本發(fā)明涉及口腔醫(yī)學(xué)，具體涉及一種磨牙墊模型的生成方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、當(dāng)前，隨著生活質(zhì)量的提升及健康意識的增強(qiáng)，個(gè)性化牙科治療已成為廣大患者的迫切需求。夜間磨牙是一種常見的口腔問題，不僅影響患者的睡眠質(zhì)量，還可能導(dǎo)致牙齒磨損或顳下頜關(guān)節(jié)紊亂等一系列口腔健康問題。針對此問題，通過定制化的磨牙墊治療成為了一種有效的解決方案。

2、由于每個(gè)患者的口腔情況不同且比較復(fù)雜，當(dāng)前，磨牙墊的設(shè)計(jì)與制造主要依賴于經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)師根據(jù)患者的口腔掃描數(shù)據(jù)或印模進(jìn)行手工繪制和設(shè)計(jì)。

3、然而，這種方法高度依賴于設(shè)計(jì)師的主觀判斷和個(gè)人經(jīng)驗(yàn)。由于缺乏科學(xué)的量化分析和個(gè)性化考量，設(shè)計(jì)出的磨牙墊往往難以確保與每位患者的口腔結(jié)構(gòu)完美適配，進(jìn)而影響患者的舒適度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本申請?zhí)峁┝艘环N磨牙墊模型的生成方法及電子設(shè)備，通過根據(jù)移動(dòng)參數(shù)對裁剪表面進(jìn)行等距移動(dòng)處理，得到磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面，能夠使磨牙墊模型與目標(biāo)對象的實(shí)際口腔結(jié)構(gòu)適配，能夠滿足目標(biāo)對象的個(gè)性化需求，從而提高后續(xù)基于磨牙墊模型制造的磨牙墊的使用舒適度。

2、為解決上述問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本申請實(shí)施例提供一種磨牙墊模型的生成方法，包括：獲取目標(biāo)對象的口腔掃描數(shù)據(jù)和與所述目標(biāo)對象對應(yīng)的移動(dòng)參數(shù)，其中，所述口腔掃描數(shù)據(jù)包括牙齒模型，所述移動(dòng)參數(shù)包括待生成的磨牙墊模型的厚度參數(shù)；

4、基于所述口腔掃描數(shù)據(jù)確定在所述牙齒模型上的裁剪表面；

5、根據(jù)所述移動(dòng)參數(shù)對所述裁剪表面進(jìn)行等距移動(dòng)處理，得到所述磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面；

6、對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型。

7、在一些實(shí)施方式中，所述基于所述口腔掃描數(shù)據(jù)確定在所述牙齒模型上的裁剪表面，包括：

8、基于所述口腔掃描數(shù)據(jù)在所述牙齒模型上生成裁剪線；

9、基于所述裁剪線確定在所述牙齒模型上的邊界線；

10、基于所述口腔掃描數(shù)據(jù)中的咬合方向向量和所述邊界線確定在所述牙齒模型上的裁剪表面。

11、在一些實(shí)施方式中，所述移動(dòng)參數(shù)還包括間隙參數(shù)，所述根據(jù)所述移動(dòng)參數(shù)對所述裁剪表面進(jìn)行等距移動(dòng)處理，得到所述磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面，包括：

12、當(dāng)所述間隙參數(shù)的數(shù)值為0時(shí)，將所述裁剪表面作為所述內(nèi)層表面；

13、當(dāng)所述間隙參數(shù)的數(shù)值大于0時(shí)，根據(jù)所述間隙參數(shù)對所述裁剪表面進(jìn)行第一等距移動(dòng)處理，得到所述磨牙墊模型的內(nèi)層表面，其中，所述第一等距移動(dòng)處理中的移動(dòng)距離為所述間隙參數(shù)的數(shù)值；

14、根據(jù)所述移動(dòng)參數(shù)中的厚度參數(shù)對所述內(nèi)層表面進(jìn)行第二等距移動(dòng)處理，得到所述磨牙墊模型的外層表面，其中，所述第二等距移動(dòng)處理中的移動(dòng)距離為所述厚度參數(shù)的數(shù)值。

15、在一些實(shí)施方式中，所述內(nèi)層表面的邊界線由多個(gè)第一頂點(diǎn)構(gòu)成，所述外層表面的邊界線由多個(gè)第二頂點(diǎn)構(gòu)成，在所述對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型之前，所述方法還包括：

16、根據(jù)所述內(nèi)層表面的邊界線上的多個(gè)第一頂點(diǎn)的坐標(biāo)對所述內(nèi)層表面的邊界線進(jìn)行第一邊界優(yōu)化處理，以使所述內(nèi)層表面的邊界線平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面；

17、根據(jù)所述外層表面的邊界線上的多個(gè)第二頂點(diǎn)的坐標(biāo)對所述外層表面的邊界線進(jìn)行第二邊界優(yōu)化處理，以使所述外層表面的邊界線平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述外層表面。

18、在一些實(shí)施方式中，所述內(nèi)層表面由多個(gè)面片構(gòu)成，在所述對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型之前，所述方法還包括：

19、根據(jù)所述內(nèi)層表面的所有面片對所述內(nèi)層表面進(jìn)行形態(tài)優(yōu)化處理，以使所述內(nèi)層表面平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面。

20、在一些實(shí)施方式中，所述根據(jù)所述內(nèi)層表面的所有面片對所述內(nèi)層表面進(jìn)行形態(tài)優(yōu)化處理，以使所述內(nèi)層表面平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面，包括：

21、計(jì)算所述內(nèi)層表面上的每個(gè)所述面片與相鄰的面片構(gòu)成的二面角的角度，得到多個(gè)所述二面角的角度；

22、逐一遍歷多個(gè)所述二面角，當(dāng)所述二面角的角度大于預(yù)設(shè)角度時(shí)，將所述二面角對應(yīng)的兩個(gè)面片的公共邊的兩個(gè)頂點(diǎn)均沿所述口腔掃描數(shù)據(jù)中的咬合方向向量移動(dòng)第一預(yù)設(shè)距離；

23、當(dāng)遍歷完多個(gè)所述二面角，得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面。

24、在一些實(shí)施方式中，所述面片為具有多個(gè)頂點(diǎn)的多邊形面片，所述根據(jù)所述內(nèi)層表面的所有面片對所述內(nèi)層表面進(jìn)行形態(tài)優(yōu)化處理，以使所述內(nèi)層表面平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面，包括：

25、基于所述口腔掃描數(shù)據(jù)中的咬合方向向量和所述內(nèi)層表面中的所有面片識別所述內(nèi)層表面中的頸緣區(qū)域；

26、逐一遍歷所述頸緣區(qū)域中的所有面片的頂點(diǎn)，根據(jù)每個(gè)所述頸緣區(qū)域中的頂點(diǎn)所在的所有邊的邊長之和確定每個(gè)所述頸緣區(qū)域中的頂點(diǎn)對應(yīng)的移動(dòng)距離；

27、將每個(gè)所述頸緣區(qū)域中的頂點(diǎn)沿頂點(diǎn)對應(yīng)的法向量移動(dòng)頂點(diǎn)對應(yīng)的移動(dòng)距離；

28、當(dāng)遍歷完所述頸緣區(qū)域中的多個(gè)頂點(diǎn)，得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面。

29、在一些實(shí)施方式中，所述內(nèi)層表面的邊界線由多個(gè)第一頂點(diǎn)構(gòu)成，所述外層表面的邊界線由多個(gè)第二頂點(diǎn)構(gòu)成，所述對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型，包括：

30、對于所述內(nèi)層表面的邊界線上的每個(gè)所述第一頂點(diǎn)，在所述外層表面的邊界線上確定與所述第一頂點(diǎn)對應(yīng)的滿足預(yù)設(shè)條件的所述第二頂點(diǎn)；

31、根據(jù)每個(gè)所述第一頂點(diǎn)和所述第一頂點(diǎn)對應(yīng)的第二頂點(diǎn)計(jì)算得到多個(gè)擬合點(diǎn)；

32、根據(jù)所有的所述第一頂點(diǎn)、所述第一頂點(diǎn)對應(yīng)的第二頂點(diǎn)和所述擬合點(diǎn)生成縫合表面；

33、將所述內(nèi)層表面、所述外層表面和所述縫合表面拼接，得到所述磨牙墊模型。

34、在一些實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)條件為所述第一頂點(diǎn)和所述第二頂點(diǎn)之間的距離與所述厚度參數(shù)的數(shù)值之差小于第一預(yù)設(shè)值，并且根據(jù)所述第一頂點(diǎn)和所述第一頂點(diǎn)對應(yīng)的第二頂點(diǎn)擬合得到的曲線上的每個(gè)擬合點(diǎn)對應(yīng)的曲率均小于第二預(yù)設(shè)值。

35、第二方面，本申請實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括：

36、至少一個(gè)處理器；以及，

37、與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器；其中，

38、所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行的指令，所述指令被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行，以使所述至少一個(gè)處理器能夠執(zhí)行如第一方面所述的磨牙墊模型的生成方法。

39、本申請?zhí)峁┝艘环N磨牙墊模型的生成方法及電子設(shè)備，本申請通過根據(jù)移動(dòng)參數(shù)對裁剪表面進(jìn)行擴(kuò)張?zhí)幚?，得到磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面，能夠使磨牙墊模型與目標(biāo)對象的實(shí)際口腔結(jié)構(gòu)適配，能夠滿足目標(biāo)對象的個(gè)性化需求，從而提高后續(xù)基于磨牙墊模型制造的磨牙墊的使用舒適度。

技術(shù)特征：

1.一種磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述基于所述口腔掃描數(shù)據(jù)確定在所述牙齒模型上的裁剪表面，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述移動(dòng)參數(shù)還包括間隙參數(shù)，所述根據(jù)所述移動(dòng)參數(shù)對所述裁剪表面進(jìn)行等距移動(dòng)處理，得到所述磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述內(nèi)層表面的邊界線由多個(gè)第一頂點(diǎn)構(gòu)成，所述外層表面的邊界線由多個(gè)第二頂點(diǎn)構(gòu)成，在所述對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型之前，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述內(nèi)層表面由多個(gè)面片構(gòu)成，在所述對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型之前，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述根據(jù)所述內(nèi)層表面的所有面片對所述內(nèi)層表面進(jìn)行形態(tài)優(yōu)化處理，以使所述內(nèi)層表面平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述面片為具有多個(gè)頂點(diǎn)的多邊形面片，所述根據(jù)所述內(nèi)層表面的所有面片對所述內(nèi)層表面進(jìn)行形態(tài)優(yōu)化處理，以使所述內(nèi)層表面平滑，進(jìn)而得到優(yōu)化后的所述內(nèi)層表面，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，所述內(nèi)層表面的邊界線由多個(gè)第一頂點(diǎn)構(gòu)成，所述外層表面的邊界線由多個(gè)第二頂點(diǎn)構(gòu)成，所述對所述內(nèi)層表面和所述外層表面進(jìn)行縫合處理，得到所述磨牙墊模型，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磨牙墊模型的生成方法，其特征在于，

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種磨牙墊模型的生成方法及電子設(shè)備，該磨牙墊模型的生成方法包括獲取目標(biāo)對象的口腔掃描數(shù)據(jù)和與目標(biāo)對象對應(yīng)的移動(dòng)參數(shù)，其中，口腔掃描數(shù)據(jù)包括牙齒模型，移動(dòng)參數(shù)包括待生成的磨牙墊模型的厚度參數(shù)；基于口腔掃描數(shù)據(jù)確定在牙齒模型上的裁剪表面；根據(jù)移動(dòng)參數(shù)對裁剪表面進(jìn)行等距移動(dòng)處理，得到磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面；對內(nèi)層表面和外層表面進(jìn)行縫合處理，得到磨牙墊模型。本申請通過根據(jù)移動(dòng)參數(shù)對裁剪表面進(jìn)行擴(kuò)張?zhí)幚?，得到磨牙墊模型的內(nèi)層表面和外層表面，能夠使磨牙墊模型與目標(biāo)對象的實(shí)際口腔結(jié)構(gòu)適配，能夠滿足目標(biāo)對象的個(gè)性化需求，從而提高后續(xù)基于磨牙墊模型制造的磨牙墊的使用舒適度。

技術(shù)研發(fā)人員：吳剛,趙桐,陳冬靈
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳云甲科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23