粒，并加入自體同源的放射性標(biāo)記血小板。在采血后八小時(shí)內(nèi)，將帶涂層和無(wú)涂層的制品置于流動(dòng)回路中，該回路將血液從槽中泵到制品上然后再泵回槽內(nèi)。對(duì)于含內(nèi)腔的制品而言，可通過(guò)第二蠕動(dòng)泵連接制品的兩個(gè)口而建立第2內(nèi)部流動(dòng)回路。制品所置入的管的大小以及血液流速可根據(jù)測(cè)試的制品的大小進(jìn)行調(diào)整。優(yōu)選地，當(dāng)制品為14-15. 5French透析導(dǎo)管時(shí)，將它們置入管內(nèi)徑為約12. 5-25. 4_的流動(dòng)回路中。在外部流路中以大約2. 5L/min的速率泵送血液，而在內(nèi)部回路中則以大約200-400mL/min的速率泵送血液。當(dāng)制品為IOFrench桿時(shí)，將它們置入內(nèi)徑為約6. 4mm的流動(dòng)回路中，而血液流量為約200mL/min。60-120分鐘后，取出制品，視覺(jué)檢查血栓形成，并使用Y計(jì)數(shù)器對(duì)粘附的血小板進(jìn)行計(jì)數(shù)。對(duì)于不含內(nèi)腔的樣品，可只使用外部流路測(cè)量裝置外部上的血栓。任選地，可將制品的每一端修剪最多2cm以消除末端效應(yīng)。芳基除非另外指明，否則術(shù)語(yǔ)“芳基”或“芳基基團(tuán)”是指任選取代的總共具有五至十四個(gè)環(huán)成員的單環(huán)、雙環(huán)和三環(huán)環(huán)系，其中環(huán)系中的至少一個(gè)環(huán)為芳族的并且其中環(huán)系中的每個(gè)環(huán)包含三至七個(gè)環(huán)成員。如本文單獨(dú)使用或作為另一基團(tuán)一部分使用的術(shù)語(yǔ)“芳基”或"ar"是指任選取代的同素環(huán)芳族基團(tuán)，優(yōu)選地為在環(huán)部分中含6至12個(gè)碳的單環(huán)或雙環(huán)，諸如苯基、聯(lián)苯基、蔡基、取代的苯基、取代的聯(lián)苯基或取代的蔡基。苯基和取代的苯基是更優(yōu)選的芳基。連接的除非另外指明，否則兩個(gè)部分或兩種化合物通過(guò)任何相互作用保持在一起時(shí)則為“連接的”，所述相互作用以舉例的方式包括一個(gè)或多個(gè)共價(jià)鍵、一種或多種非共價(jià)相互作用(如，氫鍵、離子鍵、靜電力、范德瓦爾斯相互作用、它們的組合等等)或它們的組
入
口 ο生物活性劑/活性劑/生物分子除非另外指明，否則本文同義使用的“生物活性齊IJ”或“活性劑”或“生物分子”是指任何有機(jī)或無(wú)機(jī)的主動(dòng)或被動(dòng)影響生物系統(tǒng)的治療、預(yù)防或診斷劑。例如，生物活性`劑可以是氨基酸，抗微生物肽，免疫球蛋白，活化、信號(hào)傳遞或信號(hào)放大分子，包括但不限于蛋白激酶、細(xì)胞因子、趨化因子、干擾素、腫瘤壞死因子、生長(zhǎng)因子、生長(zhǎng)因子抑制劑、激素、酶、受體靶向配體、基因沉默劑、雙義分子、反義分子、RNAdS細(xì)胞、黏連蛋白、層連蛋白、纖連蛋白、纖維蛋白原、骨鈣蛋白、骨橋蛋白或骨保護(hù)蛋白。生物活性劑可以是核酸配體、蛋白質(zhì)、糖蛋白、肽、寡肽、多肽、聚合物、無(wú)機(jī)化合物、有機(jī)金屬化合物、有機(jī)化合物或任何合成的或天然的、化學(xué)或生物學(xué)化合物。生物相容性除非另外指明，否則“生物相容性”是材料在具體情形下產(chǎn)生合適宿主反應(yīng)的能力。這可使用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS010993進(jìn)行評(píng)價(jià)。如本文所述的生物相容性組合物優(yōu)選地為基本上無(wú)毒的。生物流體除非另外指明，否則“生物流體”是生物體產(chǎn)生的包含蛋白質(zhì)和/或細(xì)胞的流體，以及來(lái)自微生物的流體和分泌物。這包括但不限于血液、唾液、尿液、腦脊髓液、淚液、精液、淋巴液、腹水、痰液、骨髓、滑液、房水、耵聹、支氣管肺泡灌洗液、前列腺液、考珀液或預(yù)射精液、汗液、糞便物、囊腫液、胸膜和腹膜液、食糜、乳糜、膽汁、腸液、膿、皮脂、嘔吐物、粘膜分泌物、糞水、胰液、竇腔灌洗液、支氣管肺抽吸物或它們的任何衍生物(如血清、血漿)。嵌段共聚物除非另外指明，否則“嵌段共聚物”包含通過(guò)共價(jià)鍵連接的兩個(gè)或更多個(gè)均聚物或共聚物亞基。具有兩個(gè)或三個(gè)不同嵌段的嵌段共聚物分別稱為二嵌段共聚物和三嵌段共聚物。二嵌段共聚物的簡(jiǎn)化示意圖由式[AaBbC。. . . ]m-[XxYyZz. . . ]n表示，其中每個(gè)字母代表組成或單體單元，并且其中組成單元的每個(gè)下標(biāo)表示該單元在特定嵌段中的摩爾分?jǐn)?shù)，三個(gè)點(diǎn)表示在每個(gè)嵌段中可能存在更多(也可能更少)的組成單元，以及m和η表示二嵌段共聚物中每個(gè)嵌段的分子量。如該示意圖所表明，在一些情況下，針對(duì)每個(gè)嵌段，對(duì)每個(gè)組成單元的數(shù)量和性質(zhì)進(jìn)行單獨(dú)控制。該示意圖不表示且不應(yīng)被視為可推斷出嵌段的每一個(gè)中組成單元的數(shù)量或不同類型組成單元的數(shù)量之間的任何關(guān)系。其也不旨在描述特定嵌段內(nèi)組成單元的任何特定數(shù)量或排列。在每個(gè)嵌段中，除非另外指明，否則組成單元均可按純無(wú)規(guī)的、交替無(wú)規(guī)的、規(guī)則交替的、規(guī)則的嵌段或無(wú)規(guī)的嵌段構(gòu)型設(shè)置。純無(wú)規(guī)的構(gòu)型例如可具有以下非限制性形式=X-X-Y-Z-X-Y-Y-Z-Y-Z-Z-Z...，非限制性的、示例性交替無(wú)規(guī)構(gòu)型可具有以下非限制性形式χ-γ-χ-ζ-γ-χ-γ-ζ-γ-χ-ζ...，以及示例性的規(guī)則交替構(gòu)型可具有以下非限制性形式χ-γ-ζ-χ-γ-ζ-χ-γ-ζ...。示例性的規(guī)則嵌段構(gòu)型可具有以下非限制性構(gòu)型...Χ-Χ-Χ-Υ-Υ-Υ-Ζ-Ζ-Ζ-Χ-Χ-Χ...，而示例性的無(wú)規(guī)嵌段構(gòu)型可具有以下非限制性構(gòu)型...Χ-Χ-Χ-Ζ-Ζ-Χ-Χ-Υ-Υ-Υ-Υ-Ζ-Ζ-Ζ-Χ-Χ-Ζ-Ζ-Ζ-...。在梯度聚合物中，一個(gè)或多個(gè)單體單元的含量從聚合物的α端到ω端以梯度方式升高或降低。前述一般實(shí)例的每一個(gè)都不是各個(gè)組成單元或嵌段的特定并置，嵌段中組成單元的數(shù)量或嵌段的數(shù)量也不應(yīng)視為以任何方式影響或限制形成本文所述的膠束的嵌段共聚物的實(shí)際結(jié)構(gòu)。如本文所用，組成單元兩邊的括號(hào)不旨在且不應(yīng)被視為表示該組成單元本身形成嵌段。也就是說(shuō)，方括號(hào)內(nèi)的組成單元可按任何方式與嵌段內(nèi)的其它組成單元相結(jié)合，即，純無(wú)規(guī)的、交替無(wú)規(guī)的、規(guī)則交替的、規(guī)則的嵌段或無(wú)規(guī)的嵌段構(gòu)型。本文所述的嵌段共聚物任選地為交替的、梯度的或無(wú)規(guī)的嵌段共聚物。在一些實(shí)施方案中，嵌段共聚物為樹枝狀、星形或接枝共聚物。支鏈除非另外指明，否則“支鏈”是指其中聚合物鏈分成兩條或更多條聚合物鏈的聚合物結(jié)構(gòu)。刷/聚合物刷除非另外指明，否則“刷”或“聚合物刷”在本文按同義使用，并指通常使用接出技術(shù)通過(guò)單個(gè)連 接點(diǎn)結(jié)合到表面的聚合物鏈。聚合物可以末端接枝(通過(guò)端基連接)或者通過(guò)側(cè)鏈或末端位置之外的聚合物鏈中的某一位置連接。聚合物可以是直鏈或支鏈的。例如，本文所述的聚合物鏈可以包含含有兩性離子基團(tuán)的多條側(cè)鏈。側(cè)鏈可由單個(gè)防污部分或單體和/或防污低聚物(如2-10個(gè)單體殘基)或聚合物(如>10個(gè)單體殘基)組成。羧基銨除非另外指明，否則“羧基銨”部分是包含羧酸根和銨官能度的兩性離子部分，并包括(例如)羧基銨單體、羧基銨低聚物、羧基銨聚合物、羧基銨重復(fù)單元以及其它含羧基銨的材料。羧基甜菜堿單體、低聚物、聚合物、重復(fù)單元以及其它羧基甜菜堿材料為示例性的羧基銨部分。陽(yáng)離子單體、陽(yáng)離子單體單元或陽(yáng)離子重復(fù)單元除非另外指明，否則“陽(yáng)離子單體”、“陽(yáng)離子單體單元”或“陽(yáng)離子重復(fù)單元”是具有陽(yáng)離子或其它陽(yáng)離子物質(zhì)的單體或者單體單元或重復(fù)單元(術(shù)語(yǔ)“單體單元”和“重復(fù)單元”可互換使用)，例如，能夠在添加親電體(如，質(zhì)子(Η+)或烷基陽(yáng)離子，例如以pH依賴性方式)或除去保護(hù)基團(tuán)或親核體時(shí)帶正電的部分。陽(yáng)離子物質(zhì)或陽(yáng)離子部分除非另外指明，否則“陽(yáng)離子物質(zhì)”或“陽(yáng)離子部分”是以帶正電或不帶電狀態(tài)存在的基團(tuán)、殘基或分子，但是以不帶電狀態(tài)存在時(shí)能夠變成帶正電的，例如，添加親電體(如，質(zhì)子(H+)，例如以pH依賴性方式)或除去保護(hù)基團(tuán)或親核體時(shí)。在某些情況下，該基團(tuán)、殘基或分子為永久帶電的，例如，包含季氮原子。涂層除非另外指明，否則“涂層”是指處理或覆蓋表面的任何臨時(shí)、半永久或永久的一層或多層。涂層可以是對(duì)下面的底物的化學(xué)改性，或者可以涉及向底物的表面添加新材料。其包括底物厚度的任何增加或底物表面化學(xué)組成的改變。復(fù)雜介質(zhì)除非另外指明，否則“復(fù)雜介質(zhì)”是指包含蛋白質(zhì)或生物材料消化物的生物流體或溶液。實(shí)例包括但不限于陽(yáng)離子調(diào)節(jié)的MH(Mueller Hinton)肉湯、胰酶大豆肉湯、腦心浸液或許多復(fù)雜介質(zhì)以及任何生物流體。共聚物除非另外指明，否則“共聚物”是指衍生自兩種、三種或更多種單體物質(zhì)的聚合物，并包括交替共聚物、周期共聚物、無(wú)規(guī)共聚物、統(tǒng)計(jì)共聚物和嵌段共聚物。半胱氨酸除非另外指明，否則“半胱氨酸”是指氨基酸半胱氨酸或其合成類似物，其中該類似物包含自由巰基基團(tuán)。降解產(chǎn)物除非另外指明，否則“降解產(chǎn)物”是因水解、氧化、酶解或其它化學(xué)過(guò)程而形成的原子、自由基、陽(yáng)離子、陰離子或非水的分子。

干厚除非另外指明，否則如本文結(jié)合聚合物層所用的“干厚”應(yīng)指使用掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)定的聚合物層的厚度。為了測(cè)量干厚，將樣品冷凍切斷以通過(guò)浸入液氮而成像，然后使用超微切片機(jī)刀片碎裂。對(duì)于金屬底物，可通過(guò)刻痕對(duì)其評(píng)分，然后再施加底漆或防污聚合物以使冷凍切斷更容易。冷凍切斷應(yīng)在大致與聚合物改性表面正交的平面斷裂，以便測(cè)量垂直于底物的聚合物層的厚度。使用濺射鍍膜機(jī)對(duì)樣品濺射鍍金90秒，然后通過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)在高真空和5kV下使用SE2檢測(cè)器進(jìn)行成像。示例性微切片機(jī)刀片包括Leica Ultracut UCT Ultramicrotome,示例性派射鍍膜機(jī)包括Cressington208HR,示例性SEM包括Supra55VP FESEM, Zeiss。干厚可以通過(guò)分析接枝聚合物中化學(xué)信號(hào)的強(qiáng)度而估計(jì)，例如，通過(guò)使用ATR-FTIR。纖維蛋白原吸附測(cè)定除非另外指明，否則“纖維蛋白原吸附測(cè)定”是用于評(píng)估表面的纖維蛋白原容量的測(cè)定方法。在該測(cè)定中，將測(cè)試樣品放在合適大小的容器中，其可以為96孔歧管、微量離心管或其它容器。以下體積適于深96孔板，但可以縮放以正確涵蓋所測(cè)試的裝置。將樣品用70%乙醇溶液消毒三十分鐘，測(cè)試組以每次運(yùn)行的樣品個(gè)數(shù)η為3-4個(gè)而運(yùn)行。在4°C下將樣品容器用溶于IXPBS中的20mg/mL胎牛血清(BSA)封閉I小時(shí)，然后用I XPBS沖洗三次,再添加樣品。將樣品暴露于含70 μ g/mL未標(biāo)記的人纖維蛋白原、1.4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記的人纖維蛋白原、35-55 μ g/mL BSA的水溶液中，該水溶液任選地含有檸檬酸三鈉，以及任選地含有氯化鈉。BSA是與放射性標(biāo)記的纖維蛋白原共凍干的常見(jiàn)試劑。任選地，BSA和放射性標(biāo)記的纖維蛋白原可以已由含檸檬酸三鈉和氯化鈉的凍干形式溶解。將樣品在150RPM的搖床上于37°C下孵育一小時(shí)。然后取出測(cè)試溶液，進(jìn)行IOmM NaI的四次沖洗(一次I分鐘)及IXPBS的一次沖洗(一次I分鐘)。將樣品裝到Y(jié)計(jì)數(shù)器上。計(jì)數(shù)器測(cè)量每個(gè)樣品的放射性(每分鐘的1-125計(jì)數(shù))，并將該數(shù)據(jù)用于計(jì)算絕對(duì)纖維蛋白原吸附或防污聚合物層樣品與參考底物(即，不存在防污聚合物層的相同的或換句話講功能等同的底物)相比的降低百分比。降低百分比等于(I 一防污樣品CPM/參考樣品的平均CPM) *100%?？傮w平均干厚除非另外指明，否則如本文結(jié)合聚合物層所用的“總體平均干厚”應(yīng)指通過(guò)對(duì)至少3個(gè)并優(yōu)選至少5個(gè)代表性位置的局部平均干厚進(jìn)行平均化計(jì)算而得的平均值，這些代表性位置在整個(gè)帶有聚合物層的制品部分上大致均勻地間隔開(kāi)。例如，如果將聚合物層施加在導(dǎo)管的留置部分，則代表性位置在導(dǎo)管的整個(gè)留置部分大致均勻地間隔開(kāi)。優(yōu)選的是，測(cè)量在被聚合物層覆蓋的制品部分的整個(gè)最長(zhǎng)維度上的代表性點(diǎn)的厚度?？傮w平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差通過(guò)計(jì)算至少5個(gè)并優(yōu)選至少10個(gè)代表性位置的局部平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差而得出，這些代表性位置在整個(gè)帶有聚合物層的制品部分上大致均勻地間隔開(kāi)?？傮w平均濕厚除非另外指明，否則如本文結(jié)合聚合物層所用的“總體平均濕厚”應(yīng)指通過(guò)對(duì)至少3個(gè)并優(yōu)選至少5個(gè)代表性位置的局部平均濕厚進(jìn)行平均化計(jì)算而得的平均值，這些代表性位置在整個(gè)帶有聚合物層的制品部分上大致均勻地間隔開(kāi)。例如，如果將聚合物層施加在導(dǎo)管的留置部分，則代表性位置在導(dǎo)管的整個(gè)留置部分大致均勻地間隔開(kāi)。優(yōu)選的是，測(cè)量在被聚合物層覆蓋的制品部分的整個(gè)最長(zhǎng)維度上的代表性點(diǎn)的厚度?？傮w平均濕厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差通過(guò)計(jì)算至少5個(gè)并優(yōu)選至少10個(gè)代表性位置的局部平均濕厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差而得出，這些代表性位置在整個(gè)帶有聚合物層的制品部分上大致均勻地間隔開(kāi)?？傮w平均Rnns表面粗糙度除非另外指明，否則如本文結(jié)合聚合物層所用的“總體平均Rmis表面粗糙度”應(yīng)指通過(guò)對(duì)至少5個(gè)并優(yōu)選至少10個(gè)代表性位置的Rniis表面粗糙度進(jìn)行平均化計(jì)算而得的平均值，這些代表性位置在整個(gè)帶有聚合物層的制品部分上大致均勻地間隔開(kāi)。例如，如果將聚合物層施加在導(dǎo)管的留置部分，則代表性位置在導(dǎo)管的整個(gè)留置部分大致均勻地間隔開(kāi)。優(yōu)選的是，測(cè)量在被聚合物層覆蓋的制品部分的整個(gè)最長(zhǎng)維度上的代表性點(diǎn)的厚度?？傮w平均Rmis表面粗糙度的標(biāo)準(zhǔn)偏差通過(guò)計(jì)算至少5個(gè)并優(yōu)選至少10個(gè)代表性位置的局部平均Rms表面粗糙度的標(biāo)準(zhǔn)偏差而得出，這些代表性位置在整個(gè)帶有聚合物層的制品部分上大致均勻地間隔開(kāi)。接枝除非另外指明，否則如本文結(jié)合聚合物所用的術(shù)語(yǔ)“接枝”是指通過(guò)“接出”(graft-from)、“大分子單體共聚接枝”(graft-through)或“接入”(graft-to)方法或它們的組合用聚合物對(duì)材料表面進(jìn)行改性以形成接枝聚合物。接出方法除非另外指明，否則如本文結(jié)合用聚合物對(duì)材料進(jìn)行改性的方法所用的術(shù)語(yǔ)“接出”應(yīng)指原位聚合并在材料的表面或材料內(nèi)長(zhǎng)出聚合物。接出型聚合物除非另外指明，否則如本文所用的術(shù)語(yǔ)“接出型聚合物”應(yīng)指通過(guò)接出方法形成的聚合物。大分子單體共聚接枝方法除非另外指明，否則如本文結(jié)合用聚合物對(duì)材料進(jìn)行改性的方法所用的術(shù)語(yǔ)“大分子單體共聚接枝”應(yīng)指在材料附近進(jìn)行的單體原位聚合物，這些單體可通過(guò)從材料表面出現(xiàn)的官能團(tuán)發(fā)生聚合。例如，材料可具有從表面出現(xiàn)的乙烯基團(tuán)，聚合反應(yīng)通過(guò)該基團(tuán)而發(fā)生。大分子單體共聚接枝聚合物除非另外指明，否則如本文所用的術(shù)語(yǔ)“大分子單體共聚接枝聚合物”應(yīng)指通過(guò)大分子單體共聚接枝方法形成的聚合物。接入方法除非另外指明，否則如本文結(jié)合用聚合物對(duì)材料進(jìn)行改性的方法所用的術(shù)語(yǔ)“接入”應(yīng)指用預(yù)先合成的聚合物對(duì)材料表面改性。接入型聚合物除非另外指明，否則如本文所用的術(shù)語(yǔ)“接入型聚合物”應(yīng)指通過(guò)接入方法形成的聚合物。雜烷基除非另外指明，否則術(shù)語(yǔ)“雜烷基”是指其中主鏈碳原子中的至少一個(gè)被雜原子置換的烷基基團(tuán)。
雜芳基除非另外指明，否則術(shù)語(yǔ)“雜芳基”是指其中環(huán)成員的至少一個(gè)為雜原子并且每個(gè)環(huán)中優(yōu)選存在5或6個(gè)原子的芳基。雜芳族基團(tuán)在環(huán)中優(yōu)選地具有I或2個(gè)氧原子、I或2個(gè)硫原子和/或I至4個(gè)氮原子，并可通過(guò)碳或雜原子鍵合到分子的其余部分。示例性雜芳族基團(tuán)包括呋喃基、噻吩基、吡啶基、噁唑基、吡咯基、吲哚基、喹啉基或異喹啉基等。示例性取代基包括以下基團(tuán)中的一者或多者烴基、取代的烴基、酮基(即，=0)、羥基、受保護(hù)的輕基、酸基、酸氧基、燒氧基、鏈稀氧基、塊氧基、芳氧基、齒素、酸氣基、氣基、硝基、氰基、硫醇、縮酮、縮醛、酯和醚。雜原子除非另外指明，否則術(shù)語(yǔ)“雜原子”是指非氫或碳的原子，諸如氯、碘、溴、氧、硫、氮、磷、硼、砷、硒或娃原子。雜環(huán)除非另外指明，否則如本文單獨(dú)地或作為另一基團(tuán)一部分使用的術(shù)語(yǔ)“雜環(huán)”和“雜環(huán)的”是指任選取代的、全飽和或不飽和的單環(huán)或雙環(huán)芳族或非芳族基團(tuán)，其在至少一個(gè)環(huán)中具有至少一個(gè)雜原子，并在每個(gè)環(huán)中優(yōu)選地具有5或6個(gè)原子。雜環(huán)基團(tuán)在環(huán)中優(yōu)選地具有I或2個(gè)氧原子、I或2個(gè)硫原子和/或I至4個(gè)氮原子，并可通過(guò)碳或雜原子鍵合到分子的其余部分。示例性雜環(huán)包括雜芳族基團(tuán)，諸如呋喃基、噻吩基、吡啶基、噁唑基、吡咯基、吲哚基、喹啉基或異喹啉基等。示例性取代基包括以下基團(tuán)中的一者或多者烴基、取代的經(jīng)基、麗基、輕基、受保護(hù)的輕基、酸基、酸氧基、燒氧基、鏈稀氧基、塊氧基、芳氧基、鹵素、酰氨基、氨基、硝基、氰基、硫醇、縮酮、縮醛、酯和醚。雜烴基除非另外指明，否則術(shù)語(yǔ)“雜烴基”是指其中鏈碳原子中的至少一個(gè)被雜原子置換的烴基基團(tuán)。濕厚除非另外指明，否則如本文結(jié)合聚合物層所用的“濕厚”應(yīng)指使用環(huán)境掃描電子顯微鏡(ESEM和大約26%的相對(duì)濕度)測(cè)定的聚合物層的厚度。為了測(cè)量濕厚，將樣品冷凍切斷以通過(guò)浸入液氮而 成像，然后使用超微切片機(jī)刀片碎裂。冷凍切斷應(yīng)在與聚合物改性表面正交的平面斷裂制品，以便測(cè)量垂直于底物的聚合物層的厚度。切斷后，將樣品浸入水中至少一小時(shí)，然后浸入液氮并固定到_8°C至-12°C的冷臺(tái)。然后使用VPSE檢測(cè)器以最高可解析濕度(大約26%或81Pa)在掃描電子顯微鏡(SEM)下使用環(huán)境掃描電子顯微鏡(E-SEM)進(jìn)行成像。不例性微切片機(jī)刀片包括Leica Ultracut UCT Ultramicrotome,不例性 SEM 包括 Supra55VP FESEM, Zeiss,以及示例性 E-SEM 包括 Zeiss EV055。烴或烴基除非另外指明，否則如本文所用的術(shù)語(yǔ)“烴”和“烴基”描述僅由碳和氫元素組成的有機(jī)化合物或自由基。這些部分包括烷基、烯基、炔基和芳基部分。這些部分也包括用其它脂族或環(huán)烴基團(tuán)取代的烷基、烯基、炔基和芳基部分，諸如烷芳基、烯芳基和炔芳基。除非另外指明，否則這些部分優(yōu)選地包含I至20個(gè)碳原子。親水除非另外指明，否則“親水”是指具有水親和力的溶劑、分子、化合物、聚合物、混合物、材料或官能團(tuán)。此類材料通常包含一個(gè)或多個(gè)親水官能團(tuán)，諸如羥基、兩性離子、羧基、氨基、酰胺、磷酸根、磺?；?、氫鍵形成和/或醚基團(tuán)。疏水除非另外指明，否則“疏水”是指水所排斥的溶劑、分子、化合物、聚合物、混
合物、材料或官能團(tuán)。此類材料通常包含非極性官能團(tuán)。固定化/固定的除非另外指明，否則“固定化”或“固定的”是指共價(jià)或非共價(jià)地直接或間接連接到底物的材料或生物活性劑。“共固定化”是指兩種或更多種試劑的固定化。
引發(fā)劑除非另外指明，否則“引發(fā)劑”是指可在相對(duì)溫和的條件下產(chǎn)生自由基或其它物質(zhì)并促進(jìn)聚合反應(yīng)的一種物質(zhì)或多種物質(zhì)的組合。例如，如本文其它地方所述的氧化還原對(duì)可以是引發(fā)劑。局部平均干厚除非另外指明，否則“局部平均干厚”是指通過(guò)對(duì)至少3個(gè)并優(yōu)選至少5個(gè)代表性位置的干厚測(cè)量值進(jìn)行平均化計(jì)算而得的平均干厚，這些代表性位置在跨大約10-40微米的整個(gè)制品橫截面上大致均勻地間隔開(kāi)。局部平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差通過(guò)計(jì)算在至少5個(gè)并且更優(yōu)選地至少10個(gè)代表性位置的干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差而確定，這些代表性位置在跨大約10-40微米的整個(gè)制品橫截面上大致均勻地間隔開(kāi)。局部平均濕厚除非另外指明，否則“局部平均濕厚”是指通過(guò)對(duì)至少3個(gè)并優(yōu)選至少5個(gè)代表性位置的濕厚測(cè)量值進(jìn)行平均化計(jì)算而得的平均濕厚，這些代表性位置在跨大約10-40微米的整個(gè)制品橫截面上大致均勻地間隔開(kāi)。局部平均濕厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差可通過(guò)計(jì)算至少5個(gè)并優(yōu)選至少10個(gè)代表性位置的濕厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差而確定，這些代表性位置在跨大約10-40微米的整個(gè)制品橫截面上大致均勻地間隔開(kāi)。膜靶向抗微生物劑除非另外指明，否則“膜靶向抗微生物劑”是指當(dāng)固定在底物上時(shí)保持其殺菌或抑菌活性并因此可用于形成固定化抗微生物表面的抗微生物劑。在一個(gè)實(shí)施方案中，膜靶向抗微生物劑為抗微生物肽，并在另一個(gè)實(shí)施方案中為季銨化合物或聚合物。不可降解的除非另外指明，否則“不可降解的”是指在生物環(huán)境中不以水解、還原、酶解或氧化方式明顯反應(yīng)裂解成更小或更簡(jiǎn)單組分的材料組合物。防污組合物/防污材料/防污聚合物/防污聚合物層除非另外指明，否則如本文可互換使用的“防污組合物”或“防污材料”或“防污聚合物”或“防污聚合物層”是為組合物所連接的制品表面提供或增強(qiáng)耐蛋白性的組合物。例如，當(dāng)連接到底物時(shí)，這樣的組合物相對(duì)于參考底物的粘附量可耐蛋白質(zhì)(包括血蛋白)、血漿、細(xì)胞、組織和/或微生物粘附到底物，參考底物也就是不存在所述組合物的相同的或換句話講功能等同的底物。優(yōu)選地，底物表面在存在人血時(shí)將基本上為防污的。優(yōu)選地，粘附量相對(duì)于參考底物將降低20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或更多，例如 85%、90%、95%、99%、99. 5%,99. 9%或更多。表面的防污特性或耐蛋白性的一個(gè)尤其優(yōu)選的量度是在如本文所述的纖維蛋白原吸附測(cè)定中的纖維蛋白原量。優(yōu)選地，使用本文所述的纖維蛋白原吸附測(cè)定的吸附纖維蛋白原量為<125ng/cm2、<90ng/cm2、<70ng/cm2、<50ng/cm2、<30ng/cm2、<20ng/cm2、<15ng/cm2、<12ng/cm2、<10ng/cm2、<8ng/cm2、<6ng/cm2、<4ng/cm2、<2ng/cm2、〈lng/cm2、<0. 5ng/cm2 或 <0. 25ng/cm2。
非天然存在的氨基酸除非另外指明，否則“非天然存在的氨基酸”是指不存在于自然界中的任何氨基酸。非天然氨基酸包括D-氨基酸、不存在于自然界中的帶側(cè)鏈氨基酸和擬肽。擬肽的實(shí)例包括但不限于b肽、g肽和d肽；具有可采取螺旋或折疊構(gòu)象的主鏈的低聚物，諸如具有利用聯(lián)吡啶鏈段的主鏈的化合物，具有利用疏溶劑相互作用的主鏈的化合物，具有利用側(cè)鏈相互作用的主鏈的化合物，具有利用氫鍵相互作用的主鏈的化合物，以及具有利用金屬配位的主鏈的化合物。人體中的所有氨基酸除了甘氨酸外均以D和L形式存在。自然界中存在的幾乎所有氨基酸都為L(zhǎng)形式。D形式的氨基酸不存在于高等動(dòng)物的蛋白質(zhì)中，但存在于一些低等生命形式中，諸如細(xì)菌細(xì)胞壁中。它們還存在于某些抗生素中，例如鏈霉素、放線菌素、桿菌肽和四環(huán)素。這些抗生素可通過(guò)干擾存活和復(fù)制所必需的蛋白質(zhì)的形成而殺滅細(xì)菌細(xì)胞。非天然存在的氨基酸還包含殘基，其具有耐非特異性蛋白吸附的側(cè)鏈，其可設(shè)計(jì)為增強(qiáng)生物流體中抗微生物肽的提呈(presentation)，和/或可聚合的側(cè)鏈，其使得能夠使用肽內(nèi)的非天然氨基酸殘基作為單體單元合成聚合物刷。聚合物除非另外指明，否則“聚合物”包括含有多個(gè)重復(fù)單元的天然的和合成的均聚物和共聚物，并且除非另外指明可以為直鏈的、直鏈的或樹枝狀的。共聚物的實(shí)例包括但不限于無(wú)規(guī)共聚物和嵌段共聚物、智能聚合物、溫度響應(yīng)性(如NIPAM)以及pH響應(yīng)性(如，基于吡啶基的)聚合物。多肽/肽/寡肽除非另外指明，否則“多肽”、“肽”和“寡肽”涵蓋由通過(guò)肽鍵化學(xué)連在一起的氨基酸(無(wú)論是天然的、合成的或它們的混合物)組成的有機(jī)化合物。肽通常含有3個(gè)或更多個(gè)氨基酸，優(yōu)選多于9個(gè)小于150個(gè)，更優(yōu)選小于100個(gè)，最優(yōu)選9到51個(gè)氨基酸。多肽可以是“外源”或“異源”的，即，在生物體或細(xì)胞內(nèi)產(chǎn)生對(duì)該生物體或細(xì)胞非天然的肽，諸如通過(guò)細(xì)菌細(xì)胞產(chǎn)生的人多肽。外源也指與細(xì)胞產(chǎn)生的內(nèi)源材料相比對(duì)該細(xì)胞為非天然的并加到該細(xì)胞中的物質(zhì)。肽鍵涉及一個(gè)氨基酸的羧基(載氧的碳)與第二個(gè)氨基酸的氨基氮之間的單個(gè)共價(jià)連接。組成氨基酸少于約十個(gè)的小肽通常稱為寡肽，而氨基酸多于十個(gè)的肽稱為多肽。分子量大于10，000道爾頓(50-100個(gè)氨基酸)的化合物通常稱為蛋白質(zhì)。季氮除非另外指明，否則如本文所用的“季氮”是指為季銨陽(yáng)離子的成員的氮原子。Rrms表面粗糙度除非另外指明，否則“Rms表面粗糙度”是指表面的均方根粗糙度，其度量真實(shí)表面與其理想形式的豎向偏差。粗糙度是指可與大規(guī)模表面差異的測(cè)量值不同的表面微觀粗糙度。優(yōu)選地，這可使用原子力顯微術(shù)(MFP-3D，Asylum)跨大約1-30 μ mX 1-30 μ m優(yōu)選20 μ mX20 μ m的場(chǎng)而測(cè)量。將樣品用純化水洗滌以除去表面鹽，然后風(fēng)干。采用標(biāo)準(zhǔn)娃懸臂梁(Olympus AC160TS,彈簧常數(shù)42N/m)以AC/Tapping模式進(jìn)行測(cè)量。R-表面粗糙度通過(guò)AFM機(jī)器附帶的軟件(IGOR Pro)計(jì)算。作為另外的選擇，可以使用觸針式輪廓儀測(cè)量粗糙度。例如，樣品表面粗糙度可通過(guò)Tencor P_16+輪廓儀用60度、2 μ m的金剛石尖觸針測(cè)量。優(yōu)選地，與20 μ m/秒的掃描速率、50Hz的掃描頻率和2 μ g的加載力一同選擇800 μ m的掃描長(zhǎng)度。對(duì)于同一樣品測(cè)量至少三個(gè)不同的部位，并通過(guò)至少三個(gè)樣品的平均值得到表面粗糙度。作為另外的選擇，可優(yōu)選地通過(guò)非接觸方法包括使用光學(xué)輪廓儀測(cè)量Rniis表面粗糙度。例如，通過(guò)光學(xué)輪廓儀(Zeta Z20或Olympus Lext0LS4000)測(cè)量樣品表面粗糙度。優(yōu)選地，通過(guò)光學(xué)輪廓儀在50倍物鏡下采集3-D圖像，然后沿著橫過(guò)圖像的至少三條不同的線測(cè)量樣品的表面粗糙度。測(cè)量至少三個(gè)不同的點(diǎn)，對(duì)至少三個(gè)樣品取平均值得出表面粗糙度。在優(yōu)選的實(shí)例中，采用Olympus LEXT 0LS40003D激光測(cè)量顯微鏡進(jìn)行粗糙度測(cè)量和3D成像。LEXT顯微鏡利用408nm激光的短波長(zhǎng)光學(xué)技術(shù)，結(jié)合可用于測(cè)量的共聚焦掃描。將待測(cè)量的樣品通過(guò)雙面膠帶安裝在載玻片。使用Olympus LEXT0LS4000激光共聚焦顯微鏡(“LEXT”)在Olympus MPLAP0N50X倍物鏡下采集數(shù)字3-D圖像。以此方式采集的數(shù)字圖像具有256X256 μ m的場(chǎng)面積。Olympus檢定了該LEXT機(jī)的Z方向重復(fù)性小于0.012 μ m。為了測(cè)量粗糙度，從每個(gè)樣品采集至少三個(gè)圖像，使用9 μ m截止長(zhǎng)度計(jì)算Rmis粗糙度。溶劑可萃取的聚合反應(yīng)引發(fā)劑除非另外指明，否則“溶劑可萃取的聚合反應(yīng)引發(fā)劑”是指已摻在制品內(nèi)的能夠啟動(dòng)自由基聚合反應(yīng)的任何化合物，其中該引發(fā)劑或其降解產(chǎn)物均可使用合適的溶劑從制品中萃取出來(lái)。一般來(lái)講，萃取可使用非極性或極性溶齊U，例如，諸如水、丙酮或乙醇的萃取溶劑；和/或其中引發(fā)劑和/或其降解產(chǎn)物的溶解度為至少lmg/L的其它萃取溶劑。萃取應(yīng)執(zhí)行足夠的時(shí)間，使得萃取物濃度的變化每小時(shí)增加不超過(guò)5%。作為另外的選擇，萃取直到在后續(xù)萃取中萃取出的材料的量小于在初始萃取中檢測(cè)到的量的10%，或直到在檢測(cè)的累積萃取材料水平中不存在分析上顯著的增加。萃取條件包括37°C,72h ；50°C,72h ；70°C,24h ;121°C，lh。萃取率包括 6cm2/mL 表面積 / 體積和/或0.2g樣品/mL。在某些情況下，底物完全溶解可能是合適的。材料應(yīng)在萃取前被切成小片，以增強(qiáng)在萃取介質(zhì)中的浸入，例如，對(duì)于聚合物底物而言，大約IOmmX50mm或5_X25mm是合適的。所用的儀器包括用于有機(jī)分析的高效液相色譜-光電二極管陣列檢測(cè)器-質(zhì)譜(HPLC-PDA-MS);用于有機(jī)分析的氣相色譜-質(zhì)譜(GC-MS);用于金屬分析的電感耦合等離子體-光學(xué)發(fā)射光譜或質(zhì)譜(ICP-OES或ICP-MS);以及有時(shí)用于無(wú)機(jī)物和離子分析的離子色譜(1C)。有時(shí)使用更先進(jìn)的質(zhì)譜檢測(cè)器，諸如飛行時(shí)間(TOF)檢測(cè)器，以獲得準(zhǔn)確的質(zhì)量信息。己烷和醇萃取物通過(guò)GC-MS分析。水和醇萃取物通過(guò)HPLC分析。引發(fā)劑或其降解產(chǎn)物可通過(guò)之前所述的方法在底物或接枝聚合物中定量和/或檢測(cè)。這些包括FTIR-ATR、化學(xué)分析用電子能譜(ESCA，也稱為X射線光電子能譜或簡(jiǎn)稱XPS)、二次離子質(zhì)譜(SIMS)和表面增強(qiáng)拉曼光譜(SERS)。例如，過(guò)氧化物可使用以下三種方法中的任何一種通過(guò)分光光度法檢測(cè)碘化物方法(在氯化鐵存在下通過(guò)過(guò)氧化物氧化碘化鈉)、DPPH方法(用自由基清除劑1，1-二苯基-2-苦基肼分解過(guò)氧化物)或過(guò)氧化物酶方法(用谷胱甘肽過(guò)氧化物酶催化的谷胱甘肽還原，然后在谷胱甘肽還原酶存在下測(cè)量NADPH的偶聯(lián)氧化)。參見(jiàn)例如 Fujimoto 等，Journal of Polymer Science Part A:Polymer Chemistry,第 31卷，1035-1043(1993)。穩(wěn)定的除非另外指明，否則本文關(guān)于材料所用的“穩(wěn)定的”是指該材料在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持功能性。在一個(gè)實(shí)施方案中，提及的材料在含蛋白的磷酸鹽緩沖鹽水、介質(zhì)、或血清或體內(nèi)的至少一者中在37°C下可保持至少90%的提及活性(或性質(zhì))達(dá)至少30天。在一個(gè)實(shí)施方案中，提及的材料在含蛋白的磷酸鹽緩沖鹽水、介質(zhì)、或血清或體內(nèi)的至少一者中在37 °C下可保持至少80%的提及活性(或性質(zhì))達(dá)至少90天。在一個(gè)實(shí)施方案中，提及的材料在37°C下可保持至少90%的提及活性(或性質(zhì))達(dá)至少30天以及在37°C下可保持至少80%的提及活性(或性質(zhì))達(dá)至少90天。提及的活性或性質(zhì)可包括表面接觸角、防污、抗血栓形成和/或抗微生物活性。靜態(tài)接觸角除非另外指明，否則“靜態(tài)接觸角”是在平衡條件下或近平衡條件下水/蒸氣界面與底物表面相交處的角度。接觸角的測(cè)量方式是首先將樣品用純乙醇浸泡5分鐘，然后用PBS洗滌三次。然后將樣品浸泡在PBS (150mM, pH7. 4)內(nèi)24小時(shí)，再用純化水洗滌三次。之后，將樣品在測(cè)試前在氣流下干燥5分鐘。將一滴純化水(如I μ L)滴到測(cè)試表面上，使用視頻接觸角系統(tǒng)(如VCA2000，AST Inc.)通過(guò)帶CXD攝像機(jī)的顯微鏡拍攝液滴的形狀，然后測(cè)定接觸角(例如使用VCA Optima XE)。用于確定接觸角的水滴大小可因底物類型和組成而不同。例如對(duì)于5French裝置,可使用O.1 μ L的純化水水滴?；旧涎合嗳莸某橇硗庵该鳎駝t“基本上血液相容的”是指除了不形成血栓以及無(wú)免疫原性外基本上不溶血的組合物，如通過(guò)適當(dāng)選擇的血栓形成、凝固和補(bǔ)體活化測(cè)定方法進(jìn)行測(cè)試，如在IS010993-4中所述?；旧蠠o(wú)細(xì)胞毒性的除非另外指明，否則“基本上無(wú)細(xì)胞毒性的”是指基本上不改變接觸組合物表面的哺乳動(dòng)物細(xì)胞的代謝、增殖或活力的組合物。這些可通過(guò)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS010993-5進(jìn)行定量，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了評(píng)價(jià)材料細(xì)胞毒性的三項(xiàng)主要試驗(yàn)，包括浸提液試驗(yàn)、直接接觸試驗(yàn)和間接接觸試驗(yàn)。基本上不溶血的表面除非另外指明，否則“基本上不溶血的表面”是指當(dāng)應(yīng)用以下測(cè)定法時(shí)組合物對(duì)人紅細(xì)胞的裂解不超過(guò)50%，優(yōu)選地20%，更優(yōu)選地10%，甚至更優(yōu)選地5%,最優(yōu)選地1% :將10%洗漆合并紅細(xì)胞的儲(chǔ)液(Rockland ImmunochemicalsInc, Gilbertsville, PA)用 150mM NaCl 和 IOmM Tris 的溶血緩沖液(pH7. O)稀釋到 O. 25%。將O. 5cm2的抗微生物樣品用O. 75ml0. 25%的紅細(xì)胞懸液在37°C下孵育I小時(shí)。除去固體樣品，將細(xì)胞在6000g下離心，除去上清液，然后在分光光度計(jì)上測(cè)量0D414。總?cè)苎ㄟ^(guò)以下方式定義將10%的洗滌合并紅細(xì)胞在無(wú)菌去離子(DI)水中稀釋到O. 25%，然后在37°C下孵育I小時(shí)，0%溶血的定義方式為使用無(wú)固體樣品的溶血緩沖液中O. 25%的紅細(xì)胞懸液。基本上無(wú)毒的除非另外指明，否則“基本上無(wú)毒的”是指基本上血液相容的且基本上無(wú)細(xì)胞毒性的表面。 取代的/任選取代的除非另外指明，否則術(shù)語(yǔ)“取代和”和“任選取代的”是指提及的基團(tuán)被或可以被一個(gè)或多個(gè)另外的合適基團(tuán)取代，這些基團(tuán)可以單獨(dú)和獨(dú)立地選自(例如)縮醛、?；?、酰氧基、鏈烯氧基、烷氧基、烷硫基、炔氧基、酰氨基、氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、疊氮基、羰基、羧酰氨基、羧基、氰基、酯、醚、烴基、取代的烴基、雜烴基、取代的雜烴燒基(heterohydroalkyl)、環(huán)燒基、齒素、雜脂環(huán)基(heteroalicyclic)、雜芳基、輕基、異氰酸根、異硫氰酸根、縮酮、酮基、巰基、硝基、全齒烷基、甲硅烷基、氨磺?；?、硫酸根、巰基、亞磺酰氨基、磺酸根、磺?；?、亞砜(sulfoxido)、硫代羰基、硫氰酸根、硫醇和/或它們的受保護(hù)衍生物。應(yīng)當(dāng)理解，“取代”或“取代的”包括隱含的條件此取代符合被取代的原子和取代基的允許價(jià)態(tài)，并且該取代產(chǎn)生穩(wěn)定的化合物，例如，不自發(fā)發(fā)生轉(zhuǎn)化，諸如通過(guò)重排、環(huán)化、消除等。底物除非另外指明，否則“底物”是指防污聚合物從其接枝的材料。磺基銨除非另外指明，否則“磺基銨”部分是包含硫酸根和銨官能團(tuán)的兩性離子部分，并包括(例如)磺基銨單體、磺基銨低聚物、磺基銨聚合物、磺基銨重復(fù)單元以及其它含磺基銨的材料?；腔鸩藟A單體、低聚物、聚合物、重復(fù)單元和其它磺基甜菜堿材料是示例性的磺基銨部分。系鏈/系鏈劑/連接基除非另外指明，否則如本文同義使用的“系鏈”或“連接基”是指用于將一種或多種防污材料、一種或多種生物活性劑或它們的組合共價(jià)或非共價(jià)地固定到一種材料上的任何分子、或一組分子或聚合物，其中該分子保持為最終化學(xué)組合物的一部分。系鏈可以是直鏈或支鏈的，具有一個(gè)或多個(gè)用于固定生物活性劑的位點(diǎn)。系鏈可以具有任何長(zhǎng)度。然而，在一個(gè)實(shí)施方案中，系鏈的長(zhǎng)度大于3埃。系鏈可以是防污的，諸如單體、低聚物或聚合物或防污非兩性離子材料。系鏈可以直接固定在底物上或聚合物上，兩者的任一種都可以是無(wú)污染的。
底涂層除非另外指明，否則“底涂層”是指摻到底物中而防污聚合物從其接枝的任何涂層或涂層組合。兩性離子/兩性離子材料除非另外指明，否則“兩性離子”或“兩性離子材料”是指同時(shí)具有陽(yáng)離子和陰離子基團(tuán)的大分子、材料或部分。在大多數(shù)情況下，這些帶電基團(tuán)得到平衡，導(dǎo)致材料的凈電荷為零。兩性離子聚合物除非另外指明，否則“兩性離子聚合物”可以是均聚物或共聚物，并包括聚兩性電解質(zhì)(例如，在不同單體單元上具有帶電基團(tuán)的聚合物)和聚甜菜堿(在同一單體單元上具有陰離子和陽(yáng)離子基團(tuán)的聚合物)兩者。示例性兩性離子聚合物包括兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)單體的交替共聚物、統(tǒng)計(jì)共聚物、無(wú)規(guī)共聚物和嵌段共聚物。發(fā)明詳述在本發(fā)明的各方面中，可以注意到提供具有防污接枝聚合物層的制品，諸如醫(yī)療裝置。因此，一般來(lái)講，該制品包括底物以及從底物接枝的聚合物材料。令人吃驚的是，據(jù)發(fā)現(xiàn)防污接枝聚合物層可通過(guò)以下方法提供將一種或多種聚合反應(yīng)引發(fā)劑摻入底物，例如，通過(guò)讓底物吸收引發(fā)劑或?qū)l(fā)劑的層沉積到底物上，然后從底物上接枝聚合物。在一個(gè)尤其優(yōu)選的實(shí)施方案中，在包含單體和溶劑體系的聚合反應(yīng)混合物中從底物接枝聚合物材料，其中底物不被溶劑體系明顯溶脹并且摻入的引發(fā)劑在溶劑體系中具有有限的溶解度。換句話講，摻入底物的引發(fā)劑與溶劑體系相比具有反相性質(zhì)，特別是對(duì)于親水性而言。不受任何特定理論的束縛，據(jù)信該方法在底物表面/聚合反應(yīng)混合物的界面處或附近提供相對(duì)高的局部引發(fā)劑濃度，并有利于從底物接枝并使接枝聚合物形成支鏈聚合物。不管理論如何，本發(fā)明的接枝聚合物構(gòu)成相對(duì)致密的支鏈親水結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)均勻地覆蓋底物表面缺陷并增強(qiáng)性能。因此，具有通過(guò)接枝聚合物改性的表面的制品具有改善的抗污和/或抗血栓形成特性，并在某些實(shí)施 方案中，具有改善的抗微生物特性。一般來(lái)講，小引發(fā)劑分子可比在溶液中合成的較大聚合物分子更容易地在引發(fā)和傳播聚合反應(yīng)的底物表面處或附近濃縮。因此，并與接入型涂層相比，可實(shí)現(xiàn)更大的表面密度，繼而傾向于改善防污性能。此外，更長(zhǎng)的聚合物鏈和/或支鏈防污鏈可進(jìn)一步改善性倉(cāng)泛。醫(yī)療裝置和其它制品包含廣泛材料的任何一種。其中某些材料因其內(nèi)在特性表現(xiàn)出對(duì)蛋白吸附和細(xì)胞/微生物粘附更大的耐性；例如，親水材料往往比疏水材料表現(xiàn)出更少的蛋白吸附。此外，制造方法會(huì)大大影響此類材料的表面特性；例如，制造方法可影響材料的孔隙度、其粗糙度(微觀粗糙度和宏觀粗糙度)、從材料表面突出的異物夾雜物的摻入以及類似的表面特性。這些因素的每一個(gè)以及其它因素可有助于材料對(duì)蛋白吸附和/或細(xì)胞/微生物粘附的耐性(或缺乏耐性)。不受任何特定理論的束縛，本發(fā)明相信，本發(fā)明的接出聚合方法提供具有支鏈結(jié)構(gòu)的表面改性(即，防污聚合物層)，該結(jié)構(gòu)不利蛋白吸附和/或細(xì)胞/微生物粘附并除此之外可隱藏或換句話講改變底物中有利于細(xì)胞、細(xì)菌或其它微生物粘附的位點(diǎn)。因此，例如，并相對(duì)于制品的(未改性)表面而言，接枝聚合物層可覆蓋或甚至部分或完全地填充制品表面中的劃痕、針孔、空隙或其它缺陷，而這些問(wèn)題不解決則可能會(huì)成為性能故障部位。作為另一個(gè)實(shí)例，厚度至少與制品(未改性)表面的表面粗糙度一樣大的、相對(duì)均勻的、足夠致密的和/或顯著親水的接枝聚合物層可明顯提高材料對(duì)蛋白吸附和/或細(xì)胞/微生物粘附的耐性。在本發(fā)明的一個(gè)方面，將防污層施加到底物或物體的至少一部分或多個(gè)部分上，包括在底物或物體上分立位置處的一個(gè)或多個(gè)2或3維圖案。在一些實(shí)施方案中，將防污層施加到底物或物體上，施加方式使得具有從納米到微米再到毫米的許多尺度的分立和/或混雜幾何特征和/或設(shè)計(jì)。優(yōu)選的實(shí)施方案包括可控制地形成分立的防污特征，這涉及選擇性地掩蔽或阻擋底物的所需部分吸收和/或施加引發(fā)劑和/或發(fā)生接枝聚合。在一個(gè)實(shí)施方案中，底物制品的一部分在引發(fā)劑施加過(guò)程中被掩蔽。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，底物制品的一部分在聚合反應(yīng)過(guò)程中被掩蔽。掩蔽技術(shù)可應(yīng)用于本文所述的任何底物，包括金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、生物組織(活組織或死亡組織)、織造和非織造纖維、半金屬(諸如硅)。在本發(fā)明的各方面中，通過(guò)多種方法可控制地將防污聚合物設(shè)置在底物或物體上的分立位置。對(duì)于大于或等于毫米尺度的位置、圖案、幾何特征/設(shè)計(jì)，可控制地設(shè)置防污聚合物可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)物理地掩蔽將不形成防污聚合物的區(qū)域，例如，通過(guò)使用諸如將膠帶、絲網(wǎng)、抗蝕劑或其它阻擋材料(抑制聚合反應(yīng)溶液進(jìn)入)施加到底物或物體表面的技術(shù)，從而抑制聚合物形成。對(duì)于小于毫米尺度的位置、圖案、幾何特征/設(shè)計(jì)，可控制地設(shè)置防污聚合物可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)物理地掩蔽將不形成防污聚合物的區(qū)域，其中使用諸如光刻工序(諸如立體光刻、激光化學(xué)三維寫入和模塊式組裝)、微接觸印刷或?qū)⒁种凭酆戏磻?yīng)溶液進(jìn)入的阻擋材料微壓印到底物或物體表面的技術(shù)，從而抑制聚合物形成。此外，可通過(guò)數(shù)字施涂方法諸如噴霧噴射、閥噴射和噴墨印刷方法以任何尺度施加掩蔽材料。在一些實(shí)施方案中，在聚合反應(yīng)期間的掩蔽能夠允許在底物或物體的不同區(qū)域上施加不同聚合物的混合物。通過(guò)從分立位置選擇性移除掩蔽材料或試劑的一些部分或類型然后采用不同單體或單體混合物進(jìn)行后續(xù)聚合反應(yīng)步驟，可構(gòu)造防污表面，其由具有相似或不同防污、維度、機(jī)械、物理和/或化學(xué)性質(zhì)的多種不同聚合物組成。一個(gè)實(shí)施方案包括這樣的技術(shù)以受控的方式從底物或物體上移除吸收了引發(fā)劑的部分和/或防 污聚合物部分，并因而形成任何尺度的防污聚合物位置、圖案、幾何特征/設(shè)計(jì)，這些技術(shù)包括激光燒蝕、磨料流動(dòng)/噴灑或直接接觸的物理磨蝕/刮擦。在受控設(shè)計(jì)/圖案中防污聚合物的存在與否可用于控制和/或調(diào)節(jié)蛋白質(zhì)和其它生物分子的相互作用、吸附、解吸以及控制和/或調(diào)節(jié)細(xì)胞(真核細(xì)胞、原核細(xì)胞)的相互作用、吸附、解吸、增殖?？捎绊戇@些過(guò)程的結(jié)構(gòu)包括形成垂直于制品表面的柱、沿著表面的通道或多種其它幾何圖案。特征尺寸或特征之間的空間可以較小，與受影響的蛋白質(zhì)或細(xì)胞的大小大致相同或更大。減少吸附的結(jié)構(gòu)可與防污聚合物表面改性一起發(fā)揮協(xié)同作用，以增強(qiáng)防污能力。不依賴于任何理論，具有含接枝聚合物的改性表面的本發(fā)明制品在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出低纖維蛋白原吸附。一般來(lái)講，改性表面在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于125ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在衍生自人血漿的70 μ g/ml纖維蛋白原中在37°C下孵育60分鐘，并使用標(biāo)準(zhǔn)方案優(yōu)選地通過(guò)使用放射性標(biāo)記的纖維蛋白原測(cè)定吸附的纖維蛋白原的量。在一個(gè)實(shí)施方案中，改性表面在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于90ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中在37°C下孵育60分鐘，并使用標(biāo)準(zhǔn)方案優(yōu)選地通過(guò)使用放射性標(biāo)記的纖維蛋白原測(cè)定吸附的纖維蛋白原的量。在一個(gè)實(shí)施方案中，改性表面在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于70ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中在37°C下孵育60分鐘，并使用標(biāo)準(zhǔn)方案優(yōu)選地通過(guò)使用放射性標(biāo)記的纖維蛋白原測(cè)定吸附的纖維蛋白原的量。在一個(gè)實(shí)施方案中，改性表面在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于50ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在衍生自人血漿的70μ g/mL纖維蛋白原中在37°C下孵育60分鐘，并使用標(biāo)準(zhǔn)方案優(yōu)選地通過(guò)使用放射性標(biāo)記的纖維蛋白原測(cè)定吸附的纖維蛋白原的量。優(yōu)選地，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于30ng/cm2的纖維蛋白原吸附。更優(yōu)選地，在某些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于20ng/cm2的纖維蛋白原吸附。還更優(yōu)選地，在某些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于15ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于12ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于10ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于8ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于6ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于4ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于2ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于lng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于O. 5ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一些實(shí)施方案中，改性表面在這樣的測(cè)定中表現(xiàn)出小于O. 25ng/cm2的纖維蛋白原吸附。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。優(yōu)選的實(shí)施方案還表現(xiàn)出對(duì)于具有本發(fā)明的接枝聚合物層的底物而言血栓減少。例如，改性底物(即，具有接枝聚合物層的底物)的血栓減少可通過(guò)將它們暴露于新收獲的、肝素化的含放射性標(biāo)記血小板的牛血流動(dòng)回路中2小時(shí)而相對(duì)于參考底物(即，不存在接枝聚合物層的相同的或換句話講功能等同的底物)進(jìn)行評(píng)估。作為抗血栓形成性能的評(píng)估，將樣品置于血栓形成的先體外后體內(nèi)流動(dòng)回路模型中。抗血栓形成活性可使用血栓形成的先體外后體內(nèi)流動(dòng)回路模型而評(píng)估。簡(jiǎn)而言之，從單只動(dòng)物(牛)采集最多10升新鮮血液。將該血液肝素化以防止凝固，過(guò)濾以除去顆粒，并加入自體同源的放射性標(biāo)記血小板。在采血后八小時(shí)內(nèi)，將帶涂層和無(wú)涂層的制品置于流動(dòng)回路中，該回路將血液從槽中泵到制品上然后再泵回槽內(nèi)。對(duì)于含內(nèi)腔的底物而言，可通過(guò)第二蠕動(dòng)泵連接底物的兩個(gè)口而建立第2內(nèi)部流動(dòng)回路。制品所置入的管的大小以及血液流速可根據(jù)測(cè)試的制品的大小進(jìn)行調(diào)整。優(yōu)選地，當(dāng)制品為14-15. 5French透析導(dǎo)管時(shí)，將它們置入管內(nèi)徑為約12. 5-25. 4mm的流動(dòng)回路中。在外部流路中以大約2. 5L/min的速率泵送血液，而在內(nèi)部回路中則以大約200-400mL/min的速率泵送血液。當(dāng)制品為5French PICC導(dǎo)管軸時(shí)，將它們置入內(nèi)徑為約6. 4mm的流動(dòng)回路中，而血液流量為約200mL/min。在評(píng)價(jià)期間可將內(nèi)腔用溶液(例如鹽水)鎖定。作為另外的選擇，在評(píng)價(jià)期間，可例如通過(guò)環(huán)氧樹脂將遠(yuǎn)端密封。當(dāng)制品為IOFrench桿時(shí)，將它們置入內(nèi)徑為約6. 4mm的流動(dòng)回路中，而血液流量為約200mL/min。60-120分鐘后，取出制品，視覺(jué)檢查血栓形成，并使用Y計(jì)數(shù)器對(duì)粘附的血小板進(jìn)行計(jì)數(shù)。對(duì)于不含內(nèi)腔的樣品，可只使用外部流路測(cè)量裝置外部上的血栓。在此測(cè)定中，優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言吸附血小板減少至少80%，以及視覺(jué)觀察上的血栓顯著減少。例如，在某些實(shí)施方案中，相對(duì)于參考底物而言，改性底物的吸附血小板減少至少90%。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少98%。作為另外的選擇，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在暴露于47%(w/v)的檸檬酸鈉去離子水溶液中超過(guò)3天后，改性底物的血栓形成相對(duì)于未改性底物有所減少。實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物視覺(jué)觀察上的血栓減少。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少80%，以及視覺(jué)觀察上的血栓顯著減少。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少90%。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少98%。作為另外的選擇，在暴露于動(dòng)物血清和/或血漿后，優(yōu)選實(shí)施方案的血栓形成相對(duì)于未改性的底物有所減少。例如，改性底物相對(duì)于參考底物而言，在37°C下暴露于加檸檬酸鹽的血漿55天后，優(yōu)選實(shí)施方案的血栓形成性有所降低。實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的血栓從視覺(jué)觀察上的減少。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少80%，以及視覺(jué)觀察上的血栓顯著減少。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少90%。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出相對(duì)于參考底物而言改性底物的吸附血小板減少至少98%。優(yōu)選的實(shí)施方案表現(xiàn)出至少O. 51og、llog、l. 51og、21og、2. 51og、31og 或 41og 的改性底物抗生物膜活性。更優(yōu)選的實(shí)施方案在長(zhǎng)時(shí)間暴露于PBS、血清或血漿產(chǎn)品后具有抗生物膜活性。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在PBS中儲(chǔ)存30天后，實(shí)現(xiàn)Ilog的抗生物膜活性。在一個(gè)進(jìn)一步優(yōu)選的`實(shí)施方案中，在37°C下在PBS中儲(chǔ)存90天后，實(shí)現(xiàn)Ilog的抗生物膜活性。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在PBS中儲(chǔ)存30天后，實(shí)現(xiàn)21og的抗生物膜活性。在一個(gè)進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在PBS中儲(chǔ)存90天后，實(shí)現(xiàn)21og的抗生物膜活性。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在加檸檬酸鹽的人血漿中儲(chǔ)存30天后，實(shí)現(xiàn)Ilog的抗生物膜活性。在一個(gè)進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在加檸檬酸鹽的人血漿中儲(chǔ)存90天后，實(shí)現(xiàn)Ilog的抗生物膜活性。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在加檸檬酸鹽的人血漿中儲(chǔ)存30天后，實(shí)現(xiàn)21og的抗生物膜活性。在一個(gè)進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方案中，在37°C下在加檸檬酸鹽的人血漿中儲(chǔ)存90天后，實(shí)現(xiàn)21og的抗生物膜活性。優(yōu)選的實(shí)施方案顯示在長(zhǎng)期暴露于PBS后耐蛋白吸附，這可表明水解穩(wěn)定性。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于125ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于90ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于70ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于50ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于30ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于20ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于15ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于12ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于lOng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于8ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。 在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于6ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于4ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于2ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于lng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37 °C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于O. 5ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS30天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于O. 25ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。優(yōu)選的實(shí)施方案顯示在長(zhǎng)期暴露于PBS后耐蛋白吸附，這可表明水解穩(wěn)定性。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于125ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于90ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于70ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于50ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于30ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于20ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于15ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血衆(zhòng)的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于12ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表 面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于lOng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于8ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于6ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于4ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于2ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于lng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37 °C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于O. 5ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。在一些實(shí)施方案中，改性表面在37°C下暴露于PBS90天后在纖維蛋白原吸附測(cè)定中表現(xiàn)出小于O. 25ng/cm2的纖維蛋白原吸附，在該纖維蛋白原吸附測(cè)定中將樣品在37°C下在衍生自人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。一般來(lái)講，底物的表面可用一系列防污聚合物材料的任何一種進(jìn)行改性。例如，防污聚合物材料可以是均聚物或共聚物。如果為共聚物，則防污聚合物材料可以是交替共聚物(如[AB...]n)、周期共聚物(如[AnBm...]，其中η和m不同)、統(tǒng)計(jì)共聚物(其中單體根據(jù)已知的統(tǒng)計(jì)規(guī)則進(jìn)行排列的共聚物)、無(wú)規(guī)共聚物、或其中每個(gè)嵌段獨(dú)立地為均聚物或交替、周期、統(tǒng)計(jì)或無(wú)規(guī)共聚物的嵌段共聚物。此外，當(dāng)防污聚合物材料為共聚物時(shí)，其可以為二嵌段、三嵌段或其它多嵌段共聚物。例如，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，防污聚合物材料包括均聚物。在一個(gè)可供選擇的優(yōu)選實(shí)施方案中，防污聚合物材料包括無(wú)規(guī)共聚物。在又一個(gè)實(shí)施方案中，防污聚合物材料包括嵌段共聚物，如二嵌段或三嵌段共聚物。在一個(gè)實(shí)施方案中，表面改性(即接枝聚合物)具有至少等于底物表面的表面粗糙度的厚度。例如，如果底物表面具有IOOnm的總體平均Rmis表面粗糙度，則優(yōu)選地在該實(shí)施方案中接枝聚合物層具有至少IOOnm的總體平均干厚。在一些實(shí)施方案中，底物表面相對(duì)光滑，例如總體平均Rhds表面粗糙度為2nm。在其它實(shí)施方案中，底物表面明顯粗糙，例如，總體平均Rms表面粗糙度為I μ m。在其它實(shí)施方案中，底物表面將具有這些值中間的表面粗糙度，例如，總體平均Rmis表面粗糙度為75-250nm。在這些實(shí)施方案的每一個(gè)中，優(yōu)選的是，接枝聚合物層的厚度超過(guò)底物表面的總體平均Rhds表面粗糙度。因此，例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的至少110%。作為另一個(gè)實(shí)例，該總體平均干厚可以為底物表面的總體平均Rniis表面粗糙度的至少200%。以又一個(gè)實(shí)例的方式，該總體平均干厚可以為底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度的至少500%。以再一個(gè)實(shí)例的方式，該總體平均干厚可以為底物表面的總體平均Rniis表面粗糙度的至少1，000%。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，接枝聚合物層的總體平均干厚使用掃描電子顯微鏡(SEM)在真空下測(cè)定，總體平均Rnns表面粗糙度使用原子力顯微鏡測(cè)定。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)施方案和實(shí)例的每一個(gè)中的接枝聚合物層為兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，接枝聚合物層優(yōu)先地至少部分地填充底物表面中的缺陷。不受任何特定理論的束縛，底物中的坑洼或凹陷被含有引發(fā)劑的底物圍繞，因此可用于驅(qū)動(dòng)坑洼或凹陷內(nèi)的聚合反應(yīng)的引發(fā)劑量可明顯高于底物平坦區(qū)域上的量。這可加速這些缺陷中的聚合反應(yīng)并填充這些缺陷。在一些實(shí)施方案中，深度為至少IOOnm(在垂直于周圍表面的方向上進(jìn)行測(cè)量)寬度為至少IOOnm (在平行于周圍表面的方向以及在周圍表面進(jìn)行測(cè)量)的坑洼形式的缺陷可優(yōu)先地被接枝聚合物填充。在一個(gè)實(shí)施方案中，接枝聚合物層不明顯增加表面粗糙度。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，改性表面(即具有接枝聚合物的制品表面)的表面粗糙度值小于不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rniis表面粗糙度的300%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度不超過(guò)不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rmis表面粗糙度的250%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rniis表面粗糙度不超過(guò)不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rniis表面粗糙度的200%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度不超過(guò)不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rhds表面粗糙度的150%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度不超過(guò)不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rmis表面粗糙度。 在一個(gè)實(shí)施方案中，并且尤其對(duì)于底物表面的表面粗糙度值相對(duì)較大的制品而言，接枝聚合物層可減小表面粗糙度；換句話說(shuō)，改性表面(即，具有接枝聚合物的制品表面)具有低于底物表面的表面粗糙度。例如，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rniis表面粗糙度比不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rms表面粗糙度低至少50%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度比不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rms表面粗糙度低至少25%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rms表面粗糙度比不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rniis表面粗糙度低至少10%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度比不含接枝聚合物層的制品表面的總體平均Rmis表面粗糙度低至少5%。不管相對(duì)表面粗糙度，改性表面優(yōu)選地具有相對(duì)低的表面粗糙度值。例如，改性表面優(yōu)選地具有小于500nm的總體平均Rniis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于400nm的總體平均Rnns表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于300nm的總體平均Rniis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于200nm的總體平均Rnns表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于150nm的總體平均Rms表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于IOOnm的總體平均Rmis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于75nm的總體平均Rniis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于50nm的總體平均Rniis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于25nm的總體平均Rniis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面可具有小于IOnm的總體平均Rniis表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面優(yōu)選地具有小于5nm的總體平均Rnns表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面優(yōu)選地具有小于2nm的總體平均Rnns表面粗糙度。作為另一個(gè)實(shí)例，改性表面優(yōu)選地具有小于Inm的總體平均Rnns表面粗糙度。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)施方案和實(shí)例的每一個(gè)中的接枝聚合物層為兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，接枝聚合物層可相對(duì)于參考底物(S卩，不存在防污聚合物層的相同的或換句話講功能等同的底物)減少尺寸大于O.1微米的可見(jiàn)突出的數(shù)量。例如，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少25%。作為另一個(gè)實(shí)例，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少50%。作為另一個(gè)實(shí)例，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少75%。作為另一個(gè)實(shí)例，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少90%。在一個(gè)實(shí)施方案中，接枝聚合物層可相對(duì)于參考底物(即，不存在防污聚合物層的相同的或換句話講功能等同的底物)減少尺寸大于O. 5微米的可見(jiàn)突出的數(shù)量。例如，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少25%。作為另一個(gè)實(shí)例，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少50%。作為另一個(gè)實(shí)例，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少75%。作為另一個(gè)實(shí)例，此類可見(jiàn)突出的數(shù)量可減少至少90。取決于向其施加表面改性的制品及其工作環(huán)境，接枝聚合物層可具有寬厚度范圍內(nèi)的任一值。對(duì)于一些應(yīng)用，例如，防污接枝聚合物層將具有至少約50nm的總體平均干厚。對(duì)于一些應(yīng)用，明顯更厚的接枝聚合物層可能是所需的。例如，防污接枝聚合物層可具有50微米的總體平均干厚。然而，通常防污接枝聚合物層將具有更小的平均厚度。例如，在一些實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層將具有最多10微米的總體平均干厚。作為另一個(gè)實(shí)例，在一些實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層將具有最多I微米的總體平均干厚。作為另一個(gè)實(shí)例，在一些實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層將具有最多500nm的總體平均干厚。作為另一個(gè)實(shí)例，在一些實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層將具有約IOOnm至約1，OOOnm的總體平均干厚。作為另一個(gè)實(shí)例，在一些實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層將具有約300nm至約600nm的總體平均干厚。作為另一個(gè)實(shí)例，在一些實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層將具有約200nm至約400nm的總體平均干厚。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，接枝聚合物層的總體平均干厚使用掃描電子顯微鏡(SEM)在真空下測(cè)定。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。一般來(lái)講,表面改性優(yōu)選地具有相對(duì)均勻的厚度。例如,在一個(gè)實(shí)施方案中，一般優(yōu)選的是，防污接枝聚合物層的總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的100%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層的總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差將不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%。 作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層的總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差將不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的20%。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，防污接枝聚合物層的總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差將不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的10%。厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差優(yōu)選地通過(guò)獲取接枝聚合物層厚度的至少5個(gè)并更優(yōu)選至少6-10個(gè)隨機(jī)間隔開(kāi)的測(cè)量值而確定。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。一般來(lái)講，本發(fā)明的表面改性為相對(duì)親水的。一般來(lái)講，該改性表面表現(xiàn)出小于40度的靜態(tài)接觸角。例如，包含從相對(duì)疏水的聚合物(諸如硅樹脂、烴橡膠、氟硅氧烷、氟聚合物和其它本身接觸角為至少90度的聚合物)接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面可表現(xiàn)出小于40度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例,包含從相對(duì)疏水的底物(接觸角為至少90度)接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面可表現(xiàn)出小于30度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，包含從相對(duì)疏水的底物(接觸角為至少90度)接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面可表現(xiàn)出小于25度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，包含從相對(duì)疏水的底物(接觸角為至少90度)接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面可表現(xiàn)出小于20度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例,包含從相對(duì)疏水的底物(接觸角為至少90度)接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面可表現(xiàn)出小于15度的靜態(tài)接觸角。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在 一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。具有從接觸角小于90度但大于25度的不太疏水的底物諸如聚氨酯(包括基于脂族聚碳酸酯的聚氨酯)接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品可表現(xiàn)出小于25度的靜態(tài)接觸角。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于24度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于23度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例,在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于22度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于21度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于20度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例,在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于19度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于18度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于17度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于16度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例,在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出小于15度的靜態(tài)接觸角。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，具有從接觸角為至少25度的底物接枝的本發(fā)明的防污聚合物材料的制品改性表面表現(xiàn)出約5度至約15度的靜態(tài)接觸角。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)施方案和實(shí)例的每一個(gè)中的防污聚合物材料為兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。 除了為相對(duì)親水的外，本發(fā)明的接枝聚合物層還可以具有有限的溶脹能力。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，接枝聚合物層的干厚與環(huán)境條件下接枝聚合物層的厚度之間的差異不大。例如，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。對(duì)于一些應(yīng)用，甚至更弱的溶脹能力可能是所需的。例如，在此類條件下接枝聚合物層的厚度差異可小于總體平均干厚的100%。作為另一個(gè)實(shí)例，通過(guò)SEM和此類條件下的ESEM測(cè)定的接枝聚合物層的厚度差異可小于總體平均干厚的50%。作為另一個(gè)實(shí)例，通過(guò)SEM和此類條件下的ESEM測(cè)定的接枝聚合物層的厚度差異可小于總體平均干厚的25%。作為另一個(gè)實(shí)例，通過(guò)SEM和此類條件下的ESEM測(cè)定的接枝聚合物層的厚度差異可小于總體平均干厚的10%。作為另一個(gè)實(shí)例，通過(guò)SEM和此類條件下的ESEM測(cè)定的接枝聚合物層的厚度差異可小于總體平均干厚的5%。作為另一個(gè)實(shí)例，通過(guò)SEM和此類條件下的ESEM測(cè)定的接枝聚合物層的厚度差異可小于總體平均干厚的1%。作為另一個(gè)實(shí)例，通過(guò)這種比較可以不存在可觀察到的差異。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)施方案和實(shí)例的每一個(gè)中的接枝聚合物層為兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含羧基銨或磺基銨重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為兩性離子聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的兩性離子聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為羧基銨或磺基銨聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的羧基銨或磺基銨聚合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，在本段中列舉的前述實(shí)例和實(shí)施方案的每一個(gè)中的接枝聚合物為含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物和從聚氨酯聚合物接枝的含磺基甜菜堿或羧基甜菜堿重復(fù)單元的聚合物。有利的是，本發(fā)明的方法可調(diào)成提供對(duì)厚度、厚度均勻性、親水程度(接觸角)和/或接枝聚合物層的溶脹能力以及表面改性制品的表面粗糙度的獨(dú)立控制。因此，例如，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rnns表面粗糙度的至少110%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的100%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rnns表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的100%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚 與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的50%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的25%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的20%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的25%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rniis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的10%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的25%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rnns表面粗糙度的至少110%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的100%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的200%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的100%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的50%。 作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rniis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的25%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的10%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的10%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的5%。作為另一個(gè)實(shí)例，可控制該方法以提供這樣的制品，其表現(xiàn)出的靜態(tài)接觸角小于25度，接枝聚合物層的總體平均干厚為底物總體平均Rmis表面粗糙度的至少200%，防污接枝聚合物層厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)防污接枝聚合物層的總體平均干厚的50%，以及通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于總體平均干厚的5%。作為另一個(gè)實(shí)例，在前述實(shí)例的每一個(gè)中，接枝聚合物層可具有IOOnm至1，OOOnm范圍內(nèi)的總體平均干厚。
一般來(lái)講，接枝聚合物材料可在底物近表面區(qū)使用EDS標(biāo)測(cè)、XPS或TOF-SMS進(jìn)行檢測(cè)。將樣品在液氮中冷凍切斷以暴露涂層/底物界面。然后可將切斷的表面涂上Au/Pt薄層并通過(guò)用于元素分析的能散X射線分析儀(EDAX)在掃描電子顯微鏡下進(jìn)行觀察。合適的儀器包括FEI/Philips XL30FEG ESEM。為了評(píng)估聚合物材料是否延伸進(jìn)近表面區(qū)，應(yīng)分析在整個(gè)攜帶接枝聚合物層的制品部分上大致均勻間隔開(kāi)的至少25個(gè)并優(yōu)選至少50個(gè)代表性位置，以確定近表面區(qū)中聚合物材料可檢測(cè)的增強(qiáng)。例如，如果將接枝聚合物層施加在導(dǎo)管的留置部分，則代表性位置在導(dǎo)管的整個(gè)留置部分大致均勻地間隔開(kāi)。優(yōu)選的是，測(cè)量在被接枝聚合物層覆蓋的制品部分的整個(gè)最長(zhǎng)維度上的代表性點(diǎn)的厚度。如本文其它地方更詳細(xì)地描述，將引發(fā)劑摻入底物使得聚合物材料能夠從底物的表面接出以及從近表面區(qū)內(nèi)接出。然而，一般來(lái)講，優(yōu)選的是聚合物材料不延伸進(jìn)底物過(guò)深；因此，在一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物材料存在于近表面區(qū)中，但不在更深的深度，即，不在主體內(nèi)。近表面區(qū)延伸的最大深度至少部分地由引發(fā)劑以及用于將引發(fā)劑摻入底物的技術(shù)決定。然后，一般而言，通常優(yōu)選的是，在垂直于底物表面的方向上測(cè)量，近表面區(qū)的下邊界距離該表面不超過(guò)20微米。以舉例的方式，在垂直于底物表面的方向上測(cè)量，下邊界可距離該表面不超過(guò)15微米。作為另一個(gè)實(shí)例，在垂直于底物表面的方向上測(cè)量，下邊界可距離該表面不超過(guò)10微米。相似地，近表面區(qū)的最小深度(即，上邊界距離底物表面的距離)至少部分地也由引發(fā)劑以及用于將引發(fā)劑摻入底物的技術(shù)決定。然而，一般而言，在垂直于底物表面的方向上測(cè)量，上邊界將距離該表面至少O.1微米。以舉例的方式，在垂直于底物表面的方向上測(cè)量，上邊界可距離該表面至少O. 2微米。作為另一個(gè)實(shí)例，在垂直于底物表面的方向上測(cè)量，上邊界可距離該表面至少O. 3微米。底盤
一般來(lái)講，底物包含廣泛材料中的任何一種，其選自(例如)一種或多種金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、生物組織(活組織或死亡組織)、織造和非織造纖維、半金屬(諸如硅)以及它們的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，底物為兩種或更多種材料的復(fù)合材料。例如，底物可在金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、織造或非織造纖維或半金屬芯上包含聚合物涂層，在本文有時(shí)也稱為“底涂層”或“預(yù)涂層”。作為另外的選擇，底物可自始至終包含聚合物材料，即從其表面進(jìn)入其主體。作為另一個(gè)實(shí)例，底物可包含覆蓋金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、織造或非織造纖維或半金屬芯內(nèi)層的聚合物涂層，所述芯內(nèi)層繼而又覆蓋金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、織造或非織造纖維或半金屬芯。如本文其它地方更詳細(xì)描述，在本發(fā)明聚合方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，將至少一種聚合反應(yīng)引發(fā)劑摻入底物。這樣，優(yōu)選的是，底物的近表面區(qū)包含引發(fā)劑容量足夠的材料，諸如聚合物。因此，例如，當(dāng)?shù)孜锇l(fā)劑容量不夠的金屬、陶瓷、玻璃或其它材料時(shí)，向底物提供聚合反應(yīng)引發(fā)劑容量足夠的底涂層或預(yù)涂層。在一個(gè)實(shí)施方案中，底物可以是兩種或更多種材料的復(fù)合材料，如，底層材料(諸如金屬、陶瓷、玻璃、半金屬、聚合物或其它材料)與其上的聚合物或其它材料涂層(如，本文其它地方描述的底涂層或預(yù)涂層)。在此類情況下，近表面區(qū)可部分位于底層材料內(nèi)以及部分位于其上的聚物或其它材料涂層上。合適的金屬材料包括但不限于基于鈦的金屬和合金，諸如非合金鈦(ASTM F67)和鈦合金，例如 ASTM F1108、T1-6A1-4V ELI (ASTMF136)、Nitinol (ASTM F2063)、鎳鈦合金和熱記憶合金材料；不銹鋼(ASTM F138和F139)、鉭(ASTM F560)、鈀、鋯、鈮、鑰、鎳-鉻或某些鈷合金，包括鎢鉻鈷合金(Stellite)、鈷-鉻(Vitallium、ASTM F75和鍛造鈷-鉻(ASTMF90))以及鈷-鉻-鎳合金，諸如[1^丨10丫| 、卩^1\71^0.\@和1^81￡1^0￥ 。合適的陶瓷材料包括但不限于過(guò)渡金屬的氧化物、碳化物或氮化物，諸如鈦氧化物、鉿氧化物、銥氧化物、鉻氧化物、鋁氧化物和鋯氧化物。也可使用基于硅的材料，諸如二氧化硅。合適的聚合物材料包括但不限于聚酰胺、聚胺、聚酐、聚吖嗪、聚碳酸酯、聚酯、聚醚、聚醚醚酮(PEEK)、聚胍、聚酰亞胺、聚縮酮、聚酮、聚烯烴、聚原酸酯、聚磷腈、多糖、聚硅氧烷、聚砜、聚脲、聚氨酯、齒化聚合物、硅樹脂、醛交聯(lián)樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、膠乳、或它們的共聚物或共混物。示例性聚合物包括聚苯乙烯和取代的聚苯乙烯類，聚亞烷基類，諸如聚乙烯和聚丙烯，聚氨酯類，聚丙烯酸酯類和聚甲基丙烯酸酯類，聚丙烯酰胺類和聚甲基丙烯酰胺類，聚酯類，聚硅氧烷類，聚醚類(包括聚縮醛類)，聚原酸酯類，聚碳酸酯類，聚羥基鏈烷酸酯類，聚氟烴類，PEEK, Teflon，硅樹脂類，環(huán)氧樹脂類，KEVLAR ，NOMEX ，DACRON , HYTREL , PEBAX , SURLYN ,尼龍，聚鏈烯烴類，酚醛樹脂，PTFE，天然和合成的彈性體，粘接劑和密封劑，聚烯烴類，聚砜類，聚丙烯腈，生物聚合物，諸如多糖及其天然膠乳共聚物，以及它們的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，底物為醫(yī)療級(jí)聚氨酯，諸如CARBOTHANE (基于脂族聚碳酸酯基的聚氨酯)，其可得自Lubrizol Corporation,與合適的擠出劑和增塑劑共混,可能已通過(guò)FDA或其它合適監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)用于體內(nèi)應(yīng)用。優(yōu)選的底物包括elastollan、pearlthane、desmopan、estane、pellethane、irogan、exelast EC、laripur、carbothane、CARBOTHANE >isoplast、 tecoflex、 tecophilic、 tecoplast、 tecothane、 biomer(Ethicon)、 biospan、cardiothane51 (avothane)、cardiomat、chronoflex AL、chronoflex AR、chronoflex C、corplex、corethane、mitrathane、rimplast、toyobo TM5、vialon、enka PUR、comfeelulcus、viasorb、bioclu sive、blisterfilm、opsite、tegaderm、epigard、lyofoam、omiderm、microthane 和 surethane。底物可任選地包含不透射線的添加劑，諸如硫酸鋇、鉍鹽、金箔或鉭，以有助于放射成像。底物可以為以下形式或形成其一部分凝膠、液體、膜、粒子(納米粒子、微粒或毫米直徑的小珠)、纖維(傷口敷料、繃帶、紗布、膠帶、墊、海綿，包括織造和非織造海綿以及專為牙科或眼科手術(shù)設(shè)計(jì)的那些)、貯血袋、外科、內(nèi)科或牙科器械、血液氧合器、呼吸機(jī)、泵、藥物遞送裝置、管、線材、電極、避孕器、女性衛(wèi)生產(chǎn)品、內(nèi)窺鏡、移植物(包括<6mm的小直徑)、支架(包括冠脈、輸尿管、腎、膽道、結(jié)直腸、食管、肺、尿道、血管、外周、神經(jīng)血管)、支架移植物(包括腹部、胸部、神經(jīng)血管和周圍血管)、起搏器、植入式心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器、心臟再同步治療裝置、心血管裝置導(dǎo)線、心室輔助裝置和動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、心臟瓣膜、腔靜脈過(guò)濾器、血管內(nèi)線圈、導(dǎo)管(包括中央靜脈、外周中心、中線、外周、隧道式、透析接入、導(dǎo)尿、神經(jīng)、腹膜、主動(dòng)脈內(nèi)球囊泵、血管成形術(shù)球囊、診斷、介入、藥物遞送等)、導(dǎo)管接頭和閥(包括無(wú)針接頭)、靜脈內(nèi)輸送線路及歧管、分流器(包括心臟、腦、腰-腹腔、門體靜脈、門腔靜脈等)、創(chuàng)傷排液管(內(nèi)部或外部的，包括心室、腦室-腹膜和腰-腹膜)、透析膜、蛋白分離膜、輸液口、耳蝸植入物、氣管內(nèi)插管、氣管造口術(shù)用管、通氣呼吸管及回路、導(dǎo)絲、流體收集袋、藥物遞送袋和管、植入式傳感器(如血管內(nèi)、經(jīng)皮、顱內(nèi)、葡萄糖傳感器)、診斷裝置(如微流體、微機(jī)電和光學(xué))、眼科裝置(包括接觸鏡片、人工晶狀體和超聲乳化裝置)、整形外科裝置(包括髖部植入物、膝部植入物、肩部植入物、脊椎植入物(包括頸椎鋼板系統(tǒng)、椎弓根螺釘系統(tǒng)、椎體間融合裝置、人工椎間盤以及其它運(yùn)動(dòng)保護(hù)裝置)、螺釘、鋼板、鉚釘、桿、髓內(nèi)釘、骨水泥、人造腱以及其它修補(bǔ)或骨折修復(fù)裝置)、牙科植入物、牙周植入物、乳房植入物、陰莖植入物、上頜面植入物、美容植入物、瓣膜、用具、支架、縫合材料、針、疝氣修復(fù)網(wǎng)、無(wú)張力陰道帶和陰道懸?guī)А⒓袤w神經(jīng)學(xué)裝置、組織再生或細(xì)胞培養(yǎng)裝置、透析機(jī)、顱內(nèi)植入物、注射器、血液收集容器、陰囊植入物、小腿植入物、臀部植入物、眼外植入物、角植入物、皮下植入物、經(jīng)皮植入物、磁植入物、包含微流體的醫(yī)療裝置、用在體外的基于血液的傳感器、用作傳感器的納米粒子、靜脈導(dǎo)管鞘或者其它用在身體之內(nèi)或者與身體接觸的醫(yī)療裝置或以上任一者的任何部分。 底物可以為以下形式或形成其一部分凝膠、泡沫、液體、膜、涂層、粒子(納米粒子、微?；蚝撩字睆降男≈?、纖維(包括織造和非織造海綿和織物)、船舶和水下涂層(包括輪船、潛艇、船用和水動(dòng)力設(shè)備、水族館、水下基礎(chǔ)設(shè)施、污水管和輸水管涂層)、包裝材料(包括食品、飲料、化妝品和消費(fèi)品包裝)、脫鹽和水處理系統(tǒng)(包括冷凝器、墊片、管線和膜)、分離膜(包括粗濾、微濾、超濾、納濾和反滲透過(guò)濾膜)、實(shí)驗(yàn)室器具和消費(fèi)品包括容器(如，培養(yǎng)皿、細(xì)胞培養(yǎng)皿、燒瓶、燒杯)、閥、針、膠帶、密封件、管、耳環(huán)、體環(huán)、接觸鏡片、炊具、齒輪(外部/內(nèi)部齒輪、正齒輪、螺旋齒輪、雙螺旋齒輪、錐齒輪、準(zhǔn)雙曲面齒輪、冠齒輪、蝸輪、非圓形齒輪等)、渦輪機(jī)械(渦輪機(jī)和壓縮機(jī))、泵(直升泵、容積泵、速度泵、浮力泵和重力泵)、槳葉、刀片、刀子、擋風(fēng)玻璃以及玻璃器皿。在一個(gè)實(shí)施方案中，底物為脈管插入導(dǎo)管，諸如經(jīng)外周置入中心靜脈導(dǎo)管(PICC)、中心靜脈導(dǎo)管(CVC)或血液透析導(dǎo)管、靜脈瓣、淚小管塞以及眼內(nèi)裝置和植入物。在另一個(gè)實(shí)施方案中，底物為由醫(yī)療級(jí)聚氨酯或CARBOTHANE 形成的或者由涂覆有醫(yī)療級(jí)聚氨酯或CARBOTHANE 的材料形成的脈管插入導(dǎo)管。在另一個(gè)實(shí)施方案中，底物為由包含不透射線的添加劑(諸如硫酸鋇或鉍鹽以有助于放射成像)的醫(yī)療級(jí)聚氨酯或CARBOTHANE 形成的或由涂覆有包含不透射線的添加劑(諸如硫酸鋇或鉍鹽以有助于放射成像)的醫(yī)療級(jí)聚氨酯或CARBOTHANE 的材料形成的脈管插入導(dǎo)管。在另一個(gè)實(shí)施方案中，底物為由醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Tecothane 形成的或者由涂覆有醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Teeothane 的材料形成的脈管插入導(dǎo)管。在另一個(gè)實(shí)施方案中，底物為由包含不透射線的添加劑(諸如硫酸鋇或鉍鹽以有助于放射成像)的醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Tecothane 形成的或由涂覆有包含不透射線的添加劑(諸如硫酸鋇或鉍鹽以有助于放射成像)的醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Tecothane 的材料形成的脈管插入導(dǎo)管。在另一個(gè)實(shí)施方案中，底物為由醫(yī)療級(jí)聚氨酯VUliPellethane 形成的或者由涂覆有醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Pellethane 的材料形成的脈管插入導(dǎo)管。在另一個(gè)實(shí)施方案中，底物為由包含不透射線的添加劑(諸如硫酸鋇或鉍鹽以有助于放射成像)的醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Pellethane 形成的或由涂覆有包含不透射線的添加劑(諸如硫酸鋇或鉍鹽以有助于放射成像)的醫(yī)療級(jí)聚氨酯諸如Pellethane 的材料形成的脈管插入導(dǎo)管。醫(yī)療裝置底物通常由多種不同的材料構(gòu)成，每一種材料具有其自身的表面性質(zhì)。即使主要由單一聚合物構(gòu)成的裝置也可由材料共混物制成，并可包含增塑劑、不透射線劑以及其它添加劑，它們都將影響底物表面性質(zhì)。為了確保均勻的表面組成以最大化涂層粘附和效率，可在底物上設(shè)置單一聚合物或聚合物共混物的預(yù)涂層。在一個(gè)特定的實(shí)施方案中，底涂層包含單一聚合物?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的多種技術(shù)將聚合物預(yù)涂層或底涂層沉積在底物上，諸如溶劑澆鑄、浸涂、噴涂、等離子聚合、輥涂、靜電涂布或刷涂。例如，使將作為預(yù)涂層或底涂層施加的聚合物溶于底物基本上不溶的溶劑中，然后將底物浸入其中以沉積一層約IOOnm至約500微米的預(yù)涂層或底涂層聚合物。任選地，沉積的聚合物在其施加時(shí)或施加到底物后發(fā)生交聯(lián)。使用單一聚合物底涂層(例如)可導(dǎo)致形成具有均勻的官能團(tuán)密度和濃度的涂層表面。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，將底物預(yù)涂布隱藏底物缺陷的聚合物。預(yù)涂層厚度可小于或大于底物的總體平均Rniis表面粗糙度的量值。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，底物具有的預(yù)涂層的平均厚度超過(guò)無(wú)涂層底物的總體平均Rms表面粗糙度。如本文其它地方所述，預(yù)涂層可任選地包含引發(fā)劑或弓I發(fā)劑對(duì)的至少一個(gè)成員。在一個(gè)實(shí)施方案中，對(duì)底物表面進(jìn)行處理以改善預(yù)涂層的粘結(jié)性。例如，底物可接受氧化預(yù)處理，以增強(qiáng)對(duì)聚合物預(yù)涂層的粘附特性；聚合物預(yù)涂層可包含與底物反應(yīng)形成共價(jià)鍵的反應(yīng)性基團(tuán)。作為另 一個(gè)實(shí)例，在接納預(yù)涂層前，可使用小分子或聚合物試劑使底物硅烷化以增強(qiáng)對(duì)聚合物預(yù)涂層的粘附特性。作為另一個(gè)實(shí)例，表面可以接受交替的有機(jī)和水性處理。底涂層可包含不透射線的試劑，諸如BaSO4或鉍，以有助于底物的放射成像。在一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物為聚氨酯聚合物，諸如Tecoflex_93A或Carbothane85A,任選地含O至40重量％的BaS04。底涂層還可以包含但不限于諸如以下的聚合物聚苯乙烯和取代的聚苯乙烯類、聚乙烯、聚丙烯、聚氨酯類、聚丙烯酸酯類和聚甲基丙烯酸酯類、聚丙烯酰胺類和聚甲基丙烯酰胺類、聚酯類、聚硅氧烷類、聚醚類、聚原酸酯、聚碳酸酯類、聚羥基鏈烷酸酯類、聚氟烴類、PEEK、Teflon,硅樹脂類、環(huán)氧樹脂類、KEVLAR 、NOMEX 、DACRON 、HYTREL 、PEBAX 、SURLYN 、尼龍、聚鏈烯烴類、酚醛樹脂類、PTFE、天然和合成的彈性體、粘接劑和密封劑、聚烯烴類、聚砜類、聚丙烯腈、生物聚合物諸如多糖及其天然膠乳共聚物，以及它們的組合。預(yù)涂布的底物然后可使用下文所述的涂布方法進(jìn)一步官能化。如果需要較大密度的防污材料，則在底物表面上形成微結(jié)構(gòu)可產(chǎn)生更大的面積以便從表面上接枝防污材料，而不明顯增大制品的表面積。對(duì)于聚合物底物(包括水凝膠網(wǎng)絡(luò))而言，此表面形態(tài)可通過(guò)合適的聚合物結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而形成。該方法的一個(gè)實(shí)例是表面系鏈樹枝狀聚合物的生長(zhǎng)。樹枝狀聚合物的每次生成均能有效地使存在的兩性離子位點(diǎn)數(shù)量翻倍。其它聚合物結(jié)構(gòu)包括刷狀聚合物，諸如刷狀共聚物；梳狀聚合物，諸如梳狀共聚物；直鏈和支鏈共聚物；交聯(lián)聚合物；水凝膠；聚合物共混物；以及它們的組合。表面改件一般來(lái)講，防污聚合物材料從已摻入了一種或多種聚合反應(yīng)引發(fā)劑的底物接枝。在一個(gè)實(shí)施方案中，防污聚合物材料從為兩種或更多種材料的復(fù)合材料的底物接枝，復(fù)合材料例如底層材料(諸如金屬、陶瓷、玻璃、半金屬、聚合物或其它材料)與其上的聚合物或其它材料涂層(如，本文之前所述的底涂層或預(yù)涂層)。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，防污聚合物材料從聚合底涂層接枝，底涂層諸如覆蓋金屬或陶瓷主體的聚氨酯層。作為另一個(gè)實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施方案中，防污聚合物材料從聚合底涂層接枝，底涂層諸如覆蓋聚合物主體(諸如聚氨酯)的聚氨酯層。優(yōu)選地，從底物接枝的防污聚合物材料包含鏈增長(zhǎng)聚合物(S卩，通過(guò)加成聚合形成的聚合物或聚合物嵌段)或它們的組合。鏈增長(zhǎng)聚合物可以為(例如)衍生自含雙鍵或三鍵的單體(如烯烴)的加成聚合物。作為另一個(gè)實(shí)例，鏈增長(zhǎng)聚合物可以包括通過(guò)開(kāi)環(huán)聚合反應(yīng)衍生自環(huán)狀單體的加成聚合物。因此，聚合物可以為鏈增長(zhǎng)均聚物或共聚物。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，聚合物為鏈增長(zhǎng)加成均聚物或者含兩種或更多種單體的殘基的鏈增長(zhǎng)加成共聚物。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通常優(yōu)選的是，防污聚合物材料的制備不過(guò)度使用多官能交聯(lián)劑。例如，通常優(yōu)選的是，防污聚合物材料包含低于50摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑殘基。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，防污聚合物材料包含低于25摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑殘基。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，防污聚合物材料包含低于10摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑殘基。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，防污聚合物材料包含低于5摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑殘基。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，防污聚合物材料包含低于3摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑殘基。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，防污聚合物材料包含低于O.1摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑殘基。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，防污聚合物材料不含多價(jià)交聯(lián)劑殘基。通過(guò)接枝、逐步增長(zhǎng)或鏈增長(zhǎng)技術(shù)，防污聚合物材料可包含一系列聚合物類型的任何一種或它們的組合。聚合物主鏈可以為中性的(如，聚亞烷基或聚醚)或包含永久帶電的部分(如，環(huán)狀或無(wú)環(huán)的季銨化氮原子)或甚至兩性離子主鏈(如磷酰膽堿主鏈)。因此，在一個(gè)實(shí)施方案中，防污聚合物材料包括選自以下的聚合物或共聚物聚酰胺、聚胺、聚酐、聚吖嗪、聚碳酸酯、聚酯、聚醚、聚醚醚酮(PEEK)、聚胍、聚酰亞胺、聚縮酮、聚酮、聚烯烴、聚原酸酯、聚磷腈、多糖、聚硅氧烷、聚砜、聚脲、聚氨酯、鹵化聚合物、硅樹脂、烴、醚-酯、醚-酰胺或離子化聚乙烯以及它們的組合。聚合物也可包含廣泛的親水和疏水的、中性的、陰離子的、陽(yáng)離子的或帶混合電荷的側(cè)基(側(cè)鏈)。例如，側(cè)基可包括中性親水基團(tuán)，諸如羥基、低聚乙二醇和/或聚乙二醇部分，或者其可包括帶電基團(tuán)，諸如陰離子部分、陽(yáng)離子部分和兩性離子部分。兩件離子基團(tuán)兩性離子是在同一個(gè)分子內(nèi)的非相鄰原子上攜帶形式正負(fù)電荷的分子以及可通過(guò)添加或移除親電體或親核體或通過(guò)移除保護(hù)基團(tuán)而離子化的分子。包含兩性離子官能團(tuán)的天然和合成聚合物均已表明可耐蛋白質(zhì)吸附。在一個(gè)實(shí)施方案中，兩性離子單體包含磷酰膽堿部分、羧基銨部分、磺基銨部分、它們的衍生物或它們的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，兩性離子單體包含羧基銨部分、磺基銨部分、它們的衍生物或它們的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，兩性離子單體包含磺基甜菜堿部分或羧基甜菜堿部分。兩性離子聚合物可以通過(guò)以下方法形成在存在一種或多種單體諸如磺基甜菜堿甲基丙烯酸酯或羧基甜菜堿甲基丙烯酸酯單體的情況下，通過(guò)存在于聚合物底物中的自由基引發(fā)聚合反應(yīng)。聚磺基銨聚合物(諸如聚磺基甜菜堿)、聚羧基銨聚合物(諸如聚羧基甜菜堿)以及其它天然及合成的兩性離子化學(xué)物質(zhì)可用于設(shè)計(jì)用于本文所述的生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用的防污材料?？捎糜诜牢鄄牧系奶烊粌尚噪x子化學(xué)物質(zhì)的一些實(shí)例包括但不限于氨基酸、肽、天然小分子，包括但不限于N，N，N-三甲基甘氨酸(甘氨酸甜菜堿)、氧化三甲胺(TMAO)、二甲基巰基丙酸、肌氨酸、麥角酸和裸蓋菇素(psilocybin)?？捎糜谛纬煞牢鄄牧系牧硗獾暮铣蓛尚噪x子包括但不限于氨基-羧酸(羧基甜菜堿)、氨基-磺酸(磺基甜菜堿)、椰油酰胺丙基甜菜堿、醌類兩性離子、十苯基二茂鐵(decaphenylferrocene)和非天然氨基酸。天然和合成的聚合物也包括在側(cè)基上、在主鏈中或在端基上同時(shí)具有帶正電和負(fù)電部分的混合帶電結(jié)構(gòu)。包含這些天然或合成兩性離子或由它們構(gòu)成的材料可從表面上接枝，尤其是醫(yī)療裝置的表面，以便改善生物相容性、減少血栓形成(諸如，在支架或靜脈瓣的表面上)并減少溶液中存在的蛋白質(zhì)或細(xì)菌的沾污。這尤其適用于溶液中蛋白質(zhì)的非特異性結(jié)合會(huì)對(duì)裝置的所需或必要機(jī)械結(jié)構(gòu)造成負(fù)面影響的表面。在一個(gè)實(shí)施方案中，防污聚合物包含直接或間接共價(jià)連接到聚合物主鏈的兩性離子側(cè)基。兩性離子側(cè)基可(例如)通過(guò)具有陰離子電荷的二價(jià)中心和陽(yáng)離子電荷的一價(jià)中心(反之亦然)或通過(guò)具有兩個(gè)陽(yáng)離子電荷中心和一個(gè)陰離子電荷中心(反之亦然)而具有總體凈電荷。然而，優(yōu)選地，兩性離子不具有總體凈電荷，并最優(yōu)選地具有一價(jià)陽(yáng)離子電荷中心和一價(jià)陰離子電荷中心。另外，陽(yáng)離子電荷的中心優(yōu)選地為永久的；也就是說(shuō)，其優(yōu)選地為季氮、季鱗或叔锍基團(tuán)。另外，陰離子電荷的中心也為永久的；也就是說(shuō)，它們?cè)谏鞵H下完全離子化并優(yōu)選地為羧酸根、磷酸根、膦酸、膦酸根、硫酸根、亞磺酸或磺酸根。在另一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物包含直接或間接共價(jià)連接到聚合物主鏈的兩性離子側(cè)基，并且該兩性離子對(duì)應(yīng)于式Z1-3
權(quán)利要求
1.一種制品，其包括具有表面的聚合物底物以及所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層的總體平均干厚為至少約50納米，所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70μ g/mL纖維蛋白原的組合物中孵育60分鐘，前提是所述制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿以及(ii)當(dāng)所述制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中改性表面在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約90ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自人血漿和1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的含70 μ g/mL纖維蛋白原的組合物中孵育60分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中改性表面在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約50ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1.4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中每一項(xiàng)所述的制品，其中改性表面的靜態(tài)接觸角小于25度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的制品，其中所述接枝聚合物層具有總體平均干厚，其中所述接枝聚合物層的所述總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)所述接枝聚合物層的所述總體平均干厚的100%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中每一項(xiàng)所述的制品，其中所述接枝聚合物層的總體平均干厚為至少100納米。
7.一種從制品接枝聚合物的方法，所述制品包括具有表面的底物、所述表面下的主體以及位于所述表面與所述主體之間的近表面區(qū)，所述方法包括將聚合反應(yīng)引發(fā)劑摻入所述近表面區(qū)以及從所述底物表面接枝聚合聚合物，以形成包含所述接枝聚合物的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層的總體平均干厚至少等于所述底物表面的總體平均Rmis表面粗糙度，前提是所述制品(i)不是無(wú)管腔聚氨酯桿以及(ii)當(dāng)所述制品為雙腔導(dǎo)管時(shí)長(zhǎng)度大于5厘米。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中至少摻入了所述聚合反應(yīng)引發(fā)劑的所述底物部分不被聚合反應(yīng)混合物明顯溶脹。
9.根據(jù)權(quán)利要求7-8中每一項(xiàng)所述的方法，其中摻入所述底物的聚合反應(yīng)單體和所述引發(fā)劑在溶劑體系中具有有限的溶解度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述底物聚合物在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中在平衡條件下于25°C發(fā)生的溶脹不超過(guò)30體積％。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述底物聚合物在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中在平衡條件下于25°C發(fā)生的溶脹不超過(guò)15體積％。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述底物聚合物在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中在平衡條件下于25°C發(fā)生的溶脹不超過(guò)5體積％。
13.根據(jù)權(quán)利要求7-12中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述底物聚合物在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中在平衡條件下不發(fā)生溶脹。
14.根據(jù)權(quán)利要求7-13中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述底物為材料復(fù)合材料，所述底物包括覆蓋金屬、陶瓷、玻璃或半金屬材料的預(yù)涂材料涂層，所述預(yù)涂材料涂層在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中在平衡條件下于25°C發(fā)生的溶脹不超過(guò)30體積％。
15.根據(jù)權(quán)利要求7-14中每一項(xiàng)所述的方法，其中至少摻入了所述聚合反應(yīng)引發(fā)劑的所述底物部分不被聚合反應(yīng)混合物明顯溶脹。
16.根據(jù)權(quán)利要求7-15中每一項(xiàng)所述的方法，其中摻入所述底物中的所述引發(fā)劑的10 小時(shí)T1/2降解溫度為25-175。。。
17.根據(jù)權(quán)利要求7-15中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述摻入的引發(fā)劑的10小時(shí)T1/2 降解溫度為70-130°C。
18.根據(jù)權(quán)利要求7-15中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述引發(fā)劑包括氧化還原對(duì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中此類氧化還原對(duì)的至少一個(gè)成員在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中具有有限的溶解 度。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述氧化還原對(duì)的兩個(gè)成員在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中均具有有限的溶解 度。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述氧化還原對(duì)的一個(gè)成員可溶于所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系，但另一個(gè)在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中具有有限的溶解度。
22.根據(jù)權(quán)利要求7-21中每一項(xiàng)所述的方法，其中氧化還原對(duì)的一個(gè)成員可溶于所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系，而另一個(gè)在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中具有有限的溶解度，這兩個(gè)成員為相分離的，并且引發(fā)在所述兩相的界面處增強(qiáng)。
23.根據(jù)權(quán)利要求7-22中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述氧化還原對(duì)的任一成員均可為疏水的以及所述氧化還原對(duì)的任一成員均可為親水的，前提是所述成員的至少一個(gè)在所述聚合反應(yīng)混合物溶劑體系中具有有限的溶解度。
24.根據(jù)權(quán)利要求7-23中每一項(xiàng)所述的方法，其中疏水氧化劑與親水還原劑配對(duì)。
25.根據(jù)權(quán)利要求7-24中每一項(xiàng)所述的方法，其中親水氧化劑與疏水還原劑配對(duì)。
26.根據(jù)權(quán)利要求7-25中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述氧化還原對(duì)包含過(guò)氧化物和還原劑，其中所述過(guò)氧化物在所述聚合反應(yīng)溶劑體系中具有有限的溶解度，而所述還原劑在所述聚合反應(yīng)溶劑體系具有高溶解度。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述過(guò)氧化物具有針對(duì)疏水底物和相大于或等于3的log P分配系數(shù)以及針對(duì)親水底物和相小于3的log P分配系數(shù)。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述過(guò)氧化物具有針對(duì)疏水底物和相大于或等于5的log P分配系數(shù)以及針對(duì)親水底物和相小于I的log P分配系數(shù)。
29.根據(jù)權(quán)利要求26-28中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述過(guò)氧化物具有針對(duì)疏水底物和相大于或等于7的log P分配系數(shù)以及針對(duì)親水底物和相小于-1的log P分配系數(shù)。
30.根據(jù)權(quán)利要求26-28中每一項(xiàng)所述的方法，其中所述過(guò)氧化物具有針對(duì)疏水底物和相大于或等于9的log P分配系數(shù)以及針對(duì)親水底物和相小于_3的log P分配系數(shù)。
31.根據(jù)權(quán)利要求1-30中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物為羧基銨聚合物或磺基銨聚合物。
32.根據(jù)權(quán)利要求1-30中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物為羧基銨聚合物。
33.根據(jù)權(quán)利要求1-30中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物為磺基銨聚合物。
34.根據(jù)權(quán)利要求1-30中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物為兩性離子聚合物。
35.根據(jù)權(quán)利要求1-30中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物為羧基甜菜堿聚合物。
36.根據(jù)權(quán)利要求1-30中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物為磺基甜菜堿聚合物。
37.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述底物包括金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、生物組織、織造纖維、非織造纖維、半金屬或它們的組合。
38.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述底物包含聚酰胺、聚胺、聚酐、聚吖嗪、聚碳酸酯、聚酯、聚醚、聚醚醚酮(PEEK)、聚胍、聚酰亞胺、聚縮酮、聚酮、聚烯烴、聚原酸酯、聚磷腈、多糖、聚硅氧烷、聚砜、聚脲、聚氨酯、齒化聚合物、硅樹脂、醛交聯(lián)樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、膠乳或它們的共聚物或共混物。
39.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述底物包括聚氨酯。
40.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述底物為復(fù)合材料，所述復(fù)合材料包含覆蓋第二材料的預(yù)涂層，所述預(yù)涂層包含聚酰胺、聚胺、聚酐、聚吖嗪、聚碳酸酯、聚酯、聚醚、聚醚醚酮(PEEK)、聚胍、聚酰亞胺、聚縮酮、聚酮、聚烯烴、聚原酸酯、聚磷腈、多糖、聚硅氧烷、聚砜、聚脲、聚氨酯、齒化聚合物、硅樹脂、醛交聯(lián)樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、膠乳或它們的共聚物或共混物，以及所述第二材料包含金屬、陶瓷、玻璃、聚合物、生物組織、織造纖維、非織造纖維或半金屬。
41.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述底物包括覆蓋聚氨酯主體的聚氨酯預(yù)涂層。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的發(fā)明，其中所述聚氨酯預(yù)涂層包含引發(fā)劑。
43.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成靜態(tài)接觸角小于24度的改性表面。
44.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成靜態(tài)接觸角小于20度的改性表面。
45.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成靜態(tài)接觸角小于15度的改性表面。
46.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，并且所述接枝聚合物層具有總體平均干厚和所述總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差，其中所述總體平均干厚的所述標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)所述接枝聚合物層的所述總體平均干厚的50%。
47.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面具有總體平均干厚和所述總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差，其中所述總體平均干厚的所述標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)所述接枝聚合物層的所述總體平均干厚的20%。
48.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面具有總體平均干厚和所述總體平均干厚的標(biāo)準(zhǔn)偏差，其中所述總體平均干厚的所述標(biāo)準(zhǔn)偏差不超過(guò)所述接枝聚合物層的所述總體平均干厚的10%。
49.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的200%。
50.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的100%。
51.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的50%。
52.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的20%。
53.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的10%。
54.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的5%。
55.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層具有至少約50nm的總體平均干厚并且通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均干厚與通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微術(shù)(ESEM)測(cè)定的所述接枝聚合物層的總體平均濕厚之間的差異幅度小于所述總體平均干厚的1%。
56.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品進(jìn)一步包含溶劑可萃取的聚合反應(yīng)引發(fā)劑或其降解產(chǎn)物。
57.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚至少等于所述底物表面的總體平均 Rrms表面粗糙度。
58.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚為所述底物表面的所述總體平均Rniis 表面粗糙度的至少110%。
59.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚為所述底物表面的所述總體平均Rniis表面粗糙度的至少200%。
60.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚為所述底物表面的所述總體平均Rniis表面粗糙度的至少500%。
61.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚小于I微米。
62.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚小于500nm。
63.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚在約IOOnm至約1，OOOnm的范圍內(nèi)。
64.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚為約300nm至約600nm。
65.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述接枝聚合物層的總體平均干厚為約200nm至約400nm。
66.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度小于所述底物表面的所述總體平均Rmis表面粗糙度。
67.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度小于所述底物表面的所述總體平均Rmis表面粗糙度的50%。
68.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度小于所述底物表面的所述總體平均Rmis表面粗糙度的25%。
69.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度小于所述底物表面的所述總體平均Rmis表面粗糙度的10%。
70.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，所述改性表面的總體平均Rmis表面粗糙度小于所述底物表面的所述總體平均Rmis表面粗糙度的5%。
71.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物為鏈增長(zhǎng)加成聚合物。
72.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物為聚烯烴。
73.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物包含對(duì)應(yīng)于式I的重復(fù)單元
74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的發(fā)明，其中X1和X2為氫。
75.根據(jù)權(quán)利要求73或74所述的發(fā)明，其中X3為氫或烷基。
76.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物包含至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于式2的重復(fù)單元
77.根據(jù)權(quán)利要求76所述的發(fā)明，其中X3為氫或烷基。
78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的發(fā)明，其中X4為包含對(duì)應(yīng)于式P0A-1的氧基化亞烷基部分的側(cè)基。
79.根據(jù)權(quán)利要求76所述的發(fā)明，其中所述式2的重復(fù)單元為兩性離子重復(fù)單元，其包含對(duì)應(yīng)于式 Z1-1、Z1-2、Z1-3、Z1-4、Z1-5、Z1-6A、Z1-6B 或 Z1-7 的兩性離子部分。
80.根據(jù)權(quán)利要求76所述的發(fā)明，其中所述式2的重復(fù)單元為陽(yáng)離子重復(fù)單元。
81.根據(jù)權(quán)利要求76所述的發(fā)明，其中所述式2的重復(fù)單元為陰離子重復(fù)單元。
82.根據(jù)權(quán)利要求76所述的發(fā)明，其中X3為氫或甲基并且X4為包含對(duì)應(yīng)于式P0A-1的氧基化亞烷基部分或?qū)?yīng)于式Z1-1、Z1-2、Z1-3、Z1-4、ZI_5、Z1-6A、Z1-6B或Z1-7的兩性尚子部分的側(cè)基。
83.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物包含對(duì)應(yīng)于式3的重復(fù)單元
84.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中X44為-OX45、-NHX45或-SX45，并且X45為取代的烴基或雜環(huán)部分，其包括氧基化亞烷基部分、兩性離子部分、陰離子部分或陽(yáng)離子部分。
85.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中X3為氫或烷基。
86.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中X44為-OX45或-NX45X46,X45包含對(duì)應(yīng)于式P0A-1的氧基化亞烷基部分或?qū)?yīng)于式Z1-1、Z1-2、Z1-3、Z1-4、ZI_5、Z1-6A、Z1-6B或Z1-7的兩性離子部分以及X46為氫、烴基、取代的烴基或雜環(huán)。
87.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中對(duì)應(yīng)于式3的所述重復(fù)單元包括陽(yáng)離子重復(fù)單元和/或陰離子重復(fù)單元。
88.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中X3為氫或甲基并且X44包含對(duì)應(yīng)于式P0A-1的氧基化亞烷基部分或?qū)?yīng)于式Z1-1、Z1-2、Z1-3、Z1-4、ZI_5、Z1-6A、Z1-6B或Z1-7的兩性離子部分。
89.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中所述聚合物包含對(duì)應(yīng)于式3的重復(fù)單元并且 X44 為-O (CH2) 2N+ (CH3) 2 (CH2) nS03\ -O (CH2) 2N+ (CH3) 2 (CH2) nC02\ -NH (CH2) 3N+ (CH3) 2 (CH2)nC02_ 或-NH (CH2)3N+(CH3)2 (CH2)nSOp 其中 n 為 1-8。
90.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中所述聚合物包含對(duì)應(yīng)于式3的重復(fù)單元并且 X44 為-NH (CH2) mN (CH2) nCH3 (CH2) PS03、-NH (CH2) mN (CH2) nCH3 (CH2) PC02、-NH (CH2) mN+ [ (CH2)nCH3] 2 (CH2) PS03、-NH (CH2) N+ [ (CH2) nCH3] 2 (CH2) PC02、-NH (CH2) mNcyclo-(CH2) PC02 或-NH (CH2)mNcyclo-(CH2)pSO3, (Ncyclo-是包含至少一個(gè)氮元素的雜環(huán)結(jié)構(gòu)或雜環(huán)衍生物)，其中m為1-8 ；n 為 0-5 ;并且 P 為 1-8。
91.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中所述聚合物包含對(duì)應(yīng)于式3的重復(fù)單元并且X44為-0(CH2)mN(CH2)nCH3(CH2)pS03、-O (CH2)mN(CH2)nCH3 (CH2) PC02、-O (CH2) mN+[ (CH2) nCH3] 2 (CH2)PS03、-O (CH2) N. [(CH2)nCH3]2 (CH2)pCO2-O (CH2)mNcycIo-(CH2)pCO2 或-O(CH2)mNcyclo-(CH2)PS03，其中m為1-8 ；n為0-5 ;并且p為1-8。
92.根據(jù)權(quán)利要求83所述的發(fā)明，其中所述聚合物包含對(duì)應(yīng)于式3的重復(fù)單元并且X44為-O (CH2) 2N+ (CH3) 2 (CH2) 3S03、-0 (CH2) 2N+ (CH3) 2 (CH2) 2C02、_NH (CH2) 2N" (CH3) 2 (CH2) 3S03、_NH (CH2)2N+ (CH3) 2 (CH2) 2C02、-NH (CH2) 3N+ (CH3) 2 (CH2) 3S03、_NH (CH2) 3N+ (CH3) 2 (CH2) 2C02、_0 (CH2) 2N" (CH2C H3) 2 (CH2) 3S03、-0 (CH2) 2N" (CH2CH3) 2 (CH2) 2C02、_0 (CH2) 2N+ (CH2CH2CH2CH3) 2 (CH2) 3S03、_0 (CH2) 2N+ (C H2CH2CH2CH3) 2 (CH2) 2C02 或-NH (CH2) 3Ncyclo- (CH2) 3S03。
93.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物包含對(duì)應(yīng)于式4的重復(fù)單元
94.根據(jù)權(quán)利要求93所述的發(fā)明，其中X3為羥烷基。
95.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物、防污聚合物、兩性離子聚合物、羧基甜菜堿聚合物或磺基甜菜堿聚合物包含對(duì)應(yīng)于式5、式6、式7、式8或式9 的重復(fù)單元式5
96.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約30ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
97.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約20ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
98.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約15ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
99.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約12ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
100.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約10ng/Cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
101.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約8ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL 纖維蛋白原中孵育60分鐘。
102.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約6ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL 纖維蛋白原中孵育60分鐘。
103.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約4ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL 纖維蛋白原中孵育60分鐘。
104.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約2ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL 纖維蛋白原中孵育60分鐘。
105.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約lng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/mL 纖維蛋白原中孵育60分鐘。
106.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約O. 5ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/ mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
107.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約O. 25ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37°C下在衍生自含1. 4 μ g/mL 1-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70 μ g/ mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
108.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在測(cè)定中相對(duì)于基本上相同但無(wú)所述接枝聚合物層的參考底物表現(xiàn)出血栓形成的減少，在所述測(cè)定中將所述制品和所述參考底物暴露于新收獲的肝素化的含放射性標(biāo)記血小板的牛血中，并以大約200mL/min至2. 5L/min的速率在流動(dòng)回路中循環(huán)60至120min。
109.根據(jù)權(quán)利要求108所述的發(fā)明，其中具有所述接枝聚合物層的所述制品的血栓形成不超過(guò)所述參考制品的血栓形成的20%。
110.根據(jù)權(quán)利要求108所述的發(fā)明，其中具有所述接枝聚合物層的所述制品的血栓形成不超過(guò)所述參考制品的血栓形成的10%。
111.根據(jù)權(quán)利要求108所述的發(fā)明，其中所述制品的血栓形成不超過(guò)所述參考制品的血栓形成的2%。
112.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在測(cè)定中相對(duì)于基本上相同但無(wú)所述接枝聚合物層的參考底物表現(xiàn)出血栓形成的減少，在所述測(cè)定中將所述制品和所述參考底物暴露于無(wú)菌加檸檬酸鹽的人血漿中至少55天，每周更換一次所述血漿，然后暴露于新收獲的肝素化的含放射性標(biāo)記血小板的牛血中，并以大約200mL/min至2. 5L/min的速率在流動(dòng)回路中循環(huán)60至120min。
113.根據(jù)權(quán)利要求112所述的發(fā)明，其中所述制品的血栓形成不超過(guò)所述參考制品的血栓形成的20%。
114.根據(jù)權(quán)利要求112所述的發(fā)明，其中所述制品的血栓形成不超過(guò)所述參考制品的血栓形成的10%。
115.根據(jù)權(quán)利要求112所述的發(fā)明，其中所述制品的血栓形成不超過(guò)所述參考制品的血栓形成的2%。
116.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)具有接觸角的改性表面，并且所述接觸角可在含蛋白的磷酸鹽緩沖鹽水、介質(zhì)、或血清或體內(nèi)中的至少一者中穩(wěn)定至少30天。
117.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)具有防污活性的改性表面，并且所述防污活性可在含蛋白的磷酸鹽緩沖鹽水、介質(zhì)、或血清或體內(nèi)中的至少一者中穩(wěn)定至少30天。
118.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)具有抗血栓形成活性的改性表面，并且所述抗血栓形成活性可在含蛋白的磷酸鹽緩沖鹽水、介質(zhì)、或血清或體內(nèi)中的至少一者中穩(wěn)定至少30天。
119.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)具有抗微生物活性的改性表面，并且所述抗微生物活性可在含蛋白的磷酸鹽緩沖鹽水、介質(zhì)、或血清或體內(nèi)中的至少一者中穩(wěn)定至少30天。
120.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成表現(xiàn)出至少Ilog的抗生物膜活性的改性表面。
121.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成在將所述制品暴露于37°C的PBS中至少30天后表現(xiàn)出至少Ilog的抗生物膜活性的改性表面。
122.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成在將所述制品暴露于37°C的 PBS中至少90天后表現(xiàn)出至少Ilog的抗生物膜活性的改性表面。
123.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成在將所述制品暴露于37°C的無(wú)菌加檸檬酸鹽的人血漿中至少30天后表現(xiàn)出至少Ilog的抗生物膜活性的改性表面。
124.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品包括所述底物表面上的接枝聚合物層，并且所述底物表面和所述接枝聚合物層一起構(gòu)成在將所述制品暴露于37°C的無(wú)菌加檸檬酸鹽的人血漿中至少90天后表現(xiàn)出至少Ilog的抗生物膜活性的改性表面。
125.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述制品以及所述制品的水性和有機(jī)提取物通過(guò)HPLC或UV分析進(jìn)行測(cè)定時(shí)無(wú)可檢測(cè)水平的聯(lián)吡啶。
126.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含>30%的兩性離子單體。
127.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含>50%的兩性離子單體。
128.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含>75%的兩性離子單體。
129.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含>90%的兩性離子單體。
130.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層為兩性離子單體的均聚物。
131.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含低于50摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑的殘基。
132.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含低于25摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑的殘基。
133.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含低于10摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑。
134.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含低于5摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑的殘基。
135.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含低于3摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑。
136.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層包含低于O.1摩爾％的多價(jià)交聯(lián)劑的殘基。
137.根據(jù)前述權(quán)利要求中每一項(xiàng)所述的發(fā)明，其中所述接枝聚合物層不含多價(jià)交聯(lián)劑的殘基。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制備制品的方法以及所得的制品，所述制品包括具有表面的底物、所述表面下的主體以及所述底物表面上的接枝聚合物層，所述底物表面與所述接枝聚合物層一起構(gòu)成改性表面，其在纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中的纖維蛋白原吸附小于約125ng/cm2，在所述纖維蛋白原結(jié)合測(cè)定中將所述改性表面在37℃下在衍生自含1.4μg/mLI-125放射性標(biāo)記纖維蛋白原的人血漿的70μg/mL纖維蛋白原中孵育60分鐘。
文檔編號(hào)A61L29/04GK103037913SQ201180037810
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月9日
發(fā)明者李軍, Z·張, C·胡瓦爾, M·布沙爾德, A·J·考里, C·R·洛斯 申請(qǐng)人:森普魯斯生物科學(xué)公司