本發(fā)明涉及面膜領(lǐng)域，特別是涉及一種相變控溫冷敷面膜。

背景技術(shù)：

1、面部術(shù)后冷敷是一項(xiàng)關(guān)鍵的護(hù)理措施，旨在減輕術(shù)后不適、促進(jìn)愈合和加速恢復(fù)。手術(shù)后，面部通常會(huì)出現(xiàn)疼痛、腫脹和炎癥。冷敷通過(guò)局部降溫，能有效減少神經(jīng)末梢的興奮性，從而緩解疼痛，特別適用于敏感肌膚和疼痛耐受度較低的患者。此外，冷敷能夠使血管收縮，減少局部血流，減輕腫脹和炎癥，有助于加快恢復(fù)并減少不適。冷敷還能預(yù)防和減輕淤血與淤青的形成，改善術(shù)后外觀。通過(guò)降低局部溫度，冷敷減少了組織代謝率和氧需求，降低術(shù)后感染和并發(fā)癥的風(fēng)險(xiǎn)，并減少炎性物質(zhì)釋放，促進(jìn)傷口愈合。冷敷提供的舒適感提升了患者的整體舒適度和滿意度，特別是在美容手術(shù)后。

2、綜上所述，面部術(shù)后冷敷在術(shù)后護(hù)理中不可或缺，具有多重作用和顯著的需求，通過(guò)科學(xué)合理的冷敷護(hù)理，能有效減輕術(shù)后不適，促進(jìn)恢復(fù)，提升患者的整體治療體驗(yàn)。但傳統(tǒng)的冷敷方法(如冰袋)在操作上存在一定的麻煩，并且可能會(huì)因溫度過(guò)低導(dǎo)致凍傷。而常見的冷敷面膜也因其冷敷時(shí)間較短，并不能起到緩解疼痛的作用。因此，急需開發(fā)一種相變控溫冷敷面膜，在滿足現(xiàn)有冷敷需求的前提下，解決冷敷控溫和時(shí)長(zhǎng)的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于公開了一種相變控溫冷敷面膜及其制備方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的現(xiàn)有冷敷面膜降溫時(shí)間短，無(wú)法控溫的弊端。本發(fā)明解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：一種相變控溫冷敷面膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2、步驟一，混合配制ab硅膠，攪拌均勻后進(jìn)行真空除泡；

3、步驟二，將相變微膠囊和ab硅膠混合，攪拌得到混合漿料；

4、步驟三，對(duì)面膜形狀的聚四氟乙烯模板進(jìn)行超聲波清洗、去離子水沖洗后自然晾干，然后將步驟二所得混合漿料涂覆在聚四氟乙烯模板內(nèi)，待自然流平后干燥固化成型；

5、步驟四，在固化成型后的面膜上再?gòu)?fù)涂一層ab硅膠，待完全固化后進(jìn)行托膜，即得到相變控溫冷敷面膜。

6、進(jìn)一步的，所述步驟一中，所述ab硅膠中a膠與b膠按質(zhì)量比1:1～10進(jìn)行混合，優(yōu)選1:1～5，更優(yōu)選1:1～2。

7、進(jìn)一步的，所述步驟一中，真空除泡的壓力(表壓)為-0.05～-0.1mpa，優(yōu)選-0.07～-0.1mpa，更優(yōu)選-0.08～-0.1mpa；真空干燥時(shí)間為30～60min，優(yōu)選40～60min，更優(yōu)選50～60min。

8、進(jìn)一步的，所述步驟一中，攪拌速率為100～500r/min，優(yōu)選100～300r/min，更優(yōu)選100～200r/min；攪拌時(shí)間為10～30min，優(yōu)選10～20min，更優(yōu)選10～15min。

9、進(jìn)一步的，所述步驟二中，所述相變微膠囊中所采用的相變材料由十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷和十八烷中的一種或者多種組成；

10、進(jìn)一步的，所述步驟二中，所述相變微膠囊與ab硅膠的混合質(zhì)量比例為1:1～10，優(yōu)選1:1～5，更優(yōu)選1:1～2。

11、進(jìn)一步的，所述步驟二中，攪拌速率為100～500r/min，優(yōu)選100～300r/min，更優(yōu)選100～150r/min；攪拌時(shí)間為10～30min，優(yōu)選10～20min，更優(yōu)選10～15min。

12、進(jìn)一步的，所述步驟三中，干燥固化成型的溫度為80～160℃，優(yōu)選80～120℃，更優(yōu)選80～100℃；干燥時(shí)間為5～120min，優(yōu)選5～20min，更優(yōu)選10～20min；干燥后混合漿料涂層的厚度為0.5～3mm，優(yōu)選1～3mm，更優(yōu)選1.5～2.5mm。

13、進(jìn)一步的，所述步驟四中，干燥固化成型的溫度為80～160℃，優(yōu)選80～120℃，更優(yōu)選80～100℃；干燥時(shí)間為5～120min，優(yōu)選5～20min，更優(yōu)選10～20min；復(fù)涂ab硅膠的厚度為0.5～1mm，優(yōu)選0.5～0.8mm，更優(yōu)選0.5～0.6mm。

14、進(jìn)一步的，所述的制備方法制備獲得的相變控溫冷敷面膜。

15、進(jìn)一步的，相變控溫面膜的控溫溫度為0～20℃，材料的相變焓值為10～200j/g。

16、進(jìn)一步的，相變控溫面膜的控溫時(shí)間為5～20min。

17、本發(fā)明利用相變材料發(fā)生相變時(shí)具有高儲(chǔ)能密度的特點(diǎn)，使制備的冷敷面膜在厚度較薄的情況下，仍具有控溫和儲(chǔ)冷的特性，在醫(yī)療美容術(shù)后鎮(zhèn)痛修復(fù)中可以起到一定的作用。

18、本發(fā)明具有以下有益效果及優(yōu)點(diǎn)：

19、1.本發(fā)明可以準(zhǔn)確可靠地控制冷敷溫度以及控制復(fù)溫過(guò)程，使其可長(zhǎng)時(shí)間處于冷敷最佳溫度，不至于溫度過(guò)低凍傷人體，并且相變控溫冷敷面膜具有柔性。與常見的冰塊冷敷相比，面膜在蓄冷后能很好的貼附于面部，大大提高了冷敷效果。與市場(chǎng)現(xiàn)有的冷敷面膜相比，相變控溫冷敷面膜利用相變材料所提供的潛熱來(lái)代替普通材料的顯熱，提高了儲(chǔ)能密度，在保證冷敷時(shí)長(zhǎng)的前提下，減輕了面膜的重量和厚度。

20、2.本發(fā)明可以迅速實(shí)現(xiàn)低溫誘導(dǎo)、控制冷敷溫度的同時(shí)，優(yōu)化了使用放松，大幅提升冷敷效率以及保障安全。同時(shí)發(fā)明生產(chǎn)工藝方式簡(jiǎn)單，可大規(guī)模生產(chǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種相變控溫冷敷面膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一中，所述ab硅膠中a膠與b膠按質(zhì)量比1:1～10進(jìn)行混合，優(yōu)選1:1～5，更優(yōu)選1:1～2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一中，真空除泡的壓力(表壓)為-0.05～-0.1mpa，優(yōu)選-0.07～-0.1mpa，更優(yōu)選-0.08～-0.1mpa；真空干燥時(shí)間為30～60min，優(yōu)選40～60min，更優(yōu)選50～60min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟二中，所述相變微膠囊中所采用的相變材料由十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷和十八烷中的一種或者多種組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟二中，所述相變微膠囊與ab硅膠的混合質(zhì)量比例為1:1～10，優(yōu)選1:1～5，更優(yōu)選1:1～2；所述步驟二中，攪拌速率為100～500r/min，優(yōu)選100～300r/min，更優(yōu)選100～150r/min；攪拌時(shí)間為10～30min，優(yōu)選10～20min，更優(yōu)選10～15min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相變控溫冷敷面膜及其制備方法，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：

8.一種權(quán)利要求1～7任一所述的制備方法制備獲得的相變控溫冷敷面膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變控溫冷敷面膜，其特征在于：相變控溫面膜的控溫溫度為0～20℃，材料的相變焓值為10～200j/g。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變控溫冷敷面膜，其特征在于：相變控溫面膜的控溫時(shí)間為5～20min。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種相變控溫冷敷面膜及其制備方法，包括以下步驟：步驟一，混合配制AB硅膠，攪拌均勻后進(jìn)行真空除泡；步驟二，將相變微膠囊和AB硅膠混合，攪拌得到混合漿料；步驟三，對(duì)面膜形狀的聚四氟乙烯模板進(jìn)行超聲波清洗、去離子水沖洗后自然晾干，然后將步驟二所得混合漿料涂覆在聚四氟乙烯模板內(nèi)，待自然流平后干燥固化成型；步驟四，在固化成型后的面膜上再?gòu)?fù)涂一層AB硅膠，待完全固化后進(jìn)行托膜，即得到相變控溫冷敷面膜。本發(fā)明利用相變材料發(fā)生相變時(shí)具有高儲(chǔ)能密度的特點(diǎn)，使制備的冷敷面膜在厚度較薄的情況下，仍具有控溫和儲(chǔ)冷的特性，在醫(yī)療美容術(shù)后鎮(zhèn)痛修復(fù)中可以起到一定的作用。

技術(shù)研發(fā)人員：史全,陳茂良,解卓學(xué),寇艷,聞晶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2