技術(shù)特征：

1.一種少數(shù)通道的腦電信號(hào)中肌電偽跡的消除方法，其特征是按如下步驟進(jìn)行：

步驟一：由腦電測(cè)量設(shè)備采集并記錄t時(shí)刻N(yùn)通道的腦電信號(hào)，記為：X(t)＝[x₁(t),x₂(t),…,x_n(t),…x_N(t)]^T，x_n(t)為t時(shí)刻第n通道的腦電信號(hào)，T為矩陣的轉(zhuǎn)置；1≤n≤N，N≥3；

添加m個(gè)通道的高斯白噪聲后構(gòu)成N+m通道的輸入信號(hào)，記為：w_m(t)為t時(shí)刻的第m個(gè)通道的高斯白噪聲；1≤m＜N；

步驟二：應(yīng)用多元經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解法將所述N+m通道的輸入信號(hào)分解為(N+m)P個(gè)本征模態(tài)分量，其中，N通道的腦電信號(hào)通道X(t)中的第n通道的腦電信號(hào)x_n(t)所對(duì)應(yīng)的P個(gè)本征模態(tài)分量記為：I_n(t)＝[i_1(n)(t),i_2(n)(t),…,i_p(n)(t),…,i_P(n)(t)]^T；i_p(n)(t)為t時(shí)刻第n通道的腦電信號(hào)x_n(t)所對(duì)應(yīng)的第p個(gè)本征模態(tài)分量；1≤p≤P；

只提取腦電信號(hào)對(duì)應(yīng)的本征模態(tài)分量，從而獲得t時(shí)刻N(yùn)通道的腦電信號(hào)X(t)的本征模態(tài)分量矩陣，記為：I(t)＝[I₁(t)；I₂(t)；…I_n(t)；…；I_N(t)]；

步驟三：用獨(dú)立變量分析法對(duì)所述本征模態(tài)分量矩陣I(t)進(jìn)行盲源信號(hào)的分離，得到混合矩陣A、逆混合矩陣W和源信號(hào)矩陣Y(t)＝[y₁(t),y₂(t),…y_b(t),…,y_NP(t)]^T；y_b(t)表示第b個(gè)源信號(hào)，并有：I(t)＝AY(t)或Y(t)＝WI(t)；1≤b≤NP；

步驟四：求取所述源信號(hào)矩陣Y(t)中的第b個(gè)源信號(hào)y_b(t)的自相關(guān)系數(shù)值r_b，當(dāng)所述自相關(guān)系數(shù)r_b低于所設(shè)定的閾值e時(shí)，則所述第b個(gè)源信號(hào)y_b(t)為含有肌電偽跡的源信號(hào)；將被判定為肌電偽跡的源信號(hào)均置為零，從而得到不含有肌電偽跡的源信號(hào)矩陣e∈(0,1)；

步驟五：利用式(1)得到不含有肌電偽跡的本征模態(tài)分量矩陣

$\tilde{I}\left(t\right)=A\tilde{Y}\left(t\right)---\left(1\right)$

步驟六：將所述不含有肌電偽跡的本征模態(tài)分量矩陣中按照行的順序，依次取出P個(gè)本征模態(tài)分量為一個(gè)矩陣，其中，第n通道的腦電信號(hào)x_n(t)所對(duì)應(yīng)的P個(gè)不含有肌電偽跡的本征模態(tài)分量第記為表示第n通道的腦電信號(hào)x_n(t)的去除肌電偽跡后的第p個(gè)本征模態(tài)分量，從而得到去除肌電偽跡后的N通道的本征模態(tài)分量矩陣，記為

步驟七：利用式(2)得到去除肌電偽跡后的第n通道的干凈腦電信號(hào)從而獲得去除肌電偽跡后的N通道的腦電信號(hào)

${\tilde{x}}_n\left(t\right)=\underset{p=1}{\overset{P}{\Σ}}{\tilde{i}}_{p\left(n\right)}\left(t\right)---\left(2\right).$