本實(shí)用新型涉及一種電阻抗斷層成像技術(shù)的測(cè)試裝置，尤其涉及的是一種基于EIT技術(shù)的皮膚狀況檢測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

電阻抗斷層成像(Electrical Impedance Tomography,EIT)是一種新型、無(wú)創(chuàng)、無(wú)輻射的成像技術(shù)，該技術(shù)具有成像設(shè)備小，成本低，無(wú)害，重復(fù)可實(shí)時(shí)成像的優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)θ祟惡蛣?dòng)物進(jìn)行阻抗檢測(cè)和實(shí)時(shí)監(jiān)控，有望成為廣泛應(yīng)用的醫(yī)療器械。

電阻抗斷層成像技術(shù)通常需要一組電極或電極陣列，如16個(gè)。這些電極與待測(cè)物體表面接觸，通過(guò)施加一個(gè)微弱的交流電激勵(lì)，從相應(yīng)的檢測(cè)電極中檢測(cè)被測(cè)區(qū)域邊界的電壓分布，通過(guò)算法重構(gòu)，得到待測(cè)體被測(cè)區(qū)域內(nèi)部的電阻抗分布圖像或者電阻抗變化的分布圖像。這項(xiàng)技術(shù)可以很好地反應(yīng)生物體內(nèi)部組織電阻抗特性改變及組織功能性改變。

電阻抗斷層成像技術(shù)在醫(yī)療器械上具有很好的應(yīng)用前景，近些年的研究大致有以下三類應(yīng)用：一、用于胸部成像和肺部呼吸監(jiān)控，中國(guó)發(fā)明專利，申請(qǐng)?zhí)?01180013816.2，公布了一種用于電阻抗成像掃描裝置的電極和電阻抗成像掃描裝置；二、用于乳房成像，實(shí)用新型專利申請(qǐng)?zhí)?01320367628.6，公布了一種用于乳腺電阻抗成像的電極固定定位裝置；三、用于腦部成像，中國(guó)發(fā)明專利，申請(qǐng)?zhí)?01210428533.0，公布了一種圓形陣列腦部電阻抗斷層成像用電極。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種基于EIT技術(shù)的皮膚狀況檢測(cè)裝置，通過(guò)多個(gè)電極實(shí)現(xiàn)對(duì)測(cè)試部位的優(yōu)選檢測(cè)。

本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，本實(shí)用新型包括測(cè)試部和手持部；所述測(cè)試部和手持部為條形，所述測(cè)試部包括測(cè)試面和安裝面，所述測(cè)試面上設(shè)有凸起的測(cè)試電極陣列，所述安裝面連接手持部，所述手持部上設(shè)有電路板和電池，所述電路板和測(cè)試電極陣列通過(guò)引線連接，所述電池連接電路板；所述測(cè)試電極陣列為多邊形，所述多邊形內(nèi)設(shè)置多個(gè)等間距的電極。

所述測(cè)試電極陣列凸起在測(cè)試面上的高度為0.1～2mm。便于使用的時(shí)候既能夠方便檢測(cè)，又不會(huì)造成使用的不便。

所述測(cè)試電極陣列由銅或銀制成，所述測(cè)試電極陣列的凸起上設(shè)有鍍層。使用鍍層能夠更有效的保護(hù)測(cè)試電極陣列，延遲使用壽命。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一，所述鍍層為Au層。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一，所述測(cè)試部和手持部由柔性硅膠或硬質(zhì)塑料制成。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一，所述測(cè)試電極陣列為長(zhǎng)方形，所述測(cè)試電極陣列有32個(gè)電極，所述電極直徑為0.2cm，電極的間距為0.8cm。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一，所述測(cè)試電極陣列為正六邊形，所述測(cè)試電極陣列有37個(gè)電極，所述電極直徑為0.2cm，電極的間距為0.8cm。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方式之一，所述測(cè)試電極陣列為正八邊形，所述測(cè)試電極陣列有52個(gè)電極，所述電極直徑為0.2cm，電極的間距為0.8cm。

所述電路板包括數(shù)據(jù)傳輸模塊、電源調(diào)制模塊、數(shù)據(jù)處理模塊、檢測(cè)控制模塊、ASIC芯片、EIT圖像處理模塊、電池接口和引線接口，所述引線接口通過(guò)引線與測(cè)試電極陣列相連，所述電池接口通過(guò)引線與電池相連，所述ASIC芯片分別連接電池接口、引線接口、EIT圖像處理模塊、檢測(cè)控制模塊、數(shù)據(jù)處理模塊、電源調(diào)制模塊和數(shù)據(jù)傳輸模塊。

基于EIT技術(shù)通過(guò)電極陣列實(shí)現(xiàn)對(duì)皮膚阻抗信息的檢測(cè)，并給出檢測(cè)區(qū)域的阻抗分布圖；通過(guò)相應(yīng)的算法計(jì)算出皮膚的油分、水分和角質(zhì)層的含量分布圖；基于這些數(shù)據(jù)推測(cè)出皮膚的健康狀況和皮質(zhì)年齡等信息，進(jìn)而給出相應(yīng)的調(diào)理和改善措施；實(shí)時(shí)檢測(cè)并通過(guò)無(wú)線的方式與移動(dòng)終端互聯(lián)。

測(cè)試電極陣列外形不同為了匹配不同的使用部位，比如額頭部位要長(zhǎng)方形的，臉頰要正方形、六邊形或八邊形的。電極排布的越密，檢測(cè)的越準(zhǔn)確，但需要采集和處理的信號(hào)也越多、耗時(shí)越長(zhǎng)。

本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型通過(guò)測(cè)試部實(shí)現(xiàn)測(cè)試，然后通過(guò)手持部實(shí)現(xiàn)檢測(cè)控制、數(shù)據(jù)處理和信號(hào)傳輸?shù)裙δ?。電路板?shí)現(xiàn)檢測(cè)控制、數(shù)據(jù)處理和信號(hào)傳輸?shù)裙δ堋Ｐ盘?hào)傳輸功能是把檢測(cè)和處理后的數(shù)據(jù)通過(guò)無(wú)線的方式傳輸?shù)揭苿?dòng)終端上。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的俯視圖；

圖3是實(shí)施例1的測(cè)試電極陣列結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是實(shí)施例2的測(cè)試電極陣列結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是實(shí)施例3的測(cè)試電極陣列結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是實(shí)施例4的測(cè)試電極陣列結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，本實(shí)施例在以本實(shí)用新型技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。

實(shí)施例1

如圖1～3所示，本實(shí)施例包括測(cè)試部1和手持部2；所述測(cè)試部1包括測(cè)試面和安裝面，所述測(cè)試面上設(shè)有凸起的測(cè)試電極陣列6，所述安裝面連接手持部2，所述手持部2上設(shè)有電路板3、電池4，所述電路板3和測(cè)試電極陣列6通過(guò)引線連接，所述電池4連接電路板3；所述測(cè)試電極陣列6為正方形，所述測(cè)試電極陣列6有36個(gè)電極，所述電極直徑為0.2cm，電極的間距為0.8cm，電極為圓形電極，電極的直徑為0.2cm。

測(cè)試電極陣列6凸起在測(cè)試面上的高度為2mm。便于使用的時(shí)候既能夠方便檢測(cè)，又不會(huì)造成使用的不便。

測(cè)試電極陣列6由銅制成，測(cè)試電極陣列6的凸起上設(shè)有Au層。測(cè)試部1和手持部2由柔性硅膠制成。

如圖7所示，電路板3包括數(shù)據(jù)傳輸模塊31、電源調(diào)制模塊32、數(shù)據(jù)處理模塊33、檢測(cè)控制模塊34、ASIC芯片5、EIT圖像處理模塊36、電池接口37和引線接口38，所述引線接口3通過(guò)引線連接測(cè)試電極陣列，所述電池接口37通過(guò)引線連接電池，所述ASIC芯片5分別連接電池接口37、引線接口38、EIT圖像處理模塊36、檢測(cè)控制模塊34、數(shù)據(jù)處理模塊33、電源調(diào)制模塊32和數(shù)據(jù)傳輸模塊31，用于和其他電子元器件實(shí)現(xiàn)檢測(cè)控制、數(shù)據(jù)處理和信號(hào)傳輸?shù)墓δ堋?/p>

電源調(diào)制模塊32，接收ASIC芯片5的控制信號(hào)，將電源調(diào)制為符合需要的電壓和電流，并通過(guò)引線輸出到測(cè)試電極陣列1的電極上。

數(shù)據(jù)處理模塊33，用于將接收到的信號(hào)進(jìn)行處理，再將處理結(jié)果傳輸?shù)紸SIC芯片5。

檢測(cè)控制模塊34，用于控制輸出電流和檢測(cè)電壓的時(shí)序關(guān)系。

數(shù)據(jù)傳輸模塊31，用于將處理后的信號(hào)傳輸?shù)酵獠吭O(shè)備上。

EIT圖像處理模塊36，根據(jù)ASIC芯片5的數(shù)據(jù)處理結(jié)果進(jìn)行圖像處理。

本實(shí)施例的檢測(cè)裝置的長(zhǎng)度為5.2cm，寬度為5.2cm，高度為1.5cm。其中測(cè)試部1的長(zhǎng)度為5.2cm，寬度為5.2cm，高度(厚度)為0.2cm。手持部2的長(zhǎng)度為3.2cm，寬度為3.2cm，高度(厚度)為1.3cm。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的測(cè)試電極陣列6是長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)，包含32個(gè)電極組成的電極陣列，電極的直徑為0.2cm，電極間距為0.8cm。本實(shí)施例的檢測(cè)裝置的長(zhǎng)度為7.0cm，寬度為3.8cm，高度為 1.5cm。其中測(cè)試部1的長(zhǎng)度為7.0cm，寬度為3.8cm，高度(厚度)為0.2cm。手持部2的長(zhǎng)度為3.2cm，寬度為6.4cm，高度(厚度)為1.3cm。

其他實(shí)施方式和實(shí)施例1相同。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的測(cè)試電極陣列6是正六邊形結(jié)構(gòu)，包含37個(gè)電極組成的電極陣列，電極的直徑為0.2cm，電極間距為0.8cm。本實(shí)施例的檢測(cè)裝置的長(zhǎng)度為6.2cm，寬度為4.8cm，高度為1.5cm。其中測(cè)試部1的長(zhǎng)度為6.2cm，寬度為4.8cm，高度(厚度)為0.2cm。手持部2的長(zhǎng)度為5.2cm，寬度為3.8cm，高度(厚度)為1.3cm。

其他實(shí)施方式和實(shí)施例1相同。

實(shí)施例4

本實(shí)施例的測(cè)試電極陣列6是正八邊形結(jié)構(gòu)，包含52個(gè)電極組成的電極陣列，電極的直徑為0.2cm，電極間距為0.8cm。本實(shí)施例的檢測(cè)裝置的長(zhǎng)度為7.0cm，寬度為7.0cm，高度為1.5cm。其中測(cè)試部1的長(zhǎng)度為7.0cm，寬度為7.0cm，高度(厚度)為0.2cm。手持部2的長(zhǎng)度為5.4cm，寬度為5.4cm，高度(厚度)為1.3cm。

其他實(shí)施方式和實(shí)施例1相同。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。