202與基板201之間的距離為預(yù)定距離的位置上(圖13G)。可以容易地通過使用微動臺調(diào)整固定片材202的部分與保持支撐部件206的部分之間的位置關(guān)系，來確定基板201停止的位置。然后，硅酮樹脂240硬化，并且通過硬化的硅酮層205固定基板201和片材202 (圖13H)。在這種情況下，硅酮層205的一部分流入框架
203與基板201和支撐部件206之間并且硬化?？赏ㄟ^首先調(diào)整待施加的硅酮層205的量來調(diào)整硅酮層205硬化的范圍。在框架203與基板201和支撐部件206之間硬化的硅酮層205還用作用于機(jī)械保持框架203和基板201和支撐部件206的粘合劑。這導(dǎo)致可靠性的提尚。
[0114]一般地，未硬化的硅酮樹脂240具有高粘度且趨于捕獲空氣。如果在硅酮層205中保持空氣層，那么，當(dāng)超聲波穿過硅酮層205傳送時，由硅酮層205的聲學(xué)阻抗和空氣層的聲學(xué)阻抗之間的差值導(dǎo)致超聲波的大的衰減。在第十一和第十二實(shí)施例中描述的用于在基板201上施加硅酮樹脂240并然后粘貼片材202的處理中，空氣趨于在硅酮樹脂240中被捕獲。為了避免空氣的捕獲，有時需要復(fù)雜的處理以例如在減壓的氣氛中執(zhí)行粘貼處理或者使用滾筒執(zhí)行粘貼處理。另一方面，根據(jù)本實(shí)施例，由于基板201斜著浸入被框架203和片材202包圍的區(qū)域中并且被硅酮樹脂240填充，因此，較不容易在硅酮樹脂240中捕獲空氣。因此，可以在不使用復(fù)雜的處理的情況下，在簡單的處理中防止在片材202與基板201之間的硅酮層205中形成空氣層。可以制造傳送和接收特性優(yōu)異的的電容式換能器。
[0115]第十四實(shí)施例
[0116]本實(shí)施例涉及用于經(jīng)由硅酮層205固定CMUT 100形成于其上的基板201和片材202的處理。在其它方面，本實(shí)施例中的制造處理與在第i^一到第十三實(shí)施例中的任一個中描述的制造處理相同。在本實(shí)施例中，硅酮層205的厚度由被設(shè)置在基板201上的厚度設(shè)定部分限定。參照圖14A到14H具體描述處理。
[0117]首先，片材202被固定于具有平坦表面的保持夾具260上。在該點(diǎn)上，片材202沿保持夾具260的表面形狀保持平坦。只要不通過施加到基板201的外力在基板201中導(dǎo)致變形，就可使用金屬或樹脂作為保持夾具260。隨后，使得施加有未硬化的硅酮樹脂240的基板201接近片材202。在基板201上，設(shè)置被確定為預(yù)定高度的確定部件(厚度設(shè)定部分)，從而限定片材202與基板201之間的高度。在圖14A中，使用密封導(dǎo)線131的密封材料 132。
[0118]當(dāng)使基板201進(jìn)一步接近片材側(cè)時，基板201上的硅酮樹脂240接觸第一電極102的下表面。當(dāng)連續(xù)地使基板201和片材202相互接近時，密封材料132與片材202的下表面接觸?；?01與片材202之間的距離不再減小?；?01的移動停止(圖14B)。因此，存在于基板201與片材202之間的硅酮樹脂240的厚度與作為厚度設(shè)定部分的密封材料132的高度相同?？赏ㄟ^用于使用彈簧向基板201施加固定外力的結(jié)構(gòu)，容易地實(shí)現(xiàn)用于停止基板201的移動的手段。最后，通過在這種狀態(tài)下硬化硅酮樹脂240，可以在保持基板201與片材202之間的距離與密封材料132的高度相同的同時，使用硅酮層205固定基板201和片材202。
[0119]在本實(shí)施例中，片材202與基板201之間的距離由設(shè)置在基板201上的厚度設(shè)定部分限定。因此，與高度由可移動臺或框架和支撐部件的適配來限定相比，可以更精確地限定片材202與基板201之間的距離。
[0120]厚度設(shè)定部分不限于密封導(dǎo)線131的密封材料132。只要該部件被確定為預(yù)定高度，就可使用任何部件。如圖14C和圖14D所示，也可使用柔性布線板204。在這種情況下，與密封導(dǎo)線131的密封材料132相比，柔性布線板204可被設(shè)定為低的均勻高度。因此，可以獲得硅酮層205的較小均勻厚度。如圖14E和圖14F所示，通過使用間隔物222，可以在不受基板201上的電極109和110的設(shè)置位置限制的情況下，在任何最佳位置上設(shè)置厚度設(shè)定部分。間隔物222的厚度不受拉出導(dǎo)線限制。因此，可以使用具有最佳厚度的間隔物222并且獲得更合適的厚度。圖14G和圖14H是示出圖14A和圖14B所示的總體處理的示圖。
[0121]注意，在本實(shí)施例中，描述了使用第^^一實(shí)施例和第十二實(shí)施例中描述的其中在基板201上施加未硬化硅酮樹脂240的結(jié)構(gòu)來執(zhí)行的處理。但是，本實(shí)施例不限于該處理。本實(shí)施例還可以是使用第十三實(shí)施例中描述的其中在片材202側(cè)施加硅酮樹脂240的結(jié)構(gòu)來執(zhí)行的處理。根據(jù)本實(shí)施例，可以更精確地限定片材202與基板201之間的距離。因此，可以更精確地設(shè)定片材202與基板201之間的硅酮層205的厚度。
[0122]第十五實(shí)施例
[0123]本實(shí)施例在保持部件的表面形狀上與第十四實(shí)施例不同。圖15A到15F是用于描述本實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中，保持夾具270的表面形狀具有凸形。保持夾具270的凸形的凸部平面覆蓋基板201上的形成CMUT 100的區(qū)域。除了保持夾具270的形狀不同以外，其制造處理與第十四實(shí)施例中的制造處理相同。但是，必須添加用于在使基板201接近片材202側(cè)之前確定保持夾具270與CMUT 100形成于其上的基板201之間的位置關(guān)系的夾具，或添加用于在使基板201接近片材202側(cè)之前調(diào)整位置關(guān)系的處理?？梢匀菀椎赝ㄟ^使用通用封裝技術(shù)、具有高度精確的定位功能的夾具和具有微調(diào)功能的臺來實(shí)現(xiàn)夾具和處理。當(dāng)使用本實(shí)施例中的保持夾具270時，存在于CMUT100形成于其上的平面與CMUT100上的片材之間的硅酮層205的厚度可被設(shè)定為小于密封材料132(厚度設(shè)定部分)的高度。
[0124]厚度設(shè)定部分不限于密封導(dǎo)線131的密封材料132，并且只需要是被確定為預(yù)定高度的部件。如第十四實(shí)施例地，可以使用柔性布線板204(圖15C和圖15D)和間隔物222 (圖 15E 和圖 15F)。
[0125]根據(jù)本實(shí)施例，可以進(jìn)一步減小到CMUT上的片材的距離。因此，可以提供超聲波特性劣化更少且傳送和接收特性十分優(yōu)異的電容式換能器的制造方法。
[0126]第十六實(shí)施例
[0127]本實(shí)施例涉及包括第十三實(shí)施例中描述的制造方法中的用于使用硅酮層205固定CMUT 100形成于其上的基板201和片材202的處理的制造方法。在本實(shí)施例中，硅酮層205的厚度由設(shè)置在基板201上的厚度設(shè)定部分限定。向基板201施加外力，從而使得基板201上的片材202的表面與框架203上的片材表面相比處于更外側(cè)。參照圖16A到16C具體描述處理。
[0128]在本實(shí)施例中的基板201上，設(shè)置被確定為預(yù)定高度的部件(厚度設(shè)定部分)，從而限定片材202與基板201之間的高度。在圖16A到16C中，使用密封導(dǎo)線131的密封材料132。描述第十三實(shí)施例中的圖13F中的處理之后的處理。本實(shí)施例與第十三實(shí)施例的不同在于，框架203被保持夾具290保持，并且，即使向框架203的(圖中)上側(cè)施加外力，框架203也不移動。并且，本實(shí)施例與第十三實(shí)施例的不同在于，即使與片材202的表面接觸之后，基板201上的密封材料132也不停止并且基板201向上側(cè)移動。因此，當(dāng)施加到基板201的上側(cè)的外力被傳送到片材202時，由于框架部分被保持夾具290保持，因此外力經(jīng)由基板201上的密封材料132被傳送到片材202。由于片材202極薄且具有高可伸縮性，因此，片材202輕微變形以在不破裂的情況下在基板201的上側(cè)具有凸形(圖16B)。凸部的高度可被設(shè)定為約幾微米到幾百微米。
[0129]當(dāng)基板201關(guān)于框架203來到所希望的位置時，基板201停止移動。當(dāng)保持這種狀態(tài)時，通過使硅酮層205硬化，在保持凸形的同時固定片材202 (圖16C)。此時，基板201上的CMUT 100形成于其上的平面與平面上的片材202之間的間隔具有與密封材料132 (厚度設(shè)定部分)的高度相同的值。因此，存在于CMUT 100形成于其上的平面與CMUT 100上的片材202之間的硅酮層205的厚度也具有與密封材料132 (厚度設(shè)定部分)的高度相同的值。片材202被推向上側(cè)并且在其端部被保持固定于框架203的情況下，通過基板201被固定。與不推動片材202時相比，向片材202施加張力。因此，片材202伸出并且張緊。如第十四實(shí)施例和第十五實(shí)施例中描述的那樣，即使不使用在片材上側(cè)具有平坦形狀的保持夾具，硅酮層205的厚度也可被設(shè)定為固定值。因此，由于不必使硅酮層205與CMUT 100上的片材202的表面接觸，因此，片材202不被粘附于保持夾具的表面上的灰塵刮損。片材202的水蒸汽滲透率不劣化。即，片材202的耐水性得到保持。
[0130]厚度設(shè)定部分不限于密封導(dǎo)線131的密封材料132。只要部件是被確定為預(yù)定高度的部件，就可使用任何部件。與第四實(shí)施例地，還可以使用柔性布線板204。在這種情況下，與密封導(dǎo)線131的密封材料132相比，柔性布線板204可被設(shè)定為低均勻高度。因此，可以獲得硅酮層205的較小均勻厚度。通過使用間隔物222，可以在不受基板201上的電極109和110的設(shè)置位置限制的情況下，在任何最佳位置上設(shè)置厚度設(shè)定部分。間隔物222的厚度不受拉出導(dǎo)線限制。因此，可以使用具有最佳的厚度的間隔物222并且獲得更合適的厚度。
[0131]注意，在本實(shí)施例中，從框架203的上側(cè)按壓保持框架203的保持夾具290。但是，本發(fā)明不限于此。只要框架203在處理中不被施加到基板201的外力移動，就可使用諸如夾緊和保持框架203的保持夾具的任何保持夾具。
[0132]根據(jù)本實(shí)施例，可以提供不損傷片材202的表面、具有高可靠性、小尺寸和優(yōu)異的傳送和接收特性的電容式換能器的制造方法。在制造方法的以上描述中，片材202關(guān)于框架203被設(shè)置在圖的上側(cè)。但是，本實(shí)施例不限于此。可通過關(guān)于框架203向下或向側(cè)面引導(dǎo)片材202來制造電容式換能器。在這種情況下，只要當(dāng)施加未硬化的粘合劑或未硬化的硅酮樹脂時不出現(xiàn)液體滴落的問題，就可在任何方向上使用片材202。
[0133]第十七實(shí)施例
[0134]第十七實(shí)施例涉及包含根據(jù)第一到第十實(shí)施例中的任一個的電容式換能器或通過根據(jù)第十一到第十六實(shí)施例中的任一個的制造方法制造的電容式換能器的超聲探針。
[0135]參照圖17A和圖17B描述包含本發(fā)明的電容式換能器的超聲探針的結(jié)構(gòu)。圖17A是本實(shí)施例中的包含電容式換能器的超聲探針的示意圖。在圖17A中，超聲探針300包括外殼301、電路板302、傳送和接收電路303和電纜304。包含CMU