一種變頻式黃金美容棒的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體，及設置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其中，所述電路板包括：用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊；用于接收外部的控制信號控制馬達工作的使能模塊；所述控制模塊連接所述使能模塊。本實用新型提供的變頻式黃金美容棒，可以通過尾部旋鈕，調(diào)整可變電位器，通過MCU芯片判斷可變電位器上的電壓變化，從而轉(zhuǎn)換成頻率的變化，通過高頻M0S管，控制馬達的震動頻率，從而實現(xiàn)了美容棒的變頻。
【專利說明】 一種變頻式黃金美容棒

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及美容器具【技術領域】，特別涉及一種變頻式黃金美容棒。

【背景技術】
[0002]人體體內(nèi)原本存在著規(guī)則又平衡的自然電流，然而隨著人們工作壓力的增大或者年齡的增長，引起了人們自身體內(nèi)自然電流的不規(guī)則變化，這也是造成人們肌膚產(chǎn)生黑斑、肌膚松弛等老化現(xiàn)象的主要原兇。美容棒是人們常用的美容用品，不同年齡段的人，不同人的皮膚，甚至同一個人在不同的季節(jié)，對頻率的震動喜好都是各不相同的，但當前市場上美容棒都是不可變頻的，并不能適應所有人群。
[0003]因此，現(xiàn)有技術還有待于改進和發(fā)展。
實用新型內(nèi)容
[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術的不足之處，本實用新型的目的在于提供一種變頻式黃金美容棒，以解決現(xiàn)有技術中美容棒都不可變頻的問題。
[0005]為了達到上述目的，本實用新型采取了以下技術方案:
[0006]一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體,及設置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其中，所述電路板包括:
[0007]用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊；
[0008]用于接收外部的頻率變化信號控制馬達轉(zhuǎn)速的使能模塊；
[0009]所述控制模塊連接所述使能模塊。
[0010]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述控制模塊包括MCU芯片、第一電阻、第二電阻、第一電容和可調(diào)電位器；所述MCU芯片的VDD端通過第一電阻連接電源端、還通過第一電容接地，MCU芯片的GP3/MCLR/VPP端連接可調(diào)電位器的第2腳和第3腳，可調(diào)電位器的第I腳和第4腳接地、第2腳還通過第二電阻連接MCU芯片的VDD端，MCU芯片的GP2/T0CK1端連接所述使能模塊，MCU芯片的GND端接地。
[0011]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述使能模塊包括第一 MOS管和第三電阻；所述第一 MOS管的柵極連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的源極連接電源端、還通過第三電阻連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的漏極為輸出端。
[0012]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第一電容為濾波電容。
[0013]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第一電阻的阻值為5R。
[0014]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第二電阻為分壓電阻，第二電阻的阻值為470千歐。
[0015]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述MCU芯片為PIC12F508型號或MDT10P53型號的MCU芯片。
[0016]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第一 MOS管為PMOS管。
[0017]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第三電阻為上拉電阻，第三電阻的阻值為4.7千歐。
[0018]相較于現(xiàn)有技術，本實用新型提供的變頻式黃金美容棒，可以通過尾部旋鈕，調(diào)整可變電位器，通過MCU芯片判斷可變電位器上的電壓變化，從而轉(zhuǎn)換成頻率的變化，通過高頻MOS管，控制馬達的震動頻率，從而實現(xiàn)了美容棒的變頻。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本實用新型所述變頻式黃金美容棒的結構框圖。
[0020]圖2為本實用新型所述變頻式黃金美容棒中控制模塊的電路圖。
[0021]圖3為本實用新型所述變頻式黃金美容棒中使能模塊的電路圖。

【具體實施方式】
[0022]本實用新型提供一種變頻式黃金美容棒，為使本實用新型的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本實用新型進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0023]請參閱圖1，其為本實用新型所述變頻式黃金美容棒的結構框圖，其包括一美容棒本體100，及設置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板200。所述電路板包括控制模塊210和使能模塊220，且所述控制模塊210連接所述使能模塊220。
[0024]其中，所述控制模塊210用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化，所述使能模塊220用于接收外部的頻率變化信號控制馬達轉(zhuǎn)速。
[0025]請同時參見圖2，其為本實用新型所述變頻式黃金美容棒中控制模塊的電路圖。在具體實施過程中，所述控制模塊310包括MCU芯片Ul、第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容Cl和可調(diào)電位器Kl ;所述MCU芯片Ul的VDD端通過第一電阻Rl連接電源端VCC、還通過第一電容Cl接地，MCU芯片Ul的GP3/MCLR/VPP端連接可調(diào)電位器Kl的第2腳和第3腳，可調(diào)電位器Kl的第I腳和第4腳接地、第2腳還通過第二電阻R2連接MCU芯片Ul的VDD端，MCU芯片Ul的GP2/T0CK1端連接所述使能模塊220，MCU芯片Ul的GND端接地。具體實施時所述MCU芯片為PIC12F508型號或MDT10P53型號的MCU芯片，可調(diào)電位器Kl為TD-24EA型號的電位器。
[0026]具體的，電源端提供3V的工作電壓。當所述控制模塊210接通3V的工作電壓時，通過MCU芯片Ul的GP3/MCLR/VPP端檢測可變電位器Kl的電阻值變化，根據(jù)可變電位器Kl阻值的變化調(diào)整PWM(Pulse Width Modulat1n，脈沖寬度調(diào)制)的頻率，從而實現(xiàn)變頻。本實用新型中，馬達的轉(zhuǎn)速范圍為0-7500r/min。
[0027]其中，第一電阻Rl和第一電容Cl為電源端濾波電路，能減少電源部分所引入的尖峰對MCU芯片Ul產(chǎn)生的誤差影響。最優(yōu)的，所述第一電阻Rl的阻值為5R，所述第一電容Cl的電容值為I微法。
[0028]第二電阻R2為分壓電阻，能分擔可變電位器Kl的部分電壓，使可變電位器Kl兩端的電壓在其額定電壓范圍之內(nèi)。最優(yōu)的，所述第二電阻R2的阻值為470千歐。
[0029]請參見圖3，其為本實用新型所述變頻式黃金美容棒中使能模塊的電路圖。在具體實施過程中，所述使能模塊220包括第一 MOS管Ml和第三電阻R3 ;所述第一 MOS管Ml的柵極連接MCU芯片Ul的GP2/T0CK1端，第一 MOS管Ml的源極連接電源端VCC、還通過第三電阻R3連接MCU芯片Ul的GP2/T0CK1端，第一 MOS管Ml的漏極為輸出端OUT。
[0030]具體實施時，所述第一 MOS管Ml為A03401型號的PMOS管，主要起開關作用。當?shù)谝?MOS管Ml的柵極輸入的控制信號為低電平時，該第一 MOS管Ml導通，使第一 MOS管Ml漏極連接的馬達開始工作；當?shù)谝?MOS管Ml的柵極輸入的控制信號為高電平，第一 MOS管Ml截止，將不會再影響電源端的輸入電平。
[0031]綜上所述，本實用新型公開了一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體，及設置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其中，所述電路板包括:用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊；用于接收外部的控制信號控制馬達工作的使能模塊；所述控制模塊連接所述使能模塊。本實用新型提供的變頻式黃金美容棒，可以通過尾部旋鈕，調(diào)整可變電位器，通過MCU芯片判斷可變電位器上的電壓變化，從而轉(zhuǎn)換成頻率的變化，通過高頻MOS管，控制馬達的震動頻率，從而實現(xiàn)了美容棒的變頻。
[0032]可以理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據(jù)本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應屬于本實用新型所附的權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體，及設置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其特征在于，所述電路板包括: 用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊； 用于接收外部的頻率變化信號控制馬達轉(zhuǎn)速的使能模塊； 所述控制模塊連接所述使能模塊。
2.根據(jù)權利要求1所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述控制模塊包括MCU芯片、第一電阻、第二電阻、第一電容和可調(diào)電位器；所述MCU芯片的VDD端通過第一電阻連接電源端、還通過第一電容接地，MCU芯片的GP3/MCLR/VPP端連接可調(diào)電位器的第2腳和第3腳，可調(diào)電位器的第I腳和第4腳接地、第2腳還通過第二電阻連接MCU芯片的VDD端，MCU芯片的GP2/T0CK1端連接所述使能模塊，MCU芯片的GND端接地。
3.根據(jù)權利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述使能模塊包括第一MOS管和第三電阻；所述第一 MOS管的柵極連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的源極連接電源端、還通過第三電阻連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的漏極為輸出端。
4.根據(jù)權利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第一電容為濾波電容。
5.根據(jù)權利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第一電阻的阻值為5R。
6.根據(jù)權利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第二電阻為分壓電阻，第二電阻的阻值為470千歐。
7.根據(jù)權利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述MCU芯片為PIC12F508型號或MDT10P53型號的MCU芯片。
8.根據(jù)權利要求3所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第一MOS管為PMOS管。
9.根據(jù)權利要求3所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第三電阻為上拉電阻，第三電阻的阻值為4.7千歐。
【文檔編號】A61H23/02GK204016810SQ201420411028
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權日:2014年7月24日
【發(fā)明者】廖植生 申請人:深圳市思肯三維科技發(fā)展有限公司