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一種心電信號基線校準(zhǔn)方法及裝置的制作方法

文檔序號:922044閱讀:401來源:國知局
專利名稱:一種心電信號基線校準(zhǔn)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及生物醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域,特別涉及一種心電信號基線校準(zhǔn)方法及裝置。
背景技術(shù)
心臟周圍的組織和體液都能導(dǎo)電,心臟好比電源,無數(shù)心肌細(xì)胞動作電位變化的總和可以傳導(dǎo)并反映到體表,在體表很多點(diǎn)之間存在著電位差,也有很多點(diǎn)彼此之間無電位差是等電的,心臟在每個心動周期中,由起搏點(diǎn)、心房、心室相繼興奮,伴隨著生物電的變化,這些生物電的變化稱為心電?!ば碾娦盘柺侨梭w心臟發(fā)出的微弱信號,心電檢測是重要的醫(yī)療檢測手段,心電信號采集的目的是得到較為狀態(tài)下的心電信號,理論上,心電信號基線一般是電位差為零的一段平整信號,但在心電圖的記錄過程中,由于電極電阻變化、電極的極化電位變化、心電放大器的直流偏置漂移、人體呼吸或其他肌肉緩慢運(yùn)動等原因,實(shí)際采集的信號中基線位置的電位差并不為零,甚至發(fā)生不規(guī)則的基線漂移,如基線忽高忽低,上斜或下斜等。在心電信號分析中電壓的計(jì)算和波的起止點(diǎn)均要參考其前后基線,基線不準(zhǔn)確會對后續(xù)各波電壓的計(jì)算和各波的起止點(diǎn)尋找?guī)砗艽髥栴},如電壓計(jì)算誤差大、波的起止點(diǎn)尋找誤差大
坐寸ο由于在一個心動周期中,基線段一般會有兩段,第一段是在P波之前,第二段是在P波和QRS波之間,若心電信號非常理想且無病理性病變,甚至還有第三段是在QRS波與T波之間的基線,所以在基線位置識別時,尤其是對基線位置直接進(jìn)行識別時,會導(dǎo)致一個心動周期會出現(xiàn)若干個基線位置,在實(shí)際應(yīng)用中,第三段基線位置一般不要,要剔除(這些要剔除的基線位置檢出在本發(fā)明闡述中簡稱為“虛警”),第一段與第二段的基線位置保留一個即可,再有,由于一些基線識別是在R檢波之后進(jìn)行的,但是當(dāng)有R波漏檢,也會導(dǎo)致基線漏檢,或者由于心電信號較差,基線直接識別會產(chǎn)生漏檢(這些未能檢出而應(yīng)該檢出的基線在本發(fā)明闡述中簡稱為“漏警”)。因此,有必要對識別出的基線位置專門進(jìn)行校準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明公開了一種心電信號基線校準(zhǔn)方法及裝置,在基線識別后消除基線識別中的虛警和漏警。本發(fā)明提供一種心電信號基線校準(zhǔn)方法,根據(jù)相鄰兩個基線位置的差值序列DBD和相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。優(yōu)選地,所述根據(jù)相鄰兩個基線位置的差值序列DBD和相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,包括301、假設(shè)1=0;302、判斷是否相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD[i]絕對值小于
O.2mv并且DBD[i]在O. 3XF到3XF之間,如果否,則i=i+l,重復(fù)步驟302 ;否則,進(jìn)入步驟303 ;其中,F(xiàn)表示心電數(shù)據(jù)采樣率;303、依次計(jì)算BaseData[i]到BaseData[i+l]之間的原始心電數(shù)據(jù)與BaseData [i]處原始數(shù)據(jù)之間的差值絕對值,該序列表示為差值絕對值序列;其中,BaseData[i]表示基線位置序列BaseData中序號為i的基線位置,BaseData[i+Ι]表示基線位置序列BaseData中序號為i+Ι的基線位置;304、從差值絕對值序列中尋找最大值,將該最大值設(shè)為標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV。本發(fā)明提供一種心電信號基線校準(zhǔn)裝置,包括與中央控制模塊相連接的數(shù)據(jù)輸入模塊、FIFO緩沖模塊、基線校準(zhǔn)模塊、數(shù)據(jù)輸出模塊,所述基線校準(zhǔn)模塊,用于對心電信號基線位置進(jìn)行校準(zhǔn),包括與緩存單元相連接的差分計(jì)算單元、校準(zhǔn)實(shí)施單元、最值計(jì)算單元和判斷比較單元;所述緩存單元,用于緩存所述FIFO緩沖模塊傳送來的數(shù)據(jù)供所述差分計(jì)算單元、校準(zhǔn)實(shí)施單元、最值計(jì)算單元和判斷比較單元計(jì)算使用,并緩存計(jì)算后的數(shù)據(jù);所述差分計(jì)算單元,用于計(jì)算相鄰兩個基線位置的差值,計(jì)算相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值,計(jì)算原始心電數(shù)據(jù)與BaseData[i]處原始數(shù)據(jù)之間的差值絕對值,將計(jì)算數(shù)據(jù)存儲在所述緩存單元中;其中,BaseData[i]表示基線位置序列BaseData中序號為i的基線位置;所述最值計(jì)算單元,用于計(jì)算序列的最大值或最小值,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV ;所述判斷比較單元,用于判斷是否相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD[i]絕對值小于O. 2mv并且DBD[i]在O. 3XF到3XF之間;其中,F(xiàn)表示心電數(shù)據(jù)采樣率;所述校準(zhǔn)實(shí)施單元,用于利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。本發(fā)明在基線位置識別后,通過相鄰基線位置關(guān)系與位置間的原始心電數(shù)據(jù)間的關(guān)系獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),避免了發(fā)生異常情況因基線漂移而定位發(fā)生偏差,對后續(xù)檢測帶來較大影響的情況出現(xiàn)。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明心電信號基線校準(zhǔn)方法優(yōu)選實(shí)施例流程示意圖;圖2為本發(fā)明心電信號基線校準(zhǔn)裝置優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明心電信號基線校準(zhǔn)裝置基線校準(zhǔn)模塊優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,均屬于本發(fā)明保護(hù)范圍。本發(fā)明的基線校準(zhǔn)是基于基線識別已經(jīng)完成,在原始心電序列EcgData中確定了基線位置序列BaseData,進(jìn)而對基線位置進(jìn)行校準(zhǔn)。原始心電序列EcgData記錄的是原始心電電壓值,單位為mv,其值可能為正、為負(fù)或?yàn)榱?,其長度為L。所述基線位置序列BaseData是記錄了原始心電序列EcgData中被確定為基線位置的數(shù)據(jù)的下標(biāo)值,其值取值范圍為從O到L 一 1,也即是說基線位置的值是從O到L 一I中的不重復(fù)的一些數(shù)值,假設(shè)基線位置序列的長度為L’,那么O彡L’ ^L-10本發(fā)明中BaseData[i]表不原始心電序列的某個位置,可在該位置讀出相應(yīng)的原始心電電壓值,其中
O< i < L,。所述基線識別可以在R檢波后進(jìn)行識別,也可直接進(jìn)行識別(在檢波之前進(jìn)行識 別),識別具體方法和流程本發(fā)明無特別限定。本發(fā)明一種心電信號基線校準(zhǔn)方法,根據(jù)相鄰兩個基線位置的差值序列DBD和相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。作為本發(fā)明一個實(shí)施例,如圖1所示,所述心電信號基線校準(zhǔn)方法,具體包括201、計(jì)算相鄰兩個基線位置的差值序列DBD計(jì)算相鄰兩個基線位置的差值得到相鄰兩個基線位置的差值序列DBD ;相鄰兩個基線位置依次計(jì)算,獲得整個基線位置BaseData的相鄰兩個基線位置的差值序列。通過以上計(jì)算,可以獲得相鄰兩個基線位置的差值序列DBD,其可以表示為一個數(shù)組,包括L’ -1個元素,分別表示為 DBD [O]、DBD [I],...,DBD[L’ 一 2]。202、計(jì)算相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD計(jì)算相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值,得到相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD ;相鄰兩個基線位置依次計(jì)算,獲得整個原始心電序列EcgData的相鄰兩個基線位置的差值序列。通過以上計(jì)算,可以獲得相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,其可以表示為一個數(shù)組,包括L’ -1個元素;分別表示為DEBD
、DEBD[I],…,DEBD[L,— 2]。特別說明的是,上述計(jì)算相鄰兩個基線位置的差值序列DBD與計(jì)算相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD在執(zhí)行順序無特別限定,既可先計(jì)算DBD后計(jì)算DEBD,也可以先計(jì)算DEBD后計(jì)算DBD,甚至可以同時進(jìn)行。本發(fā)明中DEBD [i]表示相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD中序號為i的相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值,DBD[i]表示相鄰兩個基線位置的差值序列DBD中序號為i的相鄰兩個基線位置的差值。203、根據(jù)DBD和DEBD獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV ;204、利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。本實(shí)施例通過計(jì)算DBD和DEBD,并根據(jù)DBD和DEBD標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),計(jì)算復(fù)雜度低,計(jì)算準(zhǔn)確度高,具有較廣泛的應(yīng)用前景。作為本發(fā)明一個實(shí)施例,所述根據(jù)DBD和DEBD獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,具體包括301、假設(shè)1=0;302、判斷是否相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD[i]絕對值小于
O.2mv并且DBD[i]在O. 3XF到3XF之間,如果否,則i=i+l,重復(fù)步驟302 ;否則,進(jìn)入步驟303 ;其中,F(xiàn)表示心電數(shù)據(jù)采樣率;本實(shí)施例通過設(shè)置DEBD[i]絕對值小于O. 2mv并且DBD[i]在O. 3XF到3XF之間的參數(shù)范圍,確保選擇的一段數(shù)據(jù)中,相鄰基線位置對應(yīng)的原始心電數(shù)據(jù)電壓差距較小,并且相鄰基線位置距離適中,確保在該段數(shù)據(jù)中去獲得的標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值具有與心電的實(shí)際電壓一致或者誤差最小。303、依次計(jì)算BaseData[i]到BaseData[i+Ι]之間的原始心電數(shù)據(jù)與BaseData[i]處原始數(shù)據(jù)之間的差值絕對值,該序列表示為差值絕對值序列; 304、從差值絕對值序列中尋找最大值,將該最大值設(shè)為標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV。作為本發(fā)明一個實(shí)施例,所述利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),包括基線位置虛警檢準(zhǔn),即401、假設(shè)1=0;402、判斷前后相鄰兩個基線位置的差值序列之比(DBD[i]/DBD[i+l])是否在
范圍內(nèi),若否,進(jìn)入403,若是,則不用校準(zhǔn),i=i+l,重復(fù)步驟402 ;403、計(jì)算第一局部參考電壓值EcgVil和第二局部參考電壓值EcgVi2 ;所述計(jì)算第一局部參考電壓值EcgVil,即計(jì)算BaseData[i]與BaseData[i+l]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處(即BaseData [i]與BaseData [i+Ι]處)心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值最大值;所述計(jì)算第二局部參考電壓值EcgVi2,即計(jì)算BaseData[i+l]與BaseData[i+2]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處(即BaseData [i+Ι]與BaseData [i+2]處)心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值最大值。以上第一局部參考電壓值和第二局部參考電壓值的計(jì)算,使得不但考慮本相鄰兩個基線位置,而且考慮下個相鄰兩個基線位置,有效消除了鄰近相信位置的基線位置干擾。404、根據(jù)EcgVil與EcgV的比值關(guān)系和EcgVi2與EcgV的比值關(guān)系,分情況進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),具體包括以下情況中的任意一種;I)判斷若EcgVil與EcgV之比大于1. 2或小于O. 8,而EcgVi2與EcgV之比在O. 8到1. 2之間,貝U刪除第i點(diǎn)基線標(biāo)記(可以通過BaseData[i]=0表示),i=i+2,回到步驟402,直到所有基線位置校準(zhǔn)完;2)判斷若EcgViI與EcgV之比在O. 8到1. 2之間,而EcgVi2與EcgV之比大于1. 2或小于O. 8,則不需對第i個基線位置校準(zhǔn),i=i+l,回到步驟402,直到所有基線位置校準(zhǔn)完;3)判斷若EcgVil與EcgV之比在O. 8到1. 2之間,并且EcgVi2與EcgV之比在O. 8到1. 2之間,則不校準(zhǔn),i=i+2,回到步驟402,直到所有基線位置校準(zhǔn)完;所述EcgVi I為BaseData [i]與BaseData [i+Ι]兩點(diǎn)間的心電數(shù)據(jù)與原始心電數(shù)據(jù)與本相鄰兩個基線位置心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值最大值;所述EcgVi2為原始心電數(shù)據(jù)在BaseData[i+l]與BaseData [i+2]兩點(diǎn)的心電數(shù)據(jù)平均值與BaseData[i+l]與BaseData [i+2]兩點(diǎn)的心電數(shù)據(jù)之差的絕對值最大值。本發(fā)明巧妙的根據(jù)獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV以及基線之間原始數(shù)據(jù)電壓最值是否與EcgV相近來消除第一段基線檢出和第三段基線檢出,只保留第二段基線檢出,實(shí)驗(yàn)測試表明虛警校準(zhǔn)效果滿足應(yīng)用要求。作為本發(fā)明一個實(shí)施例,所述利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),包括基線位置漏警檢準(zhǔn),即501、假設(shè)1=0;·
502、求在BaseData[i]與BaseData[i+l]之間的原始心電數(shù)據(jù)絕對值大于O. 8倍EcgV的波峰或波谷的個數(shù),并記下這些波峰或波谷的位置(簡稱峰谷位置);特別說明的是,對一個波形信號,在兩個位置之間尋找波峰或波谷為本領(lǐng)域常用技術(shù)手段,不再詳述。503、依次對找到的相鄰兩個峰谷位置之間的原始心電數(shù)據(jù)求差分絕對值,得到差分絕對值序列(序列的下標(biāo)與原始心電數(shù)據(jù)下標(biāo)相同);所述相鄰兩個峰谷位置可能為以下情況中的任意一種,兩個波峰位置或者兩個波谷位置或者一個波峰位置與一個波谷位置。504、求上步驟所述差分絕對值序列最小值點(diǎn)位置(設(shè)為iNew),將BaseData的第i+Ι位后面的數(shù)據(jù)全部后移一位,并把該最小值點(diǎn)位置作為新的基線點(diǎn)插入BaseData序列中(BaseData[i]=iNew),返回503,直到在502步驟中得到的峰谷位置全部處理完;505、i=i+l,返回步驟502,直到所有基線位置校準(zhǔn)完。由于一些基線識別是在R檢波之后進(jìn)行的,可能存在R波漏檢,導(dǎo)致基線漏檢,或者由于心電信號較差,基線直接識別會產(chǎn)生漏檢,這些未能檢出而應(yīng)該檢出的基線在本發(fā)明闡述中簡稱為“漏警”,本發(fā)明巧妙運(yùn)用獲得的標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV以及基線之間原始數(shù)據(jù)電壓最值與EcgV相近的峰谷個數(shù)來重新檢出漏檢的基線,從而消除漏警,實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果同樣表明漏警校準(zhǔn)效果滿足應(yīng)用要求。作為本發(fā)明一個實(shí)施例,所述利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),包括基線位置虛警檢準(zhǔn)和基線位置漏警檢準(zhǔn)所述基線位置虛警檢準(zhǔn)采用401至404的步驟;所述基線位置漏警檢準(zhǔn)采用501至505的步驟;特別說明的是,本實(shí)施例中的基線位置虛警檢準(zhǔn)和基線位置漏警檢準(zhǔn)在執(zhí)行順序上無特定限定,即既可以先進(jìn)行基線位置虛警檢準(zhǔn),再進(jìn)行基線位置漏警檢準(zhǔn),也可以先進(jìn)行基線位置漏警檢準(zhǔn),再進(jìn)行基線位置虛警檢準(zhǔn)。作為本發(fā)明一個實(shí)施例,本發(fā)明提供一種心電信號基線校準(zhǔn)裝置,如圖2所示,包括與中央控制模塊84相連接的數(shù)據(jù)輸入模塊80、FIFO緩沖模塊82、基線校準(zhǔn)模塊86、數(shù)據(jù)輸出模塊88 ;所述數(shù)據(jù)輸入模塊80用于獲取原始心電序列EcgData和基線位置序列BaseData,將獲取的數(shù)據(jù)存入FIFO緩沖模塊82 ;其既可以是心電數(shù)據(jù)和基線數(shù)據(jù)采集裝置,也可以是存儲有心電序列離線數(shù)據(jù)和基線位置序離線數(shù)據(jù)的外部設(shè)備,本發(fā)明對此不作限定。特別地,所述數(shù)據(jù)輸入模塊80包括電平控制單元,當(dāng)電平控制單元處于低電平時,所述數(shù)據(jù)輸入模塊80不獲取數(shù)據(jù),當(dāng)電平控制單元處于高電平時,所述數(shù)據(jù)輸入模塊80獲取數(shù)據(jù);當(dāng)需要接收數(shù)據(jù)時,電平控制單元由低電平變?yōu)楦唠娖?,獲取數(shù)據(jù)。所述FIFO緩沖模塊82,用于緩沖存儲原始心電序列數(shù)據(jù)和基線位置序列數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)位數(shù)大于原始心電序列數(shù)據(jù)位數(shù)或基線位置序列數(shù)據(jù)至少一位,F(xiàn)IFO緩沖長度不小于2048 ;當(dāng)心電信號基線校準(zhǔn)裝置啟動時,F(xiàn)IFO緩沖區(qū)數(shù)據(jù)位全置為0,每個數(shù)據(jù)位數(shù)可選10位、16位、24位或者32位等。所述中央控制模塊84、用于在心電信號基線校準(zhǔn)裝置啟動時控制其他模塊初始化,設(shè)置FIFO緩沖長度,控制基線校準(zhǔn)模塊86進(jìn)行基線校準(zhǔn),當(dāng)數(shù)據(jù)處理完后控制FIFO緩沖模塊82把FIFO緩沖區(qū)后半段數(shù)據(jù)傳輸給數(shù)據(jù)輸出模塊,傳送完畢后把FIFO緩沖區(qū)后半段數(shù)據(jù)位置為O。所述數(shù)據(jù)輸出模塊88,接收述FIFO緩沖模塊82傳來的數(shù)據(jù)并發(fā)送出去;并同時把觸發(fā)端口從低電平改為高電平;所述基線校準(zhǔn)模塊86,用于對心電信號基線位置進(jìn)行校準(zhǔn); 優(yōu)選地,所述基線校準(zhǔn)模塊86,如圖3所示,包括與緩存單元86a相連接的差分計(jì)算單元86b、校準(zhǔn)實(shí)施單元86c、最值計(jì)算單元86d和判斷比較單元86e所述緩存單元86a,用于緩存所述FIFO緩沖模塊82傳送來的數(shù)據(jù)供所述差分計(jì)算單元86b、校準(zhǔn)實(shí)施單元86c、最值計(jì)算單元86d和判斷比較單元86e計(jì)算使用,并緩存計(jì)算后的數(shù)據(jù)等;所述差分計(jì)算單元86b用于計(jì)算相鄰兩個基線位置的差值,計(jì)算相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值,計(jì)算原始心電數(shù)據(jù)與BaseData[i]處原始數(shù)據(jù)之間的差值絕對值,將計(jì)算數(shù)據(jù)存儲在緩存單元86a中;所述最值計(jì)算單元86d,用于計(jì)算序列的最大值或最小值,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV。所述判斷比較單元86e,用于判斷判斷是否相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD[i]絕對值小于0. 2mv并且DBD[i]在0. 3XF到3XF之間,其中,F(xiàn)表示心電
數(shù)據(jù)采樣率。所述校準(zhǔn)實(shí)施單元86c用于利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。優(yōu)選地,所述校準(zhǔn)實(shí)施單元86c采用基線位置虛警檢準(zhǔn)策略,進(jìn)一步包括比值計(jì)算單元,用于前后相鄰兩個基線位置的差值序列之比;計(jì)算EcgVil與EcgV的比值;計(jì)算EcgVi2與EcgV的比值所述差分計(jì)算單元86b還用于計(jì)算第一局部參考電壓值EcgVil,即計(jì)算BaseData [i]與BaseData [i+Ι]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處(即BaseData[i]與BaseData[i+l]處)心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值;計(jì)算第二局部參考電壓值EcgVi2,即計(jì)算BaseData[i+l]與BaseData[i+2]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處(即BaseData [i+Ι]與BaseData [i+2]處)心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值;所述判斷比較單元86e用于判斷EcgVil與EcgV的比值是否在0. 8到1. 2之間和判斷EcgVi2與EcgV的比值是否在0. 8到1. 2之間,判斷是否所有基線位置校準(zhǔn)完優(yōu)選地,所述校準(zhǔn)實(shí)施單元86c采用基線位置漏警檢準(zhǔn)策略,進(jìn)一步包括所述判斷比較單元86e用于在BaseData [i]與BaseData [i+Ι]之間的原始心電數(shù)據(jù)絕對值大于0. 8倍EcgV的波峰或波谷的個數(shù),記錄波峰或波谷的位置(簡稱峰谷位置);判斷峰谷位置是否全部處理完;判斷是否所有基線位置校準(zhǔn)完;所述差分計(jì)算單元86b用于對找到的相鄰兩個峰谷位置之間的原始心電數(shù)據(jù)求差分絕對值,得到差分絕對值序列;所述最值計(jì)算單元86d,求所述差分絕對值序列最小值點(diǎn)位置(設(shè)為iNew),BaseData的第i+Ι位后面的數(shù)據(jù)全部后移一位,并把該最小值點(diǎn)位置作為新的基線點(diǎn)插入BaseData 序列中(BaseData[i]=iNew)。在應(yīng)用時,用戶只需把原始心電序列和基線位置序列發(fā)送給該心電信號基線校準(zhǔn)裝置的數(shù)據(jù)輸入部分,然后從該心電信號基線校準(zhǔn)裝置的數(shù)據(jù)輸出部分接受原始心電序列和與之相應(yīng)的校正后的基線位置序列,使用極其簡便,并且可用于實(shí)時基線識別時實(shí)時校正,為后續(xù)心電信號分析簡單化奠定良好基礎(chǔ)和為后續(xù)分析正確性提供良好的保證。以上所舉實(shí)施例,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了進(jìn)一步的詳細(xì)說明,所 應(yīng)理解的是,以上所舉實(shí)施例僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)對本發(fā)明所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種心電信號基線校準(zhǔn)方法,其特征在于,根據(jù)相鄰兩個基線位置的差值序列DBD和相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述心電信號基線校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述根據(jù)相鄰兩個基線位置的差值序列DBD和相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,包括.301、假設(shè)i=0 ; .302、判斷是否相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD[i]絕對值小于O.2mv并且DBD[i]在O. 3XF到3XF之間,如果否,則i=i+l,重復(fù)步驟302 ;否則,進(jìn)入步驟303 ;其中,F(xiàn)表示心電數(shù)據(jù)采樣率; .303、依次計(jì)算BaseData[i]到BaseData[i+l]之間的原始心電數(shù)據(jù)與BaseData[i]處原始數(shù)據(jù)之間的差值絕對值,該序列表示為差值絕對值序列;其中,BaseData[i]表示基線位置序列BaseData中序號為i的基線位置,BaseData [i+Ι]表不基線位置序列BaseData中序號為i+Ι的基線位置; .304、從差值絕對值序列中尋找最大值,將該最大值設(shè)為標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述心電信號基線校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),包括基線位置虛警檢準(zhǔn),包括以下步驟 . 401、假設(shè)丨=0; .402、判斷前后相鄰兩個基線位置的差值序列之比是否在
范圍內(nèi),若否,進(jìn)入403,若是,則不用校準(zhǔn),i=i+l,重復(fù)步驟402 ; . 403、計(jì)算第一局部參考電壓值EcgVil和第二局部參考電壓值EcgVi2; 所述計(jì)算第一局部參考電壓值EcgVil,即計(jì)算BaseData[i]與BaseData[i+l]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值最大值; 所述計(jì)算第二局部參考電壓值EcgVi2,即計(jì)算BaseData[i+l]與BaseData[i+2]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值最大值; 其中,BaseData[i]表不基線位置序列BaseData中序號為i的基線位置,BaseData[i+Ι]表不基線位置序列BaseData中序號為i+Ι的基線位置,BaseData[i+2]表不基線位直序列BaseData中序號為i+2的基線位直; . 404、根據(jù)EcgVil與EcgV的比值關(guān)系和EcgVi2與EcgV的比值關(guān)系,分情況進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述心電信號基線校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述根據(jù)EcgVil與EcgV的比值關(guān)系和EcgVi2與EcgV的比值關(guān)系,分情況進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),包括以下情形的其中任意一種 O判斷若EcgVil與EcgV之比大于1. 2或小于O. 8,而EcgVi2與EcgV之比在O. 8到.1.2之間,則刪除第i點(diǎn)基線標(biāo)記,i=i+2,回到步驟402,直到所有基線位置校準(zhǔn)完; .2)判斷若EcgVil與EcgV之比在O.8到1. 2之間,而EcgVi2與EcgV之比大于1. 2或小于O. 8,則不需對第i個基線位置校準(zhǔn),i=i+l,回到步驟402,直到所有基線位置校準(zhǔn)完; .3)判斷若EcgVil與EcgV之比在O.8到1. 2之間,并且EcgVi2與EcgV之比在O. 8到1.2之間,則不校準(zhǔn),i=i+2,回到步驟402,直到所有基線位置校準(zhǔn)完。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述心電信號基線校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),包括基線位置漏警檢準(zhǔn),包括以下步驟 501、假設(shè)丨=0; 502、求在BaseData[i]與BaseData[i+Ι]之間的原始心電數(shù)據(jù)絕對值大于O.8倍EcgV的波峰或波谷的個數(shù),并記下這些波峰或波谷的位置,簡稱峰谷位置; 503、依次對找到的相鄰兩個峰谷位置之間的原始心電數(shù)據(jù)求差分絕對值,得到差分絕對值序列; 504、求所述差分絕對值序列最小值點(diǎn)位置,設(shè)為iNew,將BaseData的第i+Ι位后面的數(shù)據(jù)全部后移一位,并把該最小值點(diǎn)位置作為新的基線點(diǎn)插入BaseData序列中,SPBaseData[i]=iNew,返回503,直到在502步驟中得到的峰谷位置全部處理完; 505、i=i+l,返回步驟502,直到所有基線位置校準(zhǔn)完; 其中,BaseData[i]表不基線位置序列BaseData中序號為i的基線位置,BaseData[i+Ι]表示基線位置序列BaseData中序號為i+Ι的基線位置。
6.一種心電信號基線校準(zhǔn)裝置,包括與中央控制模塊相連接的數(shù)據(jù)輸入模塊、FIFO緩沖模塊、基線校準(zhǔn)模塊、數(shù)據(jù)輸出模塊,其特征在于 所述基線校準(zhǔn)模塊,用于對心電信號基線位置進(jìn)行校準(zhǔn),包括與緩存單元相連接的差分計(jì)算單元、校準(zhǔn)實(shí)施單元、最值計(jì)算單元和判斷比較單元; 所述緩存單元,用于緩存所述FIFO緩沖模塊傳送來的數(shù)據(jù)供所述差分計(jì)算單元、校準(zhǔn)實(shí)施單元、最值計(jì)算單元和判斷比較單元計(jì)算使用,并緩存計(jì)算后的數(shù)據(jù); 所述差分計(jì)算單元,用于計(jì)算相鄰兩個基線位置的差值,計(jì)算相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值,計(jì)算原始心電數(shù)據(jù)與BaseData[i]處原始數(shù)據(jù)之間的差值絕對值,將計(jì)算數(shù)據(jù)存儲在所述緩存單元中;其中,BaseData[i]表示基線位置序列BaseData中序號為i的基線位置; 所述最值計(jì)算單元,用于計(jì)算序列的最大值或最小值,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV; 所述判斷比較單元,用于判斷是否相鄰兩個基線位置的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD[i]絕對值小于O. 2mv并且DBD[i]在O. 3XF到3XF之間;其中,F(xiàn)表示心電數(shù)據(jù)采樣率; 所述校準(zhǔn)實(shí)施單元,用于利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述心電信號基線校準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述校準(zhǔn)實(shí)施單元采用基線位置虛警檢準(zhǔn)策略,包括 比值計(jì)算單元,用于計(jì)算前后相鄰兩個基線位置的差值序列之比;計(jì)算第一局部參考電壓值EcgVil與EcgV的比值;計(jì)算第二局部參考電壓值EcgVi2與EcgV的比值; 所述第一局部參考電壓值EcgVil由所述差分計(jì)算單元計(jì)算,即計(jì)算BaseData[i]與BaseData[i+l]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值; 所述第二局部參考電壓值EcgVi2由所述差分計(jì)算單元計(jì)算,即計(jì)算BaseData[i+l]與BaseData[i+2]之間的原始心電數(shù)據(jù)與該相鄰兩個基線位置處心電數(shù)據(jù)平均值之差的絕對值; 所述判斷比較單元還用于判斷EcgVil與EcgV的比值是否在O. 8到1. 2之間和判斷EcgVi2與EcgV的比值是否在O. 8到1. 2之間,判斷是否所有基線位置校準(zhǔn)完; 其中,BaseData[i+Ι]表示基線位置序列BaseData中序號為i+Ι的基線位置,BaseData[i+2]表示基線位置序列BaseData中序號為i+2的基線位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述心電信號基線校準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述校準(zhǔn)實(shí)施單元采用基線位置漏警檢準(zhǔn)策略,包括 所述判斷比較單元還用于在BaseData[i]與BaseData[i+Ι]之間的原始心電數(shù)據(jù)絕對值大于O. 8倍EcgV的波峰或波谷的個數(shù),記錄波峰或波谷的位置,簡稱峰谷位置;判斷峰谷位置是否全部處理完;判斷是否所有基線位置校準(zhǔn)完;其中,BaseData[i+l]表示基線位置序列BaseData中序號為i+Ι的基線位置; 所述差分計(jì)算單元還用于對找到的相鄰兩個峰谷位置之間的原始心電數(shù)據(jù)求差分絕對值,得到差分絕對值序列; 所述最值計(jì)算單元還用于求所述差分絕對值序列最小值點(diǎn)位置,設(shè)為iNew,將BaseData的第i+Ι位后面的數(shù)據(jù)全部后移一位,并把該最小值點(diǎn)位置作為新的基線點(diǎn)插入BaseData 序列中,即 BaseData [i]=iNew。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種心電信號基線校準(zhǔn)方法,根據(jù)相鄰兩個基線位置的差值序列DBD和相鄰兩個基線位置對應(yīng)的心電原始數(shù)據(jù)差值序列DEBD,獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值EcgV進(jìn)行基線位置校準(zhǔn);還提供一種心電信號基線校準(zhǔn)裝置;本發(fā)明在基線位置識別后,通過相鄰基線位置關(guān)系與位置間的原始心電數(shù)據(jù)間的關(guān)系獲得標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值,利用標(biāo)準(zhǔn)參考電壓值進(jìn)行基線位置校準(zhǔn),避免了發(fā)生異常情況導(dǎo)致的基線漂移和定位發(fā)生偏差,對后續(xù)檢測帶來較大影響的情況出現(xiàn)。
文檔編號A61B5/0452GK103006204SQ201210587558
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者卓豫 申請人:重慶康如來科技有限公司
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