專(zhuān)利名稱(chēng)：校正量子計(jì)數(shù)探測(cè)器中計(jì)數(shù)率漂移的方法和x射線系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件的X射線系統(tǒng)、特別是CT系統(tǒng)的探測(cè)器中校正計(jì)數(shù)率漂移的方法，其中每個(gè)探測(cè)器元件具有帶有明顯不同的能量門(mén)限的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器的組合，所述能量門(mén)限被組合地分析以用于確定入射的輻射劑量。此外發(fā)明還涉及一種具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器的X射線系統(tǒng)以及一種量子計(jì)數(shù)探測(cè)器的電路布置。
背景技術(shù)：
一般公知具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器的X射線系統(tǒng)，特別是CT系統(tǒng)以及用于分析來(lái)自于探測(cè)器的探測(cè)器脈沖的方法。近年來(lái)為了在CT系統(tǒng)中應(yīng)用，除了迄今為止所使用的具有積分探測(cè)器元件的常規(guī)探測(cè)器類(lèi)型，建議這種量子計(jì)數(shù)探測(cè)器，因?yàn)槠渥鳛榭赡艿慕鉀Q方案能夠用于降低患者劑量以及用于在單源CT系統(tǒng)中能量分辨地測(cè)量。在這些量子計(jì)數(shù)探測(cè)器中，臨床CT掃描器中的高X射線光子流導(dǎo)致在以典型的方式使用的CdTe/CdZnTe探測(cè)器材料中構(gòu)建空間電荷，這可以導(dǎo)致明顯的計(jì)數(shù)率漂移。該計(jì)數(shù)率漂移使精確地確定劑量變 得困難并且一般會(huì)導(dǎo)致圖像誤差以及在CT系統(tǒng)中特別明顯地導(dǎo)致在由吸收數(shù)據(jù)建立的斷層造影圖像中的偽影。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是，找到一種在量子計(jì)數(shù)探測(cè)器中校正計(jì)數(shù)率漂移的方法以及一種具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器的改進(jìn)的X射線系統(tǒng)。按照量子計(jì)數(shù)探測(cè)器的典型結(jié)構(gòu)，為了在探測(cè)器材料上的信號(hào)測(cè)量，設(shè)置至少兩個(gè)不同的能量門(mén)限，這些能量門(mén)限等效于入射到探測(cè)器材料的粒子能量，其中對(duì)該門(mén)限的超過(guò)被分別計(jì)數(shù)。發(fā)明人現(xiàn)在已經(jīng)注意到，明顯不同的能量門(mén)限(例如對(duì)于以120kVp譜掃描的測(cè)量來(lái)說(shuō)是20keV和60keV或20keV、35keV和60keV)的計(jì)數(shù)率彼此的比例存在令人驚訝的恒定性。這是對(duì)于大部分多色X射線譜(如其典型地在X射線診斷中使用的那樣)與在那里通常的探測(cè)器像素大小相結(jié)合的情況。在下面示出的方法中應(yīng)當(dāng)表明，可以怎樣使用該特征來(lái)消除計(jì)數(shù)率漂移以及由此可以實(shí)現(xiàn)改善圖像質(zhì)量，但是以強(qiáng)烈降低光譜靈敏度為代價(jià)?？梢匀缦碌赜?jì)算恒定的因數(shù)，該恒定的因數(shù)描述了關(guān)于不同門(mén)限的計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率之間的比。通過(guò)計(jì)數(shù)器i測(cè)量的計(jì)數(shù)率通過(guò)如下得出Ii = Ai I (I-(Ii)， (I)其中Ii是輸出到探測(cè)器元件的輻射強(qiáng)度，Ai是與計(jì)數(shù)器i相結(jié)合的探測(cè)器的效率并且Cli是計(jì)數(shù)器i的計(jì)數(shù)率漂移。在漂移值Cli線性地相互連接的情況下其可以如下地說(shuō)明Ii = Ai I (1-fj d) (2)按照對(duì)數(shù)吸收尺度(Absorptionsskala)、精確的衰減尺度如下地得出線性吸收尺度的變化
Li = L-In(Ai)-In(1-fj d) (3)通過(guò)定義= -In(Ai)以及使用近似ln(l+x) ^ x獲得Li = L+ai+fi d (4)該等式允許訪問(wèn)所測(cè)量的數(shù)據(jù)組的每個(gè)計(jì)數(shù)器對(duì)(i，j)中計(jì)數(shù)率漂移的測(cè)量。d = (I1J :=丨丄,(5)其中假設(shè)精確已知參數(shù)％和f\。此時(shí)可以使用所測(cè)量的漂移值來(lái)校正測(cè)量數(shù)據(jù)以及提取值L。使用利用計(jì)數(shù)器k測(cè)量的數(shù)據(jù)以及從計(jì)數(shù)器i和j提取的漂移L = Lk, ij = Lk-ak-fk (Iij (6 ) 在k = i或k = j的情況下可以以如下來(lái)表達(dá)同一關(guān)系式L = Lij = jjtx (人,-Ck) —- %)( ) ~ trU (Li — ai) + (I — o) (Lj - (Ij)
(8)-IfljJJ^77(9)這對(duì)應(yīng)于從每一對(duì)(i，j)測(cè)量的數(shù)據(jù)組加權(quán)地相加到對(duì)數(shù)尺度上?；旌蠙?quán)重Wu在此通過(guò)計(jì)數(shù)率-漂移比f(wàn)i和fj給出。在此要注意，Bi和&取決于脈沖譜的形狀，該脈沖譜由CdTe探測(cè)器提供。也就是漂移比在X射線譜、吸收材料及其厚度變換的情況下由于發(fā)生輻射硬化而具有一定的波動(dòng)。脈沖堆高(Pile-Up)在高的X射線光子流的情況下本身同樣對(duì)該參數(shù)產(chǎn)生影響。上面描述的方法要求精確地校準(zhǔn)參數(shù)％和fp這兩個(gè)參數(shù)關(guān)于脈沖譜的形狀是靈敏的并且因此取決于如下的情況-探測(cè)器的脈沖特性，取決于探測(cè)器材料、幾何特征、偏置電壓以及信號(hào)整形特性；-入射射線的光譜，取決于管電壓(kV)、濾波以及輻射硬化；-脈沖堆高，取決于管電流(mA)以及穿過(guò)掃描材料的衰減；-所使用的計(jì)數(shù)器的門(mén)限。下面描述按照本發(fā)明的對(duì)給出的管電壓與管電流的組合的措施。由于實(shí)際的計(jì)數(shù)器門(mén)限的不準(zhǔn)確性和/或有效脈沖持續(xù)時(shí)間的變化，校準(zhǔn)必須基于信道對(duì)信道(Kanal-fiir-Kanal-Basis)執(zhí)行。為此考察具有N彡2個(gè)計(jì)數(shù)器的量子計(jì)數(shù)探測(cè)器，在明顯不同的門(mén)限中優(yōu)選地N=2或N=3。具有最低的能量門(mén)限的計(jì)數(shù)器為i=l，具有按照定義的值&1=0和f\=l。在此對(duì)于不同的衰減值S = 0... >§重復(fù)地執(zhí)行測(cè)量。在醫(yī)學(xué)成像范圍內(nèi)，使用水或等效水的材料的這種厚度d來(lái)得出實(shí)際的輻射硬化是有意義的。這可以通過(guò)使用具有不同厚度的條狀圖模體(Balkenphantom)來(lái)實(shí)現(xiàn)。成立的是S(d) = ItnjO * d(10)對(duì)于給出的kV/mA組合，也就是對(duì)于模體的每個(gè)條狀圖，下面還掃描d=0的情況。在此重要的是，探測(cè)器示出了計(jì)數(shù)率漂移的明顯改變，可能地這還可以通過(guò)修改校準(zhǔn)期間的偏置電壓導(dǎo)致。該掃描可以位于從幾個(gè)至多個(gè)秒的范圍內(nèi)，取決于量子統(tǒng)計(jì)法，該量子統(tǒng)計(jì)法對(duì)于執(zhí)行下面描述的步驟是必要的。由這些掃描得出的計(jì)數(shù)率數(shù)據(jù)Ii按照下面的等式來(lái)處理。Di(S) := — In Ii(S) — In Z1(O) — S(J1)= O, (S) + (I1 (5) = a, {S) + /, (S)di (S)(12)其中fdU).表示在沒(méi)有衰減的條件下(S = 0)，I1關(guān)于時(shí)間的平均值。這點(diǎn)對(duì)應(yīng)于所謂的平場(chǎng)校正(Flatfield-Korrektur)。借助線性回歸計(jì)算,在利用這些數(shù)據(jù)建立的散射圖Di中相對(duì)于Dl得出參數(shù)％ 0和& (S)，其中(S)代表回歸線與縱坐標(biāo)的交點(diǎn)上的縱坐標(biāo)值并且fi (S)代表回歸線的斜率。由此得出如下的關(guān)系式Di(S) = Bi(S)+^ (S) D1(S) (13)
在下面的步驟中能夠?qū)?shù)Bi 0和& (S)建模，例如通過(guò)多項(xiàng)式回歸來(lái)覆蓋連續(xù)的衰減值S。這些值可以被用于計(jì)算并校正計(jì)數(shù)率漂移，如通過(guò)等式(5 )至(9 )所描述的那樣。在此要注意，數(shù)據(jù)Ii或Li在第一處理步驟中應(yīng)當(dāng)進(jìn)行關(guān)于Ii(O)的平場(chǎng)校正。此外還要指出，上面描述的方法本身包含計(jì)數(shù)率的輻射硬化校正和飽和校正。S卩，在此提供的方法使用具有明顯不同的門(mén)限的計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率漂移值的比的常數(shù)來(lái)校正計(jì)數(shù)率漂移。該校正可以應(yīng)用于投影數(shù)據(jù)的層面并且能夠在螺旋掃描以及順序掃描的范圍內(nèi)快速并簡(jiǎn)單地執(zhí)行處理步驟。與用于環(huán)形偽影去除的其他算法不同，該方法既不影響圖像清晰度也不去除低對(duì)比度對(duì)象。上面的描述的方法假設(shè)在明顯不同的門(mén)限中至少N=2個(gè)計(jì)數(shù)器用于校正(N2-N)/2個(gè)數(shù)據(jù)組。在此基本上由N個(gè)計(jì)數(shù)器得到的所有數(shù)據(jù)組關(guān)于計(jì)數(shù)率漂移進(jìn)行校正。但是，只有在掃描期間吸收的材料與為校準(zhǔn)而使用的材料相同或至少類(lèi)似時(shí)，該校正才是精確的。但對(duì)于其它材料該校正是易于產(chǎn)生錯(cuò)誤的，這導(dǎo)致了極其有限的多能量能力(Multi-Energie- Fahigkeit )。但是相應(yīng)于公式(7) - (9)能夠提供(N2-N) /2個(gè)與材料相關(guān)的數(shù)據(jù)組，其關(guān)于各自的參考材料是無(wú)計(jì)數(shù)率漂移的。該與材料相關(guān)的數(shù)據(jù)組包含光譜的靈敏度和修改后的噪聲特性。由與水不同的物質(zhì)形成的對(duì)比度相應(yīng)于等式Cij =Wij Ci+(I-Wij) C」出現(xiàn)。在基于碘的造影劑的情況下在成像時(shí)產(chǎn)生有利的巧合在20_30keV和60_70keV附近的兩個(gè)期望的計(jì)數(shù)器的混合權(quán)重接近如下的混合權(quán)重該混合權(quán)重對(duì)于水-碘對(duì)比度噪聲比CNR的最大化是需要的。從而找到例如因數(shù)f12 ^ 8和W12 ^ I. 14。這種圖像對(duì)比度值與利用20keV-計(jì)數(shù)器所測(cè)量的值類(lèi)似，其中容易提高圖像噪聲。所提供的方法能夠允許在臨床的CT掃描器中使用具有次最佳的漂移特征的CdTe或CdZnTe傳感器材料，并且以強(qiáng)烈降低光譜靈敏度為代價(jià)實(shí)現(xiàn)好的成像特征。但該虧損可以通過(guò)使用雙kVp方法，例如在雙源CT掃描器中，得到補(bǔ)償。補(bǔ)充地指出，原則上足夠的是，恒定的計(jì)數(shù)率比，也就是上面提到的因數(shù)fxy，不是在具有不同能量門(mén)限的計(jì)數(shù)器X和y之間按照經(jīng)驗(yàn)準(zhǔn)確地確定，而且粗略地估計(jì)該比例。然后剩余的圖像偽影可以通過(guò)已知的算法，例如在CT情況下的環(huán)去除算法來(lái)處理。相應(yīng)于這些認(rèn)識(shí)，發(fā)明人建議了一種用于在具有多個(gè)平面布置的量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件的電離輻射探測(cè)器中校正計(jì)數(shù)率漂移的方法，其中每個(gè)探測(cè)器元件具有帶有明顯不同的能量門(mén)限的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器的組合，所述能量門(mén)限被組合地分析以用于確定入射輻射劑量。在此，按照本發(fā)明基于前面確定的、計(jì)數(shù)率彼此的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系并且每個(gè)探測(cè)器元件使用至少一個(gè)計(jì)數(shù)器作為參考校正具有不同能量門(mén)限的各個(gè)其它計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率。為了準(zhǔn)備掃描特定的材料，優(yōu)選地可以在透射不同的厚度的相同的或關(guān)于其吸收特征等效相同的材料的情況下測(cè)量每個(gè)探測(cè)器元件的各個(gè)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系，該材料在之后的X射線檢查中還存在于待檢查的測(cè)量對(duì)象中。此外，為了確定探測(cè)器的探測(cè)器元件的計(jì)數(shù)率漂移的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系可以確定至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器之間的線性回歸系數(shù)，并且該系數(shù)可以用于校正至少一個(gè)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率。除了觀察純線性的依賴(lài)關(guān)系，為了確定探測(cè)器的探測(cè)器元件的計(jì)數(shù)率漂移的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系，還可以確定至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器之間的多項(xiàng)式回歸系數(shù)，并且由此校正至少一個(gè)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率。最后特別有利的是，所測(cè)量的計(jì)數(shù)率Ii和/或其對(duì)數(shù)等效Li在其使用之前進(jìn)行標(biāo) 準(zhǔn)化，特別是進(jìn)行所謂的平場(chǎng)校正。除了按照本發(fā)明的方法發(fā)明人還建議一種X射線系統(tǒng)，特別是CT系統(tǒng)，具有帶有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件的探測(cè)器，其中具有明顯不同的能量門(mén)限的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器的組合配備給每個(gè)探測(cè)器元件，以及具有程序存儲(chǔ)器的控制和計(jì)算單元，在該程序存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)了計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序在運(yùn)行中執(zhí)行根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法。


下面對(duì)照附圖根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，其中僅示出了為理解本發(fā)明所必須的特征。使用如下的附圖標(biāo)記1 :CT系統(tǒng)；2 :第一射束源；3 :第一探測(cè)器；4 弟~■射束源；5 :弟_■探測(cè)器；6 :機(jī)架殼體；7 :患者；8 :患者臥榻；9 :系統(tǒng)軸；10 :計(jì)算站；D 探測(cè)器；Dn，m :探測(cè)器元件；Ii，I2, I3 :脈沖率/計(jì)數(shù)率；L/K :邏輯和校正單元；Lkm :脈沖率；Prg1-Prgn :計(jì)算機(jī)程序;S1, S2, S3 :門(mén)限；ZS1, ZS2, Zs3 :計(jì)數(shù)器。附圖中圖I示意性示出了具有兩個(gè)計(jì)數(shù)器的探測(cè)器元件的探測(cè)器電子器件；圖2示意性示出了具有三個(gè)計(jì)數(shù)器的探測(cè)器元件的探測(cè)器電子器件；圖3示出了用于執(zhí)行按照本發(fā)明的方法的具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器的CT系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式圖I示出了具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件Dm的未完整示出的探測(cè)器電子器件的探測(cè)器D的截面示意圖。在探測(cè)器元件的探測(cè)器電子器件中，電信號(hào)從探測(cè)器元件Dn, m并行地傳輸?shù)絻蓚€(gè)計(jì)數(shù)器Zsi和Zs2，其中計(jì)數(shù)器相應(yīng)于其下標(biāo)以不同的門(mén)限SI和S2 (例如20keV和60keV)來(lái)調(diào)節(jié)，從而僅分別計(jì)數(shù)如下的電信號(hào)，該電信號(hào)相應(yīng)于入射到探測(cè)器元件的至少20keV或至少60keV的伽馬量子。從計(jì)數(shù)器Zsi和Zs2將計(jì)數(shù)脈沖率I1和I2傳送到邏輯和校正單元L/K，在該邏輯和校正單元中所測(cè)量的計(jì)數(shù)率的按照本發(fā)明的漂移校正基于找到的在計(jì)數(shù)率I1與I2之間的關(guān)系式來(lái)校正，并且作為校正后的對(duì)數(shù)脈沖率Lkm (1-2)輸出。在圖2中示出按照本發(fā)明的每個(gè)探測(cè)器元件具有三個(gè)計(jì)數(shù)器的探測(cè)器的變形。這再次示出了具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件Dn,m的未完整示出的探測(cè)器電子器件的探測(cè)器D的截面示意圖。在探測(cè)器元件的探測(cè)器電子器件中，電信號(hào)從探測(cè)器元件Dn, _ 并行地傳輸?shù)饺齻€(gè)計(jì)數(shù)器Zsi至Zs3，其中計(jì)數(shù)器相應(yīng)于其下標(biāo)以不同的門(mén)限SI至S3 (例如20keV、35keV和60keV)來(lái)調(diào)節(jié)，從而每個(gè)計(jì)數(shù)器僅計(jì)數(shù)如下的電信號(hào)，該電信號(hào)相應(yīng)于入射到探測(cè)器元件的至少20keV、35keV或至少60keV的伽馬量子的能量等效。從計(jì)數(shù)器Zsi至Zs3將計(jì)數(shù)脈沖率I1至I3傳送到邏輯和校正單元L/K，在該邏輯和校正單元中所測(cè)量的脈沖率I1至I3的按照本發(fā)明的漂移校正分別基于找到的在脈沖率I1與I2U1與I3和I2與I3之間的關(guān)系式來(lái)校正，并且作為校正后的對(duì)數(shù)脈沖率Lkm (1-2),Lkorr (1-3)和Lkm (2-3)輸出。替換地還可以輸出唯一的校正后的對(duì)數(shù)脈沖率，在該脈沖率中根據(jù)校正后單值確定唯一的校正后計(jì)算值，例如平均值。按照本發(fā)明的方法可以結(jié)合具有計(jì)數(shù)探測(cè)器元件的任意探測(cè)器使用。在此，圖3中僅示例性地示出了具有按照本發(fā)明構(gòu)造的探測(cè)器的計(jì)算機(jī)斷層造影系統(tǒng)I。該CT系統(tǒng)I具有機(jī)架殼體6，具有輻射源2的機(jī)架位于該機(jī)架殼體中，該輻射源2與相對(duì)設(shè)置的探測(cè)器 3一起圍繞系統(tǒng)軸9旋轉(zhuǎn)?？蛇x地，在機(jī)架上布置至少一個(gè)第二輻射源4和相對(duì)布置的探測(cè)器5。為了掃描例如將患者臥榻8上的患者7移動(dòng)穿過(guò)測(cè)量場(chǎng)，同時(shí)在機(jī)架上的輻射源2、4和探測(cè)器3、5圍繞系統(tǒng)軸9旋轉(zhuǎn)。由探測(cè)器3和/或5探測(cè)的信號(hào)可以直接在按照本發(fā)明構(gòu)造的或設(shè)置的探測(cè)器電子器件或者相應(yīng)構(gòu)造的或編程的中央計(jì)算站10中處理。在那里還可以存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序Prg1-Prgn，其在運(yùn)行時(shí)除了別的之外執(zhí)行按照本發(fā)明的方法。要指出的是，按照本發(fā)明的方法和按照本發(fā)明的電路布置不局限于斷層造影的應(yīng)用，而是可以用于每個(gè)具有計(jì)數(shù)探測(cè)器元件的探測(cè)粒子或光子的探測(cè)器。總之，發(fā)明提供一種方法、一種電路布置以及一種X射線系統(tǒng)，特別是CT系統(tǒng)，其中為了校正具有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件的電離輻射探測(cè)器的計(jì)數(shù)率漂移，這些探測(cè)器元件具有帶有明顯不同的能量門(mén)限的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器的組合，基于前面確定的計(jì)數(shù)率彼此的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系并且在每個(gè)探測(cè)器元件使用至少一個(gè)計(jì)數(shù)器作為參考的情況下對(duì)具有不同能量門(mén)限的各個(gè)其它計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率進(jìn)行校正。盡管本發(fā)明在細(xì)節(jié)上通過(guò)優(yōu)選的實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明和描述，但本發(fā)明不受到所公開(kāi)的示例的限制并且可以由專(zhuān)業(yè)人員從中推導(dǎo)出其它的變化，而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于在具有多個(gè)平面布置的量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件(Dn,m)的電離輻射探測(cè)器中校正計(jì)數(shù)率漂移的方法，其中每個(gè)探測(cè)器元件(Dm)具有帶有明顯不同的能量門(mén)限(S1，S2，S3)的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2，ZS3)的組合，所述能量門(mén)限被組合地分析以用于確定入射輻射劑量，其特征在于，基于前面確定的計(jì)數(shù)率彼此的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系并且在每個(gè)探測(cè)器元件使用至少一個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2，Zs3)作為參考的情況下對(duì)具有不同能量門(mén)限的各個(gè)其它計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率進(jìn)行校正。
2.根據(jù)上述權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在透射不同厚度的相同的或關(guān)于其吸收特征等效的材料的情況下測(cè)量每個(gè)探測(cè)器元件(Dn,m)的各個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2, Zs3)的計(jì)數(shù)率的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系，該材料在之后的X射線檢查中至少近似在待檢查的測(cè)量對(duì)象(7)中還存在。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求I至2中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，為了確定探測(cè)器(D)的探測(cè)器元件(Dm)的計(jì)數(shù)率漂移的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系，確定至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2，Zs3)之間的線性回歸系數(shù)，并且由此校正至少一個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2, Zs3)的計(jì)數(shù)率。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求I至2中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，為了確定探測(cè)器的探測(cè)器元件(Dm)的計(jì)數(shù)率漂移的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系，確定至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2，ZS3)之間的多項(xiàng)式回歸系數(shù)，并且由此校正至少一個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2, Zs3)的計(jì)數(shù)率。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所測(cè)量的計(jì)數(shù)率(Ii)和/或其對(duì)數(shù)等效Li在其使用之前進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，平場(chǎng)校正被用于標(biāo)準(zhǔn)化。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法用于X射線探測(cè)器。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法用于CT探測(cè)器。
9.一種X射線系統(tǒng)，特別是CT系統(tǒng)(I )，具有帶有量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件(Dm)的探測(cè)器(3，5)，其中具有明顯不同的能量門(mén)限(SI，S2，S3)的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2, Zs3)的組合配備給每個(gè)探測(cè)器元件(Dn,m)，以及具有程序存儲(chǔ)器的控制和計(jì)算單元(10)，在該程序存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)了計(jì)算機(jī)程序(Prg1-Prgn),所述計(jì)算機(jī)程序在運(yùn)行中執(zhí)行根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法。
10.一種用于量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件(Dn，m)的電路布置，其這樣運(yùn)行，即在運(yùn)行中執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項(xiàng)所述的方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種方法、一種電路布置以及一種X射線系統(tǒng)，特別是CT系統(tǒng)(1)，其中為了校正具量子計(jì)數(shù)探測(cè)器元件(Dn，m)的電離輻射探測(cè)器的計(jì)數(shù)率漂移，這些探測(cè)器元件具有帶有明顯不同的能量門(mén)限(S1，S2，S3)的至少兩個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2，ZS3)的組合，基于前面確定的計(jì)數(shù)率彼此的函數(shù)依賴(lài)關(guān)系并且在每個(gè)探測(cè)器元件使用至少一個(gè)計(jì)數(shù)器(ZS1，ZS2，ZS3)作為參考的情況下對(duì)具有不同能量門(mén)限的各個(gè)其它計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)率進(jìn)行校正。
文檔編號(hào)A61B6/03GK102809756SQ20121017607
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者S.卡普勒 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司