人工耳蝸微彎電極的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及人工器官植入裝置技術領域，特別是涉及一種人工耳蝸微彎電極。
【背景技術】
[0002]人工耳蝸是利用聲電換能裝置取代聾人耳蝸內喪失功能的毛細胞，直接刺激聽覺神經使聾人產生聽覺。人工耳蝸包括體外裝置(主要包括言語處理器)和體內植入裝置兩部分，體外裝置和體內植入裝置之間的信號傳輸通過電磁感應完成，二者之間為皮膚相隔，沒有導線連接。在整個人工耳蝸系統(tǒng)中，體內植入裝置是最關鍵的部分，體外裝置只有通過它才能實現聽覺的恢復，電極陣列是體內植入裝置最為重要的一個組成部分。
[0003]目前，人工耳蝸植入裝置電極陣聯(lián)主要有兩種結構形式，一種是直電極陣聯(lián)，另一種是預彎(也叫全彎)電極陣聯(lián)，由于植入體的結構不同，因此功能方面也各有差異。對于正常的耳蝸結構，直電極陣聯(lián)與耳蝸的螺旋形狀不能較好的吻合，并且由于電極自身的彈性，整個電極陣聯(lián)偏向耳蝸外圍，造成刺激電流擴散，功耗大，影響刺激效果。直電極陣聯(lián)通常采用環(huán)電極，使得電極陣聯(lián)表面不光滑，植入插入時與耳蝸外側壁摩擦阻力大，容易擠壓耳蝸組織，對耳蝸造成損傷。而預彎電極陣聯(lián)原始狀態(tài)是螺旋狀，它更接近耳蝸的螺旋神經節(jié)細胞，刺激更集中，能提高語言的分辨能力，而且功耗小，但是它不能方便手術時直接插入耳蝸內。
[0004]目前，有利用輔助器械幫助手術時進行電極插入的，也有在電極陣聯(lián)中預埋支撐內芯，手術時邊插入邊抽出支撐內芯的方法，這種邊插邊抽出的方法需要專門培訓和訓練，操作難度大，一旦操作失誤，不能重復插入，需要更換整個植入體，風險大。采用在電極陣聯(lián)中預埋支撐內芯，它在電極陣聯(lián)封裝體的背向硅膠體內設置一個與電極陣聯(lián)一樣長的圓柱孔，通過向圓柱孔內插設支撐鋼芯達到使預彎電極陣聯(lián)順直的目的。由于支撐鋼芯要插入的圓柱孔比較長，又非常細，而且大部分操作過程都處于目視效果不是很好的狀態(tài)，使得插入過程比較困難，支撐鋼芯容易折彎導致插入失敗，也容易刺破電極陣聯(lián)的封裝體硅膠，破壞各電極之間的絕緣涂層而影響使用效果，使用起來很不方便。
[0005]因此，需要一種易于插入耳蝸內，且插入后使用效果好的人工耳蝸電極陣聯(lián)。

【發(fā)明內容】

[0006]鑒于以上所述現有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種人工耳蝸微彎電極，用于解決現有技術中人工耳蝸電極不易插入使用的問題。
[0007]為實現上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種人工耳蝸微彎電極，其包括通過電極絲依次相連的電極緩沖段、電極過渡段和電極陣聯(lián)段，所述電極緩沖段、電極過渡段為直線形，所述電極陣聯(lián)段為弧線形，電極陣聯(lián)段分為兩段，一段為靠近所述電極過渡段的由至少一個橢圓環(huán)電極構成的橢圓電極段，一段為由多個由環(huán)形電極壓制成的半圓電極串接而成的半圓電極段，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段內側為外露的所述半圓電極，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段外側為包裹半圓電極的硅膠體。
[0008]優(yōu)選的，所述電極絲在所述半圓電極段位于所述半圓電極自身形成的凹槽內，在所述橢圓電極段位于所述橢圓環(huán)電極內部。
[0009]優(yōu)選的，所述電極絲與不同的所述半圓電極焊接位置不同。
[0010]優(yōu)選的，所述電極絲焊接在所述橢圓環(huán)電極的內壁上。
[0011]優(yōu)選的，所述電極過渡段設有三個標識位，分別為最小植入標識位、推薦植入標識位、極限植入標識位，最小植入標識位與所述電極陣聯(lián)段相連，極限植入標識位與所述電極緩沖段相連。
[0012]優(yōu)選的，所述極限植入標識位具有頂設電極叉用的突出部。
[0013]優(yōu)選的，所述電極過渡段內設有包裹在硅膠體內的加強環(huán)。
[0014]優(yōu)選的，所述加強環(huán)為具有生物相容性的金屬。
[0015]優(yōu)選的，所述電極緩沖段內的所有電極絲一起纏繞成錐形彈簧狀。
[0016]如上所述，本發(fā)明的人工耳蝸微彎電極，具有以下有益效果:其采用將電極陣聯(lián)段作成弧線形，且電極陣聯(lián)段分成半圓電極段和橢圓電極段，而橢圓電極段很短，半圓電極段較長，這樣使電極陣聯(lián)段的外側為包裹半圓電極的光滑硅膠體，減少植入時的插入阻力；而半圓電極段采用半圓電極，半圓電極具有接觸電阻小，功耗低，刺激集中的優(yōu)點，橢圓電極段采用橢圓環(huán)電極，橢圓環(huán)電極位于電極陣聯(lián)段靠近電極過渡段處，橢圓環(huán)電極截面為橢圓狀，其符合耳蝸的生理結構，橢圓環(huán)電極與耳蝸神經接觸面積大，電刺激方向為全方向，能夠確保耳蝸神經得到有效電刺激。
【附圖說明】
[0017]圖1顯示為本發(fā)明的人工耳蝸微彎電極示意圖。
[0018]圖2顯示為本發(fā)明的半圓電極與電極絲相固定示意圖。
[0019]圖3顯示為本發(fā)明的所述電極絲在半圓電極內的固定位置示意圖。
[0020]圖4顯示為本發(fā)明的所述半圓電極段的截面圖。
[0021]圖5顯示為本發(fā)明的所述橢圓電極段的截面圖。
[0022]圖6顯示為本發(fā)明的所述電極絲在半圓電極內的固定位置示意圖。
[0023]圖7顯示為本發(fā)明的所述加強環(huán)處的截面圖。
[0024]圖8顯示為本發(fā)明的人工耳蝸微彎電極插入耳蝸示意圖。
[0025]元件標號說明
[0026]I 電極陣聯(lián)段
[0027]11硅膠體
[0028]12橢圓環(huán)電極
[0029]13半圓電極
[0030]2 電極過渡段
[0031]21最小植入標識位
[0032]22推薦植入標識位
[0033]23極限植入標識位
[0034]231突出部
[0035]24加強環(huán)
[0036]3 電極緩沖段
[0037]4 電極絲
[0038]5 耳蝸
【具體實施方式】
[0039]以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0040]請參閱圖1至圖8。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容所能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0041]如圖1所示，本發(fā)明提供一種人工耳蝸微彎電極，其包括通過電極絲4依次相連的電極緩沖段3、電極過渡段2和電極陣聯(lián)段I，所述電極緩沖段3、電極過渡段2為直線形，所述電極陣聯(lián)段3為弧線形，電極陣聯(lián)段I分為兩段，一段為靠近所述電極過渡段2的由至少一個橢圓環(huán)電極12構成的橢圓電極段，一段為由多個由環(huán)形電極壓制成的半圓電極13(見圖2及圖3所示)串接而成的半圓電極段，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段內側為外露的所述半圓電極13，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段外側為包裹半圓電極13的硅膠體Ilo本發(fā)明只將電極陣聯(lián)段I做成弧形，且電極陣聯(lián)段I主要由半圓電極13構成，這使電極陣聯(lián)段I的內側為半圓電極13，外側為光滑硅膠體11，減少植入時的插入阻力；半圓電極13具有接觸電阻小，功耗低，刺激集中的優(yōu)點；而在電極陣聯(lián)段I靠近電極過渡段2設為橢圓環(huán)電極12，是因為橢圓環(huán)電極12為扁平橢圓狀，符合耳蝸的生理結構，其與耳蝸神經接觸面積大，電刺激方向為全方向，能夠確保耳蝸神經得到有效電刺激。
[0042]如圖2及圖3所示，半圓電極