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一種激光輔助制備的新型抗剝脫TNTs牙種植體

文檔序號:40603633發(fā)布日期:2025-01-07 20:44閱讀:4來源:國知局
一種激光輔助制備的新型抗剝脫TNTs牙種植體

本發(fā)明涉及鈦及鈦合金加工領(lǐng)域,具體為一種激光輔助制備的新型抗剝脫tnts牙種植體。


背景技術(shù):

1、鈦(ti)及其合金因其優(yōu)異的生物相容性和機(jī)械性能,被廣泛認(rèn)可為臨床應(yīng)用中牙種植體的首選材料。然而,它們的生物功能尚不充分,對于患有骨質(zhì)疏松癥和糖尿病等疾病的患者,其修復(fù)效果仍不理想。研究表明,通過陽極氧化在鈦表面形成的二氧化鈦納米管(tnts)涂層具有多種生物功能,顯著增強(qiáng)了鈦種植體的骨結(jié)合能力。垂直排列的tnts首先作為局部藥物遞送的平臺,促進(jìn)藥物分子的控釋。此外,tnts增加的表面積增強(qiáng)了其抗細(xì)菌感染和氧化應(yīng)激的能力。而且,tnts的空心管狀結(jié)構(gòu)的彈性模量類似于松質(zhì)骨,能夠巧妙地管理負(fù)載分布和能量耗散,減少應(yīng)力屏蔽效應(yīng),從而延長種植體的使用壽命。盡管有這些優(yōu)勢,tnts在機(jī)械應(yīng)力下易出現(xiàn)開裂、分層和剝離。在植入骨骼時,tnts會遇到摩擦力,而在嵌入頜骨后,它們必須承受持續(xù)的咀嚼壓力,這兩者都可能導(dǎo)致涂層的磨損和脫落。這種涂層脫落可能會引發(fā)免疫炎癥反應(yīng),阻礙骨結(jié)合,并影響種植體的長期穩(wěn)定性因此,盡管tnts在先進(jìn)牙種植體中具有巨大潛力,克服與機(jī)械穩(wěn)定性相關(guān)的挑戰(zhàn)對于其臨床應(yīng)用至關(guān)重要。

2、為增強(qiáng)tnts的機(jī)械穩(wěn)定性,已提出了多種方法。其中一類方法側(cè)重于提高tnts與鈦基底之間的界面粘附性,以增強(qiáng)涂層的抗分層能力。例如,向陽極氧化電解液中添加硼酸已被發(fā)現(xiàn)能有效減少氟含量,從而增強(qiáng)納米管層與鈦基底之間的界面粘附力。另一類方法則通過激光誘導(dǎo)表面改性等技術(shù),部分晶化二氧化鈦,從而顯著提升其機(jī)械性能。此外,通過聚合物填充tnts也被證明可以增強(qiáng)其機(jī)械強(qiáng)度。然而,在植入手術(shù)過程中,種植體在插入過程中會經(jīng)歷高扭矩,并且必須承受橫向摩擦力,現(xiàn)有的增強(qiáng)措施仍無法有效防止tnts因內(nèi)在粘結(jié)性差和薄管壁的問題而導(dǎo)致的磨損和脫落。

3、本發(fā)明針上述問題,提出一種潛在的策略,即利用具有互鎖的凸起和凹陷圖案的分級微圖案結(jié)構(gòu),避免納米管與骨界面的直接接觸,從而保護(hù)tnts結(jié)構(gòu)。這些微圖案可以將不穩(wěn)定的涂層包裹在這些微圖案中,從而避免與摩擦力接觸。具體地,利用皮秒激光刻蝕技術(shù)輔助微圖案化技術(shù),通過激光誘導(dǎo)的熱效應(yīng)選擇性地去除指定區(qū)域的光刻膠,從而創(chuàng)建微線條圖案,隨后,在這些激光刻蝕的微線條圖案區(qū)域直接進(jìn)行陽極氧化,形成獨特的l-tnts結(jié)構(gòu),但截至目前,有關(guān)此方面的研究未有報道。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何改善有效防止tnts因內(nèi)在粘結(jié)性差和薄管壁的問題而導(dǎo)致的磨損和脫落,增強(qiáng)其抗剝脫和耐磨性能。

2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種激光輔助制備的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜,包括以下步驟:

3、(1)在鈦基材料表面非圖案區(qū)域旋涂光刻膠;

4、(2)對所述鈦基材料表面圖案區(qū)域進(jìn)行蝕刻;

5、(3)對所述蝕刻區(qū)域進(jìn)行陽極氧化;

6、(4)去除光刻膠,得到抗剝脫l-tnts陣列薄膜;

7、所述新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜表面結(jié)構(gòu)為tnts內(nèi)嵌于刻蝕形成的凹槽內(nèi)。

8、優(yōu)選地,所述圖案形狀為條形。

9、優(yōu)選地,所述條形圖案的寬度為50-600μm。

10、優(yōu)選地,所述條形圖案的寬度為150-300μm。

11、更優(yōu)選地,所述條形圖案的寬度為300μm。

12、優(yōu)選地,所述條形圖案的寬度為50-150μm、150-300μm或300-600μm。

13、優(yōu)選地,所述條形圖案的深度為10-50μm,優(yōu)選地,所述條形圖案的深度為20μm。

14、優(yōu)選地,所述步驟(2)中的刻蝕選用物理刻蝕或化學(xué)刻蝕。

15、優(yōu)選地,所述化學(xué)刻蝕選用激光刻蝕。

16、優(yōu)選地,所述激光選用皮秒紫外激光。

17、優(yōu)選地,所述步驟(2)中所述皮秒紫外激光的功率為1.5-45w,優(yōu)選地,所述皮秒紫外激光的功率為15w。

18、優(yōu)選地,所述步驟(3)中陽極氧化使用的電解液包括去離子水、甘油和氟化銨,且離子水、甘油和氟化銨的比例為:50:50:1。

19、優(yōu)選地,所述步驟(3)中陽極氧化的電壓為10-100v,時間為0.5-1.5h

20、優(yōu)選地,所述步驟(3)中陽極氧化的電壓為30v,時間為1h。

21、優(yōu)選地,所述步驟(1)中旋涂光刻膠的步驟為使用旋涂機(jī)以3000rpm的速度旋涂10μl的光刻膠,旋轉(zhuǎn)20秒以涂覆l-tnts樣品。

22、優(yōu)選地,所述新型抗剝脫tnts陣列薄膜的制備方法還包括前處理步驟:對鈦基材料進(jìn)行拋光,并清洗、烘干;

23、在本發(fā)明的較佳實施方式中,本發(fā)明提供了一種抗剝脫l-tnts陣列薄膜,其通過前述方法制備得到。

24、在本發(fā)明的另一較佳實施方式中,本發(fā)明提供了一種鈦基牙種植體,所述牙種植體表面經(jīng)l-tnts陣列薄膜修飾。

25、在本發(fā)明的再一較佳實施方式中,本發(fā)明提供了本發(fā)明所述的l-tnts陣列薄膜在提高鈦植入體耐磨損性能和成骨分化能力的應(yīng)用。

26、本發(fā)明的突出特點和有益效果是:

27、本發(fā)明新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜利用具有互鎖的凸起和凹陷圖案的分級微圖案結(jié)構(gòu),避免納米管與骨界面的直接接觸,從而保護(hù)tnts結(jié)構(gòu),l-tnts陣列薄膜的微圖案結(jié)構(gòu)尺寸的精確控制增強(qiáng)了l-tnts的抗剝脫和耐磨性能;此外,l-tnts還可以在鈦種植體的彎曲表面上制備,雖然tnts結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌于鈦基材料的凹陷結(jié)構(gòu)中,但l-tnts仍保留了納米管結(jié)構(gòu)促進(jìn)成骨細(xì)胞生長和分化的能力;這些特點使l-tnts具有顯著的潛力,以改善整體種植體性能,推進(jìn)tnts的商業(yè)應(yīng)用,并為多功能種植體研究奠定堅實基礎(chǔ)。

28、以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說明,以充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果。



技術(shù)特征:

1.一種鈦基牙種植體,所述牙種植體表面經(jīng)抗剝脫l-tnts陣列薄膜修飾。

2.一種激光輔助制備的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,包括以下步驟:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,其特征在于,所述圖案形狀為條形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,其特征在于,所述條形圖案的寬度為50-600μm,優(yōu)選地,條形圖案的寬度為150-300μm,更優(yōu)選地,條形圖案的寬度為300μm;

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中的刻蝕選用物理刻蝕或化學(xué)刻蝕,化學(xué)刻蝕優(yōu)選激光刻蝕,激光優(yōu)選皮秒紫外激光;

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中陽極氧化使用的電解液包括去離子水、甘油和氟化銨,且離子水、甘油和氟化銨的比例為:50:50:1,任選地,所述步驟(3)中陽極氧化的電壓為10-100v,時間為0.5-1.5h。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中旋涂光刻膠的步驟為使用旋涂機(jī)以2000-4000rpm的速度旋涂5-15μl的光刻膠,旋轉(zhuǎn)10-50秒以涂覆l-tnts樣品。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法,其特征在于,所述l-tnts陣列薄膜的制備方法還包括前處理步驟:對鈦基材料進(jìn)行拋光,并清洗、烘干。

9.權(quán)利要求2-8所述的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜的制備方法制得的抗剝脫l-tnts陣列薄膜。

10.權(quán)利要求2-8所述的制備方法制得的新型抗剝脫l-tnts陣列薄膜或權(quán)利要求9所述的抗剝脫l-tnts陣列薄膜在提高鈦植入體耐磨損性能和成骨分化能力的應(yīng)用。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及鈦及鈦合金加工領(lǐng)域,具體為一種激光輔助制備的新型抗剝脫TNTs牙種植體,所述新型抗剝脫L?TNTs陣列薄膜的制備方法包括以下步驟:(1)在鈦基材料表面非圖案區(qū)域旋涂光刻膠;(2)對所述鈦基材料表面圖案區(qū)域進(jìn)行蝕刻;(3)對所述蝕刻區(qū)域進(jìn)行陽極氧化;(4)去除光刻膠,得到激光輔助制備的新型抗剝脫TNTs陣列薄膜;所述新型抗剝脫L?TNTs陣列薄膜表面結(jié)構(gòu)為TNTs內(nèi)嵌于刻蝕形成的凹槽內(nèi)。本發(fā)明新型抗剝脫L?TNTs陣列薄膜的微圖案結(jié)構(gòu)尺寸的精確控制增強(qiáng)了L?TNTs的抗剝脫和耐磨性能;L?TNTs還可以在鈦種植體的彎曲表面上制備,且仍保留了納米管結(jié)構(gòu)促進(jìn)成骨細(xì)胞生長和分化的能力;L?TNTs改善了整體種植體性能,推進(jìn)TNTs的商業(yè)應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員:劉勁松,尹保迪,高鵬,呂磊,孫浩波,吳淑怡,鄧振南
受保護(hù)的技術(shù)使用者:溫州醫(yī)科大學(xué)附屬口腔醫(yī)院
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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