本發(fā)明涉及磁共振成像(以下稱為“MRI”)技術(shù)，特別地涉及降低高頻磁場(chǎng)(以下稱為“RF”)脈沖的照射不均勻的技術(shù)。

背景技術(shù)：

MRI裝置是主要利用了氫原子核的核磁共振現(xiàn)象的醫(yī)用圖像診斷裝置。

一般地，在對(duì)設(shè)置在靜磁場(chǎng)中的被檢體施加斷層梯度磁場(chǎng)的同時(shí)，照射具有特定頻率的RF脈沖，激勵(lì)想要拍攝的斷面內(nèi)的核磁化。接著，對(duì)通過相位編碼梯度磁場(chǎng)和讀取梯度磁場(chǎng)的施加而激勵(lì)的核磁化賦予平面位置信息，測(cè)量核磁化所產(chǎn)生的核磁共振信號(hào)(回波信號(hào))?；夭ㄐ盘?hào)對(duì)應(yīng)于平面位置信息而被填充在被稱為k空間的測(cè)量空間中，通過傅里葉逆變換而被圖像化。

近年來，為了提高圖像的SN比，推進(jìn)MRI裝置的高磁場(chǎng)化，且推進(jìn)具有3T以上的靜磁場(chǎng)強(qiáng)度的裝置的普及。在高磁場(chǎng)裝置中能夠獲得高對(duì)比度的圖像，然而有時(shí)會(huì)在圖像中出現(xiàn)不均。作為該圖像不均的原因，可列舉：對(duì)攝像區(qū)域照射RF脈沖的發(fā)送線圈在攝像區(qū)域中形成的旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的不均。將其稱作發(fā)送靈敏度分布(B1分布)的不均。

由于當(dāng)隨著高磁場(chǎng)化，所照射的電磁波的磁共振頻率變高時(shí)，在生物體內(nèi)的電磁波的波長(zhǎng)變得與生物體的大小幾乎同等規(guī)模，電磁波的相位發(fā)生變化等理由，導(dǎo)致發(fā)生了B1分布的不均。

作為降低B1分布不均的方法，有RF勻場(chǎng)，其使用具有多個(gè)通道的發(fā)送線圈，控制對(duì)各通道施加的RF脈沖的相位和振幅來降低攝像區(qū)域的B1分布的不均。在RF勻場(chǎng)中，根據(jù)各通道所作出的B1分布來決定對(duì)各通道施加的相位和振幅(以下稱為“RF勻場(chǎng)參數(shù)”)。

例如，取得翻轉(zhuǎn)角不同的多張圖像，并利用對(duì)每個(gè)脈沖序列而定義的圖像信號(hào)強(qiáng)度的理論式來對(duì)取得的圖像信號(hào)進(jìn)行擬合，由此來計(jì)算各通道的B1分布(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開第2011/155461號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

B1分布依賴于被檢體的體型或組織結(jié)構(gòu)等，因此需要針對(duì)每個(gè)被檢體、每個(gè)攝像部位來測(cè)量各通道的B1分布。B1分布的計(jì)算需要花費(fèi)預(yù)定的時(shí)間，因此攝像時(shí)間延長(zhǎng)。

但是，從反面來說，如果是相同體型的被檢體，則對(duì)于頭部、腹部等每個(gè)攝像部位來說B1分布幾乎等同。利用這一點(diǎn)，有如下方法：以標(biāo)準(zhǔn)體型的被檢體配置在磁場(chǎng)中心為前提，預(yù)先針對(duì)每個(gè)部位計(jì)算B1分布并登記基于此而決定出的每個(gè)通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)，在攝像時(shí)使用該登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)。由此，在攝像時(shí)不必計(jì)算B1分布而能夠縮短攝像時(shí)間。但是，在與上述前提相差甚遠(yuǎn)的狀態(tài)的攝像、相差甚遠(yuǎn)的體型的被檢體的攝像中，無法進(jìn)行精度高的RF勻場(chǎng)。即攝像方式的制約較大。

本發(fā)明是鑒于上述情況而作出的，目的在于提供一種在MRI裝置中不論被檢體和攝像方式如何均短時(shí)間地進(jìn)行高精度的RF勻場(chǎng)，得到高品質(zhì)圖像的技術(shù)。

用于解決課題的手段

本發(fā)明具備數(shù)據(jù)庫(kù)，其在將計(jì)算出勻場(chǎng)參數(shù)的狀態(tài)設(shè)為被檢體的基準(zhǔn)狀態(tài)時(shí)，預(yù)先保存與相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化對(duì)應(yīng)的勻場(chǎng)參數(shù)，在攝像時(shí)，使用對(duì)應(yīng)于相對(duì)于該基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量所最接近的變化量在數(shù)據(jù)庫(kù)中登記的勻場(chǎng)參數(shù)。數(shù)據(jù)庫(kù)中登記有根據(jù)過去實(shí)測(cè)出的結(jié)果而計(jì)算出的勻場(chǎng)參數(shù)。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，在MRI裝置中，不論被檢體和攝像方式如何，均能夠短時(shí)間地進(jìn)行高精度的RF勻場(chǎng)，并能夠獲得高品質(zhì)的圖像。

附圖說明

圖1是第一實(shí)施方式的MRI裝置的框圖。

圖2是第一實(shí)施方式的控制處理系統(tǒng)的功能框圖。

圖3是用于說明第一實(shí)施方式的位移量計(jì)算方法的說明圖。

圖4(a)和圖4(b)是用于說明第一實(shí)施方式的勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)例子的說明圖。

圖5是用于說明第二實(shí)施方式的擴(kuò)大率計(jì)算方法的說明圖。

圖6(a)至圖6(c)是用于說明第二實(shí)施方式的勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)例子的說明圖。

圖7是用于說明第三實(shí)施方式的位移量計(jì)算位置的例子的說明圖。

圖8是用于說明第三實(shí)施方式的勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)的勻場(chǎng)信息表的例子的說明圖。

圖9是用于說明第四實(shí)施方式的概要的說明圖。

圖10是用于說明第四實(shí)施方式的勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)的勻場(chǎng)信息表的例子的說明圖。

圖11是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例之一的照射范圍的說明圖。

圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例之二以及變形例之三的控制處理系統(tǒng)的功能框圖。

圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例之二的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理的流程圖。

圖14(a)和圖14(b)是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例之三的顯示畫面例的說明圖。

圖15是本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例之三的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理的流程圖。

圖16是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例之五的靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的說明圖。

具體實(shí)施方式

《第一實(shí)施方式》

說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。以下，在用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的全部附圖中，只要沒有特別的說明，均對(duì)具有相同功能的部件賦予相同的符號(hào)，并省略其重復(fù)的說明。

[MRI裝置的結(jié)構(gòu)]

首先，根據(jù)圖1說明MRI裝置的一例的整體概要。圖1是表示本MRI裝置100的一例的整體結(jié)構(gòu)的框圖。

本實(shí)施方式的MRI裝置100利用NMR現(xiàn)象來獲得被檢體的斷層圖像，如圖1所示，具備：靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)120、梯度磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)130、高頻磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)(以下稱為發(fā)送系統(tǒng))150、高頻磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)(以下稱為接收系統(tǒng))160、控制處理系統(tǒng)170以及定序器140。

靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)120，如果是垂直磁場(chǎng)方式，則在被檢體101的周圍的空間中在與其體軸(中心軸)垂直的方向上產(chǎn)生均勻的靜磁場(chǎng)，如果是水平磁場(chǎng)方式，則在體軸方向上產(chǎn)生均勻的靜磁場(chǎng)，具備配置在被檢體101的周圍的永磁方式、正常導(dǎo)電方式或超導(dǎo)電方式的靜磁場(chǎng)發(fā)生源。

梯度磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)130具備在MRI裝置100的坐標(biāo)系(裝置坐標(biāo)系)即X、Y、Z三軸方向上卷繞的梯度磁場(chǎng)線圈131、以及驅(qū)動(dòng)各個(gè)梯度磁場(chǎng)線圈的梯度磁場(chǎng)電源132，按照來自后述的定序器140的命令驅(qū)動(dòng)各個(gè)梯度磁場(chǎng)線圈131的梯度磁場(chǎng)電源132，由此在X、Y、Z三軸方向上施加梯度磁場(chǎng)Gx、Gy、Gz。

在攝像時(shí)，在與斷層面(攝像斷面)垂直的方向上施加斷層方向梯度磁場(chǎng)脈沖，設(shè)定對(duì)被檢體101的斷層面，并在與該斷層面垂直且相互垂直的剩余的兩個(gè)方向上施加相位編碼方向梯度磁場(chǎng)脈沖和頻率編碼方向梯度磁場(chǎng)脈沖，在回波信號(hào)中對(duì)各個(gè)方向的位置信息進(jìn)行編碼。

發(fā)送系統(tǒng)150，為了使構(gòu)成被檢體101的生物體組織的原子的原子核自旋發(fā)生核磁共振，對(duì)被檢體101照射高頻磁場(chǎng)脈沖(RF脈沖)，具備高頻振蕩器(合成器)152、調(diào)制器153、高頻放大器154以及發(fā)送側(cè)的高頻線圈(發(fā)送線圈)151。高頻振蕩器152生成并輸出RF脈沖。調(diào)制器153以基于來自定序器140的指令的定時(shí)對(duì)所輸出的RF脈沖進(jìn)行振幅調(diào)制，高頻放大器154將該振幅調(diào)制后的RF脈沖放大，并供給到靠近被檢體101配置的發(fā)送線圈151。發(fā)送線圈151將所供給的RF脈沖照射到被檢體101上。

在本實(shí)施方式中，發(fā)送線圈151設(shè)為由多個(gè)子線圈構(gòu)成的多通道線圈。通過調(diào)制器153，針對(duì)每個(gè)通道，經(jīng)由定序器140將RF脈沖調(diào)制為由控制處理系統(tǒng)170指示的相位和振幅并輸出。如本圖所示，高頻放大器154針對(duì)每個(gè)通道而設(shè)置，并將從調(diào)制器153輸出的每個(gè)通道的RF脈沖放大，并供給到發(fā)送線圈151的各個(gè)通道。在圖1中，作為一例，示出了通道數(shù)為4的情況。

接收系統(tǒng)160檢測(cè)通過構(gòu)成被檢體101的生物體組織的原子核自旋的核磁共振而放出的核磁共振信號(hào)(NMR信號(hào)、回波信號(hào))，具備接收側(cè)的高頻線圈(接收線圈)161、信號(hào)放大器162、正交相位檢波器163以及A/D轉(zhuǎn)換器164。接收線圈161靠近被檢體101而配置，檢測(cè)通過從發(fā)送線圈151照射的電磁波而感應(yīng)的被檢體101的應(yīng)答的回波信號(hào)。檢測(cè)到的回波信號(hào)在通過信號(hào)放大器162被放大后，在基于來自定序器140的指令的定時(shí)，通過正交相位檢波器163被分割為正交的二系統(tǒng)信號(hào)，各自通過A/D轉(zhuǎn)換器164而轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，傳送給控制處理系統(tǒng)170。

定序器140按照來自控制處理系統(tǒng)170的指示，施加RF脈沖和梯度磁場(chǎng)脈沖。具體地，按照來自控制處理系統(tǒng)170的指示，將被檢體101的斷層圖像的數(shù)據(jù)收集所需要的各種命令發(fā)送給發(fā)送系統(tǒng)150、梯度磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)130以及接收系統(tǒng)160。

控制處理系統(tǒng)170進(jìn)行MRI裝置100整體的控制、各種數(shù)據(jù)處理等運(yùn)算、處理結(jié)果的顯示和保存等?？刂铺幚硐到y(tǒng)170上連接有存儲(chǔ)裝置172、顯示裝置173以及輸入裝置174。存儲(chǔ)裝置172由硬盤等內(nèi)部存儲(chǔ)裝置、以及外接硬盤、光盤、磁盤等外部存儲(chǔ)裝置構(gòu)成。顯示裝置173是CRT、液晶等顯示器裝置。輸入裝置174是MRI裝置100的各種控制信息、由控制處理系統(tǒng)170進(jìn)行的處理的控制信息的輸入接口，例如具備跟蹤球(trackball)、或者鼠標(biāo)和鍵盤。輸入裝置174靠近顯示裝置173而配置。操作者一邊觀看顯示裝置173，一邊通過輸入裝置174交互地輸入MRI裝置100的各種處理所需要的指示、數(shù)據(jù)。

控制處理系統(tǒng)170按照操作者所輸入的指示，由CPU171將存儲(chǔ)裝置172中預(yù)先保存的程序載入到存儲(chǔ)器中并執(zhí)行，由此實(shí)現(xiàn)MRI裝置100的動(dòng)作的控制、各種數(shù)據(jù)處理等各個(gè)處理。按照預(yù)先保存在存儲(chǔ)裝置中的脈沖序列來進(jìn)行對(duì)上述定序器140的指示。此外，當(dāng)來自接收系統(tǒng)160的數(shù)據(jù)被輸入到控制處理系統(tǒng)170時(shí)，控制處理系統(tǒng)170執(zhí)行信號(hào)處理、圖像重構(gòu)處理等，作為結(jié)果，在顯示裝置173中顯示被檢體101的斷層像，并且在存儲(chǔ)裝置172中進(jìn)行存儲(chǔ)。

此外，控制處理系統(tǒng)170要實(shí)現(xiàn)的全部或一部分功能可以通過ASIC(專用集成電路，Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編輯門陣列，F(xiàn)ield-programmable gate array)等硬件而實(shí)現(xiàn)。此外，在各功能的處理中使用的各種數(shù)據(jù)、處理中生成的各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置172中。

發(fā)送線圈151與梯度磁場(chǎng)線圈131，在插入了被檢體101的靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)120的靜磁場(chǎng)空間內(nèi)，如果是垂直磁場(chǎng)方式則設(shè)置為與被檢體101對(duì)置，如果是水平磁場(chǎng)方式則設(shè)置為環(huán)繞被檢體101。此外，接收線圈161設(shè)置為與被檢體101對(duì)置或者環(huán)繞被檢體101。

當(dāng)前，MRI裝置的攝像對(duì)象核素中，在臨床上普及的是被檢體101的主要構(gòu)成物質(zhì)即氫原子核(質(zhì)子)。在MRI裝置100中，將與質(zhì)子密度的空間分布、激發(fā)態(tài)的弛豫時(shí)間的空間分布相關(guān)的信息圖像化，由此，對(duì)人體頭部、腹部、四肢等的形態(tài)或功能進(jìn)行二維或三維地拍攝。

[控制處理系統(tǒng)的功能結(jié)構(gòu)]

在本實(shí)施方式中，在攝像時(shí)(回波信號(hào)測(cè)量時(shí))的RF勻場(chǎng)(shimming)中，不計(jì)算B1分布。因此，具備：針對(duì)被檢體相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)發(fā)生的每一個(gè)變化量，登記RF勻場(chǎng)參數(shù)(RF脈沖的強(qiáng)度和相位)的數(shù)據(jù)庫(kù)。在攝像時(shí)，從該數(shù)據(jù)庫(kù)提取RF勻場(chǎng)參數(shù)，將其應(yīng)用于脈沖序列的RF脈沖。

此外，以下，在本說明書中，如上所述，基準(zhǔn)狀態(tài)是指將標(biāo)準(zhǔn)體型的被檢體在磁場(chǎng)中心配置為預(yù)先決定的方向(例如，體軸為磁場(chǎng)方向的方向)的狀態(tài)。

本實(shí)施方式的控制處理系統(tǒng)170為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，如圖2所示，具備測(cè)量控制部210和勻場(chǎng)參數(shù)決定部220。

[勻場(chǎng)參數(shù)決定部]

勻場(chǎng)參數(shù)決定部220決定從發(fā)送線圈151的各通道照射的高頻磁場(chǎng)脈沖(RF脈沖)的RF勻場(chǎng)參數(shù)。將勻場(chǎng)參數(shù)設(shè)為RF脈沖的振幅(強(qiáng)度)和相位的至少之一。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，本實(shí)施方式的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220勻場(chǎng)參數(shù)決定部220具備變化量計(jì)算部221、勻場(chǎng)參數(shù)提取部222以及勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)(勻場(chǎng)DB)300。

[變化量計(jì)算部]

變化量計(jì)算部221計(jì)算為了攝像而配置的被檢體101的預(yù)定區(qū)域的、所配置的狀態(tài)相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量。在本實(shí)施方式中，將預(yù)定區(qū)域設(shè)為包含靜磁場(chǎng)中心的面上的被檢體101的斷面區(qū)域，作為相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量，使用該預(yù)定區(qū)域(被檢體101的斷面區(qū)域)的重心位置相距靜磁場(chǎng)中心的位移量。

即，在本實(shí)施方式中，將被檢體101的攝像斷面的中心位于靜磁場(chǎng)中心的狀態(tài)設(shè)為基準(zhǔn)狀態(tài)，變化量計(jì)算部221計(jì)算攝像時(shí)的攝像斷面相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的位移量。

以下，在本說明書中，使用如下坐標(biāo)系，即將靜磁場(chǎng)中心設(shè)為原點(diǎn)，將靜磁場(chǎng)方向設(shè)為z軸，在與該z軸垂直的面上，將與載置被檢體101的床平行的方向設(shè)為x軸，將與其垂直的方向設(shè)為y軸。

位移量計(jì)算部221，在配置了被檢體101后在實(shí)施定位攝像而得到的定位圖像上計(jì)算位移量。作為定位圖像，例如使用在設(shè)被檢體101的體軸方向?yàn)殪o磁場(chǎng)方向的情況下的軸向圖像(AX圖像)。然后，在該AX圖像上，通過計(jì)算被檢體101的重心的x坐標(biāo)和y坐標(biāo)來得到位移量。

使用圖3說明位移量的計(jì)算。在圖3中，MFC是靜磁場(chǎng)中心，GC是被檢體101的攝像斷面的重心位置。

例如，在AX圖像上，分別確定x軸方向的最大的x坐標(biāo)Xmax和最小的x坐標(biāo)Xmin，使用兩者，將x軸方向的位移量(Δx)計(jì)算為Δx＝(Xmax+Xmin)/2。

y軸方向的位移量也同樣地，分別確定y軸方向的最大的y坐標(biāo)Ymax和最小的y坐標(biāo)Ymin，使用兩者，計(jì)算為Δy＝(Ymax+Ymin)/2。

此外，通過圖像處理來確定各軸方向的最大的坐標(biāo)值和最小的坐標(biāo)值。

[勻場(chǎng)DB]

勻場(chǎng)DB300是對(duì)應(yīng)于被檢體101的預(yù)定區(qū)域的相對(duì)于預(yù)先決定的基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量，登記有從發(fā)送線圈151的各通道照射的RF脈沖的RF勻場(chǎng)參數(shù)的數(shù)據(jù)庫(kù)。勻場(chǎng)DB300被構(gòu)筑在存儲(chǔ)裝置172中。

在本實(shí)施方式的勻場(chǎng)DB300中，基本上登記有被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的每個(gè)位移量的、各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)。圖4(a)和圖4(b)中示出了該勻場(chǎng)DB300的例子。

在本實(shí)施方式中，以由針對(duì)被檢體101的相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的每個(gè)位移量賦予識(shí)別代碼來存儲(chǔ)的位移量表311、以及針對(duì)每個(gè)位移量存儲(chǔ)各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)的勻場(chǎng)信息表312而構(gòu)成勻場(chǎng)DB300的情況為例，進(jìn)行說明。

在位移量表311中，針對(duì)x方向和y方向的每個(gè)位移量311b，登記有用于確定位移量的識(shí)別代碼(代碼1)311a。在本實(shí)施方式中，針對(duì)每個(gè)測(cè)量部位311c登記有位移量311b。

在勻場(chǎng)信息表312中，針對(duì)用于確定位移量的每個(gè)識(shí)別代碼(代碼1)312a，登記有對(duì)各個(gè)通道給出的RF脈沖的強(qiáng)度和相位作為RF勻場(chǎng)參數(shù)312b。針對(duì)每個(gè)通道登記通道數(shù)的RF勻場(chǎng)參數(shù)312b。

此外，勻場(chǎng)DB300也可以不分割為位移量表311和勻場(chǎng)信息表312。也可以由針對(duì)各測(cè)量部位311c的每個(gè)位移量311b登記有各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)312b的一個(gè)表格來構(gòu)成。

此外，通過蓄積在過去各個(gè)變化方式中攝像時(shí)計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)，來生成勻場(chǎng)DB300。

[勻場(chǎng)參數(shù)提取部]

勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取出對(duì)應(yīng)于與計(jì)算出的變化量最接近的值在所述勻場(chǎng)DB300中登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)。在本實(shí)施方式中，提取出對(duì)應(yīng)于與變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量最接近的位移量311b在勻場(chǎng)DB300中登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)312b。

首先，訪問位移量表311，確定對(duì)應(yīng)于與變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量最接近的位移量311b所登記的識(shí)別代碼(代碼1)311a。然后，訪問勻場(chǎng)信息表312，提取出對(duì)應(yīng)于與識(shí)別代碼(代碼1)311a一致的識(shí)別代碼(代碼1)312a所登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)312b。

所謂最接近的位移量，例如設(shè)為x方向和y方向各自的存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中的位移量311b與計(jì)算出的位移量之間的差的平方和為最小的位移量。

本實(shí)施方式的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將勻場(chǎng)參數(shù)提取部222所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

[測(cè)量控制部]

測(cè)量控制部210使用由勻場(chǎng)參數(shù)決定部220決定出的RF勻場(chǎng)參數(shù)，測(cè)量從所述被檢體101產(chǎn)生的回波信號(hào)。即，將從各通道照射的RF脈沖的強(qiáng)度和相位作為所提取的RF勻場(chǎng)參數(shù)的值，進(jìn)行回波信號(hào)的測(cè)量。

如以上所說明的那樣，本實(shí)施方式的MRI裝置具備：具有向配置在靜磁場(chǎng)中的被檢體101照射由預(yù)先決定的RF勻場(chǎng)參數(shù)而確定的高頻磁場(chǎng)脈沖的多個(gè)通道的發(fā)送線圈151；勻場(chǎng)參數(shù)決定部220，其決定從所述各個(gè)通道照射的高頻磁場(chǎng)脈沖的RF勻場(chǎng)參數(shù)；以及測(cè)量控制部210，其使用由所述勻場(chǎng)參數(shù)決定部決定出的RF勻場(chǎng)參數(shù)來測(cè)定從所述被檢體產(chǎn)生的回波信號(hào)，其中，所述勻場(chǎng)參數(shù)決定部220具備：勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)(勻場(chǎng)DB)300，其對(duì)應(yīng)于所述被檢體101的預(yù)定區(qū)域和預(yù)先決定的基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量，登記有從所述各通道照射的所述高頻磁場(chǎng)脈沖的所述RF勻場(chǎng)參數(shù)；變化量計(jì)算部221，其計(jì)算所述被檢體101的預(yù)定區(qū)域的變化量；以及勻場(chǎng)參數(shù)提取部222，其提取對(duì)應(yīng)于與所述計(jì)算出的變化量最接近的值而在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)中登記的所述RF勻場(chǎng)參數(shù)。

此外，所述預(yù)定區(qū)域是包含所述靜磁場(chǎng)中心的面上的區(qū)域，所述變化量是所述預(yù)定區(qū)域的重心位置相對(duì)于所述靜磁場(chǎng)的中心的位移量。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，作為勻場(chǎng)DB300，預(yù)先登記有被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量所對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)，在攝像時(shí)使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行回波信號(hào)的測(cè)量。如上所述，相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量是被檢體101的攝像斷面的重心位置相對(duì)于靜磁場(chǎng)中心的位移量。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，在攝像斷面相對(duì)于靜磁場(chǎng)中心發(fā)生了移位的方式下，即使配置有被檢體101，也能夠得到最適合于該配置的RF勻場(chǎng)參數(shù)，而不計(jì)算B1分布來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)。因此，能夠不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布而高精度地進(jìn)行RF勻場(chǎng)。因此，能夠不降低精度地縮短整體的攝像時(shí)間。

此外，在本實(shí)施方式中，計(jì)算在通過靜磁場(chǎng)中心的斷面上的位移量，并從數(shù)據(jù)庫(kù)中提取RF勻場(chǎng)參數(shù)，然而，斷面并不受限于此。在生成勻場(chǎng)DB300時(shí)所使用的斷面上，計(jì)算相對(duì)于在生成勻場(chǎng)DB300時(shí)用作基準(zhǔn)的重心位置的位移量即可。

《第二實(shí)施方式》

說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，在勻場(chǎng)DB300中登記與相對(duì)于基準(zhǔn)體型(標(biāo)準(zhǔn)體型)的變化量(與基準(zhǔn)體型的差異)對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)，來代替被檢體相對(duì)于基準(zhǔn)位置的位移量。

本實(shí)施方式的MRI裝置基本上與第一實(shí)施方式的MRI裝置具有相同的結(jié)構(gòu)。此外，控制處理系統(tǒng)170的功能模塊也基本上與第一實(shí)施方式相同。但是，在本實(shí)施方式中，變化量計(jì)算部221計(jì)算被檢體101的體型與基準(zhǔn)體型的差異，來代替位移量。此外，勻場(chǎng)DB300所保持的信息也是與基準(zhǔn)體型的每個(gè)差異的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

以下，著眼于與第一實(shí)施方式的差異結(jié)構(gòu)來說明本實(shí)施方式。

[變化量計(jì)算部]

在本實(shí)施方式中，將相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量設(shè)為被檢體101的體型相對(duì)于預(yù)先決定的基準(zhǔn)體型的變化量(差異)。本實(shí)施方式的變化量計(jì)算部221在定位圖像上計(jì)算該變化量。以使用在將被檢體101的體軸方向設(shè)為靜磁場(chǎng)方向時(shí)的軸向圖像(AX圖像)作為定位圖像的情況為例，說明變化量的計(jì)算方法。

圖5是用于說明基于本實(shí)施方式的變化量計(jì)算部221的變化量計(jì)算的說明圖。在本圖中，GC是被檢體101的攝像斷面的重心位置。

計(jì)算被檢體101的該攝像斷面的x軸方向最大直徑的一半的長(zhǎng)度Xb、y軸方向的最大直徑的一半的長(zhǎng)度Yb，并分別計(jì)算相對(duì)于基準(zhǔn)體型的該Xa、Ya的擴(kuò)大率(Xb/Xa、Yb/Ya)。

關(guān)于Xb，與第一實(shí)施方式同樣地，分別確定x軸方向的最大的x坐標(biāo)Xmax和最小的x坐標(biāo)Xmin，使用兩者計(jì)算為Xb＝(Xmax-Xmin)/2)。

此外，關(guān)于Yb，與第一實(shí)施方式同樣地，分別確定y軸方向的最大的y坐標(biāo)Ymax和最小的y坐標(biāo)Ymin，使用兩者計(jì)算為Yb＝(Ymax-Ymin)/2)。

與第一實(shí)施方式同樣地，通過圖像處理來確定各軸方向的最大坐標(biāo)值和最小坐標(biāo)值。設(shè)基準(zhǔn)體型的最大直徑Xa、Ya為已知。

[勻場(chǎng)DB]

與第一實(shí)施方式的勻場(chǎng)DB300同樣地，本實(shí)施方式的勻場(chǎng)DB300是對(duì)應(yīng)于被檢體101的預(yù)定區(qū)域的相對(duì)于預(yù)先決定的基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量，登記有從發(fā)送線圈151的各通道照射的RF脈沖的RF勻場(chǎng)參數(shù)的數(shù)據(jù)庫(kù)。

在本實(shí)施方式中，在勻場(chǎng)DB300中登記有被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)體型的每個(gè)擴(kuò)大率的、各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)。圖6(a)和圖6(b)中示出了該勻場(chǎng)DB300的例子。

在本實(shí)施方式中，以由針對(duì)被檢體101的相對(duì)于基準(zhǔn)體型的每個(gè)擴(kuò)大率賦予識(shí)別代碼來存儲(chǔ)的擴(kuò)大率表321、以及針對(duì)每個(gè)擴(kuò)大率存儲(chǔ)各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)的勻場(chǎng)信息表322而構(gòu)成勻場(chǎng)DB300的情況為例，進(jìn)行說明。

在擴(kuò)大率表321中，針對(duì)x方向和y方向的每個(gè)擴(kuò)大率321b，登記有用于確定擴(kuò)大率的識(shí)別代碼(代碼2)321a。此外，如本圖所示，擴(kuò)大率321b也可以與被檢體101的身高、體重這樣的身體數(shù)據(jù)321c一起被存儲(chǔ)。

在勻場(chǎng)信息表322中，針對(duì)用于確定擴(kuò)大率的每個(gè)識(shí)別代碼(代碼2)322a，登記有對(duì)各個(gè)通道施加的RF脈沖的強(qiáng)度和相位作為RF勻場(chǎng)參數(shù)322b。針對(duì)每個(gè)通道登記通道數(shù)的RF勻場(chǎng)參數(shù)322b。

在本實(shí)施方式中，勻場(chǎng)DB300可以不分割為擴(kuò)大率表321和勻場(chǎng)信息表322，可以由一個(gè)表構(gòu)成。

[勻場(chǎng)參數(shù)提取部]

與第一實(shí)施方式同樣地，勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取出對(duì)應(yīng)于與由變化量計(jì)算部221計(jì)算出的擴(kuò)大率最接近的值而在勻場(chǎng)DB300中登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

首先，訪問擴(kuò)大率表321，確定對(duì)應(yīng)于與變化量計(jì)算部221計(jì)算出的擴(kuò)大率最接近的擴(kuò)大率321b所登記的識(shí)別代碼(代碼2)321a。然后，訪問勻場(chǎng)信息表322，提取對(duì)應(yīng)于與識(shí)別代碼(代碼2)321a一致的識(shí)別代碼(代碼2)322a所登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)322b。

所謂最接近的擴(kuò)大率，例如設(shè)為x方向和y方向各自的存儲(chǔ)在擴(kuò)大率表321中的擴(kuò)大率321b與計(jì)算出的擴(kuò)大率之間的差的平方和為最小的擴(kuò)大率。

本實(shí)施方式的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將勻場(chǎng)參數(shù)提取部222所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

測(cè)量控制部210的處理，與第一實(shí)施方式相同。

如以上所說明的那樣，與第一實(shí)施方式相同地，本實(shí)施方式的MRI裝置具備：發(fā)送線圈151、測(cè)量控制部210以及勻場(chǎng)參數(shù)決定部220，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220具備：勻場(chǎng)DB300、變化量計(jì)算部221以及勻場(chǎng)參數(shù)提取部222。所述相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量是所述被檢體的體型相對(duì)于預(yù)先決定的基準(zhǔn)體型的變化量。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，作為勻場(chǎng)DB300，預(yù)先登記有被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量所對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)，在攝像時(shí)使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行回波信號(hào)的測(cè)量。如上所述，相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量是被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)體型的擴(kuò)大率。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，即使在被檢體101的體型相對(duì)于基準(zhǔn)體型而不同的情況下，也能夠得到最適合的RF勻場(chǎng)參數(shù)，而不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)。因此，能夠不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布地，高精度地進(jìn)行RF勻場(chǎng)。因此，能夠不降低精度地縮短整體的攝像時(shí)間。

此外，可以將本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相組合。即，變化量計(jì)算部221計(jì)算位移量和擴(kuò)大率，并在勻場(chǎng)DB300中登記每個(gè)位移量和擴(kuò)大率的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

在該情況下，勻場(chǎng)DB300具備圖4(a)所示的位移量表311、圖6(a)所示的擴(kuò)大率表321以及圖6(c)所示的勻場(chǎng)信息表323。如本圖所示，在勻場(chǎng)信息表323中，與確定位移量的識(shí)別代碼(代碼1)323a和確定擴(kuò)大率的識(shí)別代碼(代碼2)323b的組合對(duì)應(yīng)地登記有RF勻場(chǎng)參數(shù)323c。

勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取位移量和擴(kuò)大率兩者最接近的記錄的RF勻場(chǎng)參數(shù)，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將該提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

此外，在本實(shí)施方式中，也與第一實(shí)施方式同樣地，用于計(jì)算擴(kuò)大率的斷面不限于通過靜磁場(chǎng)中心。

《第三實(shí)施方式》

說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，計(jì)算在靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的變化量。

本實(shí)施方式的MRI裝置基本上與第一實(shí)施方式的MRI裝置100具有相同的結(jié)構(gòu)。此外，控制處理系統(tǒng)170的功能模塊也基本上與第一實(shí)施方式相同。但是，在本實(shí)施方式中，變化量計(jì)算部221計(jì)算在靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的變化量。此外，勻場(chǎng)DB300所保持的信息也是在各位置的變化量的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

以下，著眼于與第一實(shí)施方式的差異結(jié)構(gòu)來說明本實(shí)施方式。

[變化量計(jì)算部]

如圖7所示，本實(shí)施方式的變化量計(jì)算部221在靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置(z＝z11、z12、z13)計(jì)算變化量。各位置是預(yù)先決定的。即，在各位置取得與靜磁場(chǎng)方向垂直的斷面的定位圖像，在各個(gè)定位圖像上計(jì)算變化量。

以下，在本實(shí)施方式中，以計(jì)算被檢體101的該定位圖像上的斷面的重心位置相對(duì)于x＝0、y＝0的位置的位移量作為變化量的情況為例，進(jìn)行說明。即，在本實(shí)施方式中，基準(zhǔn)狀態(tài)是被檢體101的體軸通過靜磁場(chǎng)中心且平行于靜磁場(chǎng)方向的狀態(tài)。此外，在各定位圖像上的位移量的計(jì)算方法，與第一實(shí)施方式相同。

[勻場(chǎng)DB]

在本實(shí)施方式的勻場(chǎng)DB300中，對(duì)應(yīng)于在靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置(z＝z1、z2、z3)的變化量，登記有RF勻場(chǎng)參數(shù)。圖4(a)和圖8中示出了該勻場(chǎng)DB300的例子。

在本實(shí)施方式中，列舉由針對(duì)被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的每個(gè)位移量賦予識(shí)別代碼來存儲(chǔ)的位移量表311、以及針對(duì)每個(gè)位移量存儲(chǔ)各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)的勻場(chǎng)信息表332而構(gòu)成勻場(chǎng)DB300的情況為例，進(jìn)行說明。

在本實(shí)施方式的勻場(chǎng)信息表332中，針對(duì)用于確定每個(gè)位置(z＝z11、z12、z13)的變化量的識(shí)別代碼(代碼1)332a的每個(gè)組，登記有RF勻場(chǎng)參數(shù)322b。針對(duì)每個(gè)通道登記通道數(shù)的RF勻場(chǎng)參數(shù)322b。

在本實(shí)施方式中，勻場(chǎng)DB300可以不分割為位移量表311和勻場(chǎng)信息表332，可以由一個(gè)表構(gòu)成。

[勻場(chǎng)參數(shù)提取部]

勻場(chǎng)參數(shù)提取部222，針對(duì)各位置，分別從位移量表311中提取對(duì)應(yīng)于與變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量最接近的位移量所登記的識(shí)別代碼(代碼1)311a。最接近的位移量，與第一實(shí)施方式相同。

然后，從勻場(chǎng)信息表332中提取與各位置的識(shí)別代碼(代碼1)311a的組一致的記錄的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

與第一實(shí)施方式相同地，本實(shí)施方式的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將勻場(chǎng)參數(shù)提取部222所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

測(cè)量控制部210的處理與第一實(shí)施方式相同。

如以上說明的那樣，與第一實(shí)施方式相同地，本實(shí)施方式的MRI裝置具備：發(fā)送線圈151、測(cè)量控制部210以及勻場(chǎng)參數(shù)決定部220，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220具備：勻場(chǎng)DB300、變化量計(jì)算部221以及勻場(chǎng)參數(shù)提取部222。此外，在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中，對(duì)應(yīng)于在所述靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的所述變化量登記有所述RF勻場(chǎng)參數(shù)，所述變化量計(jì)算部221計(jì)算在所述多個(gè)位置的所述變化量。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，作為勻場(chǎng)DB300，預(yù)先登記有被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量所對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)，在攝像時(shí)使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行回波信號(hào)的測(cè)量。如上所述，相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量是被檢體101的靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的位移量。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，即使在被檢體101的配置方向偏離基準(zhǔn)狀態(tài)的情況下，例如，即使是被檢體101被傾斜地配置在MRI裝置100的床上且被檢體101的體軸方向偏離靜磁場(chǎng)方向的情況下，也能夠得到最合適的RF勻場(chǎng)參數(shù)，而不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)。因此，能夠不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布地，高精度地進(jìn)行RF勻場(chǎng)。因此，能夠不降低精度地縮短整體的攝像時(shí)間。

此外，在上述實(shí)施方式中，在勻場(chǎng)DB300中，與多個(gè)定位圖像各自的位移量對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)有RF勻場(chǎng)參數(shù)，但是不限于此。也可以如第二實(shí)施方式那樣，對(duì)應(yīng)于擴(kuò)大率而存儲(chǔ)RF勻場(chǎng)參數(shù)。這種情況下，與第二實(shí)施方式相同地，變化量計(jì)算部221在各位置取得的定位圖像上計(jì)算被檢體101的擴(kuò)大率。

此外，還可以在勻場(chǎng)DB300中，對(duì)應(yīng)于位移量和擴(kuò)大率兩者存儲(chǔ)RF勻場(chǎng)參數(shù)。這種情況下，變化量計(jì)算部221在各定位圖像上計(jì)算位移量和擴(kuò)大率兩者。

《第四實(shí)施方式》

接著，說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，針對(duì)靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的每一個(gè)，在勻場(chǎng)DB中登記與變化量對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

本實(shí)施方式的MRI裝置基本上與第一實(shí)施方式的MRI裝置100具有相同的結(jié)構(gòu)。此外，控制處理系統(tǒng)170的功能結(jié)構(gòu)也基本上與第一實(shí)施方式相同。但是，在本實(shí)施方式中，位移量計(jì)算部221還取得要計(jì)算變化量的斷面的靜磁場(chǎng)方向的位置的信息。此外，勻場(chǎng)DB300所保持的信息也是與每個(gè)位置的變化量相對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)?；鶞?zhǔn)狀態(tài)是在靜磁場(chǎng)方向的各位置，被檢體101的斷面的重心位置位于x＝0、y＝0的位置的狀態(tài)。

以下，著眼于與第一實(shí)施方式的差異結(jié)構(gòu)來說明本實(shí)施方式。

首先，說明本實(shí)施方式的概要。圖9是用于說明本實(shí)施方式的概要的圖。

本圖的定位圖像501、502、503是在z軸方向的多個(gè)位置(z21、z22、z23)取得的軸向圖像。從這些定位圖像501、502、503可知，在z軸方向的不同位置處，被檢體101的斷面面積不同。因此，在每個(gè)斷層位置，RF勻場(chǎng)參數(shù)也不同。

在本實(shí)施方式中，保持有z軸方向的多個(gè)位置(z21、z22、z23)的被檢體101的每個(gè)位移量的RF勻場(chǎng)參數(shù)。此外，此處作為一例示出了保持3處的數(shù)據(jù)的情況。

然后，在實(shí)際攝像時(shí)，從勻場(chǎng)DB300中提取與攝像斷面的z坐標(biāo)最接近的位置的數(shù)據(jù)。例如，在攝像斷面的z坐標(biāo)位于Lc1的范圍的情況下，提取對(duì)應(yīng)于z21所登記的數(shù)據(jù)。在位于Lc2的范圍的情況下，提取對(duì)應(yīng)于z22所登記的數(shù)據(jù)，在位于Lc3的范圍的情況下，提取對(duì)應(yīng)于z23所登記的數(shù)據(jù)。

[變化量計(jì)算部]

本實(shí)施方式的變化量計(jì)算部221計(jì)算在與靜磁場(chǎng)方向垂直的預(yù)定的斷面上，相對(duì)于x＝0、y＝0(該斷面上的原點(diǎn))的位置的位移量。此時(shí)，也一并輸出該斷面的z軸方向的位置(z軸坐標(biāo))，作為計(jì)算結(jié)果。

位移量的計(jì)算方法，與第一實(shí)施方式相同。

[勻場(chǎng)DB]

在本實(shí)施方式的勻場(chǎng)DB300中，例如針對(duì)靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的各個(gè)位置，對(duì)應(yīng)于變化量而登記有RF勻場(chǎng)參數(shù)。圖4(a)和圖10中示出了本實(shí)施方式的勻場(chǎng)DB300的例子。

在本實(shí)施方式中，以由針對(duì)被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的每個(gè)位移量賦予識(shí)別代碼來存儲(chǔ)的位移量表311、以及針對(duì)每個(gè)位移量存儲(chǔ)各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)的勻場(chǎng)信息表342而構(gòu)成勻場(chǎng)DB300的情況為例，進(jìn)行說明。

與第一實(shí)施方式相同地，在本實(shí)施方式的勻場(chǎng)信息表342中登記有每個(gè)識(shí)別代碼342a的各通道的RF勻場(chǎng)參數(shù)342b。但是，在本實(shí)施方式中，針對(duì)z軸方向的每個(gè)位置(z21、z22、z23)登記這些數(shù)據(jù)。此外，針對(duì)每個(gè)通道登記通道數(shù)的RF勻場(chǎng)參數(shù)342b。

在本實(shí)施方式中，勻場(chǎng)DB300可以不分割為位移量表311和勻場(chǎng)信息表332，可以由一個(gè)表構(gòu)成。

[勻場(chǎng)參數(shù)提取部]

勻場(chǎng)參數(shù)提取部222分別從位移量表311中提取對(duì)應(yīng)于與由變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量最接近的位移量所登記的識(shí)別代碼(代碼1)311a。最接近的位移量，與第一實(shí)施方式相同。

然后，從勻場(chǎng)信息表332中提取與各位置的識(shí)別代碼(代碼1)311a一致的記錄的RF勻場(chǎng)參數(shù)。此時(shí)，在本實(shí)施方式中，從對(duì)應(yīng)于與從變化量計(jì)算部221接收到的攝像斷面位置最接近的位置而在勻場(chǎng)信息表342中登記的數(shù)據(jù)組中提取RF勻場(chǎng)參數(shù)。

與第一實(shí)施方式相同地，本實(shí)施方式的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將勻場(chǎng)參數(shù)提取部222所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

測(cè)量控制部210的處理，與第一實(shí)施方式相同。

如以上說明的那樣，與第一實(shí)施方式相同地，本實(shí)施方式的MRI裝置100具備：發(fā)送線圈151、測(cè)量控制部210以及勻場(chǎng)參數(shù)決定部220，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220具備：勻場(chǎng)DB300、變化量計(jì)算部221以及勻場(chǎng)參數(shù)提取部222。此外，在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中，針對(duì)所述靜磁場(chǎng)方向的多個(gè)位置的每一個(gè)，對(duì)應(yīng)于所述變化量地登記有所述RF勻場(chǎng)參數(shù)，所述勻場(chǎng)參數(shù)提取部222從對(duì)應(yīng)于與攝像斷層位置最接近的位置而登記的變化量中提取所述RF勻場(chǎng)參數(shù)。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，作為勻場(chǎng)DB300，關(guān)于多個(gè)斷面位置預(yù)先登記有被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量所對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)，在攝像時(shí)使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行回波信號(hào)的測(cè)量。如上所述，相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量是被檢體101相對(duì)于攝像斷面上的原點(diǎn)的位移量。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，即使在以相對(duì)于基準(zhǔn)位置發(fā)生了移位的狀態(tài)配置被檢體101的情況下，也能夠得到最佳的RF勻場(chǎng)參數(shù)，而不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)。因此，能夠不針對(duì)每次攝像計(jì)算B1分布地，高精度地進(jìn)行RF勻場(chǎng)。因此，能夠不降低精度地，縮短整體的攝像時(shí)間。

此外，根據(jù)上述實(shí)施方式，攝像位置不受限制。

此外，在上述實(shí)施方式中，在勻場(chǎng)DB300中，與位移量對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)有RF勻場(chǎng)參數(shù)，但是不限于此。也可以如第二實(shí)施方式那樣，對(duì)應(yīng)于擴(kuò)大率來存儲(chǔ)RF勻場(chǎng)參數(shù)。這種情況下，與第二實(shí)施方式相同地，變化量計(jì)算部221在與攝像斷面相同的位置的定位圖像上計(jì)算被檢體101的擴(kuò)大率。

此外，還可以在勻場(chǎng)DB300中，對(duì)應(yīng)于位移量和擴(kuò)大率兩者存儲(chǔ)RF勻場(chǎng)參數(shù)。這種情況下，變化量計(jì)算部221在各定位圖像上計(jì)算位移量和擴(kuò)大率兩者。

<變形例之一>

此外，在上述各個(gè)實(shí)施方式中，構(gòu)成為對(duì)攝像區(qū)域整體的B1不均進(jìn)行調(diào)整，然而不限于此。例如，如圖11所示，對(duì)B1不均進(jìn)行調(diào)整的范圍可以是其一部分區(qū)域500。即，設(shè)上述各個(gè)實(shí)施方式的預(yù)定區(qū)域?yàn)楸粰z體101的斷面的一部分區(qū)域500。

在本變形例中，變化量計(jì)算部221計(jì)算被檢體101的上述區(qū)域500相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量。變化量可以是相對(duì)于基準(zhǔn)位置的位移量、相對(duì)于基準(zhǔn)體型的擴(kuò)大率等上述各個(gè)實(shí)施方式的某一種。

此外，在勻場(chǎng)DB300中，對(duì)應(yīng)于上述區(qū)域500的變化量登記有使該區(qū)域的B1分布均勻的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

<變形例之二>

此外，在上述各個(gè)實(shí)施方式中，構(gòu)成為從勻場(chǎng)DB300中提取出與計(jì)算出的位移量最接近的位移量所對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)，使用所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，然而不限于此。

例如，也可以構(gòu)成為，在勻場(chǎng)DB300中未登記有合適的值的情況下計(jì)算B1分布，并據(jù)此來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)，重新登記在勻場(chǎng)DB300中，并且使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)來進(jìn)行測(cè)量。

所謂未登記有合適的值的情況，例如是位移量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量(以下，稱為計(jì)算位移量)與在勻場(chǎng)DB300中登記的最接近的位移量(以下，稱為登記位移量)之間的差異超過了預(yù)定的閾值的情況，或者計(jì)算位移量超過了登記位移量的最大值的情況等。

[控制處理系統(tǒng)的功能結(jié)構(gòu)]

在本變形例中，如圖12所示，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220除了上述結(jié)構(gòu)以外，還具備B1分布計(jì)算部223、勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224以及勻場(chǎng)DB更新部225。

[B1分布計(jì)算部]

B1分布計(jì)算部223計(jì)算對(duì)攝像區(qū)域照射的高頻磁場(chǎng)分布(B1分布)。在本變形例中，計(jì)算在使用用戶設(shè)定為攝像條件的RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下的B1分布。

B1分布的計(jì)算使用已知的方法。例如，使用二倍角法(Double Angle Method)。這是使用以任意翻轉(zhuǎn)角(flip angle)α及其2倍的翻轉(zhuǎn)角2α拍攝而得的圖像來計(jì)算B1分布的方法。

此外，也可以取得翻轉(zhuǎn)角不同的多張圖像，并利用針對(duì)每個(gè)脈沖序列而定義的信號(hào)強(qiáng)度的理論式對(duì)所取得的圖像信號(hào)進(jìn)行擬合，由此來計(jì)算B1分布。

此外，也可以不進(jìn)行擬合，而根據(jù)信號(hào)強(qiáng)度變化的周期來計(jì)算B1分布。

此外，也可以在附加了預(yù)脈沖的脈沖序列中，階段性地改變預(yù)脈沖的翻轉(zhuǎn)角來拍攝多張圖像，并根據(jù)信號(hào)強(qiáng)度變化的周期來計(jì)算B1分布。

[勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部]

勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224按照B1分布計(jì)算部223計(jì)算出的B1分布，計(jì)算用于消除(降低)B1不均的RF勻場(chǎng)參數(shù)，即從各通道照射的RF脈沖的相位和強(qiáng)度。

例如使用最小二乘法來進(jìn)行RF勻場(chǎng)參數(shù)的計(jì)算。這里，計(jì)算各通道之間的相位差和強(qiáng)度比。

具體地，當(dāng)設(shè)理想的B1分布為m，設(shè)各通道的B1分布為A，設(shè)各通道中的RF脈沖的相位差和強(qiáng)度比為x時(shí)，它們有行列式m＝Ax的關(guān)系。這里，設(shè)理想的B1分布m的要素全部為相同的值。通過最小二乘法求出滿足上述m＝Ax的x的最佳值，并計(jì)算各通道之間的相位差和強(qiáng)度比。

[勻場(chǎng)DB更新部]

勻場(chǎng)DB更新部225對(duì)應(yīng)于變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量(計(jì)算位移量)，將所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到勻場(chǎng)DB300中，由此來更新勻場(chǎng)DB300。

在本變形例中，如上所述，勻場(chǎng)DB更新部225在計(jì)算位移量與登記在勻場(chǎng)DB300(位移量表311)中的與計(jì)算位移量最接近的登記位移量之間的差為預(yù)先決定的閾值以上的情況下，使B1分布計(jì)算部223計(jì)算B1分布，使勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)，并將該計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到勻場(chǎng)DB300中。

或者，勻場(chǎng)DB更新部225在計(jì)算位移量為預(yù)先決定的閾值以上的情況下，使B1分布計(jì)算部223計(jì)算B1分布，使勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)，并將該計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到勻場(chǎng)DB300中。在該情況下，對(duì)于閾值，使用在勻場(chǎng)DB300(位移量表311)中登記的x方向和y方向的最大位移量。即在x方向和y方向中的至少一方的計(jì)算位移量為該方向的登記位移量的最大值以上的情況下，使B1分布計(jì)算部計(jì)算B1分布。

此外，在該變形例中，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220在勻場(chǎng)DB300中登記有合適的值的情況下，使用從勻場(chǎng)DB300中提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)，在未登錄有合適的值的情況下，使用計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

說明該變形例中的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理的流程。圖13是本變形例的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理的處理流程。

首先，變化量計(jì)算部221對(duì)計(jì)算位移量進(jìn)行計(jì)算(步驟S1101)。

接著，勻場(chǎng)DB更新部225通過上述方法來判別是否要進(jìn)行B1分布計(jì)算(步驟S1102)。

這里，在勻場(chǎng)DB300中登記有合適的值，判別為不需要計(jì)算的情況下，勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取對(duì)應(yīng)于計(jì)算位移量而在勻場(chǎng)DB300中登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)(步驟S1103)。然后，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)Spd決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)(步驟S1104)，并結(jié)束處理。

另一方面，在步驟S1102中判別為需要計(jì)算的情況下，B1分布計(jì)算部223計(jì)算B1分布(步驟S1105)，勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224根據(jù)所計(jì)算出的B1分布來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)(步驟S1106)。

勻場(chǎng)DB更新部225將所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)登記到勻場(chǎng)DB300中，并更新勻場(chǎng)DB300(步驟S1107)。此外，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)(步驟S1108)，并結(jié)束處理。

這樣，本變形例的所述勻場(chǎng)參數(shù)決定部220還具備：高頻磁場(chǎng)分布計(jì)算部(B1分布計(jì)算部)223，其計(jì)算對(duì)攝像區(qū)域照射的高頻磁場(chǎng)分布；勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224，其計(jì)算用于降低所計(jì)算出的所述高頻磁場(chǎng)分布的不均的所述RF勻場(chǎng)參數(shù)；以及勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)更新部(勻場(chǎng)DB更新部)225，其對(duì)應(yīng)于所述計(jì)算出的變化量，將所述計(jì)算的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)中，并更新所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)。

也可以是，所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)更新部225在所述變化量計(jì)算部221計(jì)算出的變化量與登記在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中的與該變化量最接近的變化量之間的差為預(yù)先決定的閾值以上的情況下，使所述高頻磁場(chǎng)分布計(jì)算部223計(jì)算所述高頻磁場(chǎng)分布，使所述勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224計(jì)算所述RF勻場(chǎng)參數(shù)，并將該計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中。

或者，也可以是，所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)更新部225在所述變化量計(jì)算部221計(jì)算出的變化量為預(yù)先決定的閾值以上的情況下，使所述高頻磁場(chǎng)分布計(jì)算部223計(jì)算所述高頻磁場(chǎng)分布，使所述勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224計(jì)算所述RF勻場(chǎng)參數(shù)，并將該計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中。

這樣，與上述實(shí)施方式同樣地，根據(jù)本變形例，與相對(duì)于磁場(chǎng)中心的位移量對(duì)應(yīng)地在勻場(chǎng)DB300中登記有RF勻場(chǎng)參數(shù)，因此，通過使用其能夠高速地進(jìn)行高精度的測(cè)量。此外，在勻場(chǎng)DB300中未登記有與被檢體101的位移量對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下，能夠追加登記與該位移量對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

因此，每當(dāng)重復(fù)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，能夠充實(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)，提高之后的處理的速度、精度。

<變形例之三>

此外，在上述各實(shí)施方式中可以構(gòu)成為，一邊更新勻場(chǎng)DB300一邊決定RF勻場(chǎng)參數(shù)。這種情況下，對(duì)B1分布進(jìn)行實(shí)測(cè)來決定RF勻場(chǎng)參數(shù)。然后，將根據(jù)實(shí)測(cè)出的B1分布而計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)與在勻場(chǎng)DB300中登記的同條件的RF勻場(chǎng)參數(shù)相比較，決定在回波信號(hào)測(cè)量時(shí)使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。此時(shí)，在將根據(jù)實(shí)測(cè)結(jié)果而計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定為要使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下，將該RF勻場(chǎng)參數(shù)新登記到勻場(chǎng)DB300中。

這種情況下，如圖12所示，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220在第一實(shí)施方式的變形例的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，還具備接受部226。此外，勻場(chǎng)DB更新部225的處理是不同的，在勻場(chǎng)DB300中一并登記有成為RF勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算的基礎(chǔ)的B1分布。

[勻場(chǎng)參數(shù)決定部]

本變形例的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將所計(jì)算的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)與從勻場(chǎng)DB300中提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)進(jìn)行比較，在兩者的差異不足預(yù)先決定的閾值的情況下，將計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

另一方面，在差為閾值以上的情況下，由用戶判斷所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)是否適合，在判斷為適合的情況下，將所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

在差為閾值以上且由用戶判斷為所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)不適合的情況下，由用戶判斷在勻場(chǎng)DB300中提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)是否適合。然后，在判斷為其適合的情況下，將提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

此外，在判斷為任一種RF勻場(chǎng)參數(shù)均不適合的情況下，再次重新計(jì)算B1分布?；蛘?，也可以使用RF勻場(chǎng)參數(shù)的初始值。關(guān)于要如何處理，接受來自用戶的指示來決定。此外，關(guān)于要如何處理，也可以預(yù)先決定。

在再次計(jì)算B1分布時(shí)，有可能對(duì)被檢體101的身體的朝向、身高體重、測(cè)量部位等進(jìn)行了錯(cuò)誤的設(shè)定，因此，對(duì)其進(jìn)行再確認(rèn)，在有錯(cuò)誤的情況下，在進(jìn)行修正之后再進(jìn)行。此外，也可以變更B1計(jì)算時(shí)的條件而進(jìn)行再計(jì)算，或者使用不同的B1計(jì)算方法來進(jìn)行再計(jì)算等。

勻場(chǎng)參數(shù)決定部220通過向用戶提示使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下的B1分布，由用戶來判斷RF勻場(chǎng)參數(shù)是否合適。

此外，針對(duì)每個(gè)通道，針對(duì)每種強(qiáng)度、相位來進(jìn)行差的計(jì)算。然后，在差的絕對(duì)值之一為閾值以上的情況下，就判別為“差為閾值以上”。此外，關(guān)于在判別中使用的閾值，在該RF勻場(chǎng)參數(shù)的3σ內(nèi)等針對(duì)每個(gè)部位而預(yù)先決定。

[接受部]

本變形例的接受部226向用戶提示B1分布，從用戶接受是否合適的指示。

在B1分布計(jì)算部223計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)與勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)之間的差為預(yù)先決定的閾值以上的情況下，接受部226向用戶提示在使用所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)的情況下的B1分布(計(jì)算分布)。然后，從用戶接受該B1分布是否合適。

在變形例中，通過在顯示裝置173中顯示B1分布來向用戶提示。在圖14(a)和圖14(b)中示出了提示時(shí)的顯示畫面400的例子。如本圖中所示，顯示畫面400具備顯示B1分布的顯示區(qū)域410、以及從用戶接受是否合適的指示的指示接受區(qū)域420。

例如，如圖14(a)所示，在所提示的B1分布的均勻度不充分的情況下，用戶按壓“不合適”按鈕，進(jìn)行意為不合適的指示。另一方面，如圖14(b)所示，在所提示的B1分布的均勻度充分的情況下，用戶按壓“合適”按鈕，進(jìn)行意為合適的指示。

此外，在本變形例中，在判斷為所計(jì)算出的B1分布(計(jì)算分布)不合適的情況下，接受部226向用戶提示成為從勻場(chǎng)DB300提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)Spd的計(jì)算的基礎(chǔ)的B1分布(登記分布)，并接受其是否合適。

此外，在使用所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)的情況下的B1分布(計(jì)算分布)，由B1分布計(jì)算部223計(jì)算。

此外，如圖12所示，還可以具備B1均勻度計(jì)算部227。B1均勻度計(jì)算部227根據(jù)所計(jì)算出的B1分布(計(jì)算分布)來計(jì)算表示B1分布的均勻度的指標(biāo)。對(duì)于指標(biāo)，可以使用方差、標(biāo)準(zhǔn)偏差這樣的各種統(tǒng)計(jì)值。

這種情況下，接受部226進(jìn)行B1分布的顯示，并且向用戶提示表示B1分布的均勻度的指標(biāo)。

[勻場(chǎng)DB更新部]

在計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)與由勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)之間的差小于預(yù)先決定的閾值的情況下，本變形例的勻場(chǎng)DB更新部225對(duì)應(yīng)于由變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量，將計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)登記到勻場(chǎng)DB300中。

此外，即使是在上述差為閾值以上的情況下，在從用戶接受到意為所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)合適的指示的情況下，本變形例的勻場(chǎng)DB更新部225對(duì)應(yīng)于由變化量計(jì)算部221計(jì)算出的位移量，將計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)登記到勻場(chǎng)DB300中。

此外，在將RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)登記到勻場(chǎng)DB300中時(shí)，在已經(jīng)登記有與變化量計(jì)算部221計(jì)算出的變化量相同的變化量所對(duì)應(yīng)的RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下，進(jìn)行覆蓋?；蛘呖梢苑艞壭掠?jì)算出的一方。此外，為了有助于勻場(chǎng)參數(shù)的精度提高，也可以作為研究用數(shù)據(jù)而另外保存。

[RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理]

說明本變形例的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理的流程。圖15是本變形例的RF勻場(chǎng)參數(shù)決定處理的處理流程。

變化量計(jì)算部221計(jì)算位移量(步驟S2101)。

B1分布計(jì)算部223使用作為攝像條件而設(shè)定的RF勻場(chǎng)參數(shù)(初始值)，計(jì)算B1分布(步驟S2102)。

勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224根據(jù)所計(jì)算的B1分布來計(jì)算RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)(步驟S2103)。

此外，勻場(chǎng)參數(shù)提取部222提取對(duì)應(yīng)于在步驟S2101中計(jì)算出的位移量而在勻場(chǎng)DB300中登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)(步驟S2104)。此外，只要本處理是在步驟S2101至接下來的步驟S2105之間，則不論在哪個(gè)定時(shí)進(jìn)行均可。

勻場(chǎng)參數(shù)決定部220計(jì)算所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)與所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)之間的差，并判別二者的差的絕對(duì)值是否為預(yù)先決定的閾值以上(步驟S2105)。

如果小于閾值，則勻場(chǎng)DB更新部225對(duì)應(yīng)于在步驟S2101中計(jì)算出的位移量，將所計(jì)算的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)登記到勻場(chǎng)DB300中(步驟S2106)。然后，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將所計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)(步驟S2107)，并結(jié)束處理。

另一方面，在步驟S2105中，在差為閾值以上的情況下，接受部226向用戶提示在使用步驟S2103中計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spc)的情況下的B1分布(步驟S2108)，并接受是否合適的指示(步驟S2109)。這里，在接受到意為合適的指示的情況下，轉(zhuǎn)移到步驟S2106。

另一方面，在步驟S2109中，在接受到意為不合適的指示的情況下，接受部226向用戶提示對(duì)應(yīng)于在步驟S2104中提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)而登記在勻場(chǎng)DB300中的B1分布(步驟S2110)，接受是否合適的指示(步驟S2111)。

在步驟S2111中接受到意為合適的指示的情況下，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將在步驟S2104中提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)(Spd)決定為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)(步驟S2112)，并結(jié)束處理。

在步驟S2111中接受到意為不合適的指示的情況下，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220返回到步驟S2102，對(duì)B1分布進(jìn)行再計(jì)算，并重復(fù)進(jìn)行處理。此外，如上所述，在預(yù)先決定為要使用初始值的情況下，決定為使用勻場(chǎng)參數(shù)的初始值，并結(jié)束處理。此外，在由用戶來選擇要如何處理的情況下，接受部226接受來自用戶的指示，勻場(chǎng)參數(shù)決定部220根據(jù)指示而返回到步驟S2102，或者決定為使用初始值。

這樣，與變形例之二同樣地，本變形例的勻場(chǎng)參數(shù)決定部220還具備高頻磁場(chǎng)分布計(jì)算部223、勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部224以及勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)更新部(DB更新部)225。在所述計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)與由所述勻場(chǎng)參數(shù)提取部所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)之間的差小于預(yù)先決定的閾值的情況下，所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)更新部225將所述計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中。

所述勻場(chǎng)參數(shù)決定部220還可以具備向用戶提示高頻磁場(chǎng)分布，并從用戶接受是否合適的指示的接受部226，在所述計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)與由所述勻場(chǎng)參數(shù)提取部222所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)之間的差為預(yù)先決定的閾值以上的情況下，所述接受部226向用戶提示在使用所述計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下的高頻磁場(chǎng)分布(計(jì)算分布)，在從用戶接受到意為所述提示的高頻磁場(chǎng)分布(計(jì)算分布)合適的指示的情況下，所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)更新部225將所述計(jì)算出的RF勻場(chǎng)參數(shù)登記到所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中。

在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中，對(duì)應(yīng)于所述RF勻場(chǎng)參數(shù)而登記有在使用該RF勻場(chǎng)參數(shù)的情況下的高頻磁場(chǎng)分布即登記分布，所述接受部226在從用戶接受到意為所述提示的高頻磁場(chǎng)分布(計(jì)算分布)不合適的指示的情況下，向用戶提示對(duì)應(yīng)于所述提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)而在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)中登記的所述登記分布。

這樣，根據(jù)本變形例，能夠在測(cè)量中使用更加合適的RF勻場(chǎng)參數(shù)。此外，即使在計(jì)算B1分布且所決定的RF勻場(chǎng)參數(shù)為不當(dāng)值的情況下，也能夠在實(shí)施正式攝像之前進(jìn)行RF勻場(chǎng)參數(shù)的修正，能夠防止正式攝像的重新進(jìn)行。

<變形例之四>

此外，在上述各實(shí)施方式中，在勻場(chǎng)DB300中登記了發(fā)送線圈151的通道數(shù)的RF勻場(chǎng)參數(shù)。但是，在勻場(chǎng)DB300中登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)不限于此。

例如，還可以構(gòu)成為保持多個(gè)不同通道數(shù)的各自的RF勻場(chǎng)參數(shù)。例如，保持2通道結(jié)構(gòu)的情況下的RF勻場(chǎng)參數(shù)和4通道結(jié)構(gòu)的情況下的RF勻場(chǎng)參數(shù)。即，可以在勻場(chǎng)DB300中針對(duì)每個(gè)通道數(shù)登記有RF勻場(chǎng)參數(shù)。

該情況下，勻場(chǎng)參數(shù)提取部222基本上提取與在攝像時(shí)使用的結(jié)構(gòu)的通道數(shù)對(duì)應(yīng)地登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)，并設(shè)為在測(cè)量中使用的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

但是，也可以使用與少于所用的通道數(shù)的通道數(shù)對(duì)應(yīng)地登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)。例如，在攝像時(shí)使用的總信線圈151為4通道結(jié)構(gòu)的情況下，可以構(gòu)成為使用為了2通道結(jié)構(gòu)而登記的RF勻場(chǎng)參數(shù)，對(duì)2個(gè)通道給出相同的RF勻場(chǎng)參數(shù)。

該情況下，例如MRI裝置100還具備均勻度計(jì)算部227，其使用所提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)來計(jì)算在照射高頻磁場(chǎng)的情況下的高頻磁場(chǎng)分布的均勻度。

勻場(chǎng)參數(shù)提取部222從勻場(chǎng)DB300中提取2通道用的RF參數(shù)和4通道用的RF參數(shù)。然后，均勻度計(jì)算部分別計(jì)算使用2通道用的RF參數(shù)的情況下的均勻度和使用4通道用的RF參數(shù)的情況下的均勻度。

勻場(chǎng)參數(shù)決定部220將均勻度更高的一方的RF參數(shù)決定為在測(cè)量中使用的RF參數(shù)。然后，測(cè)量控制部210使用所計(jì)算出的均勻度高的一方的所述RF參數(shù)。

此外，本變形例還可以在上述變形例之三的、判別從勻場(chǎng)DB300中提取出的RF勻場(chǎng)參數(shù)是否合適時(shí)使用。

<變形例之五>

此外，在上述各實(shí)施方式中還可以構(gòu)成為，為了降低靜磁場(chǎng)的不均也利用數(shù)據(jù)庫(kù)。

作為降低靜磁場(chǎng)分布(B0分布)的不均的方法，有被稱為B0勻場(chǎng)的方法，其使用勻場(chǎng)線圈，并調(diào)整在該勻場(chǎng)線圈中流過的電流的參數(shù)(B0勻場(chǎng)參數(shù))。

[MRI裝置]

圖16中示出了該情況下的MRI裝置100的靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)120的結(jié)構(gòu)。如本圖所示，靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)120還具備勻場(chǎng)線圈121，其按照所給出的靜磁場(chǎng)勻場(chǎng)參數(shù)(B0勻場(chǎng)參數(shù))來調(diào)整靜磁場(chǎng)的不均；以及勻場(chǎng)電源122，其向該勻場(chǎng)線圈121供給電流。

勻場(chǎng)電源122按照來自控制處理系統(tǒng)170的指示，經(jīng)由定序器140向勻場(chǎng)線圈121供給電流。

本變形例的勻場(chǎng)DB300中，對(duì)應(yīng)于被檢體101相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量登記有B0勻場(chǎng)參數(shù)。

此外，勻場(chǎng)參數(shù)提取部222進(jìn)而提取對(duì)應(yīng)于與變化量最接近的值在勻場(chǎng)DB300中保持的B0勻場(chǎng)參數(shù)，測(cè)量控制部210也使用所提取出的B0勻場(chǎng)參數(shù)來測(cè)量回波信號(hào)。

相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)的變化量，能夠使用上述各實(shí)施方式的變化量。此外，與上述變形例同樣地，B0不均的糾正范圍可以是一部分區(qū)域500。此外，與上述變形例同樣地，還可以使用對(duì)應(yīng)于更少通道數(shù)而登記在勻場(chǎng)DB300中的B0勻場(chǎng)參數(shù)。

此外，針對(duì)B0勻場(chǎng)參數(shù)，也與上述變形例之一同樣地，可以構(gòu)成為，在勻場(chǎng)DB300中未登記有合適的值的情況下，對(duì)B0進(jìn)行實(shí)測(cè)，并基于此計(jì)算B0勻場(chǎng)參數(shù)，更新勻場(chǎng)DB300。

此外，與上述變形例之二同樣地，可以構(gòu)成為，將從實(shí)測(cè)出的B0分布得到的B0勻場(chǎng)參數(shù)與在勻場(chǎng)DB300中登記的B0勻場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行比較，來決定在攝像時(shí)使用的B0勻場(chǎng)參數(shù)。

這樣，本變形例的MRI裝置100還具備勻場(chǎng)線圈121，其按照所給出的靜磁場(chǎng)勻場(chǎng)參數(shù)來調(diào)整所述靜磁場(chǎng)的不均，在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中，對(duì)應(yīng)于所述變化量登記有所述靜磁場(chǎng)勻場(chǎng)參數(shù)，所述勻場(chǎng)參數(shù)提取部222進(jìn)而提取對(duì)應(yīng)于與所述變化量最接近的值在所述勻場(chǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)300中保持的所述靜磁場(chǎng)勻場(chǎng)參數(shù)，所述測(cè)量控制部210還使用所述靜磁場(chǎng)勻場(chǎng)參數(shù)來測(cè)量所述回波信號(hào)。

因此，根據(jù)本變形例，即使被檢體101以相對(duì)于基準(zhǔn)狀態(tài)發(fā)生了變化的方式進(jìn)行了配置，也能夠獲得B0勻場(chǎng)參數(shù)，而不針對(duì)每次測(cè)量來計(jì)算B0分布。因此，能夠高速地實(shí)現(xiàn)高精度的B0勻場(chǎng)。

此外，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于上述各實(shí)施方式和變形例，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種追加、變更等。

符號(hào)說明

100MRI裝置、101被檢體、120靜磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)、121勻場(chǎng)線圈、122勻場(chǎng)電源、130梯度磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)、131梯度磁場(chǎng)線圈、132梯度磁場(chǎng)電源、140定序器、150發(fā)送系統(tǒng)、151總信線圈、151發(fā)送線圈、152高頻振蕩器、153調(diào)制器、154高頻放大器、160接收系統(tǒng)、161接收線圈、162信號(hào)放大器、163正交相位檢波器、164A/D轉(zhuǎn)換器、170控制處理系統(tǒng)、171CPU、172存儲(chǔ)裝置、173顯示裝置、174輸入裝置、210測(cè)量控制部、220勻場(chǎng)參數(shù)決定部、221變化量計(jì)算部、222勻場(chǎng)參數(shù)提取部、223B1分布計(jì)算部、224勻場(chǎng)參數(shù)計(jì)算部、225勻場(chǎng)DB更新部、226接受部、227均勻度計(jì)算部、300勻場(chǎng)DB、311位移量表、311a識(shí)別代碼、311b位移量、311c測(cè)量部位、312勻場(chǎng)信息表、312a識(shí)別代碼、312b RF勻場(chǎng)參數(shù)、321擴(kuò)大率表、321a識(shí)別代碼、321b擴(kuò)大率、321c身體數(shù)據(jù)、322勻場(chǎng)信息表、322a識(shí)別代碼、322b RF勻場(chǎng)參數(shù)、323勻場(chǎng)信息表、323a識(shí)別代碼、323b識(shí)別代碼、323c RF勻場(chǎng)參數(shù)、332勻場(chǎng)信息表、342勻場(chǎng)信息表、342a識(shí)別代碼、342b RF勻場(chǎng)參數(shù)、400顯示畫面、410顯示區(qū)域、420指示接受區(qū)域、500均勻化區(qū)域。