用于醫(yī)用導線的增強的低摩擦涂層和制造方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的交叉參考
[0002] 本申請根據(jù)35U.S.C.第119(e)章要求于2012年8月29日提交的名稱為 "ENHANCED LOW FRICTION COATING FOR MEDICAL LEADS AND METHODS OF MAKING" 的美國 臨時申請第61/694594號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及具有減小的摩擦系數(shù)的可植入或可插入的醫(yī)療器械。更具體而言，本 發(fā)明涉及具有等離子體增強氣相沉積涂層的器械及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 植入心臟內(nèi)或者周圍的醫(yī)用電導線已經(jīng)用于扭轉(zhuǎn)某些危及生命的心律失?；虼?激心臟的收縮。例如，導線可包括與能夠?qū)π呐K施加電能以使心臟恢復正常節(jié)律的導體連 接的電極。導線也已用于在心臟的心房和心室中感測并向心房和心室遞送起搏脈沖。
[0005] 該導線可包括用于使導體電絕緣和只允許電極與身體組織建立電接觸的外絕緣 主體。外導線主體可以由硅酮（Silicone)形成。雖然硅酮是一種彈性的和生物穩(wěn)定的材 料，但是硅酮可形成具有高摩擦系數(shù)的粘性表面，這是一個缺點，例如，當硅酮接近運動部 件使用時。在導線植入過程中高摩擦系數(shù)也可能是缺點。在一些實施方式中，通過導管系 統(tǒng)放入導線可以植入導線。在這些實施方式中，期望的是導線足夠光滑以便滑動通過導管 系統(tǒng)而不粘。其它可植入或可插入的醫(yī)療器械（諸如，胃氣球，膀胱器械和乳房植入物）可 包括將得益于低摩擦表面的硅酮基質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 在實施例1中，提供了形成用于插入或植入到患者體內(nèi)的醫(yī)療器械的方法。該方 法包括：在腔室內(nèi)將硅酮基質(zhì)暴露于等離子體，并通過環(huán)狀含硅化合物的等離子體增強化 學汽相沉積（PECVD)在所述硅酮基質(zhì)上形成涂層。PECVD在小于約200毫托（mtorr)的腔 室壓力下發(fā)生。所述涂層包含至少約20原子重量百分比的硅，其中至少30原子重量百分 比處于二氧化硅氧化態(tài)。
[0007] 在實施例2中，實施例1的方法，其中，所述含硅化合物包括八甲基環(huán)四硅氧烷 (OMCTS)。
[0008] 在實施例3中，實施例1或?qū)嵤├?的方法，其中，所述PECVD在約20毫托或以下 的腔室壓力下發(fā)生。
[0009] 在實施例4中，根據(jù)實施例1-3中的任一個所述的方法，其中，在所述硅酮基質(zhì)上 形成涂層包括在所述硅酮基質(zhì)的內(nèi)表面上形成涂層。
[0010] 在實施例5中，可植入或可插入的醫(yī)療器械包括硅酮基質(zhì)和所述硅酮基質(zhì)上的等 離子體增強化學氣相沉積（PECVD)的涂層。所述PECVD沉積的涂層包括環(huán)狀含硅化合物并 且使所述硅酮基質(zhì)的動態(tài)摩擦系數(shù)減少了至少70%。
[0011] 在實施例6中，實施例5的可植入或可插入的醫(yī)療器械，其中，所述涂層包含至少 約20原子重量百分比的硅，其中至少30原子重量百分比處于二氧化硅氧化態(tài)。
[0012] 在實施例7中，實施例5或者實施例6的可植入或可插入醫(yī)療器械，其中，所述含 硅化合物滿足SiOx的化學計量學，其中X是約1. 6至約1. 8。
[0013] 在實施例8中，根據(jù)實施例5-7中的任一個所述的可植入或可插入的醫(yī)療器械，其 中，所述環(huán)狀含硅化合物包括八甲基環(huán)四硅氧烷（OMCTS)。
[0014] 在實施例9中，根據(jù)實施例5-8中的任一個所述的可植入或可插入的醫(yī)療器械，其 中，所述涂層具有約500納米或以下的厚度。
[0015] 在實施例10中，提供了形成用于插入或植入到患者體內(nèi)的醫(yī)療器械的方法。該方 法包括將硅酮基質(zhì)布置在腔室內(nèi)，在硅酮基質(zhì)的至少一部分表面上形成自由基，并且在小 于約200毫托（mtorr)的腔室壓力下等離子體增強化學氣相沉積（PECVD)含硅化合物到所 述硅酮基質(zhì)上以形成被涂敷的基質(zhì)。
[0016] 在實施例11中，實施例10的方法，其中，所述含硅化合物是環(huán)狀含硅化合物。
[0017] 在實施例12中，根據(jù)實施例10或?qū)嵤├?1所述的方法，其中，所述含硅化合物包 括八甲基環(huán)四硅氧烷（OMCTS)。
[0018] 在實施例13中，根據(jù)實施例10-12中的任一個所述的方法，其中，在所述硅酮基質(zhì) 上形成自由基包括從氣體形成等離子體，所述氣體選自氧氣、氬氣、四氟甲烷（CF 4)和三氟 化氮（NF3)以及它們的組合中的至少一種。
[0019] 在實施例14中，根據(jù)實施例10-13中的任一個所述的方法，其中，所述PECVD沉積 步驟包括在約20毫托或以下的腔室壓力下PECVD沉積含硅化合物到所述硅酮基質(zhì)上。
[0020] 在實施例15中，根據(jù)實施例10-14中的任一個所述的方法，其中，所述被涂覆的基 質(zhì)具有比所述硅酮基質(zhì)的動態(tài)摩擦系數(shù)小至少約70%的動態(tài)摩擦系數(shù)。
[0021] 在實施例16中，根據(jù)實施例10-15中的任一個所述的方法，其中，所述被涂覆的基 質(zhì)具有比所述硅酮基質(zhì)的動態(tài)摩擦系數(shù)小至少約80%的動態(tài)摩擦系數(shù)。
[0022] 在實施例17中，根據(jù)實施例10-16中的任一個所述的方法，其中，在五個_30°C至 60°C之間的溫度循環(huán)之后，被涂覆的硅酮基質(zhì)具有比所述硅酮基質(zhì)的動態(tài)摩擦系數(shù)小至少 約70 %的動態(tài)摩擦系數(shù)。
[0023] 在實施例18中，根據(jù)實施例10-17中的任一個所述的方法，其中，所述PECVD形成 具有約50微米或以下的厚度的涂層。
[0024] 在實施例19中，根據(jù)實施例10-18中的任一個所述的方法，其中，所述PECVD形成 包括至少約20原子重量百分比的硅的涂層，其中至少約30原子重量百分比是二氧化硅氧 化態(tài)。
[0025] 在實施例20中，根據(jù)實施例10-19中的任一個所述的方法，其中，所述PECVD在所 述硅酮基質(zhì)的內(nèi)表面上形成保形涂層。
[0026] 盡管公開了多個實施方式，但是本發(fā)明的其他實施方式對于了解下面的詳細描述 的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的，其顯示并描述了本發(fā)明的說明性實施方式。因此， 附圖和詳細描述應(yīng)被視為說明性的而不是限制性的。
【附圖說明】
[0027] 圖1示出示例性可植入醫(yī)療器械。
[0028] 圖2示出圖1的可植入醫(yī)療器械的示例性剖視圖。
[0029] 圖3示出圖1的可植入醫(yī)療器械的可選的示例性剖視圖。
[0030] 圖4示出可以關(guān)于本發(fā)明的實施方式使用的示例性系統(tǒng)。
[0031] 雖然本發(fā)明可修改為各種修改和替換形式，具體的實施例已經(jīng)通過附圖中的實施 例示出并且詳細描述如下。然而，本發(fā)明不打算將本發(fā)明限于所描述的特定實施例。與此 相反，本發(fā)明意在覆蓋落入由所附的權(quán)利要求所限定的發(fā)明范圍內(nèi)的所有修改、等同方式 和替代方式。
[0032] 詳細描沭
[0033] 通過參照本發(fā)明的許多方面和實施方式的以下詳細描述可以獲得對本發(fā)明的更 完全理解。下面的本發(fā)明的詳細描述意在說明而不是限制本發(fā)明。
[0034] 例如醫(yī)用電子設(shè)備、胃氣球、膀胱器械和乳房植入物的可植入或可插入的醫(yī)療器 械可包括硅酮基質(zhì)。如本文所述的涂層可形成在硅酮基質(zhì)的至少一部分上以提供靜態(tài)和動 態(tài)摩擦系數(shù)均減小的表面。在一些實施方式中，涂層可以完全覆蓋或包圍硅酮基質(zhì)?？赏?過等離子體增強化學氣相沉積（PECVD)形成涂層。等離子體是其中顯著百分比的原子或分 子被電離的氣體。等離子體可以由射頻（RF)或兩個電極之間的直流（DC)放電產(chǎn)生，并且 等離子體增強化學氣相沉積也可以用于在基質(zhì)上從氣體狀態(tài)（例如，等離子體）沉積薄膜。
[0035] 在一些實施方式中，醫(yī)用電子設(shè)備可以包括：(a)電子信號