本公開一般涉及用于醫(yī)療裝置組件和部件的裝置、系統(tǒng)和方法。更具體地說，本公開的方面涉及包括醫(yī)療裝置的位置跟蹤組件或位置跟蹤部件的裝置、系統(tǒng)和/或方法。

背景技術(shù)：

1、在醫(yī)療手術(shù)中，操作者可將醫(yī)療裝置(例如十二指腸鏡或其他類型的內(nèi)窺鏡)插入受試者的體腔中。操作者可將醫(yī)療裝置的遠(yuǎn)側(cè)頂端導(dǎo)引至受試者的解剖結(jié)構(gòu)所需位置。例如，在內(nèi)窺鏡逆行胰膽管造影術(shù)(“ercp”)手術(shù)中，操作者可將醫(yī)療裝置的遠(yuǎn)側(cè)頂端(例如十二指腸鏡的遠(yuǎn)側(cè)頂端)引導(dǎo)至受試者的十二指腸。然后，操作者可嘗試對受試者的乳突進(jìn)行插管。對乳突進(jìn)行插管可能需要反復(fù)嘗試將導(dǎo)管、括約肌切開器或其他儀器插入乳突孔口中。反復(fù)嘗試可能會對受試者造成創(chuàng)傷，從而可能導(dǎo)致胰腺炎。位于醫(yī)療裝置遠(yuǎn)側(cè)頂端的成像儀(例如，相機(jī))可幫助導(dǎo)引儀器以對乳突進(jìn)行插管，但成像儀可能無法顯示膽管的軌跡，使得操作員難以對準(zhǔn)儀器以實現(xiàn)最佳插入。例如，成像儀可能僅限于查看體腔壁內(nèi)的區(qū)域(例如，十二指腸壁內(nèi))。此外，成像儀可能無法傳達(dá)操作員使用儀器進(jìn)行手術(shù)(例如，在管道(例如進(jìn)入通過乳突的管道之一)中進(jìn)行手術(shù))所需的信息。因此，需要包括醫(yī)療裝置的位置跟蹤組件或位置跟蹤部件的系統(tǒng)、裝置和/或方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本文公開的每個方面可以包括與任何其他公開的方面相關(guān)地描述的一個或多個特征。

2、醫(yī)療裝置組件可包括升降器，該升降器配置為升高和降低以調(diào)整通過醫(yī)療裝置的作業(yè)通道插入的儀器的方位。升降器可包括磁體。該組件還可包括感測元件，該感測元件配置為測量磁體的磁場并輸出指示升降器的形態(tài)的信號。

3、本文公開的任何方面均可單獨或組合地包括以下特征中的任何一個。磁體可沿直徑方向磁化。磁體可被布置在升降器的軸的凹槽中。磁體可大致為圓柱形。當(dāng)升降器被升高和下降時，磁體可繞磁體的縱向軸線旋轉(zhuǎn)。感測元件可進(jìn)一步配置為生成指示醫(yī)療裝置的遠(yuǎn)側(cè)頂端的方位的信號。感測元件可配置為測量交變外部磁場，以輸出指示遠(yuǎn)側(cè)頂端的方位的信號。感測元件可配置為測量磁體的靜磁場。感測元件可包括磁阻傳感器。感測元件可配置為測量磁體的磁場的沿磁阻傳感器的感測方向的分量。在升降器的第一配置中，磁體的軸線可配置為與磁阻傳感器的感測方向偏移第一量。在升降器的第二配置中，磁體的軸線可以配置為與磁阻傳感器的感測方向偏移第二量。感測元件可以安裝在醫(yī)療裝置的遠(yuǎn)側(cè)頂端的基板上。磁體可以是永磁體。感測元件可以是第一感測元件，并且組件還可以包括配置為測量磁體的磁場的第二感測元件。感測元件可以配置為在升降器的完全升高配置中測量與在升降器的完全降低配置中測量的磁場的不同幅度。

4、在另一個示例中，醫(yī)療裝置的組件可以包括：升降器，其配置為升高和降低，以調(diào)整通過醫(yī)療裝置作業(yè)通道的儀器插入的方位。升降器可以包括磁體或升降器傳感器。感測元件可以配置為提供指示醫(yī)療裝置遠(yuǎn)側(cè)頂端的位置或方位的信號。感測元件或升降器傳感器中的至少一個可以配置為提供指示升降器的配置的信號。

5、本文公開的任何示例均可單獨或組合地包括以下任何特征。組件可包括升降器傳感器，升降器傳感器可包括陀螺儀傳感器。組件可包括磁體，并且感測元件可配置為測量交變外部磁場，以輸出指示遠(yuǎn)側(cè)頂端的方位的信號。感測元件可配置為測量磁體的靜磁場。

6、在另一個示例中，醫(yī)療裝置的組件可以包括：遠(yuǎn)側(cè)頂端，其包括至少一個感測元件，該感測元件被配置成測量交變磁場和靜磁場。交變磁場可以在受試者外部生成。遠(yuǎn)側(cè)頂端可以包括生成靜磁場的磁體。至少一個感測元件被配置成生成指示如下項的信號：(a)遠(yuǎn)側(cè)頂端的位置或方位；和(b)遠(yuǎn)側(cè)頂端的升降器的配置。

7、本文公開的任何示例均可單獨或組合地包括下列任意元件。升降器可包括磁體。

技術(shù)特征：

1.一種醫(yī)療裝置的組件，所述組件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述磁體被沿直徑方向磁化。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述磁體被布置在所述升降器的軸的凹槽內(nèi)。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述磁體大致為圓柱形。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中當(dāng)升降器被升高和降低時，所述磁體繞所述磁體的縱向軸線旋轉(zhuǎn)。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述感測元件還被配置為生成指示所述醫(yī)療裝置的遠(yuǎn)側(cè)頂端的方位的信號。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的組件，其中所述感測元件被配置為測量交變外部磁場，以輸出指示所述遠(yuǎn)側(cè)頂端的方位的信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的組件，其中所述感測元件被配置為測量所述磁體的靜磁場。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述感測元件包括磁阻傳感器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的組件，其中所述感測元件被配置為測量所述磁體的磁場的沿所述磁阻傳感器的感測方向的分量。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組件，其中在所述升降器的第一配置中，所述磁體的軸線被配置為與所述磁阻傳感器的所述感測方向偏移第一量，并且其中在所述升降器的第二配置中，所述磁體的所述軸線被配置為與所述磁阻傳感器的所述感測方向偏移第二量。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述感測元件被安裝在所述醫(yī)療裝置的遠(yuǎn)側(cè)頂端的基板上。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述磁體是永磁體。

14.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述感測元件是第一感測元件，所述組件還包括配置為測量所述磁體的磁場的第二感測元件。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的組件，其中所述感測元件被配置為在所述升降器的完全升高配置中測量與在所述升降器的完全降低配置中測量的磁場的不同幅度。

技術(shù)總結(jié)
醫(yī)療裝置的組件可包括升降器，該升降器配置為升高和降低以便調(diào)整通過醫(yī)療裝置的作業(yè)通道插入的儀器的方位。升降器可包括磁體。該組件還可包括感測元件，該感測元件配置為測量磁體的磁場并輸出指示升降器配置的信號。

技術(shù)研發(fā)人員：安德魯·格雷夫利,丹尼爾·福斯特,喬治·杜瓦爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：波士頓科學(xué)國際有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9